JP3996411B2 - 複合型ntcサーミスタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスタ組成物に係り、特にB定数の大きなNTCサーミスタと組み合わせてその出力特性を直線化する温度特性補償用のNTCサーミスタ組成物を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
NTCサーミスタは温度が変化するとその抵抗値が負性変化するため、例えば各種温度センサ等に使用されている。そしてサーミスタの特性を示す定数としてB定数が使用されている。B定数は温度変化対応して抵抗値が変化する程度を示すものであり、これが大きい程いわゆる温度変化に対する感度が良好のものとして取り扱われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のNTCサーミスタ組成物のB定数は、3000K〜5500Kであり、温度に対して抵抗変化がリニアでなく、曲線である。このため温度測定に際しては、この非直線性を補正する補償回路を組む必要性があり、高価なものとなった。
【0004】
したがって本発明の目的は、高価な温度補償用回路を使用する必要もなく、しかもワンチップ型の、温度特性補正用NTCサーミスタを提供することが可能なNTCサーミスタ組成物を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明では、
25〜85℃におけるB定数が3000K〜5500KであるNTCサーミスタにおける第1のサーミスタ組成物と、
主成分の組成が(Ax・By)O3 で表され、
A=Ca、Ba、Srの1つであり
B=Mn、Co、Feの1つであり
xが0.8≦x≦1.4、yが0.6≦y≦1.2でかつx+y=2であって、25〜85℃におけるB定数が500K〜2500Kであり、
添加物として、Zn、Sm、Co、Mg、Al、Ti、Ni、Zr、Nb、Sn、La、Ta群から選ばれた少なくとも1種以上を元素換算で合計0.20mol%まで含有し、かつYを含まない第2のサーミスタ組成物と、
が接続されたことを特徴とする複合型NTCサーミスタを提供するものである。
また、本発明の複合型NTCサーミスタは前記第1及び第2のサーミスタ組成物が積層され一体化されて焼結されて形成されたことを特徴とする。
【0006】
そしてこれにより、B定数が500K〜2500Kと小さな値のNTCサーミスタ組成物を得ることができる。これを従来の3000K〜5500Kという大きな値のNTCサーミスタ組成物と接続して使用することにより、温度特性を直線化することができ、しかもこれらのNTCサーミスタのグリーンシートを積層することによりワンチップ構成とすることができるので、非常に安価に、使用面積もほとんど増加することなく、温度特性を直線化することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する。出発材料として市販のCa、Mn、Co、Ba、Sr、Fe、Zn、Sm、Mg、Al、Ti、Ni、Zr、Nb、Sn、La、Taの酸化物を、焼結後の組成が後掲の表1〜表3に示す通りの組成比になるように秤量配合し、ボールミルで16時間湿式混合した。
【0008】
その後、脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用いて粉体にし、これをアルミナ匣鉢に入れ、1000〜1400℃で2時間焼成する。この焼成体をボールミルで微粉砕後、脱水乾燥し、バインダーとしてポリビニールアルコールを加え、乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径16mm、厚さ2.5mmの円板状に加圧成形し、2時間本焼成して試料を得る。このようにして得られた試料の両面に銀ペーストをスクリーン印刷し、850℃で焼付けを行い、電極を形成する。
【0009】
得られた各試料を直流4端子法を用いて25℃の抵抗値(R25)と85℃の抵抗値(R85)を測定し、後述の数式1を用いてB定数(B25/85)を算出し、後掲の表1〜表3に示す結果を得た。なお×印は本発明の範囲外のものであることを示す
【0010】
【数1】
【0011】
【表1】
【0012】
【表2】
【0013】
【表3】
【0014】
これにより明らかな如く、請求項1の範囲の組成により、B定数が500〜2500Kの低B定数のNTCサーミスタ組成物を提供できることがわかる。主成分はペロブスカイト型結晶構造を有するものであり、x+y=2であってもxが0.8未満の場合はB定数が2500Kを超える(No.1、31、39、47、55参照)。
【0015】
またxが1.4を超えると、これまたB定数が2500Kを超える(No.5、35、43、51、59参照)。
【0016】
yが0.6未満の場合は、B定数が2500Kを超える(No.5、35、43、51、59参照)。
【0017】
yが1.2を超えると、B定数が2500Kを超える(No.1、31、39、47、55参照)。
【0018】
添加物の合計量が0.2mol%を超えると、B定数が500K以下ときわめて小さな値となる(No.8、11、16、20参照)。
【0019】
このような低B定数特性を有する本発明によるNTCサーミスタにより、従来の高B定数特性を有するNTCサーミスタの温度特性の直線化補償状態について説明する。
【0020】
図1に示す如く、従来の高B定数特性を有するNTCサーミスタ(NTC1)と、本発明による低B定数特性を有するNTCサーミスタ(NTC2)と固定抵抗R1とを直列接続し、入力電圧Eiと出力電圧Eoutをそれぞれ測定し、図3〜図7に示す如き特性が得られた。
【0021】
従来のNTC1と本発明のNTC2は、図2に示す如く、例えばNTCサーミスタをグリーンシート2、3としたものに電極Ag−Pdを塗布した。そして、これらを複数枚積層焼結し、端子電極4を形成して得た、1チップタイプの複合型サーミスタNを構成した。
【0022】
例えば、NTC2については、サーミスタを構成する出発材料の酸化物を混合、微粉砕したものを有機溶剤等によりグリーンシートに成形し、Ag−Pd電極を塗布してこれを積層する。NTC1についても同様であり、これら積層したものを一体化し、焼結したのち端子電極4を形成し、1チップタイプのサーミスタNを得る。
【0023】
図3に示す例1では従来のNTC1として、主成分としてMn20mol%、Ni75mol%、Al5mol%の酸化物にZrO2 を10重量%添加したものを使用した。B25/85は4150Kであり、25℃の抵抗値(R25)は500Ωである。また低B定数のNTC2として、表1のNo.12に示すB25/85が1740Kのものを使用した。なおR25は1500Ωであった。また固定抵抗R1 として820Ωの抵抗値のものを使用した。
