JPS623961B2 - - Google Patents
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- JPS623961B2 JPS623961B2 JP55163240A JP16324080A JPS623961B2 JP S623961 B2 JPS623961 B2 JP S623961B2 JP 55163240 A JP55163240 A JP 55163240A JP 16324080 A JP16324080 A JP 16324080A JP S623961 B2 JPS623961 B2 JP S623961B2
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- Japan
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- temperature
- thermistor element
- spinel structure
- thermistor
- present
- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は高温においても温度検出が可能なサー
ミスタ素子に関するものである。 近年のエレクトロニクスの発達は各分野におけ
るシステム化への志向となり、それに伴つてセン
シングデバイスの開発が一つの重要な課題となつ
ている。 その一つに温度の検出があるが、300℃以下の
温度の検出においてはNTCあるいはPTCサーミ
スタの開発とともにすでに各分野においてサーミ
スタは不可欠な存在となつていることは周知の通
りである。そして、近時技術の進歩とともに過酷
な条件における温度検出においても使い易さを身
上とするサーミスタの出現が高まつて来た。たと
えば自動車や、家電製品において、高温下でも信
頼性の優れたサーミスタの出現が望まれている。 このような要求に対し、すでに多くの研究が進
められているが、いまだ十分なセンサの出現が認
められない。 そこで本発明者は、高温測定用のセンサ素子と
してすでに検討されているスピネル構造の酸化物
に関して結晶化学的に鋭意検討の結果、新しい理
論を確立し、それに基づきスピネル構造の酸化物
を種々製造し、実験研究の結果、高温検出に適す
るサーミスタ素子を見出したものである。 すなわち、本発明は、スピネル構造が高温にお
いて安定であること、つまり酸素が最密充填して
おり、4配位および6配位の位置に2種の陽イオ
ンが分布していることより熱的安定性に優れるこ
とを基礎として、更に結晶化学的に鋭意検討の結
果、高温用サーミスタとして使用できるスピネル
構造の必要条件としては、スピネル単一相である
こと、2価および3価の陽イオン半径に大きな差
がないこと、陽イオン半径は4配位および6配位
の理論半径に近いことを解明し、その条件を満足
するものは、(NiXMgYZnZ)Mn2O4(たゞし0≦
X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1かつX+Y+Z
=1)なる組成式で表わされるスピネル構造の酸
化物であることを実験研究の結果確認したもので
ある。 以下本発明の実施例について詳細に述べる。 先ずNiO、MgO、ZnO、MnO2(又はMn2O3、
Mn3O4)の各酸化物を(NiXMgYZnZ)(たゞし0≦
X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1でかつX+Y+
Z=1)なる組成比になるように第1表示に示す
ように秤量する。No.1……7は試料番号であ
る。
ミスタ素子に関するものである。 近年のエレクトロニクスの発達は各分野におけ
るシステム化への志向となり、それに伴つてセン
シングデバイスの開発が一つの重要な課題となつ
ている。 その一つに温度の検出があるが、300℃以下の
温度の検出においてはNTCあるいはPTCサーミ
スタの開発とともにすでに各分野においてサーミ
スタは不可欠な存在となつていることは周知の通
りである。そして、近時技術の進歩とともに過酷
な条件における温度検出においても使い易さを身
上とするサーミスタの出現が高まつて来た。たと
えば自動車や、家電製品において、高温下でも信
頼性の優れたサーミスタの出現が望まれている。 このような要求に対し、すでに多くの研究が進
められているが、いまだ十分なセンサの出現が認
められない。 そこで本発明者は、高温測定用のセンサ素子と
してすでに検討されているスピネル構造の酸化物
に関して結晶化学的に鋭意検討の結果、新しい理
論を確立し、それに基づきスピネル構造の酸化物
を種々製造し、実験研究の結果、高温検出に適す
るサーミスタ素子を見出したものである。 すなわち、本発明は、スピネル構造が高温にお
いて安定であること、つまり酸素が最密充填して
おり、4配位および6配位の位置に2種の陽イオ
ンが分布していることより熱的安定性に優れるこ
とを基礎として、更に結晶化学的に鋭意検討の結
果、高温用サーミスタとして使用できるスピネル
構造の必要条件としては、スピネル単一相である
こと、2価および3価の陽イオン半径に大きな差
がないこと、陽イオン半径は4配位および6配位
の理論半径に近いことを解明し、その条件を満足
するものは、(NiXMgYZnZ)Mn2O4(たゞし0≦
X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1かつX+Y+Z
=1)なる組成式で表わされるスピネル構造の酸
化物であることを実験研究の結果確認したもので
ある。 以下本発明の実施例について詳細に述べる。 先ずNiO、MgO、ZnO、MnO2(又はMn2O3、
Mn3O4)の各酸化物を(NiXMgYZnZ)(たゞし0≦
X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1でかつX+Y+
Z=1)なる組成比になるように第1表示に示す
ように秤量する。No.1……7は試料番号であ
る。
【表】
之等試料は秤量後、湿式または乾式にて混合
し、乾燥した後、微細化のため粉砕する。 次いで、その粉砕物を加圧成形し、800〜1500
