JPS59155103A - サ−ミスタ素子 - Google Patents
サ−ミスタ素子Info
- Publication number
- JPS59155103A JPS59155103A JP1602983A JP1602983A JPS59155103A JP S59155103 A JPS59155103 A JP S59155103A JP 1602983 A JP1602983 A JP 1602983A JP 1602983 A JP1602983 A JP 1602983A JP S59155103 A JPS59155103 A JP S59155103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor element
- thermistor
- temperature
- spinel
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高温においても温度検出が可能なサーミスタ素
子に関するものである。
子に関するものである。
近年のエレクトロニクスの発達は各分野におけるシステ
ム化への志向となシ、それに伴なってセンシングデバイ
スの開発が一つの重要な課題となっている。
ム化への志向となシ、それに伴なってセンシングデバイ
スの開発が一つの重要な課題となっている。
その一つに温度の検出があるが、３００℃以下の温度の
検出においてはＮＴＯあるいはＰＴＯサーミ艮夕の開発
とともにすでに各分野においてサーミスタは不可欠の存
在となっていることは周知の通シである。
検出においてはＮＴＯあるいはＰＴＯサーミ艮夕の開発
とともにすでに各分野においてサーミスタは不可欠の存
在となっていることは周知の通シである。
そして近年、技術の進歩とともに過酷な条件下での温度
検出においても使い易さを身上とするサーミスタ、たと
えば自動車や工業に計測、また家電製品において高温下
でも信頼性の優れたサーミスタの出現が望まれている。
検出においても使い易さを身上とするサーミスタ、たと
えば自動車や工業に計測、また家電製品において高温下
でも信頼性の優れたサーミスタの出現が望まれている。
しかし、このような要求に対し、すでに多くの研究が進
められているが、いまだ充分満足する性能の高温度用サ
ーミスタは出現していない。
められているが、いまだ充分満足する性能の高温度用サ
ーミスタは出現していない。
そこで本発明者等は高温度用サーミスタ素子としてすで
に検討されているスピネル構造の酸化物に関して結晶化
学的に鋭意検討の結果、新しい理論を確立し、それに基
づきスピネル構造の酸化物を種々製造し、実験研究の結
果、高温検出に適するサーミスタ素子を見出したもので
ある。
に検討されているスピネル構造の酸化物に関して結晶化
学的に鋭意検討の結果、新しい理論を確立し、それに基
づきスピネル構造の酸化物を種々製造し、実験研究の結
果、高温検出に適するサーミスタ素子を見出したもので
ある。
すなわち１本発明は、スピネル構造が高温において安定
であること、つまシ酸素が最臀充槙しておシ、４配位お
よび６配位の位置に２種の陽イオンが分布していること
によｐ熱的安定性に優れていることを基礎として、更に
結晶化学的に鋭意検討の結果、高温用サーミスタとして
使用できるスビネル構造の必要条件としてはスピネル単
−相あることを解明した。
であること、つまシ酸素が最臀充槙しておシ、４配位お
よび６配位の位置に２種の陽イオンが分布していること
によｐ熱的安定性に優れていることを基礎として、更に
結晶化学的に鋭意検討の結果、高温用サーミスタとして
使用できるスビネル構造の必要条件としてはスピネル単
−相あることを解明した。
また、熱的安定性を改善するためには４配位よび６配位
のイオン半径に近いイオン半径を持陽イオンでスピネル
構造を構成することが必要あることを見い出した。
のイオン半径に近いイオン半径を持陽イオンでスピネル
構造を構成することが必要あることを見い出した。
そして、これらの＊件を満足するものは（Ｍｇｔ”Ｎｊ
）（）（ＭｒＢ−ｙｅ＾Ｉ−ｒ） ３ｏ４（ただし０≦
さ≦１゜Ｏ≦Ｙ≦１）なる組成式で表わされるスピネル
。
）（）（ＭｒＢ−ｙｅ＾Ｉ−ｒ） ３ｏ４（ただし０≦
さ≦１゜Ｏ≦Ｙ≦１）なる組成式で表わされるスピネル
。
造の酸化物であることを実験研究の結果、確認この組成
物で構成したサーミスタ素子はヒ２テシスかまったくな
く、かつ熱的に安定なものですることを解明した。
物で構成したサーミスタ素子はヒ２テシスかまったくな
く、かつ熱的に安定なものですることを解明した。
以下２本発明の実施例について詳細に述べる。
先ず、ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＡＬ２０Ｂ 、 ＭｎＯ＊（又
はＭｎ２ （ＪＭ１１３０４ ）のｑ！ｒ酸化物゛を第
１表に示すよりに（Ｍｇ１−ｅＮ１ＸＮ１Ｘパ−ｙ＊Ａ
ｔｙ）２０４（ただし４）（Ｘ（１，０＜Ｙ≦１なる組
成比になるように秤量する。
はＭｎ２ （ＪＭ１１３０４ ）のｑ！ｒ酸化物゛を第
１表に示すよりに（Ｍｇ１−ｅＮ１ＸＮ１Ｘパ−ｙ＊Ａ
ｔｙ）２０４（ただし４）（Ｘ（１，０＜Ｙ≦１なる組
成比になるように秤量する。
なお、第１表中の瀧１〜ｌ＠２０は試料番号で嘲る。
で これらの試料は秤量後、湿式または乾式にて混
合し、乾燥後、微細化のため粉砕する。
合し、乾燥後、微細化のため粉砕する。
お Ｍ １ 表つ
で
Ｘ
リ
ら
〉
次いで、その粉砕物を加圧成形し、 ８００〜１５００
℃にて１次焼成する。焼成物は再度、微細化する。ここ
