JP2002193665A - サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ - Google Patents
サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば、０〜１０００Ｋというような低いＢ
定数を有するサーミスタにも用いることが可能な半導体
磁器（サーミスタ用半導体磁器）及び該サーミスタ用半
導体磁器を用いたチップ型サーミスタを提供する。 【解決手段】 酸化亜鉛、酸化チタンを主成分とする半
導体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２ＴｉＯ４の混
晶）にマンガンを添加して、抵抗温度特性を正特性から
負特性まで、幅広く制御できるようにする。また、マン
ガンの添加割合を、Ｍｎに換算して、０．００１〜１０
mol％の割合とする。また、さらに、ニッケルを所定の
割合で添加することにより、比抵抗を制御して、比抵抗
のシリーズ化を実現できるようにする。上記サーミスタ
用半導体磁器を用いてチップ型サーミスタを形成する。
定数を有するサーミスタにも用いることが可能な半導体
磁器（サーミスタ用半導体磁器）及び該サーミスタ用半
導体磁器を用いたチップ型サーミスタを提供する。 【解決手段】 酸化亜鉛、酸化チタンを主成分とする半
導体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２ＴｉＯ４の混
晶）にマンガンを添加して、抵抗温度特性を正特性から
負特性まで、幅広く制御できるようにする。また、マン
ガンの添加割合を、Ｍｎに換算して、０．００１〜１０
mol％の割合とする。また、さらに、ニッケルを所定の
割合で添加することにより、比抵抗を制御して、比抵抗
のシリーズ化を実現できるようにする。上記サーミスタ
用半導体磁器を用いてチップ型サーミスタを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、電子機器の温度
補償用素子などに用いられるサーミスタ用半導体磁器に
関し、詳しくは、酸化亜鉛と酸化チタンを主成分とする
サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サー
ミスタに関する。
補償用素子などに用いられるサーミスタ用半導体磁器に
関し、詳しくは、酸化亜鉛と酸化チタンを主成分とする
サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サー
ミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器などの温度補償用素子と
しては、正特性サーミスタや負特性サーミスタなどの感
温抵抗素子が用いられている。ところで、これらの感温
抵抗素子としては、通常、酸化物半導体や半導電性金属
などが用いられているが、これらのサーミスタ材料を用
いた感温抵抗素子としては、Ｂ定数が約１５００Ｋ程度
以上のものしか市販されていないのが実情である。
しては、正特性サーミスタや負特性サーミスタなどの感
温抵抗素子が用いられている。ところで、これらの感温
抵抗素子としては、通常、酸化物半導体や半導電性金属
などが用いられているが、これらのサーミスタ材料を用
いた感温抵抗素子としては、Ｂ定数が約１５００Ｋ程度
以上のものしか市販されていないのが実情である。
【０００３】そこで、これよりＢ定数の小さい感温抵抗
素子を必要とする場合には、通常、上述のような既存の
感温抵抗素子を固定抵抗と並列に用いることにより、全
体としてのＢ定数を下げて、所望の抵抗温度特性を備え
た温度補償用素子として動作させるようにしている。
素子を必要とする場合には、通常、上述のような既存の
感温抵抗素子を固定抵抗と並列に用いることにより、全
体としてのＢ定数を下げて、所望の抵抗温度特性を備え
た温度補償用素子として動作させるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、感温抵抗素子
を固定抵抗と並列に接続して用いることは、部品点数の
増大によるコストの上昇を招くばかりでなく、固定抵抗
の配設スペースが必要となり、それが用いられている電
子機器の小型化を妨げるという問題点がある。
を固定抵抗と並列に接続して用いることは、部品点数の
増大によるコストの上昇を招くばかりでなく、固定抵抗
