JPS6360502A - 温度センサ - Google Patents
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- JPS6360502A JPS6360502A JP20374486A JP20374486A JPS6360502A JP S6360502 A JPS6360502 A JP S6360502A JP 20374486 A JP20374486 A JP 20374486A JP 20374486 A JP20374486 A JP 20374486A JP S6360502 A JPS6360502 A JP S6360502A
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
産業上の利用分野
本発明は温度によって電気抵抗が変化する感温エレメン
トを備えた、環境温度を検出するためのセンサに関する
。
トを備えた、環境温度を検出するためのセンサに関する
。
従来の技術
導電体が環境温度によって電気抵抗を変化する性質を利
用した温度センサに、金属抵抗線を絶縁体ボビンに捲い
たものがある。しかし、これはどうしても複雑且大型と
なり、熱容量が大であるため応答が遅いという問題があ
る。これに対して金属酸化物焼結体を感温エレメントと
する感温抵抗素子、いわゆるサーミスタは、小型にでき
て熱容量を小としやすく応答が早いという利点があり、
構造が簡単で量産に適するという有利さがあるが、一方
成形や加工が難しく、高精度で管理された品質の製品を
生産することが容易でないという問題がある。
用した温度センサに、金属抵抗線を絶縁体ボビンに捲い
たものがある。しかし、これはどうしても複雑且大型と
なり、熱容量が大であるため応答が遅いという問題があ
る。これに対して金属酸化物焼結体を感温エレメントと
する感温抵抗素子、いわゆるサーミスタは、小型にでき
て熱容量を小としやすく応答が早いという利点があり、
構造が簡単で量産に適するという有利さがあるが、一方
成形や加工が難しく、高精度で管理された品質の製品を
生産することが容易でないという問題がある。
かかるサーミスタとしては、ニッケルおよび/またはコ
バルトとマンガンとを主成分とし、更に鉄、銅、ランタ
ンなどの任意成分を含むスピネル構造の酸化物焼結体を
、感温エレメントとして用いたものが知られている。さ
らにこのような感温エレメントとして、3族または5族
元素を添加することによって半導体化した酸化ジルコニ
ウムや、炭化ケイ素セラミックスなどの電気抵抗の温度
係数が大きいものが使用できることが知られている。
バルトとマンガンとを主成分とし、更に鉄、銅、ランタ
ンなどの任意成分を含むスピネル構造の酸化物焼結体を
、感温エレメントとして用いたものが知られている。さ
らにこのような感温エレメントとして、3族または5族
元素を添加することによって半導体化した酸化ジルコニ
ウムや、炭化ケイ素セラミックスなどの電気抵抗の温度
係数が大きいものが使用できることが知られている。
このような従来のサーミスタは、その電気抵抗が温度の
上昇に伴って指数的に減少する特性を有しており、温度
T。Kにおける抵抗値がR8であるとき、温度TKにお
ける抵抗値Rは、次の式で表わされる。
上昇に伴って指数的に減少する特性を有しており、温度
T。Kにおける抵抗値がR8であるとき、温度TKにお
ける抵抗値Rは、次の式で表わされる。
ここでBはサーミスタ定数であり、Bが大きいほど電気
抵抗値も大きく、また感度も大きいことが知られている
。また一方、温度が高くなるにつれて電気抵抗が小さく
なり、感度が低下することも知られている。
抵抗値も大きく、また感度も大きいことが知られている
。また一方、温度が高くなるにつれて電気抵抗が小さく
なり、感度が低下することも知られている。
かかるサーミスタ定数Bは感温エレメントとして用いる
前記のような半導体セラミックスの成分や組成等によっ
て決定されるが、また同時に比抵抗値も決まってしまい
、サーミスタ定数Bと比抵抗値とは独立に設定すること
ができない。そしてまた、感温エレメントの形状として