℃にて1次焼成する。焼成物は再度微細化する。
ここでサーミスタ素子として成形するが、成形に
は加圧成形、膜成形等従来使いられてきた方法に
て行なわれる。電極を包埋する場合はこの工程に
て行なう。 次に成形物を1000〜1800℃にて2次焼成し、そ
の後エージング操作を行なうことによつて完成す
る。 センサの実装については用途別に種々の方法が
採られるが、こゝでは省略する。 第1図に前記の1次焼成温度を1300℃、2次焼
成温度を1500℃とした場合の各サーミスタ素子の
温度−抵抗値特性を示す。 この図からわかるように、試料No.4、5、
6、7の値は、試料No.1、2、3の値を組成に
応じて加減した値にほゞ等しい。またB定数はい
ずれの組成においても一定である。 第2図に800℃における経時変化を示す。 図から明らかなように試料No.1は全く抵抗変
化が観察されず、試料No.2〜7については若干
の経時変化が初期に見られるが、この変化は実用
上十分小さいものと見做すことができる。また長
期的には変化していない。 以上の実施例からわかるように、本発明による
サーミスタ素子は、希釈原理により容易に所望の
抵抗値とすることができ、この場合のB定数は一
定であり、かつ経時変化がほとんどないので、現
在、自動車用電気装置や家庭用電気器具など多く
の分野において望まれている高温用サーミスタと
して好適であり、自動制御の技術分野に貢献する
ところ大である。
し、乾燥した後、微細化のため粉砕する。 次いで、その粉砕物を加圧成形し、800〜1500
℃にて1次焼成する。焼成物は再度微細化する。
ここでサーミスタ素子として成形するが、成形に
は加圧成形、膜成形等従来使いられてきた方法に
て行なわれる。電極を包埋する場合はこの工程に
て行なう。 次に成形物を1000〜1800℃にて2次焼成し、そ
の後エージング操作を行なうことによつて完成す
る。 センサの実装については用途別に種々の方法が
採られるが、こゝでは省略する。 第1図に前記の1次焼成温度を1300℃、2次焼
成温度を1500℃とした場合の各サーミスタ素子の
温度−抵抗値特性を示す。 この図からわかるように、試料No.4、5、
6、7の値は、試料No.1、2、3の値を組成に
応じて加減した値にほゞ等しい。またB定数はい
ずれの組成においても一定である。 第2図に800℃における経時変化を示す。 図から明らかなように試料No.1は全く抵抗変
化が観察されず、試料No.2〜7については若干
の経時変化が初期に見られるが、この変化は実用
上十分小さいものと見做すことができる。また長
期的には変化していない。 以上の実施例からわかるように、本発明による
サーミスタ素子は、希釈原理により容易に所望の
抵抗値とすることができ、この場合のB定数は一
定であり、かつ経時変化がほとんどないので、現
在、自動車用電気装置や家庭用電気器具など多く
の分野において望まれている高温用サーミスタと
して好適であり、自動制御の技術分野に貢献する
ところ大である。
第1図は本発明にかゝるサーミスタ素子の温度
−抵抗値特性を示す図、第2図は同じく抵抗値の
経時変化特性を示す図である。
−抵抗値特性を示す図、第2図は同じく抵抗値の
経時変化特性を示す図である。
Claims (1)
- 1 (NiXMgYZnZ)Mn2O4(たゞし0≦X≦1、
0≦Y≦1、0≦Z≦1でかつX+Y+Z=1)
なる組成式で表わされるスピネル構造の酸化物か
らなることを特徴とするサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55163240A JPS5788701A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Thermistor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55163240A JPS5788701A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Thermistor element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5788701A JPS5788701A (en) | 1982-06-02 |
JPS623961B2 true JPS623961B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15770002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55163240A Granted JPS5788701A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Thermistor element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5788701A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6360502A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | 株式会社 高純度化学研究所 | 温度センサ |
DE10159451A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit einem negativen Temperaturkoeffizienten |
-
1980
- 1980-11-21 JP JP55163240A patent/JPS5788701A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
J PHYS CHEM SOLIDS=1962 * |
J PHYS CHEM SOLIDS=1963 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5788701A (en) | 1982-06-02 |
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