JPS6211202A - サ−ミスタ用組成物 - Google Patents
サ−ミスタ用組成物Info
- Publication number
- JPS6211202A JPS6211202A JP60150999A JP15099985A JPS6211202A JP S6211202 A JPS6211202 A JP S6211202A JP 60150999 A JP60150999 A JP 60150999A JP 15099985 A JP15099985 A JP 15099985A JP S6211202 A JPS6211202 A JP S6211202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- composition
- temperature range
- resistance value
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上皇剋■分立
本発明は、例えば電子レンジや石油気化装置のように約
300〜500℃の中温域での温度制御を必要とする各
種機器や装置に好適に使用されるサーミスタ用組成物に
関する。
300〜500℃の中温域での温度制御を必要とする各
種機器や装置に好適に使用されるサーミスタ用組成物に
関する。
災米生孜血
従来より、Mn Ni −Co酸化物系組成物にて製
造されたサーミスタが汎用されている。しかしながら、
かかるサーミスタは約300℃迄の比較的低温域での使
用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の中温
ないし高温域では抵抗値の変化率が大きいため使用が困
難である。
造されたサーミスタが汎用されている。しかしながら、
かかるサーミスタは約300℃迄の比較的低温域での使
用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の中温
ないし高温域では抵抗値の変化率が大きいため使用が困
難である。
これに対し、高温域で使用し得るサーミスタとして、Z
r02− Y20J系、コランダム系、SiC系のもの
等が開発されているが、前二者は約600〜1000℃
の高温域で安定な特性を発揮するものの、約300〜5
00℃の中温域では抵抗値が高すぎるため使用が難しく
、また後者は中温域で使用可能というものの、スパッタ
リング等による薄膜が主体を占め量産性に劣るといった
欠点がある。
r02− Y20J系、コランダム系、SiC系のもの
等が開発されているが、前二者は約600〜1000℃
の高温域で安定な特性を発揮するものの、約300〜5
00℃の中温域では抵抗値が高すぎるため使用が難しく
、また後者は中温域で使用可能というものの、スパッタ
リング等による薄膜が主体を占め量産性に劣るといった
欠点がある。
このように、従来のサーミスタは中温域での使用に適し
たものが殆どなく、SiC系サーミスタのように中温域
で使用可能なものは製造面で問題があるため、関係業界
では中温域で安定した特性を発揮する生産性のよいサー
ミスタの早期開発が希求されている。
たものが殆どなく、SiC系サーミスタのように中温域
で使用可能なものは製造面で問題があるため、関係業界
では中温域で安定した特性を発揮する生産性のよいサー
ミスタの早期開発が希求されている。
光ユ立且迫
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、300〜500℃程度の中温域で適当な
抵抗値を示し且つその変化率が僅かで安定した特性を発
揮するサーミスタ用組成物を提供するにある。
するところは、300〜500℃程度の中温域で適当な
抵抗値を示し且つその変化率が僅かで安定した特性を発
揮するサーミスタ用組成物を提供するにある。
・を゛ るための
かかる目的を達成するため12本発明のサーミスタ用組
成物は、マンガン、ニッケル及びアルミニウムの3種の
元素を含む酸化物より成る組成物であって、これら元素
の割合がマンガン20〜85モル%、ニッケル5〜70
モル%、アルミニウム0.1〜9モル%の範囲内にあり
、且つその合計が100モル%となるようにしたことを
要旨とするものである。
成物は、マンガン、ニッケル及びアルミニウムの3種の
元素を含む酸化物より成る組成物であって、これら元素
の割合がマンガン20〜85モル%、ニッケル5〜70
モル%、アルミニウム0.1〜9モル%の範囲内にあり
、且つその合計が100モル%となるようにしたことを
要旨とするものである。
即ち、本発明組成物は、マンガン、ニッケル及びアルミ
ニウムの三元素が、第1図の三元状態図において太線で
囲まれた範囲内にあることを必須とするもので、後述の
第1表の実験結果からも判るように、かかる特定範囲内
にあるときにのみ、中温域で4000〜6000に程度
の高いB定数、及び100Ω〜500にΩ程度の使用可
能範囲の抵抗値を示し、且つ抵抗値の変化率が1%以内
で安定した特性を発揮するサーミスタを得ることができ
るのである。
ニウムの三元素が、第1図の三元状態図において太線で
囲まれた範囲内にあることを必須とするもので、後述の
第1表の実験結果からも判るように、かかる特定範囲内
にあるときにのみ、中温域で4000〜6000に程度
の高いB定数、及び100Ω〜500にΩ程度の使用可
能範囲の抵抗値を示し、且つ抵抗値の変化率が1%以内
で安定した特性を発揮するサーミスタを得ることができ
るのである。
もし、アルミニウムが0.1モル%未満であれば、後述
の第1表の試料Nolのように、B定数が4000によ
り小さく、抵抗値が100Ωより小さく、抵抗値の変化
率が数%と大きくなり、実用に供し難いものとなる。一
方9モル%を越える場合は、焼結性が悪化し、且つ第1
表の試料N。
の第1表の試料Nolのように、B定数が4000によ
り小さく、抵抗値が100Ωより小さく、抵抗値の変化
率が数%と大きくなり、実用に供し難いものとなる。一
方9モル%を越える場合は、焼結性が悪化し、且つ第1
表の試料N。
5のように、B定数が6000により大きく、抵抗値が
500にΩより太き(、抵抗値の変化率が数%と大きく
なり、これまた実用に供し難いものとなる。
500にΩより太き(、抵抗値の変化率が数%と大きく
なり、これまた実用に供し難いものとなる。
また、マンガンやニッケルの割合が上記範囲を載脱する
場合は、第1表の試料No6.No8゜No9.No1
lのように、いずれも抵抗値の変化率が3〜5%と大き
く、安定した特性を発揮し得ないものとなる。
場合は、第1表の試料No6.No8゜No9.No1
lのように、いずれも抵抗値の変化率が3〜5%と大き
く、安定した特性を発揮し得ないものとなる。
このような本発明のサーミスタ用組成物は、例えば次の
要領で容易に調製することができる。即ち、原料として
