JPH10233303A - Ｎｔｃサーミスタ - Google Patents
ＮｔｃサーミスタInfo
- Publication number
- JPH10233303A JPH10233303A JP25865196A JP25865196A JPH10233303A JP H10233303 A JPH10233303 A JP H10233303A JP 25865196 A JP25865196 A JP 25865196A JP 25865196 A JP25865196 A JP 25865196A JP H10233303 A JPH10233303 A JP H10233303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noble metal
- metal oxide
- powder
- thermistor
- adjusting component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低抵抗高Ｂ定数のサーミスタを提供する。
【解決手段】 遷移金属酸化物粉末９９〜８０体積％
と、貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末１〜２０体
積％との混合粉末を成形し、該貴金属粉末及び／又は貴
金属酸化物粉末の融点よりも低い温度で焼結してなるＮ
ＴＣサーミスタ。 【効果】 貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末の混
合割合を本発明の範囲内で増加させることにより、得ら
れるサーミスタのＢ定数をほぼ一定として抵抗値を低減
することができる。従って、低抵抗高Ｂ定数のサーミス
タを実現できる。
と、貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末１〜２０体
積％との混合粉末を成形し、該貴金属粉末及び／又は貴
金属酸化物粉末の融点よりも低い温度で焼結してなるＮ
ＴＣサーミスタ。 【効果】 貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末の混
合割合を本発明の範囲内で増加させることにより、得ら
れるサーミスタのＢ定数をほぼ一定として抵抗値を低減
することができる。従って、低抵抗高Ｂ定数のサーミス
タを実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＴＣサーミスタ
に係り、特に、ＴＣＸＯ（温度補償型水晶発振器）等
の、低抵抗値高温度係数（高Ｂ定数）を要求される負特
性サーミスタとして有効なＮＴＣサーミスタに関する。
に係り、特に、ＴＣＸＯ（温度補償型水晶発振器）等
の、低抵抗値高温度係数（高Ｂ定数）を要求される負特
性サーミスタとして有効なＮＴＣサーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なＮＴＣサーミスタは、Ｍ
ｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ等の遷移金属を主要構成元
素とするスピネル型酸化物材料によって構成されてい
る。
ｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ等の遷移金属を主要構成元
素とするスピネル型酸化物材料によって構成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＮＴＣサーミス
タを構成するスピネル型酸化物材料は、所要の抵抗率を
有する組成を選定した場合、Ｂ定数は一義的に決定され
る。即ち、このスピネル型酸化物材料の抵抗率とＢ定数
には相関があり、同一抵抗率を有する材料のＢ定数はほ
ぼ同一となる。このため、サーミスタ素子を製造する上
で、所要の抵抗値を有する素子のＢ定数はほぼ同一のも
のとなり、同一素子寸法、同一Ｂ定数を有し、抵抗値の
異なる素子を、サーミスタ材料組成を制御することによ
り製造することはできなかった。
タを構成するスピネル型酸化物材料は、所要の抵抗率を
有する組成を選定した場合、Ｂ定数は一義的に決定され
る。即ち、このスピネル型酸化物材料の抵抗率とＢ定数
には相関があり、同一抵抗率を有する材料のＢ定数はほ
ぼ同一となる。このため、サーミスタ素子を製造する上
で、所要の抵抗値を有する素子のＢ定数はほぼ同一のも
のとなり、同一素子寸法、同一Ｂ定数を有し、抵抗値の
異なる素子を、サーミスタ材料組成を制御することによ
り製造することはできなかった。
【０００４】従って、例えば、ＴＣＸＯ等の用途で要求
される低抵抗値で高Ｂ定数のＮＴＣサーミスタを製造す
る場合、同一の素子寸法及びＢ定数で抵抗値の低い素子
を実現する必要があるが、この場合には、内部電極構造
又は厚膜型サンドイッチ構造等を採用して、電極間距離
に対し電極面積を大きくとるなど、電極構造面での工夫
が必要とされていた。
される低抵抗値で高Ｂ定数のＮＴＣサーミスタを製造す
る場合、同一の素子寸法及びＢ定数で抵抗値の低い素子
を実現する必要があるが、この場合には、内部電極構造
又は厚膜型サンドイッチ構造等を採用して、電極間距離
に対し電極面積を大きくとるなど、電極構造面での工夫
が必要とされていた。
【０００５】しかしながら、このように、電極構造の設
計により抵抗値を制御する方法では、電極形成精度上限
界があり、所要の抵抗値及びＢ定数を有するＮＴＣサー
ミスタを製造することは困難であった。
計により抵抗値を制御する方法では、電極形成精度上限
界があり、所要の抵抗値及びＢ定数を有するＮＴＣサー
ミスタを製造することは困難であった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、Ｂ定
数一定で、抵抗値を任意に変化させることができ、従っ
て、サーミスタ材料組成の制御により低抵抗高Ｂ定数の
サーミスタを実現することができるＮＴＣサーミスタを
提供することを目的とする。