でサーミスタ素子として成形するが成形には加圧成形、
膜成形等、従来用いられてきた方法にて行なわれる。電
極を包埋する場合はこの工程にて行なり。
℃にて１次焼成する。焼成物は再度、微細化する。ここ
でサーミスタ素子として成形するが成形には加圧成形、
膜成形等、従来用いられてきた方法にて行なわれる。電
極を包埋する場合はこの工程にて行なり。
次に成形物を１υ０υ〜ｉｇｏｏ℃にて２次焼成し、そ
の後エージング操作を行なうことによって完成する。
の後エージング操作を行なうことによって完成する。
センサの実装については用途別に種々の方法が採られる
がここでは省略する。
がここでは省略する。
Ｍ１表に示した５００℃に２ける抵抗値は各サーミスタ
素子を１０．００ ℃で１次焼成した後、１３００℃で
２次焼成した素子の測定値である。
素子を１０．００ ℃で１次焼成した後、１３００℃で
２次焼成した素子の測定値である。
第１図に代表的なサーミスタ素子の温度・抵抗値特性を
示す。図中の番号は第１表の試料＃号に対応する。
示す。図中の番号は第１表の試料＃号に対応する。
第１表および第１図かられかるように本発明のサーミス
タ素子は冥用的な抵抗値を示し、なおかつ５組成を調節
することによシ抵抗値を自由に選定することが可能であ
る。
タ素子は冥用的な抵抗値を示し、なおかつ５組成を調節
することによシ抵抗値を自由に選定することが可能であ
る。
第２図は６００℃における経時変化を示す。
図から明らかなように実施例隘６．ｍｌ ２は全く抵抗
変化が観察されず、他の実施例についてはわずかな経時
変化が初期に見られるが、この変化は充分に小さく、ま
た長期的には変化が見られなｉことから、実用上、なん
ら問題はない。
変化が観察されず、他の実施例についてはわずかな経時
変化が初期に見られるが、この変化は充分に小さく、ま
た長期的には変化が見られなｉことから、実用上、なん
ら問題はない。
以上の実施例かられかるように、本発明によるサーミス
タ素子はｍ＃：を変えることによシ容易にＦ９ｒ望の抵
抗値とすることができ、しかも熱的に安定で％経ＦｆＲ
化がほとんどない。従って現在、自動車用電気装置や家
庭用電気器具など、多くの分野において望まれている高
温用サーミスタとして好適であル、自動制御の技術分野
に貢献するところ大である。
タ素子はｍ＃：を変えることによシ容易にＦ９ｒ望の抵
抗値とすることができ、しかも熱的に安定で％経ＦｆＲ
化がほとんどない。従って現在、自動車用電気装置や家
庭用電気器具など、多くの分野において望まれている高
温用サーミスタとして好適であル、自動制御の技術分野
に貢献するところ大である。
第１図は本発明にかかるサーミスタ素子の温度゛−抵抗
値特性を示す図。 第２図は同じく抵抗値の経時変化特性を示す図である。 第ｉ＠ ＊ ＆ ｃ”各〕 （°につ 第９間 ＪＸ）適時＃ｌ （）ｌ？５．）
値特性を示す図。 第２図は同じく抵抗値の経時変化特性を示す図である。 第ｉ＠ ＊ ＆ ｃ”各〕 （°につ 第９間 ＪＸ）適時＃ｌ （）ｌ？５．）
Claims (1)
- （Ｍｇ５−ｘ−ＮｉｘバＭｒＢ−ｙ拳Ａｚｙハ０４（た
だしＯ≦Ｘ≦１，０．≦Ｙ≦１）なる組成式で表わされ
るスピネル構造の酸化物からなることを特徴とするサー
ミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1602983A JPS59155103A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | サ−ミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1602983A JPS59155103A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | サ−ミスタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155103A true JPS59155103A (ja) | 1984-09-04 |
| JPH0153487B2 JPH0153487B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=11905139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1602983A Granted JPS59155103A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | サ−ミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211202A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタ用組成物 |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP1602983A patent/JPS59155103A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211202A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタ用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153487B2 (ja) | 1989-11-14 |
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