JP3120500B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JP3120500B2 JP3120500B2 JP03289093A JP28909391A JP3120500B2 JP 3120500 B2 JP3120500 B2 JP 3120500B2 JP 03289093 A JP03289093 A JP 03289093A JP 28909391 A JP28909391 A JP 28909391A JP 3120500 B2 JP3120500 B2 JP 3120500B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体磁器材料は、中性または還
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
【０００３】そこで、上述の問題点を解決するために、
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣ
ａＴｉＯ3 がＭｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温における信頼性の低下につながる危険性があっ
た。
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣ
ａＴｉＯ3 がＭｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温における信頼性の低下につながる危険性があっ
た。
【０００５】また、特公昭６１−１４６１１号に開示さ
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
【０００６】さらに、この組成物の誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１１．０
以上であり、さらに誘電率の温度特性が、２５℃の容量
値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわた
って±１５％の範囲内にあることを満足し、低酸素分圧
下であっても、組織が半導体化せず焼成可能である、非
還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１１．０
以上であり、さらに誘電率の温度特性が、２５℃の容量
値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわた
って±１５％の範囲内にあることを満足し、低酸素分圧
下であっても、組織が半導体化せず焼成可能である、非
還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜６．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜６．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＳｉＯ2
０．２〜５．０モル％とを含有する、非還元性誘電体磁
器組成物である。さらに、上記組成物に、副成分とし
て、Ｙ2 Ｏ3 を３．０モル％以下含有してもよい。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜６．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜６．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＳｉＯ2
０．２〜５．０モル％とを含有する、非還元性誘電体磁
器組成物である。さらに、上記組成物に、副成分とし
て、Ｙ2 Ｏ3 を３．０モル％以下含有してもよい。
【０００９】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩＲで１１．０
以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足する。
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩＲで１１．０
以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足する。
【００１０】したがって、この発明にかかる非還元性誘
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１２】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 を準備した。こ
れらの原料を表１に示す組成割合となるように秤量し
て、秤量物を得た。なお、試料番号１〜２９について
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢ
ａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３０については、アルカ
リ金属酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3
を使用し、試料番号３１については、アルカリ金属酸化
物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し
た。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 を準備した。こ
れらの原料を表１に示す組成割合となるように秤量し
て、秤量物を得た。なお、試料番号１〜２９について
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢ
ａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３０については、アルカ
リ金属酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3
を使用し、試料番号３１については、アルカリ金属酸化
物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】得られた秤量物に酢酸ビニル系バインダを
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
【００１５】次いで、このようにして得られた成形体
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
【００１６】
【表２】
【００１７】得られた磁器の両面に、銀ペーストを塗布
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結
果を表２に示す。
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結
果を表２に示す。
【００１８】なお、誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについ
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。
【００１９】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２０】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を８８．
０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が８８．０モ
ル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の構
成比率が多くなるため、試料番号５に示すように、絶縁
抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、
ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える場合
には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果がな
く、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれて好ま
しくない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化
物含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超
えると、試料番号３０および３１に示すように、誘電率
の低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
明する。主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を８８．
０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が８８．０モ
ル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の構
成比率が多くなるため、試料番号５に示すように、絶縁
抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、
ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える場合
には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果がな
く、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれて好ま
しくない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化
物含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超
えると、試料番号３０および３１に示すように、誘電率
の低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２１】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とするの
は、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番号１
１に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、絶
縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１４に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
明する。ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とするの
は、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番号１
１に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、絶
縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１４に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
【００２２】また、ＭｎＯ添加量を０．２〜３．０モル
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１９に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１７に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１９に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１７に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
【００２３】ＳｉＯ2 添加量を０．２〜５．０モル％と
するのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料
番号２１に示すように、焼結温度の低下に効果がないの
で好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える
場合には、試料番号２５に示すように、誘電率の低下が
生じるため好ましくない。
するのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料
番号２１に示すように、焼結温度の低下に効果がないの
で好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える
場合には、試料番号２５に示すように、誘電率の低下が
生じるため好ましくない。
【００２４】最後に、Ｙ2 Ｏ3 の添加量を３．０モル％
以下とするのは、添加量が３．０モル％ょ超えると、試
料番号２９に示すように、焼結性が著しく低下するため
好ましくない。
以下とするのは、添加量が３．０モル％ょ超えると、試
料番号２９に示すように、焼結性が著しく低下するため
好ましくない。
【００２５】それに対して、この発明にかかる非還元性
誘電体磁器組成物は、中性または還元性の雰囲気におい
て１２６０〜１３００℃の温度で焼成しても、組織が還
元されて半導体化することがない。さらに、この非還元
性誘電体磁器組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３
０００以上の高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡ
に規定されているＸ７Ｒ特性を満足する。
誘電体磁器組成物は、中性または還元性の雰囲気におい
て１２６０〜１３００℃の温度で焼成しても、組織が還
元されて半導体化することがない。さらに、この非還元
性誘電体磁器組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３
０００以上の高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡ
に規定されているＸ７Ｒ特性を満足する。
【００２６】なお、表２に示す特性データは、単板コン
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。し
たがって、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用いれ
ば、内部電極材料としてＮｉなどで代表される卑金属材
料を用いることができる。そのため、従来のＰｄなどの
貴金属を用いたものに比べて、特性を落とすことなく、
大幅なコストダウンを行うことが可能となる。
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。し
たがって、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用いれ
ば、内部電極材料としてＮｉなどで代表される卑金属材
料を用いることができる。そのため、従来のＰｄなどの
貴金属を用いたものに比べて、特性を落とすことなく、
大幅なコストダウンを行うことが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−9066（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−17212（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−70221（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ
3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜６．０モル％、および Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜６．０モル％ の範囲内にある主成分１００モル％に対し、 副成分として、 ＢａＯ ０．２〜４．０モル％、 ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％、および ＳｉＯ2 ０．２〜５．０モル％ を含有する、非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 さらに、副成分として、Ｙ2 Ｏ3 を３．
０モル％以下含有する、請求項１に記載の非還元性誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03289093A JP3120500B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03289093A JP3120500B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597509A JPH0597509A (ja) | 1993-04-20 |
| JP3120500B2 true JP3120500B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=17738715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03289093A Expired - Lifetime JP3120500B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120500B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514574B1 (ko) | 2002-01-15 | 2005-09-13 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
| JP5153288B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2013-02-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP03289093A patent/JP3120500B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0597509A (ja) | 1993-04-20 |
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