、通電断面積が小さくて電極間距離が長いものや、ある
いは通電断面積が大きくて電極間距離の短いものは、現
実的に製造することが困難であることもあって、サーミ
スタ定数Bが大きくて極間抵抗値が小さし′サーミスタ
や、あるいはサーミスタ定数Bが小さくて極間抵抗値が
大きいサーミスタを製造することは不可能であるとされ
ていた。
前記のような半導体セラミックスの成分や組成等によっ
て決定されるが、また同時に比抵抗値も決まってしまい
、サーミスタ定数Bと比抵抗値とは独立に設定すること
ができない。そしてまた、感温エレメントの形状として
、通電断面積が小さくて電極間距離が長いものや、ある
いは通電断面積が大きくて電極間距離の短いものは、現
実的に製造することが困難であることもあって、サーミ
スタ定数Bが大きくて極間抵抗値が小さし′サーミスタ
や、あるいはサーミスタ定数Bが小さくて極間抵抗値が
大きいサーミスタを製造することは不可能であるとされ
ていた。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、従来のサーミスタにおける、極間抵抗値とサ
ーミスタ定数Bとが夫々独立に設定することができない
という欠点を克服し、半導体セラミックスの成分や組成
に制約されずに、任意の特性を有するサーミスタを実現
しようとするものである。すなわち、本発明の目的は、
構造が簡単で小型かつ高感度という従来のサーミスタの
長所をそのまま備え、サーミスタ定数Bと極間抵抗値と
を自由に選択し設計できる温度センサを提供しようとす
るものである。
ーミスタ定数Bとが夫々独立に設定することができない
という欠点を克服し、半導体セラミックスの成分や組成
に制約されずに、任意の特性を有するサーミスタを実現
しようとするものである。すなわち、本発明の目的は、
構造が簡単で小型かつ高感度という従来のサーミスタの
長所をそのまま備え、サーミスタ定数Bと極間抵抗値と
を自由に選択し設計できる温度センサを提供しようとす
るものである。
問題点を解決するための手段
前述の目的を達成することができる本発明の温度センサ
は、ニッケル及び/またはコバルトとマンガンとを少く
とも含有するスピネル構造の酸化物焼結体と、半導体化
ジルコニアと、炭化ケイ素とからなる群から選択された
少くとも1種の半導体材料を含む導電性粉末を、有機高
分子材料によって結合してなる成形体を感温エレメント
とし、これに1組の電極を設けて構成したものである。
は、ニッケル及び/またはコバルトとマンガンとを少く
とも含有するスピネル構造の酸化物焼結体と、半導体化
ジルコニアと、炭化ケイ素とからなる群から選択された
少くとも1種の半導体材料を含む導電性粉末を、有機高
分子材料によって結合してなる成形体を感温エレメント
とし、これに1組の電極を設けて構成したものである。
本発明において感温エレメントを形成するに用いられる
半導体材料は、ニッケル及び/またはコバルトとマンガ
ンとを少くとも含有するスピネル構造の酸化物焼結体と
、半導体化ジルコニアと、炭化ケイ素とからなる群から
選択されたものである。かかる材料は、それぞれ感温エ
レメントを形成するに適した電気伝導性とその温度依存
性とを有するものであり、従来知られたものの中から適
宜選択してよい。
半導体材料は、ニッケル及び/またはコバルトとマンガ
ンとを少くとも含有するスピネル構造の酸化物焼結体と
、半導体化ジルコニアと、炭化ケイ素とからなる群から
選択されたものである。かかる材料は、それぞれ感温エ
レメントを形成するに適した電気伝導性とその温度依存
性とを有するものであり、従来知られたものの中から適
宜選択してよい。
これらの半導体材料のうち、ニッケル及び/またはコバ
ルトとマンガンとを少くとも含有するスピネル構造の酸
化物焼結体としては、これらの金属元素の他に鉄、銅、
クロム、あるいはランタンなどの希土類元素などを含ん
でいてもよく、これらの金属を含む酸化物がスピネル構
造の半導体を形成するものであればよい。かかる金属成
分の組合せの例としては、マンガン−鉄−ニッケル系、
マンガン−鉄−ニッケルー銅系、マンガン−ニッケル系
、マンガン−ニッケルーコバルト系、マンガン−ニッケ
