JPH0226866A

JPH0226866A - 半導体磁器組成物

Info

Publication number: JPH0226866A
Application number: JP63173979A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Iwatani; 昭一岩谷; Hitoshi Masumura; 均増村; Haruo Taguchi; 春男田口; Munemitsu Hamada; 浜田　宗光; Tomohiro Sogabe; 智浩曽我部; Shigeya Takahashi; 高橋　茂也; Hiroyuki Sato; 弘幸佐藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-07-14
Filing date: 1988-07-14
Publication date: 1990-01-29
Anticipated expiration: 2013-03-30
Also published as: EP0350770A3; EP0350770A2; DE68911774T2; DE68911774D1; US5084426A; DK348089A; EP0350770B1; CN1016295B; CN1039497A; KR940001655B1; DK348089D0; MY104046A; JP2733667B2; KR900001623A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、センサ、電流制限、突入電流抑制等の機能素
子として利用される正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）、負の
抵抗温度係数（ＮＴＣ）および、正負の抵抗温度係数を
合わせ持った所謂Ｖ型ＰＴＣと、さらにある温度域で抵
抗が急減するＣＴＲ特性をもつ５ｒ（Ｌ　ｐｂｏ、　７
１０ｇを主成分とした半導体磁器組成物に関する。

〔従来の技術〕

従来の正の抵抗温度係数を有する半導体磁器組成物はチ
タン酸バリウムＢａＴｉＯ３を主成分としていた。この
従来の組成物では半導体化剤以外の添加物を加えない場
合焼成温度が高く、比抵抗−温度特性曲線において、抵
抗の立上り桁が小さく、負の抵抗温度係数領域がフラッ
トで７字型の比抵抗温度特性曲線を得ることができなか
った。またＰｂＴｉ０．に半導体化剤を加えｐｂをＳｒ
またはＣａで一部置換した組成において、空気中で焼成
すると抵抗が高いためＡｒ中で焼成し、キュリー点の高
いＰＴＣの得られることが知られているが、空気中での
通常の使用時に抵抗が増大し不安定という欠点を有する
。またＮＴＣサーミスタ（一般品）は主成分がＭｎ、Ｎ
ｉ、Ｇｏなどの遷移金属からなり、Ｂ定数が４０００程
度（−αが４〜５％）が上限であり、傾きを広い範囲に
可変することは難しい、また、抵抗値を調整するとＢ定
数も変わってしまうという欠点もある。

さらに、対数グラフで抵抗温度特性を示したとき、直線
的な変化ではなく、使用するときにリニアライズのため
の回路が必要であった。

また、過電圧がかかったときには、自己発熱でどんどん
抵抗が小さくなり、壊れてしまうという欠点を有する。

また電気機器等において、電源投入時の突入電流抑制の
ために用いられるＮＴＣと異常時の過電流を防止するた
めのＰＴＣの両者２素子を熱的に接合し、Ｖ型の温度特
性をもたせ、電源投入時の突入電流抑制および過電流防
止を迅速に行う素子が提案されている。

一方、ＣＴＲサーミスタは主成分がＶｚＯｓと塩基性酸
化物等から成り、還元処理および急冷処理などの工程が
必要で安定な生産をすることが難しい。

また、ビード形でリード線として白金線等を使った構成
となり、形が限られコスト高となる等の欠点を有する。

また抵抗急変点のシフトは５０〜８０℃の狭い範囲しか
できない。また、製造上の制約から太きなバルク的な素
子を得ることができず、高い電圧で使用できないなど、
実用上範囲を限定されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕本発明者らは、先に特願昭６２−１１３４９４号として
、ＡＢＯｆｆペロブスカイト構造であるがＡサイトにＳ
ｒおよびｐｂを選択することによって、Ｂａを含まず、
また添加物を含まなくとも比較的大きな負の温度係数域
（Ｎ　Ｔ　Ｃ領域）をもったＰＴＣ特性が得られること
を知見し、これにもとづいて出願した。

さらに研究を続けた結果、主成分や副成分の組成を変え
ることにより、上記の組成物の抵抗温度特性や抵抗値の
コントロールおよび焼成温度の低下などの可能性を見い
出したものである。また、酸化性雰囲気中で焼成するこ
とにより通常の使用でも安定な特性の磁器を得ることが
できる。

