JPH05343204A - サーミスタ用酸化物半導体 - Google Patents

サーミスタ用酸化物半導体

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JPH05343204A
JPH05343204A JP4151769A JP15176992A JPH05343204A JP H05343204 A JPH05343204 A JP H05343204A JP 4151769 A JP4151769 A JP 4151769A JP 15176992 A JP15176992 A JP 15176992A JP H05343204 A JPH05343204 A JP H05343204A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
thermistor element
oxide semiconductor
strength
vanadium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4151769A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiro Kawamura
典裕 河村
Junji Kawachi
純二 河内
Yoshimasa Kanazawa
賢昌 金沢
Masanori Terasaki
正則 寺崎
Masatsune Oguro
正恒 小黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4151769A priority Critical patent/JPH05343204A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 温度の上昇に伴い、抵抗値が減少する特性を
利用し、温度計測、温度補償等に用いられるサーミスタ
用酸化物半導体(以下サーミスタ素子とする)の組成に
関するものであり、サーミスタ素子自身の強度を上げる
ことにより、量産における作業性及び製品の信頼性を向
上させることを目的とする。 【構成】 Mn−Ni系、Mn−Ni−Cr系、Mn−
Ni−Cu系もしくは、Mn−Ni−Cu−Co系で構
成された組成に、バナジウムを0.1〜18.0原子%
添加することにより、サーミスタ素子の粒子同志の反応
性及び結合性を良くし、より緻密にすることにより、サ
ーミスタ素子の強度の向上を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、温度の上昇に伴い、抵
抗値が減少する特性を利用し、温度計測、温度補償等に
用いられるサーミスタ用酸化物半導体(以下サーミスタ
素子という)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のサーミスタ素子として、
特性(比抵抗及びサーミスタ定数)の長期安定性に優れ
ているものとして、Mn(マンガン)−Ni(ニッケ
ル)系、Mn−Ni−Cr(クロム)系、Mn−Ni−
Cu(銅)系、Mn−Ni−Cu−Co(コバルト)系
で構成された組成を有するものが知られており、そのサ
ーミスタ素子の表面に電極を形成することにより、サー
ミスタとして用いられている。ここで、Mn−Ni系及
びMn−Ni−Cr系のサーミスタ素子は、その比抵抗
が数Ω・cm〜108Ω・cm、サーミスタ定数が3000
〜5500であり、同様にMn−Ni−Cu系は比抵抗
が0.1〜105Ω・cm、サーミスタ定数が2000〜
5000であり、Mn−Ni−Cu−Co系は比抵抗が
0.1〜10 6Ω・cm、サーミスタ定数が2000〜5
000であり、これらは用途により使い分けられてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来サーミスタ素子
は、製品により使用形態は様々であるが、例えばスプリ
ングでサーミスタ素子を保持するタイプのスプリング
圧、円筒状をしたサーミスタ素子の両端部に設けられた
電極へのキャップのはめ合い時、さらにはハンダ付け時
のヒートショック等、サーミスタ素子にかかる負荷は相
当なものであり、工程における作業効率のみならず製品
の信頼性をも大きく左右していた。
【0004】本発明は、このような問題点を解決するも
のであり、サーミスタ素子自身の強度を上げることによ
り、量産時における作業性及び製品の信頼性を向上させ
ることを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、金属元素としてマンガン、ニッケルを主
成分とし、それにバナジウムを0.1〜18.0原子%
添加してなるサーミスタ素子(サーミスタ用酸化物半導
体)を提供するものである。
【0006】また、本発明のサーミスタ素子は、Mn−
Ni−Cr系あるいはMn−Ni−Cu系あるいはMn
−Ni−Cu−Co系で主成分が構成された組成に、バ
ナジウムを0.1〜18.0原子%添加してなるもので
ある。
【0007】
【作用】さて、本発明者らは、サーミスタ素子の強度は
粒子そのものの強度に依存するものではなく、粒界の強
度に起因していることに着目した。本発明は、バナジウ
ムの添加によりサーミスタ素子の粒子同志の反応性及び
結合性を良くすることにより、粒子同志の結合部分がよ
り大きく粒子と粒子の隙間(セラミックにおける気孔)
が小さくなるようにしたものである。すなわち、粒界を
より緻密にすることにより、サーミスタ素子の強度の向
上を図ることに成功したものである。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
なお、その組成比以外の製造方法は同じであるためMn
−Ni系、Mn−Ni−Cr系、Mn−Ni−Cu系、
及びMn−Ni−Cu−Co系をそれぞれ主成分とする
組成について、一括して説明する。
【0009】まず、市販の原料であるMnO2,Ni
O,Cr23,CuO,Co34,V25を用い、下記
の(表1)〜(表4)に示す組成となるように秤量を行
ない、これをボールミルにより20時間混合後乾燥し、
大気中900℃の温度で2時間保持し仮焼した。これを
再びボールミルで粉砕した後乾燥し、5%ポリビニルア
ルコールをバインダーとして添加し、ライカイ機にて造
粒、整粒を行なった。次に、この粉体を所要量採って外
径40mm、厚み2mmの円板状に1000kg/cm2の圧力