の配設スペースが必要となり、それが用いられている電
子機器の小型化を妨げるという問題点がある。
【０００５】かかる問題点を解決するための手段として
は、まず、従来のサーミスタ材料を改良することが考え
らるが、従来のサーミスタ材料を用いてＢ定数を小さく
することは必ずしも容易ではない。また、サーミスタ材
料の組成比を変えることにより、Ｂ定数を下げる方法も
考えられるが、この方法の場合、温度補償素子としての
信頼性が低下するという問題点がある。また、サーミス
タ材料の組成比を制御するだけで、例えば、０〜１００
０Ｋというような低Ｂ定数領域を含む広範囲でのシリー
ズ化を図ることが可能なサーミスタ材料を得ることは困
難で、実用上十分な信頼性を備えた材料は、これまで開
発されていないのが実情である。
は、まず、従来のサーミスタ材料を改良することが考え
らるが、従来のサーミスタ材料を用いてＢ定数を小さく
することは必ずしも容易ではない。また、サーミスタ材
料の組成比を変えることにより、Ｂ定数を下げる方法も
考えられるが、この方法の場合、温度補償素子としての
信頼性が低下するという問題点がある。また、サーミス
タ材料の組成比を制御するだけで、例えば、０〜１００
０Ｋというような低Ｂ定数領域を含む広範囲でのシリー
ズ化を図ることが可能なサーミスタ材料を得ることは困
難で、実用上十分な信頼性を備えた材料は、これまで開
発されていないのが実情である。
【０００６】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、例えば、０〜１０００ＫというようなＢ定数の小
さいサーミスタにも用いることが可能な半導体磁器（サ
ーミスタ用半導体磁器）及び該サーミスタ用半導体磁器
を用いたチップ型サーミスタを提供することを目的とす
る。
あり、例えば、０〜１０００ＫというようなＢ定数の小
さいサーミスタにも用いることが可能な半導体磁器（サ
ーミスタ用半導体磁器）及び該サーミスタ用半導体磁器
を用いたチップ型サーミスタを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明のサーミスタ用半導体磁器は、サーミスタ
用半導体磁器において、酸化亜鉛及び酸化チタンを主成
分とし、マンガンが所定の割合で添加されていることを
特徴としている。
に、本願発明のサーミスタ用半導体磁器は、サーミスタ
用半導体磁器において、酸化亜鉛及び酸化チタンを主成
分とし、マンガンが所定の割合で添加されていることを
特徴としている。
【０００８】酸化亜鉛、酸化チタンを主成分とする半導
体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２ＴｉＯ４の混
晶）にマンガンを添加することにより、マンガン添加量
に応じて抵抗温度特性を、正特性から負特性までの範囲
で、幅広く制御することが可能になり、低Ｂ定数領域を
含む広範囲でのシリーズ化を図ることが可能になる。
体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２ＴｉＯ４の混
晶）にマンガンを添加することにより、マンガン添加量
に応じて抵抗温度特性を、正特性から負特性までの範囲
で、幅広く制御することが可能になり、低Ｂ定数領域を
含む広範囲でのシリーズ化を図ることが可能になる。
【０００９】また、請求項２のサーミスタ用半導体磁器
は、前記マンガンの添加割合が、Ｍｎに換算して、０．
００１〜１０mol％の割合であることを特徴としてい
る。
は、前記マンガンの添加割合が、Ｍｎに換算して、０．
００１〜１０mol％の割合であることを特徴としてい
る。
【００１０】マンガンの添加割合を、Ｍｎに換算して、
０．００１〜１０mol％の割合とすることにより、より
確実に抵抗温度特性を制御することが可能になり、用途
に合わせたサーミスタ用半導体磁器を得ることが可能に
なる。なお、主成分である酸化亜鉛と酸化チタンの割合
にもよるが、マンガンの添加量を０．５mol％程度以下
とすることにより、正の抵抗温度特性を示すサーミスタ
用半導体磁器が得られ、マンガンの添加量を０．５mol
％程度以上とすることにより、負の抵抗温度特性を示す
サーミスタ用半導体磁器が得られる。また、マンガンの
添加量を制御することにより、０〜１０００Ｋというよ
うな低Ｂ定数領域を含む広い領域で、Ｂ定数のシリーズ
化を実現することが可能になる。
