JPS581913A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS581913A JPS581913A JP56098983A JP9898381A JPS581913A JP S581913 A JPS581913 A JP S581913A JP 56098983 A JP56098983 A JP 56098983A JP 9898381 A JP9898381 A JP 9898381A JP S581913 A JPS581913 A JP S581913A
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- JP
- Japan
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- porcelain composition
- dielectric constant
- composition
- high dielectric
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器組成切に関するものであり、具体
的には、誘電率が高く、広い温度範囲にわたってその変
化か小さく、かつ、ａ電体損失の少ない優れた高５ｓｓ
ａｉ器組成物に関するものである。
的には、誘電率が高く、広い温度範囲にわたってその変
化か小さく、かつ、ａ電体損失の少ない優れた高５ｓｓ
ａｉ器組成物に関するものである。
従来、ＷｓＩＩ＆率が高く、誘電率の温度変化の小さな
磁器組成物として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｍ）
にｔＸＶＸ化合物、４ＦＩ ｌ ハＢｉ ２ （Ｓａｇ
ｓ） Ｏｓや、ＢｊＪｊ２０，１１１１□（ＺｒＯｓ）
Ｏｓ＆ＴａＯ等を添加ｔ、”ｃ＋ノ温度特性変化率を
小さくしたものが知られている。
磁器組成物として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｍ）
にｔＸＶＸ化合物、４ＦＩ ｌ ハＢｉ ２ （Ｓａｇ
ｓ） Ｏｓや、ＢｊＪｊ２０，１１１１□（ＺｒＯｓ）
Ｏｓ＆ＴａＯ等を添加ｔ、”ｃ＋ノ温度特性変化率を
小さくしたものが知られている。
へ
又、（ｉｚａ＋ｓｒ）丁ＩＱｓやＢａ （ＴＩ、Ｓｓ）
（ｂのような固１１４にしてｌ１ａＴ１０ｓのキエー
り点を常温附近まで下げている。
（ｂのような固１１４にしてｌ１ａＴ１０ｓのキエー
り点を常温附近まで下げている。
しかしながら、最近の磁器コンデンヤはその用辿におい
て小型大容量のもの、子馬周波特性における特ｐが優れ
ていることが要求されるが、これら前記の誘電率組成物
はこの要求を満足するに宣うていない。
て小型大容量のもの、子馬周波特性における特ｐが優れ
ていることが要求されるが、これら前記の誘電率組成物
はこの要求を満足するに宣うていない。
すなわち、小型大容量のものは誘電率の大きい方が有利
であるが、一般に誘電率が大きくなるとその温度による
変化も大きくなるため、誘電率を大きくするに１ 。
であるが、一般に誘電率が大きくなるとその温度による
変化も大きくなるため、誘電率を大きくするに１ 。
はおのずから限界があった。
このような難点を解決するため、誘電体の厚みを簿くし
て静電容量の増加を欝る方法が一般的で、ｌＩ！電体基
板厚みを０．１〜０．２藺程度にグリーンシート化し、
所、１□ 定形状打抜後、焼成されするがこの場合、組成中にビス
マス化合物を含むと焼成時にビスマスが蒸発し、紫体が
屈曲を生じたり、ピンホールが発生して微密な磁器を得
ることは困難であった。
て静電容量の増加を欝る方法が一般的で、ｌＩ！電体基
板厚みを０．１〜０．２藺程度にグリーンシート化し、
所、１□ 定形状打抜後、焼成されするがこの場合、組成中にビス
