JP2001085201A - 正特性サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
正特性サーミスタ磁器組成物Info
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Abstract
て、素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力
およびON−OFFサイクル寿命が低下することなく、
抵抗値の低い正特性サーミスタを得る。 【解決手段】 組成式(BaxSryCazPb
sDt)TiuO3(x+y+z+s+t=1)で表さ
れるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値xが
0.4180≦x≦0.8080、組成値yが0.02
≦y≦0.30、組成値zが0.05≦z≦0.20、
組成値sが0.01≦s≦0.15であって、DはP
r、Smの少なくとも1種で、その組成値tが0.00
10≦t≦0.0035、また、組成値uが0.95≦
u≦1.02である上記組成式に対して、Mnが0.0
01wt%≦Mn≦0.0065wt%、Siが0.0
9wt%≦Si≦1.0wt%含有することを特徴とし
ている。
Description
磁器組成物に関するものである。
は、主成分であるチタン酸バリウムにY、La、Ce等
の希土類元素を添加して半導体化させたもので、常温で
は比抵抗が低いがキュリー点を越えると急激に比抵抗が
増大するという性質を生かし、テレビの消磁回路や過電
流保護回路等に広く用いられている。近年の電子機器の
小型化や低コスト化に伴い、正特性サーミスタにも、よ
り抵抗値の低いものが求められ、これに対応するために
は素子材料の比抵抗を低くする必要があり、材料組成や
製造プロセスの面から様々な検討がなされている。
合、素子の抵抗値を小さくして突入電流を大きくするこ
とで消磁コイルの巻き数を少なくし、低コスト化するこ
とが検討されている。この低抵抗化に対応するためには
用いる素子材料の比抵抗を従来の40Ω・cm以上から
10〜20Ω・cmの範囲にまで下げなければならな
い。しかし、このような低比抵抗化を行うと、耐電圧や
突入許容電力、さらにはON−OFFサイクル寿命が低
下するという欠点がある。ここで耐電圧とは、静的耐電
圧ともいい、正特性サーミスタ素子(以下、単に素子と
いう。)に徐々に電圧を印加したとき、素子が破壊せず
に耐える最大電圧を意味する。また突入許容電力とは、
素子に瞬時に電圧を印加したとき、素子が破壊せずに耐
える最大電圧をいう。特に、消磁用やモーター起動用の
場合、素子に電圧が繰り返し印加されるため、単に耐電
圧の性能のみではなく、突入許容電力が高く、かつON
−OFFサイクル寿命が長いことが重要となる。耐電圧
を向上させる方法としては、チタン酸バリウムにSr、
CaおよびPbを含有させる方法があり、既に公知であ
る(特開昭57−157502)。しかし、この方法で
は比抵抗が35Ω・cmよりも低くならず、突入許容電
力も低く、ON−OFFサイクル寿命も充分に長くはな
かった。また、Y、GdおよびDyを含有させる方法も
公知であるが、この方法では比抵抗の目標とする10〜
20Ω・cmの範囲が実現できるものの、耐電圧や突入
許容電力が低く、ON−OFFサイクル寿命も短い。こ
のため、耐電圧を向上させるとともに、比抵抗が35Ω
・cm以下で、突入許容電力も高く、ON−OFFサイ
クル寿命も長い正特性サーミスタを形成できる磁器組成
物が要求されていた。
決するもので、組成式(BaxSryCazPb
sD t)TiuO3(x+y+z+s+t=1)で表さ
れるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値xが
0.4180≦x≦0.8080、組成値yが0.02
≦y≦0.30、組成値zが0.05≦z≦0.20、
組成値sが0.01≦s≦0.15であって、DはP
r、Smの少なくとも1種で、その組成値tが0.00
10≦t≦0.0035、また、組成値uが0.95≦
u≦1.02である上記組成式に対して、Mnが0.0
01wt%≦Mn≦0.0065wt%、Siが0.0
9wt%≦Si≦1.0wt%含有することにより、素
子材料の比抵抗を下げても、耐電圧、突入許容電力およ
びON−OFFサイクル寿命が低下することなく、抵抗
値の低い正特性サーミスタを得ることができた。半導体
化剤としてはYが一般的に用いられているが、その理由
は他の半導体化剤と比べて広い濃度範囲で半導体化を示
すためである。本発明では、チタン酸バリウムにSr、
CaおよびPbを含有させた系に種々の半導体化剤を添
加した組成を検討した。その結果10〜20Ω・cmの
範囲まで比抵抗を下げるとYは耐電圧および突入許容電
力が低く、使用出来るレベルに至らなかった。上記組成
(BaxSryCazPbsDt)TiuO3(x+y
+z+s+t=1)で、0.4180≦x≦0.808
0、0.02≦y≦0.30、0.05≦z≦0.2
0、0.01≦s≦0.15、0.0010≦t≦0.