０．００１〜１０mol％の割合とすることにより、より
確実に抵抗温度特性を制御することが可能になり、用途
に合わせたサーミスタ用半導体磁器を得ることが可能に
なる。なお、主成分である酸化亜鉛と酸化チタンの割合
にもよるが、マンガンの添加量を０．５mol％程度以下
とすることにより、正の抵抗温度特性を示すサーミスタ
用半導体磁器が得られ、マンガンの添加量を０．５mol
％程度以上とすることにより、負の抵抗温度特性を示す
サーミスタ用半導体磁器が得られる。また、マンガンの
添加量を制御することにより、０〜１０００Ｋというよ
うな低Ｂ定数領域を含む広い領域で、Ｂ定数のシリーズ
化を実現することが可能になる。
【００１１】また、請求項３のサーミスタ用半導体磁器
は、請求項１又は２記載のサーミスタ用半導体磁器に、
さらにニッケルを所定の割合で添加したことを特徴とし
ている。
は、請求項１又は２記載のサーミスタ用半導体磁器に、
さらにニッケルを所定の割合で添加したことを特徴とし
ている。
【００１２】請求項１又は２記載の半導体磁器組成物
に、さらにニッケルを所定の割合で添加することによ
り、比抵抗を制御することが可能になり、比抵抗のシリ
ーズ化を実現することが可能になる。
に、さらにニッケルを所定の割合で添加することによ
り、比抵抗を制御することが可能になり、比抵抗のシリ
ーズ化を実現することが可能になる。
【００１３】また、請求項４のサーミスタ用半導体磁器
は、前記ニッケルの添加割合が、Ｎｉに換算して、０．
１〜２０mol％の割合であることを特徴としている。
は、前記ニッケルの添加割合が、Ｎｉに換算して、０．
１〜２０mol％の割合であることを特徴としている。
【００１４】ニッケルを、Ｎｉに換算して、０．１〜２
０mol％の割合で添加することにより、例えば、１〜１
０００Ωcmの領域で比抵抗のシリーズ化を実現すること
が可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが
できる。
０mol％の割合で添加することにより、例えば、１〜１
０００Ωcmの領域で比抵抗のシリーズ化を実現すること
が可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが
できる。
【００１５】また、本願発明（請求項５）のチップ型サ
ーミスタは、請求項１〜４記載のいずれかに記載のサー
ミスタ用半導体磁器をチップ状に成形してなるサーミス
タ素体と、前記サーミスタ素体に配設された電極とを具
備することを特徴としている。
ーミスタは、請求項１〜４記載のいずれかに記載のサー
ミスタ用半導体磁器をチップ状に成形してなるサーミス
タ素体と、前記サーミスタ素体に配設された電極とを具
備することを特徴としている。
【００１６】本願発明のサーミスタ用半導体磁器をチッ
プ状に成形してなるサーミスタ素体に、電極（外部電
極）を配設することにより、例えば、０〜１０００Ｋと
いうような低いＢ定数を有するチップ型サーミスタを得
ることが可能になる。
プ状に成形してなるサーミスタ素体に、電極（外部電
極）を配設することにより、例えば、０〜１０００Ｋと
いうような低いＢ定数を有するチップ型サーミスタを得
ることが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１８】［実施形態１］なお、この実施形態１で
は、以下の手順で、チップ型サーミスタ（試料）を作製
し、その特性（比抵抗及び抵抗温度特性）を測定した。
は、以下の手順で、チップ型サーミスタ（試料）を作製
し、その特性（比抵抗及び抵抗温度特性）を測定した。
【００１９】＜チップ型サーミスタの作製＞ 原料として、酸化亜鉛、酸化チタン、及び酸化マンガ
ンの各粉末を用意し、これを、表１に示すような組成の
サーミスタ用半導体磁器が得られるような割合で配合し
た。 次に、上記のようにして配合した原料粉末を、純水、
ジルコニアボール、及びバインダーとともにポリエチレ
ンポットに入れ、１５Ｈｒ混合してスラリー化した。 それから、このスラリーを基材（フィルム）状に塗布
して厚さ約５０μmのシート状に加工した。 そして、このシートを所定の寸法にカットし、１０〜
２０枚積み重ねて圧着することにより圧着成形体を得
た。 次いで、この圧着成形体を所定の寸法にカットした
後、１２５０〜１５００℃の温度で２時間焼成すること
により焼成体（サーミスタ用半導体磁器）を得た。 それから、この焼成体の両端部に、スパッタリング法
