JPS6023902A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6023902A JPS6023902A JP58131748A JP13174883A JPS6023902A JP S6023902 A JPS6023902 A JP S6023902A JP 58131748 A JP58131748 A JP 58131748A JP 13174883 A JP13174883 A JP 13174883A JP S6023902 A JPS6023902 A JP S6023902A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘電体磁器組成物に関する。
従来、磁器コンデンサ用誘電体材料としては、チタン酸
バリウム系磁器組成物が汎用されているが、このチタン
酸バリウム系磁器から成る磁器コンデンサにおいては、
その静電容量および誘電損失が交流電圧に大きく影響さ
れ、２００〜４００Ｖ／ｎｕｎの交流電圧では誘電損失
（ｔａｎδ）が５〜１５％にも達するという問題があっ
た。他方、チタン酸バリウム系磁器に比べて交流電圧に
対する依存性が小さいチタン酸ストロンチウム系磁器が
近年開発され実用化されている。しかし、チタン酸スト
ロンチウム系磁器組成物は、最適な誘電特性を得るため
には、その焼成温度を１２４０〜１３２０℃と高くしな
ければならず、従って、この系の磁器で積層コンデンサ
を製造する場合、内部電極′４Ａｎとして白金等の４価
な負金属を使用しなければならないという問題があった
。
バリウム系磁器組成物が汎用されているが、このチタン
酸バリウム系磁器から成る磁器コンデンサにおいては、
その静電容量および誘電損失が交流電圧に大きく影響さ
れ、２００〜４００Ｖ／ｎｕｎの交流電圧では誘電損失
（ｔａｎδ）が５〜１５％にも達するという問題があっ
た。他方、チタン酸バリウム系磁器に比べて交流電圧に
対する依存性が小さいチタン酸ストロンチウム系磁器が
近年開発され実用化されている。しかし、チタン酸スト
ロンチウム系磁器組成物は、最適な誘電特性を得るため
には、その焼成温度を１２４０〜１３２０℃と高くしな
ければならず、従って、この系の磁器で積層コンデンサ
を製造する場合、内部電極′４Ａｎとして白金等の４価
な負金属を使用しなければならないという問題があった
。
本発明は、誘電率が１０００ｊＸ上で、その交流電圧依
存性が小さく、かつ、積層コンデンサ等の内部電極材料
として安価な銀−パラジウム合金などの使用を可能にす
る低い温度での焼結が可能な誘電体磁器組成物を得るこ
とを目的とする。
存性が小さく、かつ、積層コンデンサ等の内部電極材料
として安価な銀−パラジウム合金などの使用を可能にす
る低い温度での焼結が可能な誘電体磁器組成物を得るこ
とを目的とする。
本発明の要旨は、３ｒ ”ｒｉ ０３３２〜４７重量％
、Ｐｂ Ｔｉ Ｏａ ２８〜４６重石％、ＣａＴｉＯ３
８〜１６重量％、Ｂｉ２０３５〜１６重Ｊｉ％、Ｔｉ０
２３〜１０重量％からなる主成分と、該主成分１００重
量部に対し１〜４重量部のＺｎｏおよび１〜４重量部の
ｓｉ ０２を含有してなる誘電体磁器組成物にある。
、Ｐｂ Ｔｉ Ｏａ ２８〜４６重石％、ＣａＴｉＯ３
８〜１６重量％、Ｂｉ２０３５〜１６重Ｊｉ％、Ｔｉ０
２３〜１０重量％からなる主成分と、該主成分１００重
量部に対し１〜４重量部のＺｎｏおよび１〜４重量部の
ｓｉ ０２を含有してなる誘電体磁器組成物にある。
本発明に係る前記誘電体磁器組成物は、１０００〜３９
００の誘電率を有する一方、誘電損失（ｔａｎδ）が１
％以下と極めて低く、良好な交流電圧特性を示し、しか
も焼成温度が１０４０〜１１００℃と低温であるため積
層コンデンサ等の内部電極材料として銀パラジウム合金
等を使用することを可能にするなど優れた利点を有して
いる。
００の誘電率を有する一方、誘電損失（ｔａｎδ）が１
％以下と極めて低く、良好な交流電圧特性を示し、しか
も焼成温度が１０４０〜１１００℃と低温であるため積
層コンデンサ等の内部電極材料として銀パラジウム合金
等を使用することを可能にするなど優れた利点を有して
いる。
本発明に係る誘電体磁器組成物の組成範囲を前記のよう
に限定した理由は次の通りである。すなわち、主成分中
の３ｒ Ｔｉ ０３を３２〜４７重量％としたのは、Ｓ
ｒＴｉＱ３が３２重量％未満では誘電損失が１％を超
えるとともに、交流電圧特性が悪くなり、また、４７川
量％を超えると誘電率が１０００未満に低下するからで
ある。主成分中のＰＩ）１−ｉ０３を２８〜４６重量％
としたのは、ｐｂ Ｔｉ ０３が２８８重量未満では誘
電率が１０００未満となり、４６重量％を超えると誘電
損失が１％を超えると共に、交流電圧特性が悪くなるか
らである。また、Ｃａ Ｔｉ Ｏｓが８重量％未満では
誘電損失が１％を超え、１６重量％を超えると誘電率が
１０００未満となるので、Ｃａ７ｉ０３は８〜１６重量
％とした。Ｂｉ２Ｏ３を５〜１６重量％としたのは、Ｂ
ｉ２０ａが５重量％未は 満で誘電率が１０００未満となり、１６重量％を△ 超えると誘電損失が１％を超えると共に交流電圧特性が
悪くなるからである。また、Ｔｉ ０２を３〜１０重量
％とじたのは、Ｔｉ ０２が３重量％未満では誘電率梗
ｉ ｏｏｏ未満になり、１０重量％を超えると誘電損失
が１％を超えるからである。
に限定した理由は次の通りである。すなわち、主成分中
の３ｒ Ｔｉ ０３を３２〜４７重量％としたのは、Ｓ
ｒＴｉＱ３が３２重量％未満では誘電損失が１％を超
えるとともに、交流電圧特性が悪くなり、また、４７川
量％を超えると誘電率が１０００未満に低下するからで
ある。主成分中のＰＩ）１−ｉ０３を２８〜４６重量％
としたのは、ｐｂ Ｔｉ ０３が２８８重量未満では誘
電率が１０００未満となり、４６重量％を超えると誘電
損失が１％を超えると共に、交流電圧特性が悪くなるか
らである。また、Ｃａ Ｔｉ Ｏｓが８重量％未満では
誘電損失が１％を超え、１６重量％を超えると誘電率が
１０００未満となるので、Ｃａ７ｉ０３は８〜１６重量