0035、0.95≦u≦1.02において、半導体化
剤DとしてPrまたはSmを用いることによって初めて
10〜20Ω・cmの範囲の比抵抗でも、十分使用でき
るレベルの耐電圧と突入許容電力およびON−OFFサ
イクル寿命特性が得られた。
SryCazPbsDt)TiuO3(x+y+z+s
+t=1)で表されるチタン酸バリウム系固溶体におい
て、組成値xが0.4180≦x≦0.8080、組成
値yが0.02≦y≦0.30、組成値zが0.05≦
z≦0.20、組成値sが0.01≦s≦0.15であ
って、DはPr、Smの少なくとも1種で、その組成値
tが0.0010≦t≦0.0035、また、組成値u
が0.95≦u≦1.02である上記組成式に対して、
Mnが0.001wt%≦Mn≦0.0065wt%、
Siが0.09wt%≦Si≦1.0wt%含有するこ
とにより、素子材料の比抵抗を下げても、耐電圧および
突入許容電力が低下することなく、従来よりも抵抗の低
い正特性サーミスタを作製することができる。
O3、Pb3O4、TiO2、半導体化剤としてPr6
O11、Sm2O3、添加物としてMnCO3、SiO
2を準備し、これらを表1〜3に示す所定の組成となる
ように配合した。さらにこれを湿式で混合した後に脱水
乾燥し、1200℃で2時間仮焼した。次に、これを湿
式粉砕した後にバインダーを加えて造粒し、造粒粉体を
得た。これを一軸方向に圧力を加えて円柱状(直径18
mm、厚み2.5mm)に成形し、1300℃で1時間
焼成し、焼結体素子を得た。この焼結体素子の両面にイ
ンジウム−ガリウム合金を塗布し、常温比抵抗および耐
電圧測定用の試料とした。さらに、この焼結体素子に電
極(下層にNi電極、上層にSn電極からなる二層電
極)を形成した後に、リード線を接続し、外装樹脂で外
装した素子で突入許容電力の測定とON−OFFサイク
ルテスト(素子が破壊するサイクル数の測定)を行っ
た。また、半導体化剤にYを用いた従来例と、Gd、D
yを用いた比較例についても上記と同様の試験を行っ
た。表1〜3において、A−1〜A−27は本発明によ
る実施例であり、a−1〜a−18は本発明の請求範囲
を外れる比較例である。また、b−1〜b−6は半導体
化剤にGd、Dyを用いた比較例である。これらの結果
を表1〜3に示す。
印は、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子材料とし
て求められる特性、すなわち比抵抗30Ω・cm未満で
耐電圧120V/mm以上、突入許容電力260V以
上、ON−OFFサイクル寿命30000サイクル以上
を満足するものである。表1〜3より、本発明の実施例
A−1〜A−27はすべて評価○であり、比較例、従来
例と比較して、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子
材料として使用できる特性を備えていることが分かる。
80未満では比抵抗が高くなり、0.8080を超える
と耐電圧や突入許容電力が低下する。Srの組成値yは
0.02未満では耐電圧が低下し、0.30を超えると
比抵抗が高くなる。Caの組成値zは0.05未満では
耐電圧が低下し、0.20を超えると比抵抗が高くな
る。Pbの組成値sは0.01未満では耐電圧が低下
し、0.15を超えると比抵抗が高くなる。半導体化元
素の組成値tは0.001未満では電気的特性が劣化
し、0.0035を超えると比抵抗が高くなる。半導体
化剤の種類については、前述したようにPrおよびSm
が10〜20Ω・cmの範囲の比抵抗でも、十分使用で
きるレベルの耐電圧と突入許容電力およびON−OFF
サイクル寿命特性が得られる。さらに、Y、Gdおよび
Dyは比抵抗の目標とする10〜20Ω・cmの範囲が
実現できるものの、耐電圧や突入許容電力が低く、ON
−OFFサイクル寿命も短い。Tiのモル比uは0.9
5〜1.02以外では比抵抗が高くなる。Mnの添加量
は、0.001wt%未満では電気的特性が劣化し、
0.0065wt%を超えると比抵抗が高くなる。Si
の添加量は0.09wt%(SiO2として0.2wt
%)未満では焼結温度が高くなり、通常の焼成条件では
比抵抗が高く、良好な特性が得られない。1.0wt%
(SiO2として2.1wt%)を超えると電気的特性
が劣化し、さらには素子が融着するので問題である。ま