マンガン及びニッケルの炭酸塩と酸化アルミニウムを使
用し、これらを元素換算して前記の割合となるように湿
式混合した後、乾燥し、800〜1000℃程度の仮焼
温度で仮焼して酸化物となす。そして、これを粉砕、造
粒、成型して1200〜1300℃の焼成温度で焼成す
ればよいのである。
要領で容易に調製することができる。即ち、原料として
マンガン及びニッケルの炭酸塩と酸化アルミニウムを使
用し、これらを元素換算して前記の割合となるように湿
式混合した後、乾燥し、800〜1000℃程度の仮焼
温度で仮焼して酸化物となす。そして、これを粉砕、造
粒、成型して1200〜1300℃の焼成温度で焼成す
ればよいのである。
次に実施例を挙げる。
(実施例)
MnCOj 、 N1COJ、 A 1zOJ を
それぞれ元素換算して下記第1表に示す割合となるよう
に湿式混合し、混合物を乾燥した。これを800〜10
00℃で2時間仮焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
それぞれ元素換算して下記第1表に示す割合となるよう
に湿式混合し、混合物を乾燥した。これを800〜10
00℃で2時間仮焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
得られた粉末にバインダーを加えて造粒し、これを円柱
状(直径60mm、厚さ50mm)に成型して1250
℃で4時間焼成し、各焼結ブロックを0.5mm厚にス
ライスして、第1表に示すNol〜N011までのサー
ミスタ組成物試験片を得た。
状(直径60mm、厚さ50mm)に成型して1250
℃で4時間焼成し、各焼結ブロックを0.5mm厚にス
ライスして、第1表に示すNol〜N011までのサー
ミスタ組成物試験片を得た。
次いで、これら試験片の両面にAgペーストをスクリー
ン印刷し、800℃で焼付けて銀電極を形成した後、グ
イシングし、リード付けを行い、樹脂で外装して、それ
ぞれのB定数、抵抗値及びその変化率を測定したところ
、第1表に示す結果が得られた。
ン印刷し、800℃で焼付けて銀電極を形成した後、グ
イシングし、リード付けを行い、樹脂で外装して、それ
ぞれのB定数、抵抗値及びその変化率を測定したところ
、第1表に示す結果が得られた。
第1表
発」しB4果
以上の説明及び第1表の結果から明らかなように、本発
明のサーミスタ用組成物(第1表中試料No 2. N
o 3. No 4. No ?、 No 10)は、
中温域においてB定数が4000〜6000の範囲内、
抵抗値が100Ω〜500にΩの範囲内、抵抗値の変化
率が1%以下の範囲内にあり、本発明に含まれないもの
に比べると、とりわけ抵抗値の変化率の点で顕著に優れ
、安定した特性を発揮することができる。しかも、本発
明の組成物は、原料の湿式混合、仮焼、粉砕、造粒、成
型、焼成等の工程を経て量産されるものであるから、従
来のSiC系組成物のようにスパッタリング等による薄
膜形成を主体とするものに比べると、製造面でもはるか
に有利なものであり、関係業界の要望に充分応えること
ができるものである。
明のサーミスタ用組成物(第1表中試料No 2. N
o 3. No 4. No ?、 No 10)は、
中温域においてB定数が4000〜6000の範囲内、
抵抗値が100Ω〜500にΩの範囲内、抵抗値の変化
率が1%以下の範囲内にあり、本発明に含まれないもの
に比べると、とりわけ抵抗値の変化率の点で顕著に優れ
、安定した特性を発揮することができる。しかも、本発
明の組成物は、原料の湿式混合、仮焼、粉砕、造粒、成
型、焼成等の工程を経て量産されるものであるから、従
来のSiC系組成物のようにスパッタリング等による薄
膜形成を主体とするものに比べると、製造面でもはるか
に有利なものであり、関係業界の要望に充分応えること
ができるものである。
第1図は本発明組成物の構成元素であるMn、Ni、l
の割合を示す三元状態図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 同代理人 弁理士 中島 司朗 第1図 n
の割合を示す三元状態図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 同代理人 弁理士 中島 司朗 第1図 n
Claims (1)
- マンガン、ニッケル及びアルミニウムの3種の元素を
含む酸化物より成る組成物であって、これら元素の割合
がマンガン20〜85モル%、ニッケル5〜70モル%
、アルミニウム0.1〜9モル%の範囲内にあり、且つ
その合計が100モル%となるようにしたことを特徴と
するサーミスタ用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150999A JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150999A JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6211202A true JPS6211202A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15509070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60150999A Pending JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6211202A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967603A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
JPS59155103A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-09-04 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60150999A patent/JPS6211202A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967603A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
JPS59155103A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-09-04 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
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