JP2001253771A - 正特性サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
正特性サーミスタ磁器組成物Info
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- JP2001253771A JP2001253771A JP2000063801A JP2000063801A JP2001253771A JP 2001253771 A JP2001253771 A JP 2001253771A JP 2000063801 A JP2000063801 A JP 2000063801A JP 2000063801 A JP2000063801 A JP 2000063801A JP 2001253771 A JP2001253771 A JP 2001253771A
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- specific resistance
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- withstand voltage
- barium titanate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チタン酸バリウム系正特性サーミスタにおい
て，素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力
およびオン／オフサイクル寿命が低下することなく、抵
抗値の低い正特性サーミスタを得る。 【解決手段】 組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅ
ｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）で表される
チタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｘが０.４
１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ≦０.３
０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦ｓ≦０.
１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕが０.９
５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍｎが０.
００１ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓｉが０.０
９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することを特徴とし
ている。
て，素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力
およびオン／オフサイクル寿命が低下することなく、抵
抗値の低い正特性サーミスタを得る。 【解決手段】 組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅ
ｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）で表される
チタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｘが０.４
１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ≦０.３
０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦ｓ≦０.
１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕが０.９
５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍｎが０.
００１ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓｉが０.０
９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することを特徴とし
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
磁器組成物に関するものである。
磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウム系の正特性サーミスタ
は、主成分であるチタン酸バリウムにＹ、Ｌａ等の希土
類を添加して半導体化させたもので、常温では比抵抗が
低いがキュリー点を越えると急激に比抵抗が増大すると
いう性質を生かし、テレビの消磁回路や過電流保護回路
等に広く用いられている。近年の電子機器の小型化や低
コスト化に伴い、正特性サーミスタにも、より抵抗値の
低いものが求められ、これに対応するためには素子材料
の比抵抗を低くする必要があり、材料組成や製造プロセ
スの面から様々な検討がなされている。
は、主成分であるチタン酸バリウムにＹ、Ｌａ等の希土
類を添加して半導体化させたもので、常温では比抵抗が
低いがキュリー点を越えると急激に比抵抗が増大すると
いう性質を生かし、テレビの消磁回路や過電流保護回路
等に広く用いられている。近年の電子機器の小型化や低
コスト化に伴い、正特性サーミスタにも、より抵抗値の
低いものが求められ、これに対応するためには素子材料
の比抵抗を低くする必要があり、材料組成や製造プロセ
スの面から様々な検討がなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特に消磁回路用の場
合、素子の抵抗値を小さくして突入電流を大きくするこ
とで消磁コイルの巻数を少なくし、低コスト化すること
が検討されている。この低抵抗化に対応するためには用
いる素子材料の比抵抗を従来の４０Ω・ｃｍ以上から１
０〜２０Ω・ｃｍの範囲にまで下げなければならない。
しかし、このような低抵抗化を行うと、耐電圧や突入許
容電力、さらにはオン／オフサイクル寿命が低下すると
いう欠点がある。ここで耐電圧とは、静的耐電圧ともい
い、正特性サーミスタ素子（以下、単に素子という。）
に徐々に電圧を印加したとき、素子が破壊せずに耐え得
る最大電圧をいう。また突入許容電力とは、素子に瞬時
に電圧を印加したとき、素子が破壊せずに耐え得る最大
電圧をいう。特に消磁用やモータ起動用の場合、素子に
電圧が繰り返し印加されるため、単に耐電圧の性能のみ
ではなく、突入許容電力が高く、かつオン／オフサイク
ル寿命が長いことが重要となる。耐電圧を向上させる方
法としては、チタン酸バリウムにＳr、ＣａおよびＰｂ
を含有させる方法があり、既に公知である（特開昭５７