すなわち、ＮＴＣ特性、■型ＰＴＣ特性、　ＰＴＣ特性
。

ＣＴＲ特性を夫々もった安定なものを得ることができ、
しかもこれらの特性を主・副成分とそれぞれの量によっ
て任意に変化させ、所望のものを得ることができるよう
にしたものである。

さらに、種々抵抗温度特性が得られるばかりでなく、特
性の調整が広範囲にできる。すなわち、ＮＴＣのＢ定数
にあたる一部を幅広く変えることができる。また−αの
値を変えることなく抵抗値を上下できる。負の温特性領
域はほとんどリニアな変化をする。過電圧がかかっても
ＰＴＣ６ｉ域により、暴走し破壊することがない。

またＮＴＣとＰＴＣそれぞれの特性をあわせもった■型
ＰＴＣは、２素子を組み合わせる必要はなく、１ケの素
子で両者の働きを簡便かつ安定、迅速に動作する。

ＣＴＲに似た特性のものも、通常の酸化物セラミックス
と同じように酸化性雰囲気中で焼成でき、極小のものか
ら大きなバルク的な素子まで得られ、種々用途に用いら
れる可能性をもつ。

また、キューリー点はマイナスからプラス３８０℃付近
まで幅広く変化することが可能である。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、ＳｒＯ，ＰｂＯ，ＴｔＯ□を主成分とした組
成物に係り、さらにこれに副成分としてＳｉｎｇおよび
Ｍを添加することによって種々のＰＴＣ特性、ＮＴＣ特
性、Ｖ型ＰＴＣ特性、ＣＴＲ特性を有する半導体磁器組
成物を得ることができたものである。さらに、ＳｒＯ，
ＰｂＯの一部をＢａＯまたはＣａＯで、或いはこれらを
ともに置換することによりＰＴＣ特性の改善と結晶粒径
の均一化を図ったものである。（ここでＭはＭｎ＋Ｃｕ
、Ｃｒ、Ｎｉ＋Ｆｅ、Ｇｏ、ＲｕｔＯｓｔＧｅ＋Ｈｆ＋
Ｐ＋Ｓｂ、Ｖ＋Ｍｇ＋Ｚｎ、Ｗ、　ＡＩ＋Ｍｏ＋Ｉｎ＋
Ｇａ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｂｉ＋希土［、Ｔｈ＋Ｎａ、に＋Ｌ
ｉ、Ｂ、Ａｇ＋　Ｃｓ、Ｒｈから任意に選ばれた一種又
は二種以上の元素である。）すなわちストロンチウムが
ＳｒＯに換算して、０．０５〜０．９５モル、鉛がｐｂ
。

に換算して０．０５〜０．８５モル、チタンがＴｉ０１
に換算して０．９０〜２．０モル、Ｒがその酸化物に換
算して０．００１〜０．３モル（Ｒは希土類元素、Ｂｉ
、Ｖ、ＷＩＴａ、Ｎｂ、Ｓｂから任意に選ばれた一種又
は二種以上の元素である。）の範囲からなり、酸化性雰
囲気中で焼成したことを特徴とする半導体磁器組成物で
ある。

〔作　用〕

本発明のＳｒＯ，ＰｂＯ，Ｔｉ０ｚを主成分とした組成
物はＰＴＣ特性、Ｖ型ＰＴＣ特性、　ＮＴＧ特性、　Ｃ
ＴＲ特性をもった種々の磁器を得ることができ、Ｔｉ０
ｚを増加すると抵抗温度特性の傾きをあまり変えないで
比抵抗を低から高にコントロールでき種々抵抗値の要求
にあった素子を製造できる。酸化珪素５ｉＯ１は半導体
化開始温度の低下と、Ｖ字型ＰＴＣからＣＴＨに近い特
性を得ることができる０Ｍ添加は、ＰＴＣ特性およびＮ
ＴＣ特性を強調できる作用がある。また、ＳｒＯ，Ｐｂ
Ｏの一部をＢａＯまたはＣａｂ、或いはこれらともに置
換することによってＰＴＣ特性の強調および焼結体の粒
径の均一化を計ることができる。

