JP2008205384A - サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 - Google Patents

サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2008205384A
JP2008205384A JP2007042484A JP2007042484A JP2008205384A JP 2008205384 A JP2008205384 A JP 2008205384A JP 2007042484 A JP2007042484 A JP 2007042484A JP 2007042484 A JP2007042484 A JP 2007042484A JP 2008205384 A JP2008205384 A JP 2008205384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
mnti
temperature
output voltage
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007042484A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4548431B2 (ja
Inventor
Hirokazu Kobayashi
寛和 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2007042484A priority Critical patent/JP4548431B2/ja
Publication of JP2008205384A publication Critical patent/JP2008205384A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4548431B2 publication Critical patent/JP4548431B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】温度に対して出力電圧が直線的に変化し得る特性を有するサーミスタ組成物及びサーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】サーミスタ素子1は、素体3と、素体3の外表面に配置された端子電極5,7とを備えている。素体3は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有している。Coの含有割合は、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲である。また、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比x(Ca(MnTi1−x)O)は、0.33≦x≦0.7である。
【選択図】図2

Description

本発明は、サーミスタ組成物、及び当該サーミスタ組成物を含む素体を備えるサーミスタ素子に関する。
この種のサーミスタ素子として、温度が高くなると抵抗が低くなる特性を有する、いわゆるNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスタ素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−251209号公報
ところで、このNTCサーミスタ素子は、一般に、温度に対して出力電圧が曲線的に変化する非直線性の特性を有している。このため、従来のNTCサーミスタ素子を用いて温度検知又は測定等を行なう場合、NTCサーミスタ素子の出力電圧の非直線性を補正する補償回路等が必要となるため、温度検知又は測定等のための回路が複雑化及び高コスト化するという問題が生じてしまう。
そこで、本発明は、温度に対して出力電圧が直線的に変化し得る特性を有するサーミスタ組成物及びサーミスタ素子を提供することを目的とする。
本発明者等は、温度に対して出力電圧が直線的に変化し得る特性を有するサーミスタ組成物についても鋭意研究を進めた。その結果、本発明者等は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有させると、温度に対して出力電圧が直線的に変化することがあるという新たな事象を見出すに至った。
かかる研究結果を踏まえ、本発明に係るサーミスタ組成物は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有し、Coの含有割合が、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲であり、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xが0.33≦x≦0.7であることを特徴とする。
