CN102693794A - 超低阻值高b值ntc热敏电阻 - Google Patents

超低阻值高b值ntc热敏电阻 Download PDF

Info

Publication number
CN102693794A
CN102693794A CN2012101816412A CN201210181641A CN102693794A CN 102693794 A CN102693794 A CN 102693794A CN 2012101816412 A CN2012101816412 A CN 2012101816412A CN 201210181641 A CN201210181641 A CN 201210181641A CN 102693794 A CN102693794 A CN 102693794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermistor
ultralow
value
resistivity
ntc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101816412A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102693794B (zh
Inventor
王梅凤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Original Assignee
JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd filed Critical JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN201210181641.2A priority Critical patent/CN102693794B/zh
Publication of CN102693794A publication Critical patent/CN102693794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102693794B publication Critical patent/CN102693794B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

本发明公开了一种超低阻值高B值NTC热敏电阻,包括如下重量百分比的成分:Mn2O3 25~45%、Co2O3 30~50%、CuO 5~10%、MgO 1~5%、Cr2O3 1~5%、TiO2 1~5%。本发明的优点是:其线性较好,很方便应用在测温行业;采用此配方能做到超低阻值高B值,即当电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm),材料常数B可以达到3250~3400K;可在-60度以下或更低温度范围内,因材料常数B值较大,灵敏性较高,而且还能满足-60以下有阻值特殊要求的客户使用。

Description

超低阻值高B值NTC热敏电阻
技术领域
本发明涉及一种热敏电阻,具体说是一种超低阻值高B值NTC热敏电阻。
背景技术
目前NTC(Negative Temperature Coefficient的缩写,意思是负的温度系数)热敏电阻采用现有的配方和技术只能做到超低阻值、超低B值:即电阻率若要做到0.3~0.6(kΩ.mm),则B值只能做到2700~2900K;因B值较小,所以导致灵敏度较差,无法满足特殊客户之要求。而且很难实现超低阻值、高B值之配方组合:超低阻值、高B值指的是电阻率0.3~0.6(k Ω.mm),B值3250~3400K。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术的不足,本发明的目的是提供一种线性较好、可在较宽温度范围内使用的超低阻值高B值NTC热敏电阻。该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm),材料常数B为3250~3400K。
技术方案:为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案为:一种超低阻值高B值NTC热敏电阻,包括如下重量百分比的成分:Mn2O3 25~45%、Co2O3 30~50%、CuO5~10%、MgO 1~5%、Cr2O3 1~5%、TiO2 1~5%。
采用上述配比,使得所述热敏电阻的电阻率能做到0.3~0.6(kΩ.mm),B值能做到3250~3400K。
作为本发明的优选,各成分的重量百分比分别为:Mn2O3 35%、Co2O3 45%、CuO 8%、MgO 3%、Cr2O3 5%、TiO2 4%。
上述超低阻值高B值NTC热敏电阻的制造方法,该方法包括如下步骤:
1)陶瓷浆料制备:首先将上述各成分按照重量百分比混合成粉料,然后加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料,其中粉料:乙醇:粘合剂(CK24):分散剂(BYK110)的重量比=1:0.3~0.5:0.5~0.7:0.05~0.1;
2)流延成型,将配置好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得厚度为20~70μm的膜,然后环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度,烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片;
3)制电极,将烧结好的瓷片两面涂覆银电极;
4)划片,根据阻值需求划成所需尺寸;即得到所述电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm),材料常数B为3250~3400K的热敏电阻。
所述粘合剂为电子陶瓷乙烯基改性粘合剂。本发明中优选粘合剂CK24。
有益效果:与现有技术相比,本发明的优点是:1)其线性较好,很方便应用在测温行业;2)采用此配方能做到超低阻值高B值,即当电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B可以达到3250~3400K;3)可在可在-60度以下或更低温度范围内。
4),因材料常数B值较大,灵敏性较高,而且还能满足-60以下有阻值特殊要求的客户使用。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进,这些改进也应视为本发明的保护范围。
实施例1:一种超低阻值高B值NTC热敏电阻,包括如下重量百分比的成分:Mn2O335%、Co2O3 45%、CuO 8%、MgO 3%、Cr2O3 5%、TiO2 4%。
上述超低阻值高B值NTC热敏电阻的制造方法,该方法包括如下步骤:
1)陶瓷浆料制备:首先将上述各成分按照重量百分比混合成粉料,然后加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料,其中粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.32:0.56:0.08;粘合剂采用CK24,CK24是一种电子陶瓷乙烯基改性粘合剂;分散剂采用型号为BYK110的分散剂。
2)流延成型,将配置好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得厚度为20~70μm的膜,然后环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度,烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片;
3)制电极,将烧结好的瓷片两面涂覆银电极;
4)划片,根据阻值需求划成所需尺寸;即得到上述超低阻值高B值NTC热敏电阻。
经检测,该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B为3250~3400K。可在-60度以下或更低温度范围内。
检测:电阻率算法:ρ=RS/T
式中:R:NTC芯片在25℃温度下(测试精度在+/0.02℃)测得的阻值
S:NTC芯片的面积:长×宽
T:NTC芯片的厚度
B值算法:B=(T1*T2/(T2-T1))*㏑(R1/R2)
T1/T2一般为25/85,或者25/50,或者25/100。
R1=温度T1时之电阻值
R2=温度T2时之电阻值
T1=298.15K (273.15+25℃)
T2=323.15K(273.15+50℃)
实施例2:与实施例1基本相同,所不同的是NTC热敏电阻的成分以及NTC热敏电阻与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下:
各成分的重量百分比如下:Mn2O3 25%、Co2O3 50%、CuO 10%、MgO 5%、Cr2O35%、TiO2 5%。
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.43:0.55:0.05。
经检测,该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B为3250~3400K。
实施例3:与实施例1基本相同,所不同的是NTC热敏电阻的成分以及NTC热敏电阻与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下:
各成分的重量百分比如下:Mn2O3 45%、Co2O3 43%、CuO 5%、MgO 2%、Cr2O3 4%、TiO2 1%。
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.3:0.5:0.09。
经检测,该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B为3250~3400K。
实施例4:与实施例1基本相同,所不同的是NTC热敏电阻的成分以及NTC热敏电阻与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下:
各成分的重量百分比如下:Mn2O3 45%、Co2O3 30%、CuO 10%、MgO 5%、Cr2O3 5%、TiO2 5%。
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.5:0.7:0.1。
经检测,该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B为3250~3400K。
实施例5:与实施例1基本相同,所不同的是NTC热敏电阻的成分以及NTC热敏电阻与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下:
各成分的重量百分比如下:Mn2O3 40%、Co2O3 43%、CuO10%、MgO 1%、Cr2O3 1%、TiO2 5%。
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.36:0.56:0.05。经检测,该热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(k Ω.mm),材料常数B为3250~3400K。