さらに作用の異なる添加物を同時添加するとそれらの特
徴をそれぞれ備えた組成物を得ることができる。

以下、本発明の実施例にしたがって詳述する。

〔実施例〕

出発原料としてＳｒＣＯ３，ＰｂＯ＋ＹｇＯｓ４ｉ０ｚ
＋ＣａＣＯ３＋Ｌａ　ｇｏｓ　＋　Ｃｅｎｔ　＋　Ｎｄ
ｔＯｓ　＋　ＳｍｔＯｓ　ｌ　ＤＶｚＯｓ　＋　ｃｄ、
ｏ、、　ＶｚＯｓ　＋　Ｂｔ、ｏ、。

ＷＯｉ　＋　Ｔａ　ｇｏｓ　＋　ＮｂｚＯｓ　＋　５ｂ
ｚＯｓ　＋　ＭｎＣＯ５，Ｃｕｂ、　Ｃｕ１Ｏ２１Ｃｒ
　＊Ｏｓ＋Ｌｉ富ＣＯ３＋ＴｈｚＯｉ、５ｃｚＯｓ、Ｆ
ｅ（ＮＯｘ）３＋　　Ａ　ｉｔ　ｚｏｚ＋ＰｚＯｓ＋ｃ
ＱＯ＋ＢａＣＯ５＊　ＺｎＯ＋　ＭｇＣＯ２１ａ、ｏ、
　＋　Ｎ　ｔＯ＋　ＮａｚＯ，Ｇａ＋　Ｉｎ、　　Ｔ　
１　＋　Ｒｔ１ｇＯ＋Ｃｓ　、ｏｌ　Ａｇ＋　Ｒｕ２Ｏ
３、Ｏｓ　１０３　＋　Ｇｅ、　Ｈｆ０ｇ＋　Ｍｏ（ｌ
ｓ＋　Ｋ、ｏを用意し、これらを第１表ないし第６表に
示した組成になるように秤量した。なお、表中の副成分
Ｍの添加量は各原料を元素の量に換算した値で示しであ
る。

これらをめのう玉入りのポリエチレン製ボットミルによ
り２０時時間式混合粉砕した０次いで脱水、乾燥したの
ち８００℃〜１１００℃の温度にて２時間仮焼した。

次にこの仮焼原料を粗粉砕後、前記ポットミルにて約２
０時開式式粉砕し脱水、乾燥した。

その後、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加して造
粒し、油圧成形機により圧力約２ｔｏｎ／ａｍ”で直径
１６．５　ｍ、厚さ３，５ｆｉの円板とし、バッチ炉で
１１５０℃から１３００℃にて酸化性雰囲気中で２時間
焼成して半導体磁器組成物とした。

このようにして得られた直径１４鶴、厚さ２．５■−の
試料の両面にＩｎ−Ｇａ合金により電極を形成し、２０
℃における比抵抗、最小比抵抗、抵抗温度特性を測定し
た。結果は第１表ないし第６表および第１図ないし第５
図に示すとおりである。

なお、各表中＊印を付した試料は本発明の範囲外のもの
を示す。温度係数αはＴｚ　　　Ｔ＋で表わされる。またキュリー点Ｔｃは変曲点の両側のそ
れぞれの直線部を延長した交点の温度とした。

以下余白第１表においてはＴｉＯ２が０．９０モルより小さい場
合、またはＴｉ０１が２．０モルより大きい場合は抵抗
が大きくなり、実用的でない（資料ｍｉ、ｓ。

９、　　ｌ　６．　１７．　３１）　、、Ｔｉ（ｈを増
加すると一部αすなわち傾斜を殆ど変えないで比抵抗ρ
、ｉが上方に移動する（資料患３〜嵐７、隘１３〜弘１
５）。資料１１ｈ１８〜磁２３、隘２６〜患２９、階３
２〜３５は半導体化剤イツトリウムｙｚｏ、を増加させ
ると、Ｖ型ＰＴＣ特性からＣＴＲ特性を表わすようにな
り、さらにＴｉＯ２を添加すると、温度係数−α５．α
を変えることなく比抵抗を低がら高に移動させる（資料
Ｔｈ１３，１４．１５）。資料隘３８〜階　４２．患４
５〜Ｎ１１４７．隘５０〜阻５２は■型ＰＴＣ特性を持
ちＳｒを増加、ｐｂを減少させるとキューリー点Ｔｃが
負側に大きく移動する。