また、本発明に係るサーミスタ素子は、素体と、前記素体の外表面に配置された端子電極とを備えるサーミスタであって、素体は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有し、Coの含有割合が、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲であり、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xが0.33≦x≦0.7であることを特徴とする。
これら本発明では、サーミスタ組成物又は素体が、Ca(MnTi)Oと、Coと、を含有しているので、温度に対して出力電圧が直線的に変化する。この事象は、以下の理由に因るものと考えられる。
ペロブスカイト構造を有しているCa(MnTi)Oは、Coを殆ど固溶することができない。Ca(MnTi)Oに固溶されないCoは、Ca(MnTi)Oとは異なる相を構成することとなるが、Ca(MnTi)Oに含まれるMnと反応し、Mnとの酸化物(例えば、MnCoO等)を生成する。したがって、Ca(MnTi)OとCoとを含有させサーミスタ組成物は、Ca(MnTi)Oを主成分とする領域と、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域とを含むこととなる。このとき、Ca(MnTi)Oと、CoとMnとの酸化物と、は異なるB定数(温度変化に対する抵抗値の変化の程度)を有しており、CoとMnとの酸化物はCa(MnTi)Oよりも高いB定数を有している。このようにB定数が異なる領域が直列及び並列に接続されることとなり、この結果、温度に対して出力電圧が直線的に変化するようになる。
Coの含有割合を0.1原子%以上とすると共に、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xを0.33≦x≦0.7とすることにより、温度に対して出力電圧が直線的に変化させることができ、且つ、単位温度あたりの出力電圧の変化量(温度に対する出力電圧の変化における傾き)を大きくすることができる。すなわち、Coの含有割合が0.1原子%より小さく且つMnに対するTiの組成比xが上記数値範囲外である場合、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域が少なくなると共にCa(MnTi)Oを主成分とする領域のB定数が高くならず、温度に対して出力電圧が直線的に変化し難くなり、単位温度あたりの出力電圧の変化量も小さくなる。
Coの含有割合を10原子%以下とすることにより、特性(B定数又は抵抗等)を安定させることができる。すなわち、Coの含有割合が10原子%より大きい場合、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域が多くなり過ぎ、上述したB定数が異なる領域の接続状態が安定せず、特性にばらつきが生じる。
本発明によれば、温度に対して出力電圧が直線的に変化し得る特性を有するサーミスタ組成物及びサーミスタ素子を提供することができる。また、本発明によれば、単位温度あたりの出力電圧の変化量が大きいサーミスタ組成物及びサーミスタ素子を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
サーミスタ素子1は、いわゆるNTCサーミスタ素子であって、図1及び図2に示されるように、略円盤状の素体3と、素体3の外表面に配置された端子電極5,7とを備えている。図1は、本実施形態に係るサーミスタ素子の斜視図である。図2は、図1に示されたサーミスタ素子の断面図である。
端子電極5は素体3の一方の主面に配置され、端子電極7は素体3の一方の主面に対向する他方の主面に配置されている。端子電極5と端子電極7とは、素体3を介して対向している。端子電極5,7は、素体3の外表面側から順に第1の金属電極層5a,7a、第2の金属電極層5b,7b、第3の金属電極層5c,7cからなる3層構造となっている。
第1の金属電極層5a,7aは、例えばAgを主成分として含んでいる。第1の金属電極層5a,7aは、導電性金属粉末(Ag粉末)及びガラスフリットを含む導電性ペーストを素体3の外表面の付与し、焼き付けることによって形成することができる。
第2の金属電極層5b,7bは、例えばNiを主成分として含んでいる。第2の金属電極層5b,7bは、第1の金属電極層5a,7a上に、第1の金属電極層5a,7aを覆うように形成されている。第2の金属電極層5b,7bは、第1の金属電極層5a,7aの外表面をNiでメッキ処理することによって形成されている。
第3の金属電極層5c,7cは、例えばSnあるいはSn合金を主成分として含んでいる。第3の金属電極層5c,7cは、第2の金属電極層5b,7b上に、第2の金属電極層5b,7bを覆うように形成されている。第3の金属電極層5c,7cは、第2の金属電極層5b,7bの外表面をSn又はSn合金でメッキ処理することによって形成されている。