【0024】
温度を−40℃から125℃まで変化させたときのNTC1及びNTC2の抵抗値を、図3の特性線A1、B1で示す。そして−40℃〜125℃までの出力電圧Eoutを図3の特性線C1で示す。この特性線C1は直線係数R2 =0.999である。直線係数はR2 =1のとき直線を示す。
【0025】
図4に示す例2では、従来のNTC1として、例1と同じB25/85が4150KでR25が1500Ωのものを使用した。低B定数のNTC2としては、表1のNo.10に示すB25/85が500Kのものを使用し、R25として1500Ωのものを使用した。また固定抵抗R1 として420Ωの抵抗値のものを使用した。
【0026】
温度を−40℃から125℃まで変化させたときのNTC1及びNTC2の抵抗値を、図4の特性線A2、B2で示す。そして−40℃〜125℃までの出力電圧Eoutを、図4の特性線C2で示す。この特性線C2は直線係数R2 =0.995である。
【0027】
図5に示す例3では、従来のNTC1として、例1と同じB25/85が4150KでR25が100Ωのものを使用した。低B定数のNTC2としては、表1のNo.13に示すB25/85が2500Kのものを使用し、R25として1500Ωのものを使用した。また固定抵抗R1 として420Ωの抵抗値のものを使用した。
【0028】
温度を−40℃から125℃まで変化させたときのNTC1及びNTC2の抵抗値を図5の特性線A3、B3で示す。そして−40℃〜125℃までの出力電圧Eoutを、図4の特性線C3で示す。この特性線C3は直線係数R2 =0.995である。
【0029】
図6に示す例4では、従来のNTC1として、例1と同じB25/85が4150KでR25が1500Ωのものを使用した。低B定数のNTC2としては、表1のNo.8に示すB25/85が420Kのものを使用し、R25として1500Ωのものを使用した。また固定抵抗R1 として270Ωの抵抗値のものを使用した。
【0030】
温度を−40℃から125℃まで変化させたときのNTC1及びNTC2の抵抗値を図6の特性線A4、B4で示す。そして−40℃〜125℃までの出力電圧Eoutを図6の特性線C4で示す。この特性線C4の直線係数はR2 =0.994で小さく直線性があまり良くない。しかもEoutの変化量が−40℃〜125℃までの間で1V未満(正確には表4の例4に示す如く、0.677V)と小さく、感度が良くない。
【0031】
図7に示す例では、従来のNTC1として、例1と同じB25/85が4150KでR25が100Ωのものを使用した。低B定数のNTC2としては表1のNo.14に示すB25/85が2910Kのものを使用し、R25として1500Ωのものを使用した。また固定抵抗R1として420Ωのものを使用した。
【0032】
温度を−40℃から125℃まで変化させたときのNTC1及びNTC2の抵抗値を図7の特性線A5、B5で示す。そして−40℃〜125℃までの出力電圧Eoutを図7の特性線C5で示す。この特性線C5の直線係数はR2 =0.990であり、直線性がないこと明らかである。
【0034】
これよりNTC2のB定数が2500Kよりも大きい場合はR2 が0.995未満であって出力電圧に直線性が得られず、また500K未満の場合は出力電圧の変化量が小さく、しかも直線性も良くないことがわかる。
【0035】
本発明によれば抵抗体付きNTCサーミスタチップを複数個並列接続することなく、温度に対する抵抗値変化を直線化できるので、リニア性の高い複合型NTCサーミスタチップを提供できる。
【0036】
積層チップNTCサーミスタ構造のため積層時にそれぞれのグリーンシートを成形し、一体で焼結してチップを作製できる。
【0037】
なお本発明において、Ca:Mnを0.8mol:1.2molにするとき、その温度−出力電圧特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度が良好であって、しかも直線性の優れているB定数が1800K(表1のNo.2参照)の温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を提供することができる。
【0038】
また、Ca:Mnを1.0mol:1.0molとし、添加物としてCo、Al及びSnのいずれかを0.1mol%含有させることにより、その温度−出力電圧特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度が良好であって、しかも直線性の優れているB定数が1740K〜1290K(表1.2のNo.12、No.22、No.28参照)の温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を提供することができる。
【0039】
そして、Sr:Feを1.0mol:1.0molとし、添加物としてZnを0又は0.1mol%含有させることにより、感度が良好であって、しかも直線性の優れているB定数が1610K、1320K(表3のNo.57、No.60参照)の温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を提供することができる。
【0040】
本発明では、NTCサーミスタは、その構造が遷移金属で構成され、特性が類似しており、焼結温度も一定であり、同じ様な材質のグリーンシートを積層するので、焼結時の縮率等によるデラミネーション及びクラックの発生が起きない、すぐれたものが得られる。
【0041】
また積層順番を種々に変更できるので、温度に対する抵抗値変化を調整することもでき、温度に対する抵抗値変化のリニア性の精度向上が容易である。
【0042】
このように本発明では、従来のチップ形状そのままで、温度に対する抵抗値変化のリニアな積層NTCサーミスタが提供できる。
【0043】
【発明の効果】
本発明により、B定数が500K〜2500Kと小さな値のNTCサーミスタ組成物を得ることができる。これを従来の3000K〜5500Kという大きな値のNTCサーミスタ組成物と接続して使用することにより温度特性を直線化することができ、しかもこれらのNTCサーミスタのグリーンシートを重ねることによりワンチップ構成とすることができるので、非常に安価に、使用面積もほとんど増加することなく、温度特性を直線化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】NTCサーミスタ特性補償接続状態説明図である。
【図2】NTCサーミスタの積層状態説明図である。
【図3】低B定数NTCサーミスタを使用した補償特性説明図(その1)である。
【図4】低B定数NTCサーミスタを使用した補償特性説明図(その2)である。