マス化合物を含むと焼成時にビスマスが蒸発し、紫体が
屈曲を生じたり、ピンホールが発生して微密な磁器を得
ることは困難であった。
又、焼成炉中、甲、敷粉などにビスマス 囲気が殉餡し
他のＪ＾器組成物の焼成工程に悪影響を及番ざすという
欠点があった。
他のＪ＾器組成物の焼成工程に悪影響を及番ざすという
欠点があった。
又、チタン酸バリウムの高鈍度徴１／子粉末を用いホッ
トプレスするか、有脚−を粒醗長仰制剤として用い高密
度碍詐誘禦体はＮｌＫ率か３０００以上で温度特性の良
いことが知られているが、前者は量産件に間−があり、
後者は静電圧コンデンサのようなｗＬ’Ｊ上の”Ｊｔｍ
＋を焼成しようとすると有機物の炭素が残ったり、＃素
を完全に焼失させることが木酢である。
トプレスするか、有脚−を粒醗長仰制剤として用い高密
度碍詐誘禦体はＮｌＫ率か３０００以上で温度特性の良
いことが知られているが、前者は量産件に間−があり、
後者は静電圧コンデンサのようなｗＬ’Ｊ上の”Ｊｔｍ
＋を焼成しようとすると有機物の炭素が残ったり、＃素
を完全に焼失させることが木酢である。
斐にビスマスを含有するチタン−バリウムでｍ ｍ ｔ
ｇ磁器コンデンサを作成した場合、内部勤極であるパラ
ジウム又は白金パラジウム合金と誘電体内のビスマスが
反応を起こし、電極としての＊ａを失うため高価な −
白金を使用しなければならず、積層形Ｓ器コンデンサの
コストアップの要因になっていた。
ｇ磁器コンデンサを作成した場合、内部勤極であるパラ
ジウム又は白金パラジウム合金と誘電体内のビスマスが
反応を起こし、電極としての＊ａを失うため高価な −
白金を使用しなければならず、積層形Ｓ器コンデンサの
コストアップの要因になっていた。
また絶に耐電圧面からも不安な要因であり、高周波特性
における損失の大きいことも欠点の１つであった。
における損失の大きいことも欠点の１つであった。
このように従来、これ等の条件を備えた安定な磁器ＩＩ
Ｖｉ 体ハナ＜ 、その実現が望まれていた。
Ｖｉ 体ハナ＜ 、その実現が望まれていた。
本発明者等は、上瞼の整請に鑑み、鋭雪研究の結果、本
発明に到達したものであり、その要旨けｊ ＢａＩ２０
ｓ −ＮｌＮｂ１Ｏｒ−Ｓｂ ｇｏｓ系磁器組成−で酸
化物に換算して、 Ｂ畠Ｏ・・ψ・・彎１５３．４４〜６５．１０重量％ノ
１ Ｔｉ０１・・・・・３３．１０〜３３．９２重量％Ｎｉ
Ｏ・・・・・・ ０．１１〜０．７１重量％Ｎｂ、Ｏｒ
・・・・、 ０．３９〜２．５４重量％Ｓｂ ２０ｓ
・・・・ ０，２５〜１．２５重量％の範囲を主成分と
することを特徴とする高誘電ＳＳ器組、成物」に関する
ものである。
発明に到達したものであり、その要旨けｊ ＢａＩ２０
ｓ −ＮｌＮｂ１Ｏｒ−Ｓｂ ｇｏｓ系磁器組成−で酸
化物に換算して、 Ｂ畠Ｏ・・ψ・・彎１５３．４４〜６５．１０重量％ノ
１ Ｔｉ０１・・・・・３３．１０〜３３．９２重量％Ｎｉ
Ｏ・・・・・・ ０．１１〜０．７１重量％Ｎｂ、Ｏｒ
・・・・、 ０．３９〜２．５４重量％Ｓｂ ２０ｓ
・・・・ ０，２５〜１．２５重量％の範囲を主成分と
することを特徴とする高誘電ＳＳ器組、成物」に関する
ものである。
つまりＢｍＴｌｏｓにＮｌＮｂ、０．と５ｂ２（ｈを筒
雪成分として添加することにより、広い範囲にわたって
Ｓ置部の変化がΦなくａｍ率が高い値でしかも、誘電体
損失の極めて小さな特性の優れた誘電率磁器組成物を堤
供するものである。
雪成分として添加することにより、広い範囲にわたって
Ｓ置部の変化がΦなくａｍ率が高い値でしかも、誘電体
損失の極めて小さな特性の優れた誘電率磁器組成物を堤
供するものである。
以下、実施例によって本発明を詳述する。
出発ｌ１ｉｉＴ料として炭酸バリウム（ＢａｃＯｓ）と
酸化チタン（ｉ魚０！）を１：１のモル比で混合し、１
１００〜１２００℃で仮焼したのち、粉砕してチタン酸
バリウム（Ｂｍ？１０ｍ）の微粉末を得る。
