JPS63110601A - 半導体磁器材料の製造方法 - Google Patents
半導体磁器材料の製造方法Info
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- JPS63110601A JPS63110601A JP61256011A JP25601186A JPS63110601A JP S63110601 A JPS63110601 A JP S63110601A JP 61256011 A JP61256011 A JP 61256011A JP 25601186 A JP25601186 A JP 25601186A JP S63110601 A JPS63110601 A JP S63110601A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、通電による自己発熱での抵抗値増加全利用し
た、無接点スイッチに用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系の半導体磁器の製造方法に関し
、特に耐電圧特性、負荷寿命特性の優れたチタン酸バリ
ウム系の半導体磁器の製造方法に関するものである。
た、無接点スイッチに用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系の半導体磁器の製造方法に関し
、特に耐電圧特性、負荷寿命特性の優れたチタン酸バリ
ウム系の半導体磁器の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、この種の正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリ
ウム系の半導体磁器は、素子の両端に印加する電圧を大
きくしてゆくと、やがて素子に割れ等の破壊をおこすに
至る。これを耐電圧という。
ウム系の半導体磁器は、素子の両端に印加する電圧を大
きくしてゆくと、やがて素子に割れ等の破壊をおこすに
至る。これを耐電圧という。
この電圧依存性は、素子の焼結体粒子径が大きいほど、
また大小の焼結体粒子径が不均一に分散しているものほ
ど大きく破壊されやすい。さらに、素子の両端にある一
定の時間ごとに電圧を間歇的印加し、これをくり返した
時に、初期抵抗値に対する抵抗の変化率（％）が目的の
値をこえるか、あるいは、電圧の間歇的印加にともなう
、ヒートショックにより、素子に割れ、チッピング等の
欠陥が生じる。これを負荷寿命という。負荷寿命につい
ても焼結体粒子径（以下粒子径と称す）の大きいもの、
大小の粒子径が不均一に分散しているものほど悪いこと
が認められている。このため、粒成長抑制剤として、ｃ
ａｃｏ３１添加してきた。
また大小の焼結体粒子径が不均一に分散しているものほ
ど大きく破壊されやすい。さらに、素子の両端にある一
定の時間ごとに電圧を間歇的印加し、これをくり返した
時に、初期抵抗値に対する抵抗の変化率（％）が目的の
値をこえるか、あるいは、電圧の間歇的印加にともなう
、ヒートショックにより、素子に割れ、チッピング等の
欠陥が生じる。これを負荷寿命という。負荷寿命につい
ても焼結体粒子径（以下粒子径と称す）の大きいもの、
大小の粒子径が不均一に分散しているものほど悪いこと
が認められている。このため、粒成長抑制剤として、ｃ
ａｃｏ３１添加してきた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、ＣａＣＯ３の添加量を増加
してゆくと、素子の比抵抗が急激に上昇し実用化が容易
ではなかった。すなわち、素子の粒子径を微細かつ均一
にできるまで、ＣａＣＯ３の添加量を増加すると、比抵
抗も極端に上昇し、実用化が困難であるという問題があ
った。
してゆくと、素子の比抵抗が急激に上昇し実用化が容易
ではなかった。すなわち、素子の粒子径を微細かつ均一
にできるまで、ＣａＣＯ３の添加量を増加すると、比抵
抗も極端に上昇し、実用化が困難であるという問題があ
った。
本発明はこのような問題点を解決するもので、量産性が
よく、耐電圧特性、負荷寿命特性の優れた正の抵抗温度
係数を有するチタン酸バリウム系半導体磁器を提供する
ことを目的とするものである。
よく、耐電圧特性、負荷寿命特性の優れた正の抵抗温度
係数を有するチタン酸バリウム系半導体磁器を提供する
ことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、粒成長抑制剤で
あるＣａＣＯ３の添加量の範囲を限定し、仮焼温度を限
定し、さらに仮焼粉末に添加物を加えることにある。
あるＣａＣＯ３の添加量の範囲を限定し、仮焼温度を限
定し、さらに仮焼粉末に添加物を加えることにある。
作用
この構成によυ、素子の粒子径を均一微細化することに
より、耐電圧特性、負荷寿命特性を改善することとなる
。
より、耐電圧特性、負荷寿命特性を改善することとなる
。
実施例
第１表に示す組成となるように、ＢａＣＯ３゜ＣＩＬＣ
Ｏ５、ＰｂＯ、ＳｒＣ；０３ 、 ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ
５ｆ秤量シ通常の窯業的手段に従って湿式混合した。第
１表中組成数値は、モル数を示す。
Ｏ５、ＰｂＯ、ＳｒＣ；０３ 、 ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ
５ｆ秤量シ通常の窯業的手段に従って湿式混合した。第
１表中組成数値は、モル数を示す。
第 １ 表
その後１１００℃の温度で２時間仮焼した粉末に５ｋ）
２０５ ｆ Ｏ−０５モル％ 、 ＭｎＯ２を０．０４
モル％。
２０５ ｆ Ｏ−０５モル％ 、 ＭｎＯ２を０．０４
モル％。
５ｉ０２を０．６モルチウム１２０５を０．１５５モル
チ添加したものをボールミルを用い混合粉砕した。
チ添加したものをボールミルを用い混合粉砕した。
これらの各粉末を直径２２ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板状に
１２０ｏｋｇ／ａｆの圧力をかけて成形し、それ全１３
２０℃で焼成したのち１時間あたり６０℃の速度で室温
まで冷却した。得られた焼結体の表面にはオーミック接
触する電極として銀電極を形成した。このようにして得
た各試料の緒特性を調べた結果を第２表に示す。表中に
おいてＲ２５℃は、２６°Ｃにおける抵抗値、耐電圧は
それぞれの試料、一定の電圧を印加した際、３分間耐え
ることのできる電圧でＳＯＷづつ昇圧して試験した。す
なわち４５０Ｖとあるのは４５０ｖでは２分間保持され
たが、５００ｖでは２分以内に試料が破壊したことを意
味する。また、負荷寿命とは試料と２６Ωの固有抵抗と
を直列に接続したその両端Ｖ？−２２０Ｖ ｆ２０秒間