数一定で、抵抗値を任意に変化させることができ、従っ
て、サーミスタ材料組成の制御により低抵抗高Ｂ定数の
サーミスタを実現することができるＮＴＣサーミスタを
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＮＴＣサーミス
タは、遷移金属酸化物粉末９９〜８０体積％と、貴金属
粉末及び／又は貴金属酸化物粉末１〜２０体積％との混
合粉末を成形し、該貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物
粉末の融点よりも低い温度で焼結してなることを特徴と
する。
タは、遷移金属酸化物粉末９９〜８０体積％と、貴金属
粉末及び／又は貴金属酸化物粉末１〜２０体積％との混
合粉末を成形し、該貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物
粉末の融点よりも低い温度で焼結してなることを特徴と
する。
【０００８】本発明に従って、遷移金属酸化物に対して
貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末を混合して成
形、焼結するに当り、この貴金属粉末及び／又は貴金属
酸化物粉末の混合割合を調節することにより、Ｂ定数を
変化させることなく、抵抗値を変化させることができ
る。即ち、貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末の混
合割合を本発明の範囲内で増加させることにより、得ら
れるサーミスタのＢ定数をほぼ一定として抵抗値を低減
することができる。
貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末を混合して成
形、焼結するに当り、この貴金属粉末及び／又は貴金属
酸化物粉末の混合割合を調節することにより、Ｂ定数を
変化させることなく、抵抗値を変化させることができ
る。即ち、貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末の混
合割合を本発明の範囲内で増加させることにより、得ら
れるサーミスタのＢ定数をほぼ一定として抵抗値を低減
することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】本発明において、サーミスタの主構成材料
となる遷移金属酸化物としては、従来のスピネル型酸化
物材料粉末、即ち、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ及び
Ａｌよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の遷移金
属の酸化物を用いることができる。
となる遷移金属酸化物としては、従来のスピネル型酸化
物材料粉末、即ち、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ及び
Ａｌよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の遷移金
属の酸化物を用いることができる。
【００１１】また、抵抗値の制御のために配合する貴金
属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末（以下「抵抗値調整
成分」と称する場合がある。）のうち、貴金属として
は、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔが例示される。貴金属の合
金としては、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ及びＰｔよりなる群から
選ばれる２種以上の貴金属の合金が例示される。また、
貴金属の酸化物としては、ＡｇＯ，Ａｇ2 Ｏ，ＰｄＯが
例示される。
属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末（以下「抵抗値調整
成分」と称する場合がある。）のうち、貴金属として
は、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔが例示される。貴金属の合
金としては、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ及びＰｔよりなる群から
選ばれる２種以上の貴金属の合金が例示される。また、
貴金属の酸化物としては、ＡｇＯ，Ａｇ2 Ｏ，ＰｄＯが
例示される。
【００１２】本発明において用いる抵抗値調整成分は、
サーミスタの焼結温度により適宜選定される。即ち、焼
結温度が抵抗値調整成分の融点よりも高いと、抵抗値調
整成分の偏析又は凝集が生じ、得られるサーミスタの特
性にばらつきが生じる。従って、本発明においては、焼
結は、抵抗値調整成分の融点より低い温度で行うため、
焼結温度に応じて、それよりも融点の高い抵抗値調整成
分を選定して使用する。
サーミスタの焼結温度により適宜選定される。即ち、焼
結温度が抵抗値調整成分の融点よりも高いと、抵抗値調
整成分の偏析又は凝集が生じ、得られるサーミスタの特
性にばらつきが生じる。従って、本発明においては、焼
結は、抵抗値調整成分の融点より低い温度で行うため、
焼結温度に応じて、それよりも融点の高い抵抗値調整成
分を選定して使用する。
【００１３】抵抗値調整成分は、その融点が焼結温度よ
りも高いものであれば良く、その他、材質等には特に限
定されないことから、コストや作業性等を勘案し、上記
の粉末のうち１種又は２種以上を適宜選定して使用され
る。サーミスタの主構成材料となる遷移金属酸化物及び
その焼結温度と抵抗値調整成分との好適な組み合せは次
の通りである。
りも高いものであれば良く、その他、材質等には特に限
定されないことから、コストや作業性等を勘案し、上記
の粉末のうち１種又は２種以上を適宜選定して使用され
る。サーミスタの主構成材料となる遷移金属酸化物及び
その焼結温度と抵抗値調整成分との好適な組み合せは次