ルーコバルト−銅系、マンガン−ニッケルーコバルト−
ランタン系などがあるが、これらに限られるものではな
い。
ルトとマンガンとを少くとも含有するスピネル構造の酸
化物焼結体としては、これらの金属元素の他に鉄、銅、
クロム、あるいはランタンなどの希土類元素などを含ん
でいてもよく、これらの金属を含む酸化物がスピネル構
造の半導体を形成するものであればよい。かかる金属成
分の組合せの例としては、マンガン−鉄−ニッケル系、
マンガン−鉄−ニッケルー銅系、マンガン−ニッケル系
、マンガン−ニッケルーコバルト系、マンガン−ニッケ
ルーコバルト−銅系、マンガン−ニッケルーコバルト−
ランタン系などがあるが、これらに限られるものではな
い。
これらの金属は、それぞれたとえば金属酸化物の形態で
、それぞれ希望する特性に応じて選択された割合で配合
されるが、通常、各成分は微粉末の形状で混合され、成
形されたのち焼成炉中で、必要とされる温度に達するま
で焼成される。こうして各金属酸化物が反応を完了した
のち、径100μm以下、好ましくは10μm程度まで
粉砕して粉末材料とする。
、それぞれ希望する特性に応じて選択された割合で配合
されるが、通常、各成分は微粉末の形状で混合され、成
形されたのち焼成炉中で、必要とされる温度に達するま
で焼成される。こうして各金属酸化物が反応を完了した
のち、径100μm以下、好ましくは10μm程度まで
粉砕して粉末材料とする。
また、半導体材料のうち、半導体化ジルコニアは、周期
律表の第3族または第5族に属する元素などを含有させ
ることにより半導体化されたジルコニウムの酸化物であ
り、たとえばアンチモンなどを含む酸化物焼結体などが
あげられる。このような焼結体は、前述同様に粉砕して
、粉末材料とすることができる。
律表の第3族または第5族に属する元素などを含有させ
ることにより半導体化されたジルコニウムの酸化物であ
り、たとえばアンチモンなどを含む酸化物焼結体などが
あげられる。このような焼結体は、前述同様に粉砕して
、粉末材料とすることができる。
さらにまた、半導体材料のうち炭化ケイ素は、たとえば
、金属シリコン粉末と炭素粉末とをモル比1:1に配合
して加圧焼結するなどの方法により炭化ケイ素焼結体を
得、これを前述と同様に粉砕して粉末材料とすることが
できる。また、ケイ素化合物とガス状有機化合物とを高
温で接触させるか、あるいはガス状のケイ素化合物とガ
ス状の有機化合物とを高温で接触させて、粉末状あるい
は繊維状の炭化ケイ素を得ることもでき、このようにし
て得られた炭化ケイ素の粉末または繊維は、更に粉砕す
ることなくそのまま粉末材料として用いることができる
。
、金属シリコン粉末と炭素粉末とをモル比1:1に配合
して加圧焼結するなどの方法により炭化ケイ素焼結体を
得、これを前述と同様に粉砕して粉末材料とすることが
できる。また、ケイ素化合物とガス状有機化合物とを高
温で接触させるか、あるいはガス状のケイ素化合物とガ
ス状の有機化合物とを高温で接触させて、粉末状あるい
は繊維状の炭化ケイ素を得ることもでき、このようにし
て得られた炭化ケイ素の粉末または繊維は、更に粉砕す
ることなくそのまま粉末材料として用いることができる
。
このような粉末材料は、目的とする温度センサの特性に
応じて適宜選択して用いられるが、1種のみでなく、2
種以上の粉末材料を配合して導電性粉末とすることがで
きる。このように複数種類の粉末材料を用いるときは、
電気伝導性やその温度依存性を適宜に調整することがで
きるから、特にサーミスタ定数Bを任意に設計するのに
好都合である。
応じて適宜選択して用いられるが、1種のみでなく、2
種以上の粉末材料を配合して導電性粉末とすることがで
きる。このように複数種類の粉末材料を用いるときは、
電気伝導性やその温度依存性を適宜に調整することがで
きるから、特にサーミスタ定数Bを任意に設計するのに
好都合である。
さらに、かかる導電性粉末には、前記のような半導体材
料の粉末のみならず、その導電性を調整するための粉末
導電材料、すなわち、たとえば金、銀、ハラジウム、ニ
ッケノベニッケル・クロム、マンガン・銅などの金属や