素体3は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有している。Coの含有割合は、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲である。また、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比x(Ca(MnTi1−x)O)は、0.33≦x≦0.7である。素体3は、Ca(MnTi)O及びCo以外に、不可避的な不純物等をさらに含んでいてもよく、このような不純物としては、Si、K、Na、Ca等の金属元素が挙げられる。
次に、上記構成を有するサーミスタ素子1を製造する方法について説明する。
まず、素体3(サーミスタ組成物)を作製する。ここでは、素体3の原料として、Mn、CaCO、TiO及びCoを用い、これらをボールミル等により湿式混合して、上記原料が所望の組成比率にて混合された原料混合物を調製する。なお、この原料混合物中には、上述したような不可避的な不純物が含まれていてもよい。この原料混合物を乾燥した後、800〜1200℃程度で仮焼成を行い、仮焼成物を得る。得られた仮焼成物を、再びボールミル等により湿式粉砕する。そして、この粉砕物にバインダ(例えば、ポリビニルアルコール(PVA)等)を加え、顆粒に造粒した後、円盤状に加圧成形する。次に、円盤状成形体に脱バインダ及び本焼成を行ない、素体3を得る。
その後、得られた素体3の両端面に、第1の金属電極層5a,7aを形成するためのAgペースト等を焼き付け、第1の金属電極層5a,7aを形成する。さらに、この第1の金属電極層5a,7aを覆うように、第2の金属電極層5b,7b及び第3の金属電極層5c,7cを電気めっき等により形成して、図1及び図2に示された構成を有するサーミスタ素子1を得る。
以上のように、本実施形態では、素体3がCa(MnTi)Oと、Coと、を含有しているので、この素体3は、図3に示されるように、Ca(MnTi)Oを主成分とする領域P1と、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域P2とを含むこととなる。これは、ペロブスカイト構造を有しているCa(MnTi)Oは、Coを殆ど固溶することができないことに由来する。すなわち、Ca(MnTi)Oに固溶されないCoは、Ca(MnTi)Oとは異なる相を構成することとなり、Ca(MnTi)Oに含まれるMnと反応し、Mnとの酸化物を生成する。
ところで、素体3の内部では、図3に示されるように、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域P2は、Ca(MnTi)Oを主成分とする領域P1にて囲まれて存在している。Ca(MnTi)Oからなる領域P1と、CoとMnとの酸化物からなる領域P2とは、異なるB定数を有しており、CoとMnとの酸化物からなる領域P2はCa(MnTi)Oからなる領域P1よりも高いB定数を有している。したがって、素体3では、図4に示されるように、B定数が異なる領域P1,P2が直列及び並列に接続されることとなり、温度に対して出力電圧が直線的に変化するようになる。
素体3において、Coの含有割合を0.1原子%以上とすると共に、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xを0.33≦x≦0.7とすることにより、温度に対して出力電圧が直線的に変化させることができ、且つ、単位温度あたりの出力電圧の変化量を大きくすることができる。すなわち、Coの含有割合が0.1原子%より小さく且つMnに対するTiの組成比xが上記数値範囲外である場合、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域P2が少なくなると共にCa(MnTi)Oを主成分とする領域P1のB定数が高くならず、温度に対して出力電圧が直線的に変化し難くなり、単位温度あたりの出力電圧の変化量も小さくなる。
素体3において、Coの含有割合を10原子%以下とすることにより、特性(B定数又は抵抗等)を安定させることができる。すなわち、Coの含有割合が10原子%より大きい場合、CoとMnとの酸化物を主成分とする領域が多くなり過ぎ、上述したB定数が異なる領域の接続状態が安定せず、特性にばらつきが生じる。
本実施形態では、素体3は、異なるB定数を有する領域P1,P2を含んで構成されており、温度に対して出力電圧が直線的に変化する特性を有するサーミスタ素子を一素子とで具現化することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
素体3は、上述した円盤状に限られることなく、多面体状又は球状等であってもよい。また、サーミスタ素子1は、素体3の内部に、端子電極5,7に電気的に接続された内部電極を備えていてもよい。
以下、本発明に係わるサーミスタ組成物及びサーミスタ素子について実施例により更に詳細に説明する。なお、本発明は本実施例に限定されるものではない。
(サーミスタ素子の製造)