の通りである。
【００１４】即ち、抵抗値調整成分としてＡｇ及び／又
はＡｇＯ，Ａｇ2 Ｏを用いる場合には、焼結温度が９０
０〜９６０℃程度の遷移金属酸化物との組み合わせが可
能である。また、抵抗値調整成分としてＡｕを用いる場
合には、焼結温度が９００〜１０５０℃程度の遷移金属
酸化物との組み合わせが、抵抗値調整成分としてＰｄを
用いる場合には、焼結温度が９００〜１５５０℃程度の
遷移金属酸化物との組み合わせが、抵抗値調整成分とし
てＰｔを用いる場合には、焼結温度が９００〜１７５０
℃の遷移金属酸化物との組み合わせが可能である。更
に、抵抗値調整成分としてＡｇ／Ｐｄの混合粉末又は合
金粉末を用いる場合には、焼結温度が９００〜１５５０
℃の遷移金属酸化物との組み合わせが可能である。遷移
金属酸化物は、各々の焼結温度に適した組成比で用いる
ことができる。
はＡｇＯ，Ａｇ2 Ｏを用いる場合には、焼結温度が９０
０〜９６０℃程度の遷移金属酸化物との組み合わせが可
能である。また、抵抗値調整成分としてＡｕを用いる場
合には、焼結温度が９００〜１０５０℃程度の遷移金属
酸化物との組み合わせが、抵抗値調整成分としてＰｄを
用いる場合には、焼結温度が９００〜１５５０℃程度の
遷移金属酸化物との組み合わせが、抵抗値調整成分とし
てＰｔを用いる場合には、焼結温度が９００〜１７５０
℃の遷移金属酸化物との組み合わせが可能である。更
に、抵抗値調整成分としてＡｇ／Ｐｄの混合粉末又は合
金粉末を用いる場合には、焼結温度が９００〜１５５０
℃の遷移金属酸化物との組み合わせが可能である。遷移
金属酸化物は、各々の焼結温度に適した組成比で用いる
ことができる。
【００１５】本発明において、抵抗値調整成分の割合が
１体積％未満では、抵抗値の調整（低減）効果は得られ
ず、また抵抗値調整成分の割合が２０体積％を超える
と、サーミスタの焼結体内部に金属成分による導通路が
形成され、所要のＢ定数が得られなくなる。従って、抵
抗値調整成分の混合割合は、遷移金属酸化物９９〜８０
体積％に対して１〜２０体積％の範囲で所要の抵抗値に
応じて適宜調節する。
１体積％未満では、抵抗値の調整（低減）効果は得られ
ず、また抵抗値調整成分の割合が２０体積％を超える
と、サーミスタの焼結体内部に金属成分による導通路が
形成され、所要のＢ定数が得られなくなる。従って、抵
抗値調整成分の混合割合は、遷移金属酸化物９９〜８０
体積％に対して１〜２０体積％の範囲で所要の抵抗値に
応じて適宜調節する。
【００１６】本発明のＮＴＣサーミスタを製造するに
は、まず、遷移金属酸化物粉末（焼成により遷移金属酸
化物となる遷移金属の炭酸塩であっても良い。）と抵抗
値調整成分とを所定割合で混合する。なお、この遷移金
属酸化物粉末と抵抗値調整成分との混合は、遷移金属酸
化物粉末の混合時、その仮焼粉砕時、造粒前後のいずれ
でも良い。
は、まず、遷移金属酸化物粉末（焼成により遷移金属酸
化物となる遷移金属の炭酸塩であっても良い。）と抵抗
値調整成分とを所定割合で混合する。なお、この遷移金
属酸化物粉末と抵抗値調整成分との混合は、遷移金属酸
化物粉末の混合時、その仮焼粉砕時、造粒前後のいずれ
でも良い。
【００１７】なお、用いる粉末の粒径は、均一分散の面
から、遷移金属酸化物粉末０．５〜５μｍ，抵抗値調整
成分０．１〜２μｍ程度であることが好ましい。
から、遷移金属酸化物粉末０．５〜５μｍ，抵抗値調整
成分０．１〜２μｍ程度であることが好ましい。
【００１８】得られた混合粉末を、常法に従って成形
し、成形体を当該抵抗値調整成分の融点より低い、当該
遷移金属酸化物の焼結温度で焼結することによりサーミ
スタを得ることができる。
し、成形体を当該抵抗値調整成分の融点より低い、当該
遷移金属酸化物の焼結温度で焼結することによりサーミ
スタを得ることができる。
【００１９】
実施例１ 出発原料として、ＭｎＣＯ3 ，ＣｏＣＯ3 を金属元素割
合でＭｎ：Ｃｏ＝４０：６０（モル％）となるように秤
量し、ボールミルで１０時間湿式混合した後、乾燥し解
砕し、その後、９００℃で１０時間仮焼した。この仮焼
粉末をボールミルで１０時間湿式粉砕した後、乾燥し解
砕した。更に、この粉末に対し、表１に示す抵抗値調整
成分を最終焼結体の体積に換算して、表１に示す割合と
なるように添加して乾式混合した後、混合粉末に対して
１重量％のポリビニールアルコールを添加して造粒し
た。得られた粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのペレッ
ト形状に加圧成形し、成形体を１１００℃で１０時間焼
成した。得られた焼結ペレットの両面に銀ペーストをス
クリーン印刷して８００℃で焼き付けることにより銀電
極を形成して試料とした。
合でＭｎ：Ｃｏ＝４０：６０（モル％）となるように秤
量し、ボールミルで１０時間湿式混合した後、乾燥し解
砕し、その後、９００℃で１０時間仮焼した。この仮焼
粉末をボールミルで１０時間湿式粉砕した後、乾燥し解
砕した。更に、この粉末に対し、表１に示す抵抗値調整
成分を最終焼結体の体積に換算して、表１に示す割合と
なるように添加して乾式混合した後、混合粉末に対して
１重量％のポリビニールアルコールを添加して造粒し
た。得られた粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのペレッ
ト形状に加圧成形し、成形体を１１００℃で１０時間焼
成した。得られた焼結ペレットの両面に銀ペーストをス
クリーン印刷して８００℃で焼き付けることにより銀電
極を形成して試料とした。
【００２０】各試料について、２５℃と５０℃の比抵抗
を測定し、両温度間のＢ定数を算出した。
を測定し、両温度間のＢ定数を算出した。
【００２１】２５℃における比抵抗、抵抗値調整成分成
分無添加の場合の比抵抗を１００％とした場合の百分率
及びＢ定数を表１に示した。
分無添加の場合の比抵抗を１００％とした場合の百分率
及びＢ定数を表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２〜５ 実施例１において、用いる遷移金属酸化物と抵抗値調整