−１５７５０２）。しかし、この方法では比抵抗が３５
Ω・ｃｍよりも低くならず、突入許容電力も低く、オン
／オフサイクル寿命も充分長くはなかった。また、Ｙ、
ＧｄおよびＤｙを含有させる方法も公知であるが、この
方法では比抵抗の目標とする１０〜２０Ω・ｃｍの範囲
が実現できるものの、耐電圧や突入許容電力が低く、オ
ン／オフサイクル寿命も短い。このため、耐電圧を向上
させるとともに、比抵抗が３５Ω・ｃｍ以下で、突入許
容電力も高く、オン／オフサイクル寿命も長い正特性サ
ーミスタを形成できる磁器組成物が要求されていた。
合、素子の抵抗値を小さくして突入電流を大きくするこ
とで消磁コイルの巻数を少なくし、低コスト化すること
が検討されている。この低抵抗化に対応するためには用
いる素子材料の比抵抗を従来の４０Ω・ｃｍ以上から１
０〜２０Ω・ｃｍの範囲にまで下げなければならない。
しかし、このような低抵抗化を行うと、耐電圧や突入許
容電力、さらにはオン／オフサイクル寿命が低下すると
いう欠点がある。ここで耐電圧とは、静的耐電圧ともい
い、正特性サーミスタ素子（以下、単に素子という。）
に徐々に電圧を印加したとき、素子が破壊せずに耐え得
る最大電圧をいう。また突入許容電力とは、素子に瞬時
に電圧を印加したとき、素子が破壊せずに耐え得る最大
電圧をいう。特に消磁用やモータ起動用の場合、素子に
電圧が繰り返し印加されるため、単に耐電圧の性能のみ
ではなく、突入許容電力が高く、かつオン／オフサイク
ル寿命が長いことが重要となる。耐電圧を向上させる方
法としては、チタン酸バリウムにＳr、ＣａおよびＰｂ
を含有させる方法があり、既に公知である（特開昭５７
−１５７５０２）。しかし、この方法では比抵抗が３５
Ω・ｃｍよりも低くならず、突入許容電力も低く、オン
／オフサイクル寿命も充分長くはなかった。また、Ｙ、
ＧｄおよびＤｙを含有させる方法も公知であるが、この
方法では比抵抗の目標とする１０〜２０Ω・ｃｍの範囲
が実現できるものの、耐電圧や突入許容電力が低く、オ
ン／オフサイクル寿命も短い。このため、耐電圧を向上
させるとともに、比抵抗が３５Ω・ｃｍ以下で、突入許
容電力も高く、オン／オフサイクル寿命も長い正特性サ
ーミスタを形成できる磁器組成物が要求されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するもので、素子材料の比抵抗を下げても、耐電圧、
突入許容電力およびオン／オフサイクル寿命が低下する
ことなく、抵抗値の低い正特性サーミスタを得ようとす
るものである。すなわち、組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚ
ＰｂｓＣｅｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）
で表されるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値
ｘが０.４１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ
≦０.３０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦
ｓ≦０.１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕ
が０.９５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍ
ｎが０.００１ ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓ
ｉが０.０９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することを
特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物である。
決するもので、素子材料の比抵抗を下げても、耐電圧、
突入許容電力およびオン／オフサイクル寿命が低下する
ことなく、抵抗値の低い正特性サーミスタを得ようとす
るものである。すなわち、組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚ
ＰｂｓＣｅｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）
で表されるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値
ｘが０.４１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ
≦０.３０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦
ｓ≦０.１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕ
が０.９５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍ
ｎが０.００１ ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓ
ｉが０.０９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することを
特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によれば、組成式（Ｂａｘ
ＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｓ＋ｔ＝１）で表されるチタン酸バリウム系固溶体にお
いて、組成値ｘが０.４１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが
０.０２≦ｙ≦０.３０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓ
が０.０１≦ｓ≦０.１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.０
０３５、ｕが０.９５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に
対して、Ｍｎが０.００１ ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５
ｗｔ％、Ｓｉが０.０９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有
することにより、素子材料の比抵抗を下げても、耐電圧
および突入許容電力が低下することなく、従来よりも抵
抗の低い正特性サーミスタを作製することができる。
ＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｓ＋ｔ＝１）で表されるチタン酸バリウム系固溶体にお