によって外部電極を形成することにより、図１に示すよ
うに、サーミスタ用半導体磁器１の両端部に一対の外部
電極２が配設された構造を有するチップ型サーミスタ
（試料）３を得た。
ンの各粉末を用意し、これを、表１に示すような組成の
サーミスタ用半導体磁器が得られるような割合で配合し
た。 次に、上記のようにして配合した原料粉末を、純水、
ジルコニアボール、及びバインダーとともにポリエチレ
ンポットに入れ、１５Ｈｒ混合してスラリー化した。 それから、このスラリーを基材（フィルム）状に塗布
して厚さ約５０μmのシート状に加工した。 そして、このシートを所定の寸法にカットし、１０〜
２０枚積み重ねて圧着することにより圧着成形体を得
た。 次いで、この圧着成形体を所定の寸法にカットした
後、１２５０〜１５００℃の温度で２時間焼成すること
により焼成体（サーミスタ用半導体磁器）を得た。 それから、この焼成体の両端部に、スパッタリング法
によって外部電極を形成することにより、図１に示すよ
うに、サーミスタ用半導体磁器１の両端部に一対の外部
電極２が配設された構造を有するチップ型サーミスタ
（試料）３を得た。
【００２０】なお、この実施形態では、外部電極とし
て、スパッタリング法により薄膜電極を形成したが、外
部電極は他の方法で形成することも可能である。また、
外部電極の種類としては、薄膜電極に限らず、導電性ペ
ーストを塗布して焼き付けることにより形成される、い
わゆる厚膜電極であってもよい。
て、スパッタリング法により薄膜電極を形成したが、外
部電極は他の方法で形成することも可能である。また、
外部電極の種類としては、薄膜電極に限らず、導電性ペ
ーストを塗布して焼き付けることにより形成される、い
わゆる厚膜電極であってもよい。
【００２１】＜特性の測定及び評価＞上述のようにして
得たチップ型サーミスタ（試料）について、特性（比抵
抗及び抵抗温度特性）を測定した。測定により得た２５
℃における比抵抗と、２５〜５０℃のＢ定数を表１に併
せて示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは、本願発明の範囲外の比較例である。
得たチップ型サーミスタ（試料）について、特性（比抵
抗及び抵抗温度特性）を測定した。測定により得た２５
℃における比抵抗と、２５〜５０℃のＢ定数を表１に併
せて示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは、本願発明の範囲外の比較例である。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１より、酸化亜鉛、酸化チタンを主成分
とする半導体磁器組成物にマンガンを添加することによ
り、Ｂ定数と比抵抗を制御できることがわかる。すなわ
ち、酸化亜鉛と酸化チタンのみで、マンガンを添加して
いない試料（試料番号１）では、比抵抗が３０Ωcm、Ｂ
定数が−７６０Ｋの正の抵抗温度特性を示すが、これに
マンガンを添加することにより、Ｂ定数を制御すること
が可能になる。具体的には、マンガンの添加量にともな
ってＢ定数が増加し、抵抗温度特性の傾きを、正の領域
から負の領域まで幅広く変化させることが可能になる。
とする半導体磁器組成物にマンガンを添加することによ
り、Ｂ定数と比抵抗を制御できることがわかる。すなわ
ち、酸化亜鉛と酸化チタンのみで、マンガンを添加して
いない試料（試料番号１）では、比抵抗が３０Ωcm、Ｂ
定数が−７６０Ｋの正の抵抗温度特性を示すが、これに
マンガンを添加することにより、Ｂ定数を制御すること
が可能になる。具体的には、マンガンの添加量にともな
ってＢ定数が増加し、抵抗温度特性の傾きを、正の領域
から負の領域まで幅広く変化させることが可能になる。
【００２４】また、Ｂ定数及び比抵抗の制御に特に有効
なマンガンの添加量の範囲は、Ｍｎに換算して０．００
１〜１０mol％の範囲であることがわかる。なお、マン
ガンの添加量が０．００１mol％を下回ると（試料番号
２）、十分な添加効果が得られず、１０mol％を超える
と（試料番号１３，１４）、比抵抗が大きくなりすぎて
（絶縁体となり）、抵抗素子として機能しなくなる。
なマンガンの添加量の範囲は、Ｍｎに換算して０．００
１〜１０mol％の範囲であることがわかる。なお、マン
ガンの添加量が０．００１mol％を下回ると（試料番号
２）、十分な添加効果が得られず、１０mol％を超える
