JP3384410B2 - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器Info
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Description
って変化する正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に関
し、特に抵抗変化率が大きく、かつ広い温度範囲にわた
って抵抗温度特性が得られるようにした構造に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来から、正の抵抗温度特性を有する半
導体磁器として、ＢａＴｉＯ3 系半導体が広く知られて
いる。このＢａＴｉＯ3 系半導体磁器は、キュリー点以
上で抵抗値が急激に増加する特性を有していることか
ら、例えば電気回路の過電流保護用として、あるいはテ
レビのブラウン管枠の消磁用素子として広く使用されて
いる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のＢａＴｉＯ3 系半導体磁器では、抵抗温度特性が狭い
温度範囲でしか得られないという問題点がある。例え
ば、通常キュリー温度が120 ℃の半導体磁器では、120
℃〜250 ℃程度の範囲でしか抵抗値が上昇しないことか
ら、広い温度範囲での温度検知等には使用できず、この
点の改善が要請されている。 【０００４】本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、広い温度範囲にわたって抵抗温度特性が得ら
れる半導体磁器を提供することを目的としている。 【０００５】 【課題を解決するための手段】そこで本発明は、酸化亜
鉛をＺｎＯに換算して７０〜９５ｍｏｌ％含み、酸化チ
タンをＴｉＯ2 に換算して４〜２０ｍｏｌ％含むととも
に、酸化コバルトをＣｏＯに換算して１〜１０ｍｏｌ％
含むことを特徴としている。 【０００６】ここで、上記酸化亜鉛，酸化チタン，及び
酸化コバルトの含有量を限定したのは、これらの添加量
が上記範囲より少なかったり，あるいは越えたりする
と、抵抗変化率が小さくなり、温度検知用素子として使
用できなくなる場合があるからである。 【０００７】 【作用】本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半導体
磁器によれば、ＺｎＯを７０〜９５ｍｏｌ％，ＴｉＯ2
を４〜２０ｍｏｌ％、及びＣｏＯを１〜１０ｍｏｌ％含
有したので、これにより得られた半導体磁器は高い抵抗
変化率を有し、しかも広い温度範囲にわたって抵抗温度
特性が得られることから、温度検知等の使用範囲を拡大
でき、上記要請に応えられる。 【０００８】 【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
では、本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半導体磁
器を製造し、これにより得られた半導体磁器の効果を確
認するために行った試験について説明する。まず、本実
施例の半導体磁器を得るための一製造方法を説明する。
ＺｎＯ７０〜９５ｍｏｌ％を主成分とし、これにＴｉＯ
2 ４〜２０ｍｏｌ％，及びＣｏ3 Ｏ4 を１〜１０ｍｏｌ
％添加調合してセラミクス原料粉末を作成する。 【０００９】上記原料粉末を、純水，ジルコニアボー
ル，及び酢酸ビニル系バインダとともにポリエチレン製
ポットに入れて、５時間粉砕混合し、この後蒸発乾燥さ
せる。次に、プレス成形機により圧力を加えて直径17mm
φ×厚さ３mmの円板状の成形体を形成する。 【００１０】次いで上記成形体を、1400℃の温度で２時
間加熱焼成し、これにより焼結体を得る。そしてこの焼
結体にＡｇを蒸着させて電極膜を形成する。これにより
本実施例の半導体磁器が製造される。 【００１１】図１は上記製造方法により得られた半導体
磁器の試験結果を示す特性図である。この試験は、酸化
亜鉛をＺｎＯに換算して86mol ％, 酸化チタンをＴｉＯ
2 に換算して10mol ％, 酸化コバルトをＣｏＯに換算し
て４mol ％含有してなる半導体磁器の抵抗温度特性を測
定して行った。 【００１２】図１からも明らかなように、本実施例の半
導体磁器によれば、比抵抗値は−100 ℃〜350 ℃の範囲
にわたって上昇しており、従来の120 ℃〜250 ℃程度に
比べて大幅に向上していることがわかる。 【００１３】 【表１】【００１４】表１は、上記ＺｎＯ，ＴｉＯ2 ，及びＣｏ
Ｏの添加量をそれぞれ100 〜65mol％,0〜23mol ％, 及
び0 〜12mol ％の範囲で変化させて上記製造方法により
多数の試料No. １〜No. ３０を作成し、各試料の抵抗変
化率を測定した結果を示す。この抵抗変化率は０℃と30
0 ℃の抵抗値の比とした。 【００１５】表１からも明らかなように、ＺｎＯ，Ｔｉ
Ｏ2 ，及びＣｏＯのいずれかの添加量が本発明の請求範
囲外の各試料No. １〜８，No. １２〜１４，No. １８〜
２０，No. ２４〜３０の場合は、抵抗変化率が1.0 〜8.
5 と小さい。これに対して添加量が本発明の請求範囲内
の各試料No. 9 〜１１，No. １５〜１７，No. ２１〜２
３（※印）の場合は、いずれも10.5〜32.0と10倍以上の
高い抵抗変化率が得られていることがわかる。 【００１６】 【発明の効果】以上のように本発明に係る正の抵抗温度
特性を有する半導体磁器によれば、酸化亜鉛をＺｎＯに
換算して７０〜９５ｍｏｌ％，酸化チタンをＴｉＯ2 に
換算して４〜２０ｍｏｌ％、及び酸化コバルトをＣｏＯ
に換算して１〜１０ｍｏｌ％含有したので、高い抵抗変
化率が得られるとともに、広い温度範囲にわたって抵抗
温度特性が得られる効果がある。
認するために行った試験結果を示す特性図である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 酸化亜鉛をＺｎＯに換算して７０〜９５
ｍｏｌ％含み、酸化チタンをＴｉＯ2 に換算して４〜２
０ｍｏｌ％含むとともに、酸化コバルトをＣｏＯに換算
して１〜１０ｍｏｌ％含むことを特徴とする正の抵抗温
度特性を有する半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07256792A JP3384410B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07256792A JP3384410B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234709A JPH05234709A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3384410B2 true JP3384410B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=13493080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07256792A Expired - Lifetime JP3384410B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3384410B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP07256792A patent/JP3384410B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234709A (ja) | 1993-09-10 |
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