％とした。Ｂｉ２Ｏ３を５〜１６重量％としたのは、Ｂ
ｉ２０ａが５重量％未は 満で誘電率が１０００未満となり、１６重量％を△ 超えると誘電損失が１％を超えると共に交流電圧特性が
悪くなるからである。また、Ｔｉ ０２を３〜１０重量
％とじたのは、Ｔｉ ０２が３重量％未満では誘電率梗
ｉ ｏｏｏ未満になり、１０重量％を超えると誘電損失
が１％を超えるからである。
ＺｎＯおよびＳｉＯ２は前記主成分の焼成温度を低下さ
せる効果があり、それらの添加量がそれぞれ主成分１ｏ
ｏｉ量部に対し１重量部未満では焼成温度が１１００℃
以上となり、４重量 Ｌ”ＩＪを超えると誘電率が１０
００未満に低下するので、それぞれ主成分１００重量部
に対し１〜４重量部とした。
せる効果があり、それらの添加量がそれぞれ主成分１ｏ
ｏｉ量部に対し１重量部未満では焼成温度が１１００℃
以上となり、４重量 Ｌ”ＩＪを超えると誘電率が１０
００未満に低下するので、それぞれ主成分１００重量部
に対し１〜４重量部とした。
以下、本発明の実施例について説明する。
Ｐｂ Ｏ，Ｓｒ ＣＯ３、Ｃａ ＣＯａ 、Ｔｉ ０２
、Ｂｉ２０ａ、ＺｎＯおよびＳ ｉ Ｏ２ヲＩＪＲ料ト
Ｌ／、これらを第１表に示す組成比率の磁器が得られる
ように秤量した。得られた各混合物をポリエチレン性ポ
ットに入れ、アルミナボールを用いて１６時時間式混合
、粉砕した後、脱水乾燥し、ジルコニア質の匣に入れて
９５”０℃で２時間仮焼し、粉砕後、造粒し、直径１２
ＩｎＩ１１１厚さ０．６ｍｍの円板に加圧成形した。こ
の成形物を１０４０〜１２７０℃の温度で２時間焼成し
て誘電体磁器を得、その両面に銀ペーストを塗布した後
、８００℃で焼付けして電極を形成し、これを試料とし
た。
、Ｂｉ２０ａ、ＺｎＯおよびＳ ｉ Ｏ２ヲＩＪＲ料ト
Ｌ／、これらを第１表に示す組成比率の磁器が得られる
ように秤量した。得られた各混合物をポリエチレン性ポ
ットに入れ、アルミナボールを用いて１６時時間式混合
、粉砕した後、脱水乾燥し、ジルコニア質の匣に入れて
９５”０℃で２時間仮焼し、粉砕後、造粒し、直径１２
ＩｎＩ１１１厚さ０．６ｍｍの円板に加圧成形した。こ
の成形物を１０４０〜１２７０℃の温度で２時間焼成し
て誘電体磁器を得、その両面に銀ペーストを塗布した後
、８００℃で焼付けして電極を形成し、これを試料とし
た。
（以下余白）
各試料について、周波数ＩＫｆ−１ｚの交流電圧１Ｖを
印加して誘電損失（ｔａｎδ）と常温’（＋２５℃）
、−２５℃および＋８５℃における各誘電率（ε）を測
定すると共に、＋２５℃に対する一２５℃および＋８５
℃での誘電率の変化率をめた。
印加して誘電損失（ｔａｎδ）と常温’（＋２５℃）
、−２５℃および＋８５℃における各誘電率（ε）を測
定すると共に、＋２５℃に対する一２５℃および＋８５
℃での誘電率の変化率をめた。
また、試料に４００Ｖ／ｍｍの交流電圧を印加して誘電
損失（ｔａｎδ）を測定した。それらの結果を第２表に
示ず。
損失（ｔａｎδ）を測定した。それらの結果を第２表に
示ず。
、 第１表および第２表において、試料番号に付した＊
印は、本発明の範囲外の組成物を示し、他は本発明の範
囲内のものを示す。
印は、本発明の範囲外の組成物を示し、他は本発明の範
囲内のものを示す。
（以下余白）
Ｍ１表および第２表から明らかなように、本発明に係る
誘電体磁器組成物は、焼成温度が１０４０〜１１００℃
と従来のものに比べて１４０〜２００℃低いにもかかわ
らず誘電率が１０００以上と高く、ｔａｎδも１％以下
で優れた特性を示し、しかも交流電圧４００Ｖ／ｍｌｌ
１でのｔａｎδが０．８〜４％と従来のものに比べ交流
電圧依存性が著しく小さいという優れた特性を有してい
る。
誘電体磁器組成物は、焼成温度が１０４０〜１１００℃
と従来のものに比べて１４０〜２００℃低いにもかかわ
らず誘電率が１０００以上と高く、ｔａｎδも１％以下
で優れた特性を示し、しかも交流電圧４００Ｖ／ｍｌｌ
１でのｔａｎδが０．８〜４％と従来のものに比べ交流
電圧依存性が著しく小さいという優れた特性を有してい
る。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、誘電
特性において優れた誘電体磁器組成物が得られ、しかも
１１００℃以下の低い温度で焼結させることができるた
め、積層コンデンサ等の内部電極部材として安価な銀パ
ラジウム合金等を使用でき、コンデンサの価格低減をｈ
することかできる。
特性において優れた誘電体磁器組成物が得られ、しかも
１１００℃以下の低い温度で焼結させることができるた
め、積層コンデンサ等の内部電極部材として安価な銀パ
ラジウム合金等を使用でき、コンデンサの価格低減をｈ
することかできる。
特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- （１）Ｓｒ Ｔｉ Ｏａ ３２〜４７重量％、ＰｂＴｉ
○３２８〜４６重最％、Ｃａ １−ｉ ０３８〜１６重
品％、旧２０３５〜１６重ｆｆ１％、 Ｔｉ ０２３〜
１０重量％からなる主成分と、該主成分１ｏｏ重量部に
対し１〜４重司部のＺｎＯと１〜４重量部のＳｉ ０２
とからなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131748A JPS6023902A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/629,715 US4552853A (en) | 1983-07-18 | 1984-07-11 | Dielectric ceramic composition |