ＯＮ、 １００秒間開 Ｆ Ｆ トイ’）様ＶＣ電圧の
間歇的印加ｌ５ｏｏｏｏ回くり返した時の初期抵抗値に
対する抵抗の変化率チで表わしている。
１２０ｏｋｇ／ａｆの圧力をかけて成形し、それ全１３
２０℃で焼成したのち１時間あたり６０℃の速度で室温
まで冷却した。得られた焼結体の表面にはオーミック接
触する電極として銀電極を形成した。このようにして得
た各試料の緒特性を調べた結果を第２表に示す。表中に
おいてＲ２５℃は、２６°Ｃにおける抵抗値、耐電圧は
それぞれの試料、一定の電圧を印加した際、３分間耐え
ることのできる電圧でＳＯＷづつ昇圧して試験した。す
なわち４５０Ｖとあるのは４５０ｖでは２分間保持され
たが、５００ｖでは２分以内に試料が破壊したことを意
味する。また、負荷寿命とは試料と２６Ωの固有抵抗と
を直列に接続したその両端Ｖ？−２２０Ｖ ｆ２０秒間
ＯＮ、 １００秒間開 Ｆ Ｆ トイ’）様ＶＣ電圧の
間歇的印加ｌ５ｏｏｏｏ回くり返した時の初期抵抗値に
対する抵抗の変化率チで表わしている。
第２表から明らかなように、本発明による試料３．４，
６．６は、低比抵抗で耐電圧特性および負荷寿命特性が
著しく改善されていることがわかる。一方、本発明の比
較例の試料１．２は負荷寿命特性で劣っている。さらに
試料７，８．９は、比抵抗が急激に増加している。
６．６は、低比抵抗で耐電圧特性および負荷寿命特性が
著しく改善されていることがわかる。一方、本発明の比
較例の試料１．２は負荷寿命特性で劣っている。さらに
試料７，８．９は、比抵抗が急激に増加している。
次に、試料３〜６と同組成で仮焼温度のみを表３のよう
に変えた試料を作製して試験を行った。
に変えた試料を作製して試験を行った。
第 ３ 表
第３表から明らかなように、全試料の比抵抗が急激に増
加している。
加している。
さらに、試料３〜６と同組成で１１００°Ｃ仮焼したも
ので混合時に添加物を加えた試料を作製して試験を行っ
た結果を表４に示す。
ので混合時に添加物を加えた試料を作製して試験を行っ
た結果を表４に示す。
第 ４ 表
第４表から明らかなように、全試料の負荷寿命特性が劣
っている。
っている。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＣａＣＯ３を０．５〜２
．０モルチ添加し、１ｏ５０〜１１５０’Ｃで仮焼し、
さらに仮焼粉末に添加物を加えたことにより低比抵抗で
耐電圧特性、負荷寿命特性の優れた正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム系半導体磁器を竜産性良く提供
できるという効果が得られる。
．０モルチ添加し、１ｏ５０〜１１５０’Ｃで仮焼し、
さらに仮焼粉末に添加物を加えたことにより低比抵抗で
耐電圧特性、負荷寿命特性の優れた正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム系半導体磁器を竜産性良く提供
できるという効果が得られる。
Claims (1)
- Ｂａ＿（＿０＿．＿９＿６＿−＿Ｘ＿）Ｃａ＿ＸＰｂ
＿０＿．＿０＿２Ｓｒ＿０＿．＿０＿２ＴｉＯ＿３＋０
．００１３Ｎｂ＿２Ｏ＿５＋０．０１ＴｉＯ＿２（０．
００５≦ｘ≦０．２）の組成になるように配合、混合し
さらに１０５０℃〜１１００℃で仮焼した粉末に対しＳ
ｂ＿２Ｏ＿５を０．０５モル％、ＭｎＯ＿２を０．０４
モル％、ＳｉＯ＿２を０．６モル％、Ａｌ＿２Ｏ＿３を
０．１５５モル％添加することを特徴とする半導体磁器
材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256011A JPS63110601A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体磁器材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256011A JPS63110601A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体磁器材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110601A true JPS63110601A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17286669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61256011A Pending JPS63110601A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体磁器材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110601A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991007762A1 (fr) * | 1989-11-13 | 1991-05-30 | Nkk Corporation | Petit moteur a courant continu |
| JPH03215355A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
| US5294851A (en) * | 1990-11-02 | 1994-03-15 | Nkk Corporation | Small-sized DC motor |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61256011A patent/JPS63110601A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991007762A1 (fr) * | 1989-11-13 | 1991-05-30 | Nkk Corporation | Petit moteur a courant continu |
| JPH03155352A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Nkk Corp | 小型直流モーター |
| JPH03215355A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
| US5294851A (en) * | 1990-11-02 | 1994-03-15 | Nkk Corporation | Small-sized DC motor |
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