た、上記実施例では、SiをSiO2として添加した
が、これをSi3N4として添加しても同様の効果を得
ることができた。
sDt)TiuO3(x+y+z+s+t=1)で表さ
れるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値xが
0.4180≦x≦0.8080、組成値yが0.02
≦y≦0.30、組成値zが0.05≦z≦0.20、
組成値sが0.01≦s≦0.15であって、DはP
r、Smの少なくとも1種で、その組成値tが0.00
10≦t≦0.0035、また、組成値uが0.95≦
u≦1.02である上記組成式に対して、Mnが0.0
01wt%≦Mn≦0.0065wt%、Siが0.0
9wt%≦Si≦1.0wt%含有することによって、
素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力およ
びON−OFFサイクル寿命が低下することなく、抵抗
値の低い正特性サーミスタを得ることができる。よって
本発明は従来のものよりも低抵抗の消磁用正特性サーミ
スタの素子材料をはじめとする様々な用途の正特性サー
ミスタに適用することができ、その工業的利用価値は大
きい。
は、主成分であるチタン酸バリウムにY、La等の希土
類元素を添加して半導体化させたもので、常温では比抵
抗が低いがキュリー点を越えると急激に比抵抗が増大す
るという性質を生かし、テレビの消磁回路や過電流保護
回路等に広く用いられている。近年の電子機器の小型化
や低コスト化に伴い、正特性サーミスタにも、より抵抗
値の低いものが求められ、これに対応するためには素子
材料の比抵抗を低くする必要があり、材料組成や製造プ
ロセスの面から様々な検討がなされている。
Claims (1)
- 【請求項1】 組成式(BaxSryCazPb
sDt)TiuO3(x+y+z+s+t=1)で表さ
れるチタン酸バリウム系固溶体において、 組成値xが0.4180≦x≦0.8080、組成値y
が0.02≦y≦0.30、組成値zが0.05≦z≦
0.20、組成値sが0.01≦s≦0.15であっ
て、DはPr、Smの少なくとも1種で、その組成値t
が0.0010≦t≦0.0035、また、組成値uが
0.95≦u≦1.02である上記組成式に対して、 Mnが0.001wt%≦Mn≦0.0065wt%、
Siが0.09wt%≦Si≦1.0wt%含有するこ
とを特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25786699A JP3617795B2 (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25786699A JP3617795B2 (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001085201A true JP2001085201A (ja) | 2001-03-30 |
JP3617795B2 JP3617795B2 (ja) | 2005-02-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP25786699A Expired - Fee Related JP3617795B2 (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
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JP (1) | JP3617795B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010254536A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25786699A patent/JP3617795B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010254536A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
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