と（試料番号１３，１４）、比抵抗が大きくなりすぎて
（絶縁体となり）、抵抗素子として機能しなくなる。
【００２５】［実施形態２］この実施形態２では、原料
として、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マンガン、及び酸
化ニッケルの各粉末を用意し、これを、表２に示す組成
のサーミスタ用半導体磁器が得られるような割合で配合
した。
として、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マンガン、及び酸
化ニッケルの各粉末を用意し、これを、表２に示す組成
のサーミスタ用半導体磁器が得られるような割合で配合
した。
【００２６】そして、この配合原料を用いて、上記実施
形態１の場合と同様の手順でチップ型サーミスタ（試
料）を作製し、その特性（比抵抗及び抵抗温度特性）を
測定した。その結果を表２に併せて示す。
形態１の場合と同様の手順でチップ型サーミスタ（試
料）を作製し、その特性（比抵抗及び抵抗温度特性）を
測定した。その結果を表２に併せて示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２に示すように、酸化亜鉛、酸化チタン
を主成分とし、マンガンが添加された半導体磁器組成物
にさらにニッケルを添加することにより、比抵抗を１桁
〜２桁程度の範囲で制御することが可能になる。なお、
比抵抗の制御に有効なニッケルの添加量の範囲は、Ｎｉ
に換算して０．１〜２０mol％の範囲であり、この範囲
外（試料番号１５，２１，２２，２８，２９，３５，３
６及び４２）では、比抵抗の制御効果が不十分になる傾
向がある。
を主成分とし、マンガンが添加された半導体磁器組成物
にさらにニッケルを添加することにより、比抵抗を１桁
〜２桁程度の範囲で制御することが可能になる。なお、
比抵抗の制御に有効なニッケルの添加量の範囲は、Ｎｉ
に換算して０．１〜２０mol％の範囲であり、この範囲
外（試料番号１５，２１，２２，２８，２９，３５，３
６及び４２）では、比抵抗の制御効果が不十分になる傾
向がある。
【００２９】なお、本願発明は、上記実施形態１及び２
に限定されるものではなく、原料粉末の形態（化学組
成）、焼成条件などに関し、発明の要旨の範囲内におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。
に限定されるものではなく、原料粉末の形態（化学組
成）、焼成条件などに関し、発明の要旨の範囲内におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
サーミスタ用半導体磁器は、酸化亜鉛、酸化チタンを主
成分とする半導体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２
ＴｉＯ ４の混晶）にマンガンを添加することにより、マ
ンガン添加量に応じて抵抗温度特性を、正特性から負特
性までの範囲で、幅広く制御することが可能になり、種
々の用途に広く用いることが可能なサーミスタ用半導体
磁器を提供することができるようになる。
サーミスタ用半導体磁器は、酸化亜鉛、酸化チタンを主
成分とする半導体磁器組成物（通常は、ＺｎＯ，Ｚｎ２
ＴｉＯ ４の混晶）にマンガンを添加することにより、マ
ンガン添加量に応じて抵抗温度特性を、正特性から負特
性までの範囲で、幅広く制御することが可能になり、種
々の用途に広く用いることが可能なサーミスタ用半導体
磁器を提供することができるようになる。
【００３１】また、請求項２のサーミスタ用半導体磁器
のように、マンガンの添加割合を、Ｍｎに換算して、
０．００１〜１０mol％の割合とすることにより、より
確実に抵抗温度特性を制御することが可能になり、用途
に合わせたサーミスタ用半導体磁器を得ることができ
る。なお、主成分である酸化亜鉛と酸化チタンの割合に
もよるが、マンガンの添加量を０．５mol％程度以下と
することにより、正の抵抗温度特性を示すサーミスタ用
半導体磁器が得られ、マンガンの添加量を０．５mol％
程度以上とすることにより、負の抵抗温度特性を示すサ
ーミスタ用半導体磁器が得られる。また、マンガンの添
加量を制御することにより、０〜１０００Ｋというよう
な低Ｂ定数領域を含む広い領域で、Ｂ定数のシリーズ化
を実現することが可能になる。
のように、マンガンの添加割合を、Ｍｎに換算して、