まず、サーミスタ組成物の原料(出発材料)として、市販のMn、CaCO、TiO及びCoを準備し、これらを焼結後の組成が図5に示す組成比になるように秤量配合した。次に、これらの原料を、ボールミルにより16時間湿式混合して原料混合物を得た。この原料混合物中には、Si、K、Na、Ca等の金属元素がわずかに含まれていた。
次に、得られた原料混合物を脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用いて粉体にした。更に、アルミナこう鉢にこの粉体を入れ、800〜1200℃で2時間仮焼成した。次に、この仮焼成体をボールミルとZrビーズにより微粉砕したのち脱水乾燥し、バインダとしてポリビニルアルコール(PVA)を加え、乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径16mm、厚さ2.5mmの円盤状に加圧成形した。
次に、この円盤状成形体を大気中で600℃にて2時間加熱して、バインダを除脱した後に、大気中で1100〜1500℃で2時間の本焼成を行うことにより、素体を得た。得られた素体の両面に銀ペーストをスクリーン印刷し、800℃で焼き付けを行うことにより端子電極を形成した。これらにより、一対の端子電極間に素体を備えた構造を有する各種のサーミスタ素子(試料1〜56)を得た。
(特性評価)
まず、試料1〜56の各サーミスタ素子を各20個ずつ用い、以下に示す方法により各温度条件における抵抗値を求め、これらの値に基づいて低温側及び高温側の温度域におけるB定数を求めた。
すなわち、直流4端子法により、25℃の抵抗値(R25)(Ω)及び85℃の抵抗値(R85)(Ω)を測定した。そして、これらの値を、下記式(1)に代入して、B定数(B25/85)(K)を算出した。また、各試料1〜56におけるB定数の変動係数(Bcv)(%)を算出した。
B25/85=2.3026×Log(R25/R85)/
{1/(273.15+25)−1/(273.15+85)} … (1)
次に、試料1,3,5,8,9,13,16,18,20,23,24,25,26,27,30,32,34,36,37,38,40,41,44,46,48,50,52,54の各サーミスタ素子を用い、以下に示す方法により、温度に対する出力電圧の変化特性を求めた。
すなわち、図6に示されるように、試料1,3,5,8,9,13,16,18,20,23,24,25,26,27,30,32,34,36,37,38,40,41,44,46,48,50,52,54の各サーミスタ素子S1を固定抵抗R1と直列接続した測定回路を作製し、この測定回路を恒温槽に入れ、恒温槽内の温度を変化させながら、入力電圧(Ein)1Vに対する出力電圧(Eout)を測定した。温度は、−40℃〜150℃の範囲で変化させた。そして、測定結果から、単位温度あたりの出力電圧の変化量(ΔE)及び決定係数(R)を算出した。
試料1〜56のサーミスタ素子についてそれぞれ得られたB定数(B25/85)及びB定数の変動係数(Bcv)を、各試料におけるサーミスタ組成物の組成とともに図5に示した。
試料1,3,5,8,9,13,16,18,20,23,24,25,26,27,30,32,34,36,37,38,40,41,44,46,48,50,52,54のサーミスタ素子について得られた、単位温度あたりの出力電圧の変化量(ΔE)及び決定係数(R)を、図7に示した。また、図8〜13に、温度と出力電圧との関係を線図として示した。
図7〜13に示された測定結果から分かるように、Coの含有割合を0.1原子%以上とし、Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xを0.33≦x≦0.7とした場合、ΔEが1.5mV/℃以上となり、温度に対して出力電圧が直線的に変化している。また、Rが0.995以上となり、単位温度あたりの出力電圧の変化量が大きくなっている。
ΔEの良否判定基準を1.5mV/℃とした理由は、ΔEが1.5mV/℃未満である場合、温度に対する電圧の変化量が小さく、センサとして感度が不十分となるからである。Rの良否判定基準を0.995とした理由は、Rが0.995未満である場合、出力電圧を実質的に直線と見なすことできず、補正回路等が必要となるからである。
図5に示された測定結果から分かるように、Coの含有割合を10原子%以下とした場合、Bcvが1未満となり、特性バラつきが極めて少ない。
以上のことから、本発明の有効性が確認された。
本実施形態に係るサーミスタ素子の斜視図である。 図1に示されたサーミスタ素子の断面図である。 素体の構成を説明するための模式図である。 素体の等価回路である。 試料の組成、並びに、B定数(B25/85)及びB定数の変動係数(Bcv)の測定結果を示す図表である。 測定回路を示す図である。 試料の単位温度あたりの出力電圧の変化量(ΔE)及び決定係数(R)測定結果を示す図表である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。 温度と出力電圧との関係を示す線図である。
符号の説明
1…サーミスタ素子1、3…素体、5,7…端子電極、P1…Ca(MnTi)Oを主成分とする領域、P2…CoとMnとの酸化物を主成分とする領域。