資料隘５５〜５９，１１ｍ６２〜６４．患６７〜６９は
ＣＴ１１特性を持ち、キューリー点Ｔｃが負側に大きく
移動する。　５ｒＴｉ（ｈとＰｂＴｉ０．単体のキュー
リー点に近いところまで広範囲にコントロールすること
ができる。ｐｂが０．８５モルより多く、０．０５モル
より少ないと抵抗が高く実用的でない。資料隘７１〜阻
８１はＲとして希土類元素等を選択したものを示した。

各元素とも組成量の動き、他の成分との関係は一１〜隘
７０に示したＹ２Ｏ３の動きとほぼ同様であった。第１
図は第１表中の代表例を示す。

次に、ＳｒＯ，ＰｂＯ，ＴｉＯ２を主成分とした組成物
に副成分として酸化珪素５ｉｆｔを添加したものを第２
表に示す。

以下余白第２表は、ＳｒＯ，ＰｂＯ，Ｔｉ０ｚを主成分とした組
成物に副成分Ｓｉｎｇを添加したものを示し、資料患３
〜１１１９．１ｌｈ１３〜患１９はＳｉＯ□の添加量を
増大していくと−αが太き（変化しＶ型ＰＴＣ特性から
２．Ｑ＠ｔ％以上で、ＣＴＲ特性に変化し、半導体化開
始温度が２０℃〜５０℃低下する。これは焼成の最適温
度も同様に下げられることを意味し、省エネルギーや安
価な量産が期待できる−　Ｓｉｎｇが０，００１　ｗｔ
χ未満では半導体化開始温度の低下がみられず３０−ｔ
％以上では半導体化せず焼成時溶融してしまう。また、
５ｉ０２添加においてＳｒＯ＋ＰｂＯ，Ｙ、Ｏ，、Ｔｉ
Ｑ、容量の限界は第１表の範囲と変わらないことが実験
で確認できた。第２図は第２表中の代表例を示す。

以下余白第３表はＳｒＯ，ＰｂＯ，ＴｉＯよを主成分とした組成
物に副成分Ｍ（ただし、ＭはＭｒｔ＋Ｃｕ、ＣｒｔＮｉ
、Ｆｅ、　Ｃｏ＋Ｒｕ＋Ｏｓ、　Ｇｅ、　Ｈｆ、　Ｐ、
　Ｓｂ、　Ｖ、　Ｍｇ、　ｚｎ、　Ｈ，ＡＩｔ　Ｍｏｔ
　Ｉｎ＋Ｇａ＋　Ｎｂ、　Ｔａ＋　ＢｉｔＳｃ、希土１
１＋ＴｈｔＮａ＋に＋Ｌｉ＋Ｂ＋Ａｇｔ　Ｃｓ、Ｒｈか
ら任意に選ばれた一種又は二種以上の元素であるから任
意に選ばれた一種又は二種以上の元素である）・を添加
したものを示し、Ｖ型ＰＴＣ，ＣＴＲ特性を示すＹｔＯ
ｓ量の代表的な点でＭ量を変化させたものでＭｎ、　Ｃ
ｕは温度係数αを高めＰＴＣ特性が強調される（患３〜
！１ｈ６、阻ｌＯ〜１１ｋＬ１２、隘１６〜阻１８、磁
２２〜Ｎ１２４）。Ｍ　Ｏ，００００１ｗｔ％未満では
効果がです、１．２ｗｔ％超えると抵抗が大きく実用的
でない、また、Ｖ、　Ｃｒ＋ＮＬ　Ｃｅ＋　Ｆｅ＋　Ｏ
ｓ＋　Ｇｅ＋　Ｉｌｒ、　Ｃａｎ　Ｓｂ＋　Ｒｕ。

Ｚｎ、　Ｐ、　Ｍｇ添加時のデータが患２６〜３９であ
る。

各元素ともＭｎ＋　Ｃｕと同様の効果をもつ。

１１ｈ４０．４１には、２種類元素を同時添加した例を
示す、同様の効果が得られている。

また、各元素の添加においてＳｒＯ＋ＰｂＯ＋ＹｚＯｓ
４ｔＯｓ各量の限界は第１表の範囲と変わらないことが
実験で確認できた。また、Ｌｉ、Ａ１．Ｗ、Ｇａ、　Ｉ
ｎ＋ＴＩ、Ｎｂ、Ｎａ＋Ｂ、Ｔｈ、Ｔａ、Ｍｏ＋Ａｇ、
Ｃｓ＋Ｒｈ、Ｓｃ、Ｂｉ、に、Ｌａ、Ｎｄ希土類（除＜
Ｃｅ）は温度係数−αを高めＮＴＣ特性が強調される（
資料阻４５〜寛４４、隘５１〜患５３、−５７〜隘５９
、磁６３〜磁６５、隘６７〜患８３）。