合金の粉末、たとえばスズ、インジウム、バナジウムな
どの金属の酸化物粉末、たとえばホウ素、チタン、ジル
コニウム、バナジウム、ニオブ、タングステンなどの金
属の炭化物粉末、たとえばホウ素、ハフニウム、ジルコ
ニウム、チタン、タンタルなどの金属の窒化物粉末、た
とえばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、
モリブデン、ニオブなどの金属のホウ化物粉末、さらに
はグラファイトや導電性カーボンブラックなどを配合す
ることができ、その種類や配合量は、必要とする導電性
に応じて決定することが好ましい。
料の粉末のみならず、その導電性を調整するための粉末
導電材料、すなわち、たとえば金、銀、ハラジウム、ニ
ッケノベニッケル・クロム、マンガン・銅などの金属や
合金の粉末、たとえばスズ、インジウム、バナジウムな
どの金属の酸化物粉末、たとえばホウ素、チタン、ジル
コニウム、バナジウム、ニオブ、タングステンなどの金
属の炭化物粉末、たとえばホウ素、ハフニウム、ジルコ
ニウム、チタン、タンタルなどの金属の窒化物粉末、た
とえばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、
モリブデン、ニオブなどの金属のホウ化物粉末、さらに
はグラファイトや導電性カーボンブラックなどを配合す
ることができ、その種類や配合量は、必要とする導電性
に応じて決定することが好ましい。
このような導電性粉末を結合するための有機高分子材料
は、熱硬化性材料であってもよくまた熱可塑性材料であ
ってもよい。かかる材料の特性としては樹脂状であって
もよくまたゴム状であっても構わない。かかる有機高分
子材料の例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
ウレタン樹脂、シリコーン上指、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル虜詣、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェ
ニレンスルフィド樹脂、ポリオレフィンfit 脂、E
VA !!を脂、EPM、ABSなどが挙げられるが
、センサの使用温度において充分な耐熱性があれば、こ
れらに限らず用いることができる。また更に、これらの
結合材料中には充填材、軟化剤、酸化防止剤等、必要に
応じて添加剤を配合することができる。
は、熱硬化性材料であってもよくまた熱可塑性材料であ
ってもよい。かかる材料の特性としては樹脂状であって
もよくまたゴム状であっても構わない。かかる有機高分
子材料の例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
ウレタン樹脂、シリコーン上指、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル虜詣、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェ
ニレンスルフィド樹脂、ポリオレフィンfit 脂、E
VA !!を脂、EPM、ABSなどが挙げられるが
、センサの使用温度において充分な耐熱性があれば、こ
れらに限らず用いることができる。また更に、これらの
結合材料中には充填材、軟化剤、酸化防止剤等、必要に
応じて添加剤を配合することができる。
これらの有機高分子結合材のうち熱硬化性のものを使用
する場合には、未硬化の状態のものを前記の導電性粉末
と配合し加熱成形することによって硬化させることは勿
論であり、それぞれ使用する材料によって圧縮成形ある
いは射出成形など適宜の成形方法を選択して用いること
ができる。
する場合には、未硬化の状態のものを前記の導電性粉末
と配合し加熱成形することによって硬化させることは勿
論であり、それぞれ使用する材料によって圧縮成形ある
いは射出成形など適宜の成形方法を選択して用いること
ができる。
このようにして半導体材料を含む導電性粉末を有機高分
子材料によって結合して得られた成形体は、そのままの
形状か、あるいは適宜の板状または棒状等に切断するな