Claims (2)

  1. ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有し、
    Coの含有割合が、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲であり、
    Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xが0.33≦x≦0.7であることを特徴とするサーミスタ組成物。
  2. 素体と、前記素体の外表面に配置された端子電極とを備えるサーミスタ素子であって、
    前記素体は、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oと、Coと、を含有し、
    Coの含有割合が、Ca(MnTi)OにおけるCa、Ti及びMnの総量に対して、0.1〜10原子%の範囲であり、
    Ca(MnTi)Oにおける、Mnに対するTiの組成比xが0.33≦x≦0.7であることを特徴とするサーミスタ素子。
JP2007042484A 2007-02-22 2007-02-22 サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 Active JP4548431B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007042484A JP4548431B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 サーミスタ組成物及びサーミスタ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007042484A JP4548431B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 サーミスタ組成物及びサーミスタ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008205384A true JP2008205384A (ja) 2008-09-04
JP4548431B2 JP4548431B2 (ja) 2010-09-22

Family

ID=39782523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007042484A Active JP4548431B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 サーミスタ組成物及びサーミスタ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4548431B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101220312B1 (ko) 2012-06-28 2013-01-10 태성전장주식회사 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자
EP3211643A1 (de) * 2016-02-26 2017-08-30 Robert Bosch GmbH Elektrisches widerstandsbauteil und elektrische baugruppe und/oder anlage
CN114956789A (zh) * 2022-06-07 2022-08-30 中国科学院新疆理化技术研究所 一种线性宽温区高温热敏电阻材料及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002121071A (ja) * 2000-10-11 2002-04-23 Murata Mfg Co Ltd 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ
JP2003068507A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Nippon Soken Inc サーミスタ素子の製造方法およびサーミスタ素子原料の製造装置
JP2003257706A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Tdk Corp 温度特性直線化補償用サーミスタ組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002121071A (ja) * 2000-10-11 2002-04-23 Murata Mfg Co Ltd 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ
JP2003068507A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Nippon Soken Inc サーミスタ素子の製造方法およびサーミスタ素子原料の製造装置
JP2003257706A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Tdk Corp 温度特性直線化補償用サーミスタ組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101220312B1 (ko) 2012-06-28 2013-01-10 태성전장주식회사 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자
EP3211643A1 (de) * 2016-02-26 2017-08-30 Robert Bosch GmbH Elektrisches widerstandsbauteil und elektrische baugruppe und/oder anlage
CN114956789A (zh) * 2022-06-07 2022-08-30 中国科学院新疆理化技术研究所 一种线性宽温区高温热敏电阻材料及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4548431B2 (ja) 2010-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5805648B2 (ja) セラミック材料、セラミック材料の製造方法およびセラミック材料を有する抵抗素子
JP6530569B2 (ja) サーミスタ焼結体及びサーミスタ素子
TWI433827B (zh) NTC thermal resistors for semiconductor porcelain compositions and NTC thermal resistors
WO2016181598A1 (ja) 導電性酸化物焼結体、導電用部材、及び、ガスセンサ
JP6152481B2 (ja) 導電性酸化物焼結体、導電用部材、ガスセンサ、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
JP4548431B2 (ja) サーミスタ組成物及びサーミスタ素子
JP3996411B2 (ja) 複合型ntcサーミスタ
JP7451277B2 (ja) サーミスタ焼結体および温度センサ素子
WO2020090489A1 (ja) サーミスタ焼結体および温度センサ素子
JP2004221519A (ja) サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法、並びにサーミスタ素子、温度センサ
JP4302487B2 (ja) サーミスタ用焼結体およびサーミスタ素子、並びに温度センサ
JP6675050B1 (ja) サーミスタ焼結体および温度センサ素子
WO2020090309A1 (ja) サーミスタ焼結体および温度センサ素子
JP5309586B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP4655053B2 (ja) サーミスタ素子
JP3559911B2 (ja) サーミスタ
JP2002193665A (ja) サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ
JP4850330B2 (ja) サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子
JP2001328862A (ja) チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物
JPS63315554A (ja) サーミスタ磁器組成物
JP3384410B2 (ja) 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器
JP2004172640A (ja) サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法並びに温度センサ
JP2573466B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
JP2638599B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
JP2004217500A (ja) サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法、並びにサーミスタ素子、温度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100615

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4548431

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716

Year of fee payment: 3