で成形した後、大気中1300℃の温度で、2時間保持
し、焼成した。
【0010】その後、焼結体形状密度を測定し、電極は
焼付け銀電極を750℃にて焼結体の表面に施した。そ
して、電気特性は、オイル槽内にて、25.0℃にて抵
抗値(R25)を測定し、比抵抗値(ρ25)に換算した。
又、50.0℃の抵抗値(R 50)を更に測定し、この2
点より、サーミスタ定数(B25/50)を算出した。この
サーミスタ定数の算出式はB=8875×log(R25
/R50)を用いた。
【0011】サーミスタ素子の強度は焼結体をまず、厚
み0.5mmに研磨(#800)し、その後ダイシングマ
シーンにて、25mm×5mmに切り出し、その資料を用い
て3点曲げ試験法にて測定を行ない、抗折強度を算出し
た。これらの測定値を下記の(表1)〜(表4)に併せ
て示している。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】
【表3】
【0015】
【表4】
【0016】上記の(表1)〜(表4)に示す結果から
明らかなように、本発明のサーミスタ素子の組成によっ
て、電気特性(ρ25及びB25/50)を変化させずに、よ
り緻密で素子強度を著しく高くすることができる。
【0017】ここで、(表1)〜(表4)に示すよう
に、副成分元素としてのバナジウムの添加量は、主成分
元素全体を100とした場合の原子%である。そして、
バナジウムが0.1%未満の場合、緻密な磁器が見られ
ず、素子強度を高くすることができない。一方、バナジ
ウムが18.0%を超えると比抵抗値が大きく、かつサ
ーミスタ定数は小さくなり、サーミスタとしての用をな
さなくなるため、共に請求範囲外とした。
【0018】また、上記の実施例における主成分元素、
すなわちMn−Ni、Mn−Ni−Cr、Mn−Ni−
Cu、Mn−Ni−Cu−Coに、比抵抗やサーミスタ
定数を調整するために、微量のFe,Al等を添加し、
同じく主成分元素をMn−Ni系、Mn−Ni−Cr
系、Mn−Ni−Cu系、Mn−Ni−Cu−Co系と
した場合にも、本発明を適用できることはもちろんであ
る。
【0019】
【発明の効果】以上のように本発明のサーミスタ素子
は、バナジウムの添加により、比抵抗やサーミスタ定数
を変化させずに、より緻密で素子強度を著しく高くする
ことができるものである。このため生産効率が向上する
のみならず、製品の信頼性を飛躍的に向上させるもので
ある。また、素子強度が向上することから、更に薄く、
小型の製品も可能となり、熱応答性の向上した製品等へ
の展開も可能となる。
フロントページの続き (72)発明者 寺崎 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小黒 正恒 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属元素としてマンガン、ニッケルを主成
    分とし、それにバナジウムを0.1〜18.0原子%添
    加してなるサーミスタ用酸化物半導体。
  2. 【請求項2】金属元素としてマンガン、ニッケル、クロ
    ムを主成分とし、バナジウムを0.1〜18.0原子%
    添加してなるサーミスタ用酸化物半導体。
  3. 【請求項3】金属元素としてマンガン、ニッケル、銅を
    主成分とし、バナジウムを0.1〜18.0原子%添加
    してなるサーミスタ用酸化物半導体。
  4. 【請求項4】金属元素としてマンガン、ニッケル、銅、
    コバルトを主成分とし、バナジウムを0.1〜18.0
    原子%添加してなるサーミスタ用酸化物半導体。
JP4151769A 1992-06-11 1992-06-11 サーミスタ用酸化物半導体 Pending JPH05343204A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4151769A JPH05343204A (ja) 1992-06-11 1992-06-11 サーミスタ用酸化物半導体

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JP4151769A JPH05343204A (ja) 1992-06-11 1992-06-11 サーミスタ用酸化物半導体

Publications (1)

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JPH05343204A true JPH05343204A (ja) 1993-12-24

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ID=15525896

Family Applications (1)

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JP4151769A Pending JPH05343204A (ja) 1992-06-11 1992-06-11 サーミスタ用酸化物半導体

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JP (1) JPH05343204A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841857A (en) * 1986-03-03 1989-06-27 Nissha Printing Co., Ltd. Thin-film forming apparatus
CN114751724A (zh) * 2022-05-31 2022-07-15 汕头市瑞升电子有限公司 一种ntc热敏电阻器介质材料及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841857A (en) * 1986-03-03 1989-06-27 Nissha Printing Co., Ltd. Thin-film forming apparatus
CN114751724A (zh) * 2022-05-31 2022-07-15 汕头市瑞升电子有限公司 一种ntc热敏电阻器介质材料及其制备方法
CN114751724B (zh) * 2022-05-31 2023-04-14 汕头市瑞升电子有限公司 一种ntc热敏电阻器介质材料及其制备方法

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