| DE19843426038 DE3426038A1 (de) | 1983-07-18 | 1984-07-14 | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131748A JPS6023902A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6023902A true JPS6023902A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0414442B2 JPH0414442B2 (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=15065265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131748A Granted JPS6023902A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4552853A (ja) |
| JP (1) | JPS6023902A (ja) |
| DE (1) | DE3426038A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295304A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4889837A (en) * | 1986-09-02 | 1989-12-26 | Tdk Corporation | Semiconductive ceramic composition |
| US4820670A (en) * | 1986-11-26 | 1989-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| FR2608591A1 (fr) * | 1986-12-19 | 1988-06-24 | Europ Composants Electron | Compositions ceramiques dielectriques a haute permittivite |
| JP2733667B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-03-30 | ティーディーケイ株式会社 | 半導体磁器組成物 |
| US5764231A (en) * | 1992-05-15 | 1998-06-09 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for creating geometric depth images using computer graphics |
| DE4314338C2 (de) * | 1993-04-30 | 1998-07-23 | Siemens Ag | Hochfrequenz-System einer Anlage zur Kernspintomographie mit Abschirmmitteln zu einer E-Feld-Begrenzung |
| US5530774A (en) * | 1994-03-25 | 1996-06-25 | Eastman Kodak Company | Generation of depth image through interpolation and extrapolation of intermediate images derived from stereo image pair using disparity vector fields |
| JP3767377B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331280B2 (ja) * | 1972-09-20 | 1978-09-01 | ||
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
| DE2442115A1 (de) * | 1974-09-03 | 1976-03-11 | Draloric Electronic | Keramisches dielektrikum |
| JPS5261978A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device and its production |
| JPS5325899A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-10 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric ceramic composition |
| US4367265A (en) * | 1981-04-06 | 1983-01-04 | North American Philips Corporation | Intergranular insulation type semiconductive ceramic and method of producing same |
| JPS599807A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4405478A (en) * | 1982-11-22 | 1983-09-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58131748A patent/JPS6023902A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-11 US US06/629,715 patent/US4552853A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-14 DE DE19843426038 patent/DE3426038A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0414442B2 (ja) | 1992-03-12 |
| US4552853A (en) | 1985-11-12 |
| DE3426038A1 (de) | 1985-01-31 |
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