いて、組成値ｘが０.４１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが
０.０２≦ｙ≦０.３０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓ
が０.０１≦ｓ≦０.１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.０
０３５、ｕが０.９５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に
対して、Ｍｎが０.００１ ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５
ｗｔ％、Ｓｉが０.０９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有
することにより、素子材料の比抵抗を下げても、耐電圧
および突入許容電力が低下することなく、従来よりも抵
抗の低い正特性サーミスタを作製することができる。
【０００６】
【実施例】原料としてＢａＣＯ３、ＳrＣＯ３、ＣａＣ
Ｏ３、Ｐｂ３Ｏ４、ＴｉＯ２、半導体化剤としてＣｅＯ
２、添加物としてＭｎＣＯ３、ＳｉＯ２を準備し、これ
らを表１〜３に示す所定の組成となるように配合した。
さらにこれを湿式で混合した後に脱水乾燥し、１２００
℃で２時間仮焼した。次に、これを湿式粉砕した後にバ
インダーを加えて造粒し、造粒粉体を得た。これを一軸
方向に圧力を加えて円柱状（直径１８ｍｍ、厚み２.５
ｍｍ）に成形し、１３００℃で１時間焼成し、焼結体素
子を得た。この焼結体素子の両面にインジウム−ガリウ
ム合金を塗布し、常温比抵抗および耐電圧測定用の試料
とした。さらに、この焼結体素子に電極（下層にＮｉ電
極、上層にＳｎ電極からなる二層電極）を形成した後
に、リード線を接続し、外装樹脂で外装した素子で突入
許容電力の測定とオン／オフサイクルテスト（素子が破
壊するサイクル数の測定）を行った。また、半導体化剤
にＹを用いた従来例と、Ｇｄ、Ｄｙを用いた比較例につ
いても上記と同様の試験を行った。表１〜３において、
Ａ−１〜Ａ−２３は本発明による実施例であり、ａ−１
〜ａ−１６は本発明の請求範囲を外れる比較例である。
また、ｂ−１〜ｂ−６は半導体化剤にＧｄ、Ｄｙを用い
た比較例である。これらの結果を表１〜３に示す。
Ｏ３、Ｐｂ３Ｏ４、ＴｉＯ２、半導体化剤としてＣｅＯ
２、添加物としてＭｎＣＯ３、ＳｉＯ２を準備し、これ
らを表１〜３に示す所定の組成となるように配合した。
さらにこれを湿式で混合した後に脱水乾燥し、１２００
℃で２時間仮焼した。次に、これを湿式粉砕した後にバ
インダーを加えて造粒し、造粒粉体を得た。これを一軸
方向に圧力を加えて円柱状（直径１８ｍｍ、厚み２.５
ｍｍ）に成形し、１３００℃で１時間焼成し、焼結体素
子を得た。この焼結体素子の両面にインジウム−ガリウ
ム合金を塗布し、常温比抵抗および耐電圧測定用の試料
とした。さらに、この焼結体素子に電極（下層にＮｉ電
極、上層にＳｎ電極からなる二層電極）を形成した後
に、リード線を接続し、外装樹脂で外装した素子で突入
許容電力の測定とオン／オフサイクルテスト（素子が破
壊するサイクル数の測定）を行った。また、半導体化剤
にＹを用いた従来例と、Ｇｄ、Ｄｙを用いた比較例につ
いても上記と同様の試験を行った。表１〜３において、
Ａ−１〜Ａ−２３は本発明による実施例であり、ａ−１
〜ａ−１６は本発明の請求範囲を外れる比較例である。
また、ｂ−１〜ｂ−６は半導体化剤にＧｄ、Ｄｙを用い
た比較例である。これらの結果を表１〜３に示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】
【表３】
【００１０】表１〜３に示した実施例において、評価○
印は、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子材料とし
て求められる特性、すなわち比抵抗３０Ω・ｃｍ未満で
耐電圧１２０Ｖ／ｍｍ以上、突入許容電力２６０Ｖ以
上、オン／オフサイクル寿命３００００サイクル以上を
満足するものである。表１〜３より、本発明の実施例Ａ
−１〜Ａ−２３はすべて評価○であり、比較例、従来例
と比較して、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子材
料として使用できる特性を備えていることが分かる。
印は、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子材料とし
て求められる特性、すなわち比抵抗３０Ω・ｃｍ未満で
耐電圧１２０Ｖ／ｍｍ以上、突入許容電力２６０Ｖ以
上、オン／オフサイクル寿命３００００サイクル以上を
満足するものである。表１〜３より、本発明の実施例Ａ
−１〜Ａ−２３はすべて評価○であり、比較例、従来例
と比較して、低抵抗の消磁用正特性サーミスタの素子材
料として使用できる特性を備えていることが分かる。
【００１１】なお、ここで、Ｂａの組成値ｘは０.４１
８０未満では比抵抗が高くなり、０.８０８０を超える
と耐電圧や突入許容電力が低下する。Ｓｒの組成値ｙは
０.０２未満では耐電圧が低下し、０.３０を超えると比
抵抗が高くなる。Ｃａの組成値ｚは０.０５未満では耐
電圧が低下し、０.２０を超えると比抵抗が高くなる。
Ｐｂの組成値ｓは０.０１未満では耐電圧が低下し、０.
１５を超えると比抵抗が高くなる。半導体化元素Ｃｅの
組成値ｔは０.００１未満では電気的特性が劣化し、０.
００３５を超えると比抵抗が高くなる。半導体化剤の種
類については、前述したようにＣｅが１０〜２０Ω・ｃ
ｍの範囲の比抵抗でも、十分使用できるレベルの耐電圧
と突入許容電力およびオン／オフサイクル寿命特性が得
られる。一方、Ｙ、ＧｄおよびＤｙは比抵抗の目標とす
る１０〜２０Ω・ｃｍの範囲が実現できるものの、耐電
圧や突入許容電力が低く、オン／オフサイクル寿命も短
い。Ｔｉのモル比ｕは請求項範囲０.９５〜１.０２以外
では比抵抗が高くなる。Ｍｎの添加量は、０.００１ｗ
ｔ％未満では電気的特性が劣化し、０.００６５ｗｔ％
を超えると比抵抗が高くなる。Ｓｉの添加量は０.０９
ｗｔ％（ＳｉＯ２として０.２ｗｔ％）未満では焼結温
度が高くなり、通常の焼成条件では比抵抗が高く、良好
な特性が得られない。また、１．０ｗｔ％（ＳｉＯ２と
して２.１ｗｔ％）を超えると電気的特性が劣化し、さ
らには素子が融着する現象が顕著に見られるようにな
る。また、上記実施例では、ＳｉをＳｉＯ２として添加
したが、これをＳｉ３Ｎ４として添加しても同様の効果
を得ることができた。
８０未満では比抵抗が高くなり、０.８０８０を超える
と耐電圧や突入許容電力が低下する。Ｓｒの組成値ｙは
０.０２未満では耐電圧が低下し、０.３０を超えると比
抵抗が高くなる。Ｃａの組成値ｚは０.０５未満では耐
電圧が低下し、０.２０を超えると比抵抗が高くなる。
Ｐｂの組成値ｓは０.０１未満では耐電圧が低下し、０.