【図5】低B定数NTCサーミスタを使用した補償特性説明図(その3)である。
【図6】低B定数NTCサーミスタを使用した補償特性説明図(その4)である。
【図7】低B定数NTCサーミスタを使用した補償特性説明図(その5)である。
【符号の説明】
1 電極
2、3 グリーンシート
NTC1 高B定数特性を有するNTCサーミスタ
NTC2 低B定数特性を有するNTCサーミスタ
N 複合型サーミスタ
Claims (2)
- 25〜85℃におけるB定数が3000K〜5500KであるNTCサーミスタにおける第1のサーミスタ組成物と、
主成分の組成が(Ax・By)O3 で表され、
A=Ca、Ba、Srの1つであり
B=Mn、Co、Feの1つであり
xが0.8≦x≦1.4、yが0.6≦y≦1.2でかつx+y=2であって、25〜85℃におけるB定数が500K〜2500Kであり、
添加物として、Zn、Sm、Co、Mg、Al、Ti、Ni、Zr、Nb、Sn、La、Ta群から選ばれた少なくとも1種以上を元素換算で合計0.20mol%まで含有し、かつYを含まない第2のサーミスタ組成物と、
が接続されたことを特徴とする複合型NTCサーミスタ。 - 前記第1及び第2のサーミスタ組成物が積層され一体化されて焼結されて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の複合型NTCサーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002058247A JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ntcサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002058247A JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ntcサーミスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003257706A JP2003257706A (ja) | 2003-09-12 |
JP3996411B2 true JP3996411B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=28668264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002058247A Expired - Lifetime JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ntcサーミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3996411B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105732034A (zh) * | 2016-02-22 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种超低电阻率低b值ntc热敏电阻材料及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100555479C (zh) * | 2005-09-30 | 2009-10-28 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种深低温氧化物热敏电阻材料及其制造方法 |
JP4492598B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-06-30 | Tdk株式会社 | Ntc組成物及びntc素子 |
JP4548431B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2010-09-22 | Tdk株式会社 | サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 |
WO2009025178A1 (ja) | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック材料およびntcサーミスタ |
KR101220312B1 (ko) * | 2012-06-28 | 2013-01-10 | 태성전장주식회사 | 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자 |
CN102924064B (zh) * | 2012-11-23 | 2014-04-02 | 江苏聚盛电子科技有限公司 | 一种宽温区ntc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
CN109485402A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-19 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种改善锰钴铁基热敏陶瓷烧结性的方法 |
CN110357586A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-10-22 | 山东格仑特电动科技有限公司 | 一种一致性好的ntc热敏电阻材料及其制备方法 |
CN111499355B (zh) * | 2019-12-16 | 2022-05-03 | 南京先正电子股份有限公司 | 一种ntc热敏电阻 |
CN115894026B (zh) * | 2022-11-29 | 2023-08-08 | 唐山恭成科技有限公司 | 一种低电阻率高b值的ntc热敏电阻材料及制备方法 |
-
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- 2002-03-05 JP JP2002058247A patent/JP3996411B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003257706A (ja) | 2003-09-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041019 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070802 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
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