添加量０．００００１ｗｔχ未満では効果なく、１．２
　（Ａ　１は８）ｗｔ％以上では抵抗が高く実用性がな
い。Ｍの組合せ例えばＷ＋＾ｌ、Ｌｉ＋Ｎｂ等でも温度
係数−αの急なものが得られる（Ｎ１８４．８５）。第
３図、第４図は第３表中の代表例を示す。

以下余白第４表は、Ｓ　ｒ　Ｏ＋　Ｐ　ｂ　Ｏ＋　Ｔ　ｉ　Ｏｚ
を主成分とした組成物に副成分５ｉ（ｈ、　Ｍを組合せ
て添加したものを示し、それぞれ単独添加の効果が同時
添加によって特性が合わさった形で出てくることを示す
。

資料１１ｈｌ〜Ｎ１４はＴｉＯ２の増加とＳｉ島の組合
せ添加を示し、ＳｉＯ□により半導体化開始温度が下が
り、ＴｉＯ□によってα、−αをあまり変えないで抵抗
調整ができる。

資料磁５〜隘１２はＴｉ０ｚの増加とＭの組合せ添加を
示し、Ｍｎ＋　ＬｉによりＰＴＣおよびＮＴＣ特性が強
調され、Ｔｉ（ｈによってα、−αをあまり変えないで
抵抗調整ができる。

Ｍの他の添加元素についても同様の効果が得られた。

資料磁１３〜隘１６はＴｉ島一定でＳｔｏｗとＭの組合
せ添加を示し、Ｍｎ＋　ＬｉによりそれぞれＰＴＣ，Ｎ
ＴＣ特性が強調され、Ｓｔａｇによって半導体化開始温
度が下がった。

Ｍの他の添加元素によっても同様の効果が得られた。

資料阻１７〜磁２４はＴｉ（ｈの増加と５ｉＯｚ＋　Ｍ
の組合せ添加を示し、’ｎ＋　ＬｉによりＰＴＣ，ＮＴ
Ｇ特性が強調され、Ｓｉｎ、により半導体化開始温度が
下がり、Ｔｉ０１により抵抗調整ができる。

Ｍの他の添加元素についても同様の効果が得られた。

また、５ｉＯｚ＋　Ｍ量の組合せ添加において、ＳｒＯ
＋ＰｂＯ，Ｙｚ０３．ＴｉＯｘ各量の容量は第１表の範
囲と変わらないことが実験で確認された。

以下余白を示す。

第５表は、ＳｒＯ，ＰｂＯ，Ｔｉ０ｚを主成分とした組
成物において、ＳｒＯとｐｂｏの一部をＣａＯまたはＢ
ａＯ或いはＣａＯ＋　ＢａＯで置換したものを示し、Ｖ
型ＰＴＣ。

ＣＴＩ＋特性を持ち、資料ＩＩｋ１３〜患６、魚１０〜
隘１２、Ｎ１１１６〜ｌ１ｋＬ１８、ｌｌ＆１２２〜Ｎ
１２４にはＣａＯまたはＢａＯを添加することによって
、ＰＴＣ特性（α）を強調できる。また素子結晶粒径の
均一がみられた。たとえば、第５表患１サンプルの焼成
素地表面の写真をとり、その粒子径の分布解析をしたと
ころ平均粒径は１３．２μで標準偏差４．１μであった
が、Ｃａｂ、　ＢａＯの添加したものは同様の平均粒径
で標準偏差が２μとなり、粒径の均一化が図られた。こ
れにより素体の特性のバラツキを少なくすることができ
る。

資料隘２６．２７はＣａｂ、　ＢａＯの同時添加を示し
、同様の効果が期待できる。　ＣａＯまたはＢａＯは０
．０００５モル未満では効果が現われず、０．３モル以
上で抵抗値が高く実用性がない。また、ＳｒＯ，ＰｂＯ
１ＹｚＯｓ＋Ｔｉ０ｔ各量の限界は第１表の範囲と変わ
らないことが実験で確認された。第５図は第５表中の代
表例以下余白第６表は、ＳｒＯ，ＰｂＯ，Ｔｉ０ｚを主成分とした組
成物に副成分としてＳｔｏｗおよびＭを組合せで添加し
たものを示し、それぞれ単独添加の効果が同時添加によ
って特性が合わさった形ででてくることを示す。なお、
すべてＣａＯが添加されているので、ある程度ＰＴＣ特
性が強調され、素子の結晶粒径の均一化がみられる。資
料患８．９．１０，１２．１４．３０〜３３はＭのみを
添加したもので、Ｍｎは温度係数αを高＜ＬＰＴＣ特性
が強調される。Ｌｉは温度係数−αを太きく　ＬＮＴＣ
特性が強調される。

資料隘５．７はＴｉ鵠の増量を示し、抵抗調整ができる
。資料患１，３，２８．２９は５ｔ（ｈ添加を示し、半
導体化開始温度が下がる。資料１１ｋＬ２．　４はＴｉ
Ｏ□の増量と５ｉｆｔ添加を示し、ＳｉＯ□により半導
体化開始温度が下がり、Ｔｉ０ｚによって抵抗調整がで
きる。資料隘９，１１，１３．１５はτ＋（ｈの増量と
Ｍ添加を示し、ＭｎによりＰＴＣ特性が、ＬｉによりＮ
ＴＣ特性が強調される。　Ｔｉ０ｉにより抵抗調整がで
きる。またＭの他の添加元素についても同様の効果が得
られた。資料随１６〜２０，２２，２４゜２６は　５４
０□＋Ｍ添加を示し、ＭｎおよびＬｉによりＰＴＣ特性
およびＮＴＣ特性が強調され、ＳｉＯ□により半導体化
開始温度が下がる。資料１１２１．２３゜２５．２７は
ＴｉＯ□の増量と５ｉＯｔ＋Ｍ添加を示し、Ｍｎ、　Ｌ
ｉによりＰＴＣ特性、　ＮＴＣ特性が強調され、Ｓｉｎ
ｇにより半導体化開始温度が下がり、Ｔｉ０ｚにより抵
抗調整ができる。またＭの他の添加元素についても同様
の効果が得られた。またＣａＯのかわりにＢａＯを添加
あるいは２種を同時添加しても同様の効果が得られた。

またＳｉｎｇ、　Ｍ量の組合せ添加において、ＳｒＯ，
ＰｂＯ。

Ｙ　ｚ　Ｏｓ　ｔ　Ｔ　ｔ　Ｏｔを主成分とした各型の
限界は第１表の範囲と変わらないことが実験で確認され
た。

〔発明の効果〕

本発明はＳｒＯ，ＰｂＯ，Ｔ＋Ｏ１を主成分とした組成
物において、Ｔｉ０ｚを加減することによって抵抗温度
特性の形をあまり変化させずに比抵抗を変えることがで
き抵抗調整が可能になる。　Ｓｉｎｇの添加によって半
導体化開始温度が２０〜５０℃下がり、焼結性が向上し
、製造が容易となった。さらに５ｉ０２の添加！２．Ｏ
ｗｔχまでは■型ＰＴＣ特性を示すが、それ以上の添加
量ではＮＴＣ特性領域からＣＴＲ特性領域に近いものが
得られる。また従来のＣＴＲでは僅かしか動かせなかっ
た抵抗急変点を大巾に移動させることができる。　Ｓｉ
ｎ、とＹ２Ｏ，の添加量を変えることによりＰＴＣ特性
からＶ型ＰＴＣ特性へ、さらにＣＴＲ類似の特性をもつ
ものまで自由に特性を変化させることができる。

ＣａまたはＢａの添加によって、素子結晶粒径の均一化
を図ることができ、素体特性にバラツキがなく、安定し
た素子を量産することができる。また不純物Ｍを添加す
ることによって各種の特性のコントロールと改善を図る
ことができる。ＰＴＣの立上りの改善にはＭｎ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＧｅＨｆ
、Ｐ、Ｓｂ、Ｖ、Ｍｇ、Ｚｎの単独またはこれらの二種
以上の混合を、ＮＴＣの傾斜を急にするには、Ｗ、ＡＩ
、Ｍｏ。

Ｉｎ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｃ、希土類（除＜　
Ｃｅ）　、　Ｔｈ、　Ｎａ、　Ｋ、　ＬｉＢ、　Ａｇ、
Ｃｓ、Ｒｈの単独またはこれら二種以上の混合を添加す
ることによって調整できる。以上のように本発明は各種
の抵抗温度特性を有するものを工業的に容易に製造でき
る効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例の結果を示すもので、比抵抗−温
度特性曲線を示すグラフである。第１図は第１表中の、第２図は第２表中の第３図、第４
図は第３表中の、第５図は第５表中の夫々代表的資料の
比抵抗−温度特性曲線を示すグラフである。特許出願人　テープイーケイ株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ストロンチウムがＳｒＯに換算して、０．０５〜
０．９５モル、鉛がＰｂＯに換算して０．０５〜０．８
５モル、チタンがＴｉＯ＿２に換算して０．９０〜２．
０モル、Ｒがその酸化物に換算して０．００１〜０．３
モル（Ｒは希土類元素、Ｂｉ，Ｖ，Ｗ，ＴＡ，Ｎｂ，Ｓ
ｂから任意に選ばれた一種又は二種以上の元素である。ただし希土類元素（Ｃｅを除く）Ｂｉ，Ｓｂは１／２（
Ｒ＿２Ｏ＿３），Ｖ，ＴＡ，Ｎｂは１／２（Ｒ＿２Ｏ＿
５），ＣｅはＲＯ＿２，ＷはＲＯ＿３に換算する。）の
範囲からなり、酸化性雰囲気中で焼成したことを特徴と
する半導体磁器組成物。
（２）酸化珪素ＳｉＯ＿２を０．００１〜３０ｗｔ％添
加含有したことを特徴とする請求項１記載の半導体磁器
組成物。
（３）Ｍを０．００００１〜１．２ｗｔ％（ただしＡｌ
，Ｗについては０．００００１〜８ｗｔ％）、（ＭはＭ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｇｅ
，Ｈｆ，Ｐ，Ｓｂ，Ｖ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｗ，Ａｌ，Ｍｏ，
Ｉｎ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｃ，希土類，Ｔｈ，
Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｂ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂから任意に選ば
れた一種又は二種以上の元素である。）を添加含有した
ことを特徴とする請求項１記載の半導体磁器組成物。
（４）酸化珪素ＳｉＯ＿２を０．００１〜３０ｗｔ％と
Ｍを０．００００１〜１．２ｗｔ％（ただしＡｌ，Ｗに
ついては０．００００１〜８ｗｔ％）、（ＭはＭｎ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｇｅ，Ｈｆ
，Ｐ，Ｓｂ，Ｖ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｗ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｉｎ，
Ｇａ，Ｎｂ，ＴＡ，Ｂｉ，Ｓｃ，希土類，Ｔｈ，Ｎａ，
Ｋ，Ｌｉ，Ｂ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂから任意に選ばれた一
種又は二種以上の元素である。）添加含有したことを特
徴とする請求項１記載の半導体磁器組成物。
（５）請求項１において、ＳｒＯとＰｂＯの０．００１
〜０．３モルをＢａＯまたはＣａＯの一種以上で置換し
たことを特徴とする半導体磁器組成物。
（６）酸化珪素ＳｉＯ＿２を０．００１〜３０ｗｔ％添
加含有したことを特徴とする請求項５記載の半導体磁器
組成物。
（７）Ｍを０．００００１〜１．２ｗｔ％（ただしＡｌ
，Ｗについては０．００００１〜８ｗｔ％）、（ＭはＭ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｇｅ
，Ｈｆ，Ｐ，Ｓｂ，Ｖ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｗ，Ａｌ，Ｍｏ，
Ｉｎ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｃ，希土類，Ｔｈ，
Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｂ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂから任意に選ば
れた一種又は二種以上の元素である。）添加含有したこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体磁器組成物。
（８）酸化珪素ＳｉＯ＿２を０．００１〜３０ｗｔ％と
Ｍを０．００００１〜１．２ｗｔ％（ただしＡｌ，Ｗに
ついては０．００００１〜８ｗｔ％）、（ＭはＭｎ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｇｅ，Ｈｆ
，Ｐ，Ｓｂ，Ｖ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｗ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｉｎ，
Ｇａ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｃ，希土類，Ｔｈ，Ｎａ，
Ｋ，Ｌｉ，Ｂ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂから任意に選ばれた一
種又は二種以上の元素である。）添加含有したことを特
徴とする請求項５記載の半導体磁器組成物。