１５を超えると比抵抗が高くなる。半導体化元素Ｃｅの
組成値ｔは０.００１未満では電気的特性が劣化し、０.
００３５を超えると比抵抗が高くなる。半導体化剤の種
類については、前述したようにＣｅが１０〜２０Ω・ｃ
ｍの範囲の比抵抗でも、十分使用できるレベルの耐電圧
と突入許容電力およびオン／オフサイクル寿命特性が得
られる。一方、Ｙ、ＧｄおよびＤｙは比抵抗の目標とす
る１０〜２０Ω・ｃｍの範囲が実現できるものの、耐電
圧や突入許容電力が低く、オン／オフサイクル寿命も短
い。Ｔｉのモル比ｕは請求項範囲０.９５〜１.０２以外
では比抵抗が高くなる。Ｍｎの添加量は、０.００１ｗ
ｔ％未満では電気的特性が劣化し、０.００６５ｗｔ％
を超えると比抵抗が高くなる。Ｓｉの添加量は０.０９
ｗｔ％（ＳｉＯ２として０.２ｗｔ％）未満では焼結温
度が高くなり、通常の焼成条件では比抵抗が高く、良好
な特性が得られない。また、１．０ｗｔ％（ＳｉＯ２と
して２.１ｗｔ％）を超えると電気的特性が劣化し、さ
らには素子が融着する現象が顕著に見られるようにな
る。また、上記実施例では、ＳｉをＳｉＯ２として添加
したが、これをＳｉ３Ｎ４として添加しても同様の効果
を得ることができた。
【００１２】
【発明の効果】組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅ
ｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）で表される
チタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｘが０.４
１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ≦０.３
０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦ｓ≦０.
１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕが０.９
５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍｎが０.
００１ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓｉが０.０
９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することによって、
素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力およ
びオン／オフサイクル寿命が低下することなく、抵抗値
の低い正特性サーミスタを得ることができる。よって本
発明は従来のものよりも低抵抗の消磁用正特性サーミス
タの素子材料をはじめとする様々な用途の正特性サーミ
スタに使用でき，その工業的利用価値は大きい。
ｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）で表される
チタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｘが０.４
１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０２≦ｙ≦０.３
０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.０１≦ｓ≦０.
１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３５、ｕが０.９
５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対して、Ｍｎが０.
００１ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓｉが０.０
９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することによって、
素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力およ
びオン／オフサイクル寿命が低下することなく、抵抗値
の低い正特性サーミスタを得ることができる。よって本
発明は従来のものよりも低抵抗の消磁用正特性サーミス
タの素子材料をはじめとする様々な用途の正特性サーミ
スタに使用でき，その工業的利用価値は大きい。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA04 AA05 AA06 AA07 AA11 AA19 AA30 AA32 BA05 5E034 AA01 AC02 DB01
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式（ＢａｘＳｒｙＣａｚＰｂｓＣｅ
ｔ）ＴｉｕＯ３（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１）で表される
チタン酸バリウム系固溶体において、 組成値ｘが０.４１８０≦ｘ≦０.８０８０、ｙが０.０
２≦ｙ≦０.３０、ｚが０.０５≦ｚ≦０.２０、ｓが０.
０１≦ｓ≦０.１５、ｔが０.００１０≦ｔ≦０.００３
５、ｕが０.９５≦ｕ≦１.０２である上記組成式に対し
て、 Ｍｎが０.００１ｗｔ％≦Ｍｎ≦０.００６５ｗｔ％、Ｓ
ｉが０.０９ｗｔ％≦Ｓｉ≦１.０ｗｔ％含有することを
特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000063801A JP2001253771A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000063801A JP2001253771A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001253771A true JP2001253771A (ja) | 2001-09-18 |
Family
ID=18583602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000063801A Pending JP2001253771A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001253771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012216646A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-08 JP JP2000063801A patent/JP2001253771A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012216646A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
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