０．００１〜１０mol％の割合とすることにより、より
確実に抵抗温度特性を制御することが可能になり、用途
に合わせたサーミスタ用半導体磁器を得ることができ
る。なお、主成分である酸化亜鉛と酸化チタンの割合に
もよるが、マンガンの添加量を０．５mol％程度以下と
することにより、正の抵抗温度特性を示すサーミスタ用
半導体磁器が得られ、マンガンの添加量を０．５mol％
程度以上とすることにより、負の抵抗温度特性を示すサ
ーミスタ用半導体磁器が得られる。また、マンガンの添
加量を制御することにより、０〜１０００Ｋというよう
な低Ｂ定数領域を含む広い領域で、Ｂ定数のシリーズ化
を実現することが可能になる。
【００３２】また、請求項３のサーミスタ用半導体磁器
のように、請求項１又は２の半導体磁器組成物に、さら
にニッケルを添加することにより、比抵抗を制御するこ
とが可能になり、比抵抗のシリーズ化を実現することが
可能になる。
のように、請求項１又は２の半導体磁器組成物に、さら
にニッケルを添加することにより、比抵抗を制御するこ
とが可能になり、比抵抗のシリーズ化を実現することが
可能になる。
【００３３】また、請求項４のサーミスタ用半導体磁器
のように、ニッケルを、Ｎｉに換算して、０．１〜２０
mol％の割合で添加した場合、実用上意義の大きい比抵
抗領域で比抵抗のシリーズ化を実現することが可能にな
り、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
のように、ニッケルを、Ｎｉに換算して、０．１〜２０
mol％の割合で添加した場合、実用上意義の大きい比抵
抗領域で比抵抗のシリーズ化を実現することが可能にな
り、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
【００３４】また、本願発明（請求項５）のチップ型サ
ーミスタは、上述の請求項１〜４のいずれかに記載のサ
ーミスタ用半導体磁器をチップ状に成形してなるサーミ
スタ素体に、電極（外部電極）を配設するようにしてい
るので、例えば、０〜１０００Ｋというような低いＢ定
数を有するチップ型サーミスタを得ることが可能にな
る。
ーミスタは、上述の請求項１〜４のいずれかに記載のサ
ーミスタ用半導体磁器をチップ状に成形してなるサーミ
スタ素体に、電極（外部電極）を配設するようにしてい
るので、例えば、０〜１０００Ｋというような低いＢ定
数を有するチップ型サーミスタを得ることが可能にな
る。
【図１】本願発明の実施形態にかかるサーミスタ用半導
体磁器を用いて形成したチップ型サーミスタの断面図で
ある。
体磁器を用いて形成したチップ型サーミスタの断面図で
ある。
１ サーミスタ用半導体磁器 ２ 外部電極 ３ チップ型サーミスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新見 秀明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 高岡 祐一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA19 AA23 AA26 BA05 5E034 AC01 BC01 BC02 DA02 DC01
Claims (5)
- 【請求項１】サーミスタ用半導体磁器において、酸化亜
鉛及び酸化チタンを主成分とし、マンガンが所定の割合
で添加されていることを特徴とするサーミスタ用半導体
磁器。 - 【請求項２】前記マンガンの添加割合が、Ｍｎに換算し
て、０．００１〜１０mol％の割合であることを特徴と
する請求項１記載のサーミスタ用半導体磁器。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のサーミスタ用半導体
磁器に、さらにニッケルを所定の割合で添加したことを
特徴とするサーミスタ用半導体磁器。 - 【請求項４】前記ニッケルの添加割合が、Ｎｉに換算し
て、０．１〜２０mol％の割合であることを特徴とする
請求項３記載のサーミスタ用半導体磁器。 - 【請求項５】請求項１〜４記載のいずれかに記載のサー
ミスタ用半導体磁器をチップ状に成形してなるサーミス
タ素体と、 前記サーミスタ素体に配設された電極とを具備すること
を特徴とするチップ型サーミスタ。
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