Claims (3)

1.一种超低阻值高B值NTC热敏电阻,其特征在于,包括如下重量百分比的成分:Mn2O3 25~45%、Co2O3 30~50%、CuO 5~10%、MgO 1~5%、Cr2O3 1~5%、TiO2 1~5%。
2.根据权利要求1所述超低阻值高B值NTC热敏电阻,其特征在于,各成分的重量百分比分别为:Mn2O3 35%、Co2O3 45%、CuO 8%、MgO 3%、Cr2O3 5%、TiO2 4%。
3.根据权利要求1所述超低阻值高B值NTC热敏电阻,其特征在于,所述热敏电阻的电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm),材料常数B为3250~3400K。
CN201210181641.2A 2012-06-04 2012-06-04 超低阻值高b值ntc热敏电阻 Active CN102693794B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210181641.2A CN102693794B (zh) 2012-06-04 2012-06-04 超低阻值高b值ntc热敏电阻

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210181641.2A CN102693794B (zh) 2012-06-04 2012-06-04 超低阻值高b值ntc热敏电阻

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102693794A true CN102693794A (zh) 2012-09-26
CN102693794B CN102693794B (zh) 2015-02-04

Family

ID=46859170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210181641.2A Active CN102693794B (zh) 2012-06-04 2012-06-04 超低阻值高b值ntc热敏电阻