どにより整形して感温エレメントを形成し、これに1組
の電極を取り付けることにより温度センサを作成する。
子材料によって結合して得られた成形体は、そのままの
形状か、あるいは適宜の板状または棒状等に切断するな
どにより整形して感温エレメントを形成し、これに1組
の電極を取り付けることにより温度センサを作成する。
電極を取り付けるに当っては、必要に応じて所定個所に
導電塗料や導電性接着剤などを施して端子をカシメで取
り付けるなどのほか、所定個所にメッキなどによって金
属被膜を施して端子をハンダ付けするなどの方法を用い
ることができる。しかし電極を設けるに当ってはこれら
の方法に限られるものではなく、また電極の形状も特に
限定されるものではない。
導電塗料や導電性接着剤などを施して端子をカシメで取
り付けるなどのほか、所定個所にメッキなどによって金
属被膜を施して端子をハンダ付けするなどの方法を用い
ることができる。しかし電極を設けるに当ってはこれら
の方法に限られるものではなく、また電極の形状も特に
限定されるものではない。
作用
本発明の温度センサは、種々の特性を有する半導体材料
から選択した粉末に必要に応じて導電材料の粉末を配合
して導電性粉末とし、これを有機高分子材料で結合して
感温エレメントを形成したものであり、そのサーミスタ
特性と電気抵抗とがそれぞれ独立に設定できるから、従
来の焼結体の感温エレメントに依っては実現不可能であ
った新規な特性を有する温度センサを容易に設計し、製
造することができるようになったものである。
から選択した粉末に必要に応じて導電材料の粉末を配合
して導電性粉末とし、これを有機高分子材料で結合して
感温エレメントを形成したものであり、そのサーミスタ
特性と電気抵抗とがそれぞれ独立に設定できるから、従
来の焼結体の感温エレメントに依っては実現不可能であ
った新規な特性を有する温度センサを容易に設計し、製
造することができるようになったものである。
実施例1
マンガン、コバルト、ニッケルおよび銅の酸化物をモル
比で2.77 :1.62 :0.69 :0.90と
なるように配合し、成形後1400℃に焼成して焼結成
形体Aを得た。このものはX線構造分析によりスピネル
構造を有していることが確かめられた。
比で2.77 :1.62 :0.69 :0.90と
なるように配合し、成形後1400℃に焼成して焼結成
形体Aを得た。このものはX線構造分析によりスピネル
構造を有していることが確かめられた。
この焼結体Aをジェットミルによって粉砕し、粒径が5
0μm程度の粉末を得た。
0μm程度の粉末を得た。
この粉末を導電性粉末とし、有機高分子結合材料として
フェノール樹脂を組成物の5%および15%となるよう
に配合し、加熱して板状成形体を得た。さらに、この成
形体から2 mm x 2 mm X 0.2mmの板
状チップを切り出し、その表および裏の各面に銅、更に
ニッケル金属層を析出させて電極とした。
フェノール樹脂を組成物の5%および15%となるよう
に配合し、加熱して板状成形体を得た。さらに、この成
形体から2 mm x 2 mm X 0.2mmの板
状チップを切り出し、その表および裏の各面に銅、更に
ニッケル金属層を析出させて電極とした。
このようにして得た温度センサla、lbについて、2
5℃および85℃での電極間抵抗値を測定し、サーミス
タ定数B(25/85)および25℃における比抵抗R
(25)を算出した結果を表1に示す。
5℃および85℃での電極間抵抗値を測定し、サーミス
タ定数B(25/85)および25℃における比抵抗R
(25)を算出した結果を表1に示す。
また、比較のために、前記の焼結体Aから2叩×2証X
Q、 2mmの板状チップを切り出したが、焼結体が
もろいため正確な形状のチップの収率は約10%と低か
った。こうして得たチップに前記と同様にして電極を設
けて得た感温センサICについて同様な測定を行なった
結果を、合せて表1に示す。
Q、 2mmの板状チップを切り出したが、焼結体が
もろいため正確な形状のチップの収率は約10%と低か
った。こうして得たチップに前記と同様にして電極を設
けて得た感温センサICについて同様な測定を行なった
結果を、合せて表1に示す。
表1
試料 粉末材料 結合材 B(25/85) R(
25)K Ω・am la A:95 1エノール:5
3200 130Klb A:85
〃:15 3300 500Klc” A:
100−−3200 90*:対照例 実施例2 実施例1で用いたAの粉末を導電性粉末とし、有機高分
子結合材としてエポキシ樹脂を組成物の5%となるよう
に配合したほか、実施例1と同様にして温度センサ2a
を作成した。
25)K Ω・am la A:95 1エノール:5
3200 130Klb A:85
〃:15 3300 500Klc” A:
100−−3200 90*:対照例 実施例2 実施例1で用いたAの粉末を導電性粉末とし、有機高分
子結合材としてエポキシ樹脂を組成物の5%となるよう
に配合したほか、実施例1と同様にして温度センサ2a
を作成した。
また実施例1で用いたAの粉末20部と粉末グラフアイ
)020部とを配合した導電性粉末に対して、前記同様
に有機高分子結合材としてエポキシ樹脂60部を配合し
、同様にして温度センサ2bを得た。
)020部とを配合した導電性粉末に対して、前記同様
に有機高分子結合材としてエポキシ樹脂60部を配合し
、同様にして温度センサ2bを得た。
これらの温度センサについて、実施例1と同様にして電
極間抵抗値を測定して得た特性値を表2に示す。
極間抵抗値を測定して得た特性値を表2に示す。
表2
試料 粉末材料 結合材 B(25/85) R(2
5)01cm 2a A:95 xボキシ: 5
3200 150に2b[’a湛
” :60 1170 150に実施例3 マンガン、コバルトおよびニッケルの酸化物をモル比で
3.66 :0.45 :1.89となるように配合し
、成形後1400℃に焼成して焼結成形体Bを得た。こ
のものはX線構造分析によりスピネル構造を有している
ことが確かめられた。
5)01cm 2a A:95 xボキシ: 5
3200 150に2b[’a湛
” :60 1170 150に実施例3 マンガン、コバルトおよびニッケルの酸化物をモル比で
3.66 :0.45 :1.89となるように配合し
、成形後1400℃に焼成して焼結成形体Bを得た。こ
のものはX線構造分析によりスピネル構造を有している
ことが確かめられた。
この焼結体Bをジェットミルによって粉砕し、粒径が2
〜5μm程度のBの粉末を得た。
〜5μm程度のBの粉末を得た。
こうして得られたBの粉末単独、およびこのBの粉末と
実施例1で得られたAの粉末とのl:Iの配合物をそれ
ぞれ導電性粉末とし、有機高分子結合材としてフェノー
ル樹脂を組成物の5%となるように配合したほかは、実
施例1と同様にして、温度センサ3a、3bを作成した
。
実施例1で得られたAの粉末とのl:Iの配合物をそれ
ぞれ導電性粉末とし、有機高分子結合材としてフェノー
ル樹脂を組成物の5%となるように配合したほかは、実
施例1と同様にして、温度センサ3a、3bを作成した
。
また、比較のために、前記の焼結体Bから実施例1にお
いて行ったと同様にしてチップを切出して、温度センサ
3Cを作成した。
いて行ったと同様にしてチップを切出して、温度センサ
3Cを作成した。
これらの温度センサ3a、3b、3cの特性値を実施例
1と同様にして測定した結果を表3に示す。
1と同様にして測定した結果を表3に示す。
表3
試料 粉末材料 結合材 B(25/85) R(
25)K Ω・Cm 3a B:957zノール : 5
4100 4300に3b B:47.
5 〃:5 3500 300K[A:47.
5 1a A:95 ” :5 3200
150に3c” B:100 − − 41
00 5.4に*:対照例 実施例4 シニウ酸ジルコニウム100部と酸化アンチモン2.5
部とをボールミル中で1夜粉砕混合し、これをプレス成
形したのち1300℃に焼成して半導体化ジルコニア焼
結体Cを得た。さらに、これをジェットミルによって粉
砕し、粒径が10μm程度のCの粉末を得た。
25)K Ω・Cm 3a B:957zノール : 5
4100 4300に3b B:47.
5 〃:5 3500 300K[A:47.
5 1a A:95 ” :5 3200
150に3c” B:100 − − 41
00 5.4に*:対照例 実施例4 シニウ酸ジルコニウム100部と酸化アンチモン2.5
部とをボールミル中で1夜粉砕混合し、これをプレス成
形したのち1300℃に焼成して半導体化ジルコニア焼
結体Cを得た。さらに、これをジェットミルによって粉
砕し、粒径が10μm程度のCの粉末を得た。
この粉末を導電性粉末とし、有機高分子結合材としてフ
ェノール樹脂を組成物の5%となるように配合したほか
実施例1と同様にして、温度センサ4aを作成した。
ェノール樹脂を組成物の5%となるように配合したほか
実施例1と同様にして、温度センサ4aを作成した。
また、前記のCの粉末70部と銀−パラジウム合金(重
量比70:30)粉末Ag−Pd20部とを配合した導
電性粉末に対して、有機高分子結合材としてフェノール
樹脂10部を配合し、実施例1と同様にして温度センサ
4bを作成した。
量比70:30)粉末Ag−Pd20部とを配合した導
電性粉末に対して、有機高分子結合材としてフェノール
樹脂10部を配合し、実施例1と同様にして温度センサ
4bを作成した。
なお、比較のために、前記の焼結体Cから、実施例1に
おいて行ったと同様にしてチップを切出して、温度セン
サ4Cを作成した。
おいて行ったと同様にしてチップを切出して、温度セン
サ4Cを作成した。
これらの温度センサの特性値を実施例1と同様にして測
定した結果を表4に示す。
定した結果を表4に示す。
表4
試料 粉末材料 結合材 B(25/85) R(
25)K Ω’cm 4a C:95 1xノール :5
2000 80に4b[Cニア0〃:1
014101400150A:20 4c” C:100−− 2000 1000
*:対照例 実施例5 金属シリコンの粉末とグラファイト粉末とをモル比で1
=1となるよう混合してプレス成形したのち、加圧下1
400℃に焼結して炭化ケイ素焼結体りを得た。さらに
、これをジェットミルによって粉砕し、粒径が3〜5μ
m程度のbの粉末を得た。
25)K Ω’cm 4a C:95 1xノール :5
2000 80に4b[Cニア0〃:1
014101400150A:20 4c” C:100−− 2000 1000
*:対照例 実施例5 金属シリコンの粉末とグラファイト粉末とをモル比で1
=1となるよう混合してプレス成形したのち、加圧下1
400℃に焼結して炭化ケイ素焼結体りを得た。さらに
、これをジェットミルによって粉砕し、粒径が3〜5μ
m程度のbの粉末を得た。
この粉末を導電性粉末とし、有機高分子結合材としてフ
ェノール樹脂を組成物の5%となるように配合したほか
実施例1と同様にして、温度センサ5aを作成した。
ェノール樹脂を組成物の5%となるように配合したほか
実施例1と同様にして、温度センサ5aを作成した。
また、前記のDの粉末65部と白金の粉末Pt25部と
を配合した導電性粉末に対して、有機高分子結合剤とし
てフェノール樹脂10部を配合し、実施例1と同様にし
て温度センサ5bを作成した。
を配合した導電性粉末に対して、有機高分子結合剤とし
てフェノール樹脂10部を配合し、実施例1と同様にし
て温度センサ5bを作成した。
なお、比較のために、前記の焼結体りから、実施例1に
おいて行ったと同様にしてチップを切出して、温度セン
サ5Cを作成した。
おいて行ったと同様にしてチップを切出して、温度セン
サ5Cを作成した。
これらの温度センサの特性値を実施例1と同様にして測
定した結果を表5に示す。
定した結果を表5に示す。
表5
5a D:95 フェノール :5
TOOLOK5b[D:65〃:10800
8 Pt:25 50′″D:100−− 700 120*:対照例 〔発明の効果〕 本発明の温度センサは、電気抵抗が温度によって変化す
る半導体材料を少くとも1種以上含み、さらに必要に応
じて導電材料を配合してなる導電性粉末を、有機高分子
材料によって結合して感温エレメントを形成したもので
あり、その感温特性と電極間抵抗とをそれぞれ自由に設
定することができる特長がある。
TOOLOK5b[D:65〃:10800
8 Pt:25 50′″D:100−− 700 120*:対照例 〔発明の効果〕 本発明の温度センサは、電気抵抗が温度によって変化す
る半導体材料を少くとも1種以上含み、さらに必要に応
じて導電材料を配合してなる導電性粉末を、有機高分子
材料によって結合して感温エレメントを形成したもので
あり、その感温特性と電極間抵抗とをそれぞれ自由に設
定することができる特長がある。
そしてまた、従来の焼結体セラミックスを感温エレメン
トとするセンサに較べて、エレメントの成形が容易であ
って形状の修正も自由であり、形状の揃ったエレメント
を収率よく量産することが容易である。また、焼結体よ
りも強靭であって電極の取付は時や取扱い時に欠けたり
破損したりすることがない。従って、特性が揃った高信
頼性の温度センサを経済的に量産することができる利点
を有する。
トとするセンサに較べて、エレメントの成形が容易であ
って形状の修正も自由であり、形状の揃ったエレメント
を収率よく量産することが容易である。また、焼結体よ
りも強靭であって電極の取付は時や取扱い時に欠けたり
破損したりすることがない。従って、特性が揃った高信
頼性の温度センサを経済的に量産することができる利点
を有する。
Claims (1)
- ニッケル及び/またはコバルトとマンガンとを少くと
も含有するスピネル構造の酸化物焼結体と、半導体化ジ
ルコニアと、炭化ケイ素とから選択された少くとも1種
の半導体材料を含む導電性粉末を、有機高分子材料によ
って結合してなる成形体を感温エレメントとし、これに
1組の電極を設けて構成したことを特徴とする温度セン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20374486A JPS6360502A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20374486A JPS6360502A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6360502A true JPS6360502A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16479132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20374486A Pending JPS6360502A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6360502A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0291306U (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-19 | ||