成分及び焼結温度を各々表２〜５に示すものとしたこと
以外は同様にしてサーミスタを製造し、同様に評価を行
って結果をそれぞれ表２〜５に示した。
成分及び焼結温度を各々表２〜５に示すものとしたこと
以外は同様にしてサーミスタを製造し、同様に評価を行
って結果をそれぞれ表２〜５に示した。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】
【表５】
【００２８】表１〜５より明らかなように、本発明に従
って、遷移金属酸化物粉末に貴金属粉末及び／又は貴金
属酸化物粉末を混合することにより、Ｂ定数がほぼ一定
で、比抵抗を遷移金属酸化物単味の場合の比抵抗の約５
％にまで低減できる。
って、遷移金属酸化物粉末に貴金属粉末及び／又は貴金
属酸化物粉末を混合することにより、Ｂ定数がほぼ一定
で、比抵抗を遷移金属酸化物単味の場合の比抵抗の約５
％にまで低減できる。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＮＴＣサー
ミスタによれば、サーミスタ材料の組成を制御すること
で、Ｂ定数を変化させることなく、容易に抵抗値を変化
させることができる。即ち、本発明によれば、遷移金属
酸化物に対する抵抗値調整成分としての貴金属粉末及び
／又は貴金属酸化物粉末の混合割合を本発明の範囲内で
増加させることにより、Ｂ定数はほぼ一定で、比抵抗を
最低で遷移金属酸化物のみの場合の比抵抗に対して５％
にまで低減することができる。
ミスタによれば、サーミスタ材料の組成を制御すること
で、Ｂ定数を変化させることなく、容易に抵抗値を変化
させることができる。即ち、本発明によれば、遷移金属
酸化物に対する抵抗値調整成分としての貴金属粉末及び
／又は貴金属酸化物粉末の混合割合を本発明の範囲内で
増加させることにより、Ｂ定数はほぼ一定で、比抵抗を
最低で遷移金属酸化物のみの場合の比抵抗に対して５％
にまで低減することができる。
【００３０】従って、本発明によれば、従来、サーミス
タ材料組成の制御によっては実現不可能であった、所要
特性の低抵抗高Ｂ定数のＮＴＣサーミスタを精度よく製
造することが可能となる。
タ材料組成の制御によっては実現不可能であった、所要
特性の低抵抗高Ｂ定数のＮＴＣサーミスタを精度よく製
造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 俊道 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 遷移金属酸化物粉末９９〜８０体積％
と、貴金属粉末及び／又は貴金属酸化物粉末１〜２０体
積％との混合粉末を成形し、該貴金属粉末及び／又は貴
金属酸化物粉末の融点よりも低い温度で焼結してなるＮ
ＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】 請求項１において、遷移金属がＭｎ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ及びＡｌよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上であることを特徴とするＮＴＣサーミ
スタ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、貴金属がＡ
ｇ，Ｐｄ，Ａｕ及びＰｔ、並びに、これらの貴金属の２
種以上よりなる貴金属合金よりなる群から選ばれる１種
又は２種以上であり、貴金属酸化物がＡｇＯ，Ａｇ2 Ｏ
及びＰｄＯよりなる群から選ばれる１種又は２種以上で
あることを特徴とするＮＴＣサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25865196A JPH10233303A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｎｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25865196A JPH10233303A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｎｔｃサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233303A true JPH10233303A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=17323225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25865196A Pending JPH10233303A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｎｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233303A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335290B1 (ko) * | 1999-10-23 | 2002-05-03 | 이근범 | 엔티시 써미스타의 조성물 및 제조 방법 |
| US6861622B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Negative temperature coefficient thermistor and method for manufacturing the same |
| CN100395849C (zh) * | 2004-09-02 | 2008-06-18 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 三元系负温度系数热敏电阻材料及其制造方法 |
| JP2009059755A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Oizumi Seisakusho:Kk | Ｎｔｃサーミスタ用電極 |
| JP2011223030A (ja) * | 2000-08-30 | 2011-11-04 | Epcos Ag | 電気部品及びその製造方法 |
| CN102693794A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-09-26 | 句容市博远电子有限公司 | 超低阻值高b值ntc热敏电阻 |
| CN112645693A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-04-13 | 盐城工学院 | 一种复合负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25865196A patent/JPH10233303A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335290B1 (ko) * | 1999-10-23 | 2002-05-03 | 이근범 | 엔티시 써미스타의 조성물 및 제조 방법 |
| JP2011223030A (ja) * | 2000-08-30 | 2011-11-04 | Epcos Ag | 電気部品及びその製造方法 |
| US6861622B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Negative temperature coefficient thermistor and method for manufacturing the same |
| CN100395849C (zh) * | 2004-09-02 | 2008-06-18 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 三元系负温度系数热敏电阻材料及其制造方法 |
| JP2009059755A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Oizumi Seisakusho:Kk | Ｎｔｃサーミスタ用電極 |
| CN102693794A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-09-26 | 句容市博远电子有限公司 | 超低阻值高b值ntc热敏电阻 |
| CN112645693A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-04-13 | 盐城工学院 | 一种复合负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10233303A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ | |
| JPH0541304A (ja) | 金属酸化物系サーミスタ材料 | |
| JP2581754B2 (ja) | サーミスタ用酸化物半導体組成物 | |
| JP2572310B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP2008205384A (ja) | サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 | |
| JP2000261048A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3559911B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP3213647B2 (ja) | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ | |
| JP3551269B2 (ja) | 高温測定用サーミスタ | |
| KR970007509B1 (ko) | 부온도계수 써미스터 | |
| JPS6115303A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP3256366B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH03271154A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH0521210A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS62152104A (ja) | Ｐｔｃセラミツク抵抗体 | |
| JP2001102204A (ja) | サーミスタ組成物とその製造方法及びサーミスタ | |
| JP2882131B2 (ja) | サーミスタ用酸化物半導体の製造方法 | |
| JP5929152B2 (ja) | 非直線抵抗体素子の製造方法 | |
| JP3317129B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗磁器組成物 | |
| JP2001237108A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS63315556A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH05343204A (ja) | サーミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH11335163A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH05258914A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020205 |