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102693794B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103664141A (zh) * 2013-12-19 2014-03-26 深圳顺络电子股份有限公司 一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法
CN104150880A (zh) * 2014-06-27 2014-11-19 句容市博远电子有限公司 一种锰-钴-铜热敏电阻材料
CN106847448A (zh) * 2017-01-13 2017-06-13 昆山福烨电子有限公司 一种负温度系数热敏碳膜电阻

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02121303A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Tdk Corp Ntcサーミスタ素子の製造方法
JPH10233303A (ja) * 1996-09-30 1998-09-02 Mitsubishi Materials Corp Ntcサーミスタ
CN101118793A (zh) * 2007-09-12 2008-02-06 山东中厦电子科技有限公司 一种低电阻率/高b值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法
CN101127266A (zh) * 2007-09-12 2008-02-20 山东中厦电子科技有限公司 高均匀性负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN101618959A (zh) * 2009-07-28 2010-01-06 四川西汉电子科技有限责任公司 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02121303A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Tdk Corp Ntcサーミスタ素子の製造方法
JPH10233303A (ja) * 1996-09-30 1998-09-02 Mitsubishi Materials Corp Ntcサーミスタ
CN101118793A (zh) * 2007-09-12 2008-02-06 山东中厦电子科技有限公司 一种低电阻率/高b值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法
CN101127266A (zh) * 2007-09-12 2008-02-20 山东中厦电子科技有限公司 高均匀性负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN101618959A (zh) * 2009-07-28 2010-01-06 四川西汉电子科技有限责任公司 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103664141A (zh) * 2013-12-19 2014-03-26 深圳顺络电子股份有限公司 一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法
CN103664141B (zh) * 2013-12-19 2015-10-28 深圳顺络电子股份有限公司 一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法
CN104150880A (zh) * 2014-06-27 2014-11-19 句容市博远电子有限公司 一种锰-钴-铜热敏电阻材料
CN106847448A (zh) * 2017-01-13 2017-06-13 昆山福烨电子有限公司 一种负温度系数热敏碳膜电阻

Also Published As

Publication number Publication date
CN102693794B (zh) 2015-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102682942B (zh) 低阻值高b值负温度系数热敏电阻
CN102682944A (zh) Ntc热敏电阻材料
CN102122552B (zh) 一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻
CN102682941B (zh) 高阻值低b值负温度系数热敏电阻
CN102568723B (zh) 负温度系数热敏电阻芯片、其电阻及其制作方法
CN104064297A (zh) 用于超低温环境的热敏电阻材料
CN102270531A (zh) 叠层片式负温度系数热敏电阻的制备方法
CN102568722B (zh) 贴片热敏电阻及其制造方法
CN102608183A (zh) 一种氮氧传感器
CN102693794A (zh) 超低阻值高b值ntc热敏电阻
CN102693795B (zh) 负温度系数热敏电阻
CN103295709B (zh) Ntc热敏电阻用半导体陶瓷组合物
CN103354142A (zh) 电动机保护用负温度系数ntc热敏电阻器及其制造方法
CN102682943B (zh) 医用高精度ntc热敏电阻器的生产方法
CN104569108B (zh) 一种片式氧传感器的制备方法
CN104150880A (zh) 一种锰-钴-铜热敏电阻材料
CN104051095B (zh) 一种添加氧化钛的四元系热敏电阻材料
CN103664141B (zh) 一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法
CN104140301B (zh) 镀金砖的生产工艺
CN104051094A (zh) 一种添加氧化锶的多元系热敏电阻
CN104086160B (zh) 添加氧化镧的二元系热敏电阻材料
CN104051093B (zh) 低阻值高b值负温度系数热敏电阻
CN104458046A (zh) 薄膜铂电阻制造方法
CN106710758B (zh) 一种厚膜片式线性负温度系数热敏电阻器的制备方法
CN104157383B (zh) 一种添加分子银的热敏电阻

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 212400 Zhenjiang City, Jiangsu province Jurong City Zhang Miao Jurong Industrial Zone Boyuan Electronic Co. Ltd.

Applicant after: Jurongshi BOYUAN Electronics CO., Ltd.

Address before: 212400 Zhenjiang City, Jiangsu province Jurong Boyuan Electronic Co. Ltd.

Applicant before: Jurongshi BOYUAN Electronics CO., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant