JPS58147004A - 半導体磁器材料の製造方法 - Google Patents

半導体磁器材料の製造方法

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JPS58147004A
JPS58147004A JP57029440A JP2944082A JPS58147004A JP S58147004 A JPS58147004 A JP S58147004A JP 57029440 A JP57029440 A JP 57029440A JP 2944082 A JP2944082 A JP 2944082A JP S58147004 A JPS58147004 A JP S58147004A
Authority
JP
Japan
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amount
sintered
added
particle size
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP57029440A
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English (en)
Inventor
憲司 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Refrigeration Co
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Publication date
Application filed by Matsushita Refrigeration Co filed Critical Matsushita Refrigeration Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、チターン酸バリウム系の半導体磁器材料の製
造方法に関し、焼結素子の粒径を均一がっ微細化させ、
これにともなう、耐電圧及び負荷寿命を向上させること
を目的とする。ただしここで云う耐電圧とは、素子の両
端にある一定の時間電圧を印加した時、素子に割れ、チ
ッピング等の欠陥がでるまでの電圧のことである。又、
負荷寿命とは、素子の両端にある一定の時間ごとに電圧
を間歇的印加し、これをくり返した時に、初期抵抗値に
対する抵抗の上昇率チが、目的の値をこえるまで、ある
いは、電圧の間歇的印加にともなう、ヒートショックに
よシ、素子に割れ、チッピング等の欠陥が生じるまでの
電圧印加回数を云う。
一般に、BaTi  またはSr↑103あるいは、P
bTiO3との固溶体に希土類元素であるNbやTa、
Bi、Sb、Y、W等を微量添加して焼成すると、正の
抵抗温度係数をもつ半導体磁器材料を得ることができる
。又、このような半導体磁器材料は周知のように、素子
の両端に印加する電圧を大きくしてゆくと、やがて素子
に割れ等の破壊をおこすに至るが、この傾向(電圧依存
性)は、素子の焼結粒子径が大きいほど又、大小の焼結
粒子径が不均−に分散しているものほど顕著である。す
なわち、焼結粒子径(以下粒子径と称す・)が大きいほ
ど破壊されやすい(電圧依存性の大きい)ことがわかっ
ている。さらに負荷寿命についても焼結粒子径の大きい
もの、大小の粒子径が不均一に分散しているものほど悪
いことが認められている。
ところで、仮焼してできたB a T i Osの固溶
体に、Al2O3,51o2.Li2Co3等の焼結助
剤を添加しただけで焼成した素子の粒子径は60〜8o
111rLと大きな粒子径となるため、従来、粒成長抑
制剤として働く、5b203,5IO2,CaCo3等
をBaTi。
粉末あるいはB a COs粉とTiO2粉を混合仮焼
してできたB!1Ti03粉末に添加することによりこ
れをおさえ、平均粒子径を小さくする方法をとっていた
。しかしながら、これらの粒成長抑制剤の添加量を増加
してゆくと、素子の比抵抗が上昇しく数キロオーム−c
rn)、スイッチンクリレー等のスイッチング素子(例
えばモータ起動用の正特性サーミスタ)として、実用化
するためには比抵抗を60〜1oOΩ−m程度のものに
する必要がある点から考慮しても、その添加量が限られ
たものとなっていた。すなわち、素子の粒子径を微細に
かつ均一にできるまで、粒成長抑制剤の添加量を増加す
ると、比抵抗も極端に上昇し、前述したスイッチング素
子としての作用が低下する問題があった。
本発明は粒成長抑制剤であるC a COs等の添加量
を比較的広範囲にとれるようにし、素子の粒子径を均一
微細化することにより、耐電圧特性、負荷寿命特性を改
善し、上記、従来の欠点を解消するものである。
以下に本発明の詳細な説明する。
まず第1表に示す組成となるように、B a Cos 
rCaC03,PbO,TiO3,Nb2O5,MnO
2,SiO3゜A12o3.L12CO3,5b203
を秤量し、通常の窯業的手法に従って湿式混合し、11
00〜1160℃の温度で2時間仮焼した粉末を再度、
メノウ石等の玉石の入ったボールミル等で混合粉砕した
尚、第1表中組成数値はモル数を示す。
これらの各混合粉末を直径21m、厚さ3fiの円層状
にs o Oh/a/lの圧力をかけて成形し、それを
1320℃の温度で焼成したのち1時間あたり、so’
cの速度で室温まで冷却した。得られた焼結体の表面に
はオーミック接触する電極として銀電極を形成した。こ
のようにして得た各試材の緒特性を調べた結果を第2表
に示す。
表中において、負荷寿命とは試料と260の固有抵抗と
を直列に接続したその両端に210Vで16秒間ON、