JPH0582310A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JPH0582308A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JP2009519838A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | シュンク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー スパン ウント グライフテクニク | 締付装置 |
JP2011516821A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-05-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度計測のための複合素材、複合素材を備える温度センサー、複合素材の製造方法、及び、温度センサーの製造方法 |
WO2017022373A1 (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
WO2018138993A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51106148A (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS52107559A (en) * | 1976-02-05 | 1977-09-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Highhtemperature thermistor |
JPS5324825A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-08 | Akg Akustische Kino Geraete | Vibrator plate for electroacoustic transducer |
JPS5388152A (en) * | 1977-01-12 | 1978-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermistor and method of manufacturing the same |
JPS5788701A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Chichibu Cement Kk | Thermistor element |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20374486A patent/JPS6360502A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51106148A (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS52107559A (en) * | 1976-02-05 | 1977-09-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Highhtemperature thermistor |
JPS5324825A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-08 | Akg Akustische Kino Geraete | Vibrator plate for electroacoustic transducer |
JPS5388152A (en) * | 1977-01-12 | 1978-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermistor and method of manufacturing the same |
JPS5788701A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Chichibu Cement Kk | Thermistor element |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0291306U (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-19 | ||
JPH0582310A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JPH0582308A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
JP2009519838A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | シュンク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー スパン ウント グライフテクニク | 締付装置 |
US9341521B2 (en) | 2008-02-19 | 2016-05-17 | Epcos Ag | Composite material for temperature measurement, temperature sensor comprising the composite material, and method for producing the composite material and the temperature sensor |
JP2011516821A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-05-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度計測のための複合素材、複合素材を備える温度センサー、複合素材の製造方法、及び、温度センサーの製造方法 |
WO2017022373A1 (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
JPWO2017022373A1 (ja) * | 2015-07-31 | 2018-04-19 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
US10983012B2 (en) | 2015-07-31 | 2021-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature sensor |
WO2018138993A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
JPWO2018138993A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2019-11-07 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
US11209320B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature sensor |
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