酸化チタン（ｉ魚０！）を１：１のモル比で混合し、１
１００〜１２００℃で仮焼したのち、粉砕してチタン酸
バリウム（Ｂｍ？１０ｍ）の微粉末を得る。
酸化アンチモン（Ｓｂ、Ｏｓ）’を第−褒にボした成分
比率に 置調合した。
比率に 置調合した。
これ勢のＭ＠配合特を合成ＷＭ脂ボールミルで湿式混合
した後、１ｌｏＯ〜１２００℃で２時間仮焼し、化学反
応を行なわ曽しめた。この反応−をふたたびボールミル
を用いて粒子径数μ程度に粉砕混合する。
した後、１ｌｏＯ〜１２００℃で２時間仮焼し、化学反
応を行なわ曽しめた。この反応−をふたたびボールミル
を用いて粒子径数μ程度に粉砕混合する。
（ＰＶＡ）を適当−加え、約３トン／ｃｍの成形圧力で
直径１６．５ｍ＋、厚さ０．６譚の円板状成形物を作成
した。
直径１６．５ｍ＋、厚さ０．６譚の円板状成形物を作成
した。
次に１３００−１４００℃で２蒔間本焼成する。
こうして得られた磁器素体の１ｉＩｉｉ端面にｍＶ極を
７８０℃で焼付する。
７８０℃で焼付する。
このようにして製造した試料を、それぞれ電気特性を測
定した結果を第重表に示す。
定した結果を第重表に示す。
ここで誘電率＠Ｓ及びｓ電体損失（ｔａｍ６ ）け、周
波数ＩＫＨｚで演ｌ１足した。
波数ＩＫＨｚで演ｌ１足した。
測定条件として、索−２０℃を基準として静置容置及び
Ｑ値は！Ｅ１社（モデルＮＯ，４０４３Ａ） Ｑメータ
を使用した。
Ｑ値は！Ｅ１社（モデルＮＯ，４０４３Ａ） Ｑメータ
を使用した。
又、静電容量温度係数はプントン社製（モデル慟７４Ｄ
）キャパシタンスブリッジであり、恒温Ｓばエレクトブ
ト社製（モデルＨａｌｆ−ｔｏｗ）を使用した。
）キャパシタンスブリッジであり、恒温Ｓばエレクトブ
ト社製（モデルＨａｌｆ−ｔｏｗ）を使用した。
第−褒において試組＆Ｌ１．２．８．１０．１１は本発
明の範囲外のものであり、比重の為ボした。
明の範囲外のものであり、比重の為ボした。
第−表より明らかなように本発明範囲内のものは比誌電
率（−８）が約２３００〜４０５０の高い値を示しかつ
、静電装置変化率が直線性を示した状態である。
率（−８）が約２３００〜４０５０の高い値を示しかつ
、静電装置変化率が直線性を示した状態である。
すなわち、この組成範囲からはずれるものは第−表に示
すように望ましい特性を得ることはできなかった。
すように望ましい特性を得ることはできなかった。
その限定理由を具体的に述ぺの。
ＲａＴｉ−が９９．００電量％以上では焼結困難となり
、第２成分の添加改鉤効果がなくなる。
、第２成分の添加改鉤効果がなくなる。
９６．５重量％以下では誘電率が小さくなり実用的でな
いＮｌＮｂｌｌ０ｒが０．５１１ｔ％以下では焼結困難
となり、３．２５重量％以上では湿度特性が大きくなり
、誘ｌｌｌ５も小さくなる。
いＮｌＮｂｌｌ０ｒが０．５１１ｔ％以下では焼結困難
となり、３．２５重量％以上では湿度特性が大きくなり
、誘ｌｌｌ５も小さくなる。
Ｓｂ、Ｏｎが０．２５１１１１１％以下では温度特性が
大きくなり、１．２５重置火以上でも温度特性が大きく
なり実用的でない斐に關ｍｃＯｓを添加することにより
、素体の還元が防止され、絶縁低損の低下を防止できる
。
大きくなり、１．２５重置火以上でも温度特性が大きく
なり実用的でない斐に關ｍｃＯｓを添加することにより
、素体の還元が防止され、絶縁低損の低下を防止できる
。
以上の様に１本発明のＢａＴｉ（ｂ−ＮＩＮｂｚｏｒ−
ｓｂ２−系誘電墨磁器組成物によると誘電率が２３００
〜４０５０の範囲内で−電容量変化謝が極めて優れた値
でしかも積層形ｌＮＩｎコンデンサに使用した場合、内
部電極のパラジウムとの反応もなくパラジウム皐、独使
用が可能となったので。
ｓｂ２−系誘電墨磁器組成物によると誘電率が２３００
〜４０５０の範囲内で−電容量変化謝が極めて優れた値
でしかも積層形ｌＮＩｎコンデンサに使用した場合、内
部電極のパラジウムとの反応もなくパラジウム皐、独使
用が可能となったので。
日令又は”８会パラジウム合金よりも管価に大騨なアス
トダウンが容易となった。
トダウンが容易となった。
したがりて、雷資源観点からコスト明で極めて有利な５
１１ｓｌの高い値で温度特性の費定した優れた誘電率磁
器組成−を堤供することができるので工業上の＊ｇに大
なるものがある。
１１ｓｌの高い値で温度特性の費定した優れた誘電率磁
器組成−を堤供することができるので工業上の＊ｇに大
なるものがある。
Claims (1)
- （１） ｉｌａＴｉＯｍ−ＮｌＮ１＋２０ｙ−５ｂｚＯ
ｓ系磁器組成物−ＱＷＩＩ化物に：。 換算して、、 Ｂ暑０ ・１・噛・ ６３．４４．〜６５． １０
ｌｉ濡１％Ｔ盛山・・・・・・３３．１０〜３３．９
！Ｉ Ｎ置％Ｎｉ６ ・・・・・・ ０．１１〜０
．７１ 重量％ＮｂＩＬＯＦ・・・・・・ ０．３９
〜２．５４ 重量％Ｓｂ Ｏｓ −・・・・ ０．２
５〜１．２５ 重量％の範囲を主成分とすることを特
徴とする高ＭＩＩＭ！ｌ！系磁器票成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098983A JPS581913A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098983A JPS581913A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581913A true JPS581913A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14234234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098983A Pending JPS581913A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581913A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57500407A (ja) * | 1980-03-14 | 1982-03-11 | ||
| JPS59183686A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-18 | Tax Adm Agency | 清酒の品質改良法 |
| JPS6211087A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | Hitachi Zosen Corp | アルコ−ル濃縮法 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098983A patent/JPS581913A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57500407A (ja) * | 1980-03-14 | 1982-03-11 | ||
| JPS59183686A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-18 | Tax Adm Agency | 清酒の品質改良法 |
| JPS6211087A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | Hitachi Zosen Corp | アルコ−ル濃縮法 |
| JPH0533978B2 (ja) * | 1985-07-08 | 1993-05-20 | Hitachi Shipbuilding Eng Co |
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