160秒間OFFという様に電圧の間歇的印加を300
回くシ返した時の初期抵抗値に対する抵抗の上昇率チで
表わしている。
第2表より次のことが明らかとなる。
(1) PbOは一般に正特性サーミスタのキューリ点
を高温側にうつす効果のある添加物としてすでに周知で
あるが、6モルチをこえると、比抵抗が上昇しはじめる
。又焼結粒径そのものを微細化する効果がそれほどない
。従って適量としては6モルチまでである。(試料屋4
〜6)@) 5b203の添加量を増加すると、焼結粒
径を微細化できるが、比抵抗が急激に増加しく試料A6
)使用できない、すなわち適当添加量は0.01〜1.
0モルチとなる。
(3) 5102の添加量は、2モルチ過剰までが適量
である。この量より増加すると、比抵抗が上昇し、その
割合に比べ、焼結粒径を均一微細化する効果がなかった
。(試料A7〜8)(4)  Ca CO3は増量する
に従って、焼結粒径は微細化され、かつ均一化されその
結果、耐電圧。
負荷寿命特性が向上されたものとなる。通常焼結粒径が
小さくなると、比抵抗は加速度的に上昇するが、CaC
O5の増量を8モル%まで行っても、比抵抗の上昇が比
較的おだやかである。
(試料A 3 、屋7.屋9〜11) さらにCa COs無添加が0.1モルチ以下の場合焼
結粒径が伸び、耐電圧も、適量添加したものに比べ明ら
かに低下する。
次に第1表に示す試料&3の組成を基本とし、CaC0
PbO,BaCo3ノ)’タルー11−ル%が1003
′  ・ になるようにして、CaCO3のみ増量したものの中で
、本発明のように、すべての原料を出発時に同時に配合
し、焼成してつくったもの(以下添加物売添加方式と云
う)と、B a’ Co 3. Ca Co a 、 
P b O。
TiO2,Nb2o6を予じめ混合仮焼した後に添加物
(Mj102,5i02.A12o3.L12CO3,
5b203)を加えて1320℃で焼成してつくったも
の(以下添加物後添加方式と云う)との諸物性を比較し
た。
Ca Co 3添加量と比抵抗の関係を第1図に、Ca
 CO3添加量と最大焼結粒径の関係を第2図に示す。
この結果、本発明のように添加胸先添加方式をとったも
のは、Ca Co 3添加量を増加しても、比抵抗の上
昇が比較的、緩慢であり、逆に、添加物後添加方式のも
のは、Ca CO3添加量を増加すると比抵抗の上昇が
著しいことが判明した(第1図)。一方、素子の焼結粒
子径に関しては、両方式ともに、CaCo3添加量を増
加することによシ最犬焼結粒径が小さくなってゆく傾向
になることが判る(第2図)。又、最大焼結粒径が小さ
くなる方が、焼結粒径のバラツキが小さくなり、負荷寿
命特性の良いことはこれまで述べた通りである。
しかしながら添加物後添加方式では、CaC0aを2モ
ルチ以上増加すると比抵抗が1009・m以上と高抵抗
となり、実使用上問題となる。従ってCa Co 3添
加量を8モル%まで増加しても、比抵抗の上昇も比較的
おだやかでかつ、焼結粒径の均一微細化のはかれるのは
、添加胸先添加方式であることが判る。
本発明によれば、以上の説明から明らかなようにMnO
2,Sio2,5b203等の添加物の仮焼前に添加混
合したもので焼結素子の粒径を均一に微細粒径させ、こ
れにともなう、耐電圧、負荷寿命特性の向上がはかれ、
例えばモータ起動用等の素子として信頼性の高い半導体
磁器材料が得られる−ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例におけるC a Co s
添加量と比抵抗の関係を示す図、第2図は、Ca CO
3添加量と最大粒子径の関係を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ” (1−xl−x2 )”x1Pbx2” yo(1
    +2y)+ ZNb206(こ(j’!1−QOO2〜
    00B、!2=QOO5〜Q50.y−100−102
    ,Z−QOOO5〜QOO17である。)なる組成10
    0モルに対し、M n O2を001〜01モル、5l
    o2を02〜2モに、Al2O3を01〜3モル、5b
    2o3を001〜01モルを含有して成る組成となるよ
    うに、あらカシメ、BaCO3,CaCO3,PbO,
    TtO2゜Nb2O6,l”前記、MnO2,S i 
    02 + AA! 2o3 +5b2o3を配合、混合
    した後、1000℃〜12oO℃の温度で仮焼し、その
    後再度、ボールミル等の混合機で混合粉砕し、さらに、
    1300℃〜1350℃で焼成する半導体磁器材料の製
    造方法。
JP57029440A 1982-02-25 1982-02-25 半導体磁器材料の製造方法 Pending JPS58147004A (ja)

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ID=12276188

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0417303A (ja) * 1990-05-10 1992-01-22 Sekisui Plastics Co Ltd チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0417303A (ja) * 1990-05-10 1992-01-22 Sekisui Plastics Co Ltd チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法

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