JPS60189107A - 磁器誘電体組成物 - Google Patents
磁器誘電体組成物Info
- Publication number
- JPS60189107A JPS60189107A JP4352384A JP4352384A JPS60189107A JP S60189107 A JPS60189107 A JP S60189107A JP 4352384 A JP4352384 A JP 4352384A JP 4352384 A JP4352384 A JP 4352384A JP S60189107 A JPS60189107 A JP S60189107A
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- Japan
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- weight
- dielectric constant
- voltage
- porcelain
- dielectric composition
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高い誘電率と、低損失、高い耐電圧。
高い信頼性を有する高圧コンデンサ用磁器誘電体組成物
に関するものである。
に関するものである。
従来、カラーテレビやオシロスコープ等の高電圧回路の
ように小型で高耐圧、高信頼性(耐湿。
ように小型で高耐圧、高信頼性(耐湿。
耐熱)、耐コロナ性が要求される直流用高電圧磁器コン
デンサや、送受配電機器の高圧ブッシング等における電
圧分布改善用9回転機器のサージ吸収用、高圧測定機器
の分圧素子や変成器のインピーダンス調整用等の交流用
高電圧磁器コンデンサ。
デンサや、送受配電機器の高圧ブッシング等における電
圧分布改善用9回転機器のサージ吸収用、高圧測定機器
の分圧素子や変成器のインピーダンス調整用等の交流用
高電圧磁器コンデンサ。
レーザー装置の高電圧電源回路の高圧磁器コンデンサに
使用される高圧コンデンサ用磁器誘電体は。
使用される高圧コンデンサ用磁器誘電体は。
チタン酸バリウム系を主体としたものが使用されてきた
が、チタン酸バリウム系は一般に誘電体損失が大きい、
またその電歪特性からくる高圧回路での鳴き現象がある
。容量、損失の電圧依存性が大きい等の問題点があった
。
が、チタン酸バリウム系は一般に誘電体損失が大きい、
またその電歪特性からくる高圧回路での鳴き現象がある
。容量、損失の電圧依存性が大きい等の問題点があった
。
また近年、チタン酸ストロンチウム、酸化ビスマス、酸
化チタンを主成分としたもの、更にチタン酸鉛な加えた
ものが知られているが、前者は誘電率、が、1000程
度と低く、また後者は誘電率は向」−するものの誘電率
温度特性が大きい、′またこれらによる高圧コンデンサ
のような大型焼結体ではしばしば磁器の焼成中における
還元の原因による高圧コンデンサとしての寿命が短かい
等の問題があった。
化チタンを主成分としたもの、更にチタン酸鉛な加えた
ものが知られているが、前者は誘電率、が、1000程
度と低く、また後者は誘電率は向」−するものの誘電率
温度特性が大きい、′またこれらによる高圧コンデンサ
のような大型焼結体ではしばしば磁器の焼成中における
還元の原因による高圧コンデンサとしての寿命が短かい
等の問題があった。
本発明者等は前記の如き問題点を解決するため鋭意研究
の結果、以下に示す如き組成物によシ従来の磁器誘電体
組成物の欠点を改良したすぐれたものが得られることを
見出したものである。
の結果、以下に示す如き組成物によシ従来の磁器誘電体
組成物の欠点を改良したすぐれたものが得られることを
見出したものである。
すなわち、 5rTiOs 20.0〜75.0重量鴨
PbT10s 2.0〜40.0重量%Bi203nT
i022.0〜38.0重量%(n=1〜5) CaTlOs O〜40.0重量% MgTi0. O〜25.0重量% 以上の配合比100部に対して添加物Coo 、 ce
o、。
PbT10s 2.0〜40.0重量%Bi203nT
i022.0〜38.0重量%(n=1〜5) CaTlOs O〜40.0重量% MgTi0. O〜25.0重量% 以上の配合比100部に対して添加物Coo 、 ce
o、。
A−1窒0sの中1種または2種以上を0.05〜3.
0重量%添加することを特徴としたものである。
0重量%添加することを特徴としたものである。
ここで8rTiOs 、 BizO*nTi0* 、
PbT10gは常誘電領域で高い誘電率を得るための組
成であシ。
PbT10gは常誘電領域で高い誘電率を得るための組
成であシ。
CaTi0. 、 MgTlOsは誘電率温度特性の改
良に効果がある。また添加物CoO、CeO2,Al*
O1は高圧コンデンサの寿命特性を向上するのに著しい
効果が見られる。
良に効果がある。また添加物CoO、CeO2,Al*
O1は高圧コンデンサの寿命特性を向上するのに著しい
効果が見られる。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
工業用原料8rCO,、TiO2,PbO、Bit’s
、 MgCO5。
、 MgCO5。
Ca■3および添加物Coo 、CeOs 、Aj%
Onを表1の組成比になるように秤量配合し、ボットミ
ル中で湿式混合し、脱水後800℃〜1000℃で仮焼
成した。
Onを表1の組成比になるように秤量配合し、ボットミ
ル中で湿式混合し、脱水後800℃〜1000℃で仮焼
成した。
次いでこれを粉砕し有機バインダーを加え、造粒した後
直径20顛、厚み6.0111に加圧成形しついで11
60℃〜1260℃の範囲で2時間空気雰囲気中で焼成
した。
直径20顛、厚み6.0111に加圧成形しついで11
60℃〜1260℃の範囲で2時間空気雰囲気中で焼成
した。
このようにして得られた磁器焼結体の両面に銀電極を焼
付はコンデンサを作成し測定用試料とした0 その後、それぞれの試料の誘電率ε8.損失−δ。
付はコンデンサを作成し測定用試料とした0 その後、それぞれの試料の誘電率ε8.損失−δ。
DC破壊電圧y;v / yap 、誘電率温度特性変
化率へ〇情等の特性値を測定し表1に示した。
化率へ〇情等の特性値を測定し表1に示した。
表1(a)
表1(b)
仁の表1において、試料kl、5v 6+ 9e12.
.13.14.is、16.17は本発明の範囲外のも
のである。
.13.14.is、16.17は本発明の範囲外のも
のである。
また表1に示す測定値の測定条件は次に示す通、シであ
る。
る。
誘電率(ε、):20℃ I KHz
損失(、tanδ)820℃ I KHz誘電率温度
特性変化率(60%):20℃の誘電率を基準にし一2
5℃〜+85℃の範囲のも DC破壊電圧:昇圧速度I KV / see油中25
℃で測定。
5℃〜+85℃の範囲のも DC破壊電圧:昇圧速度I KV / see油中25
℃で測定。
IR不不一−性k1gRI/R1) :第3図に示す磁
器の表面層■と内部層■の850 ℃におけるIR値の差。
器の表面層■と内部層■の850 ℃におけるIR値の差。
高温負荷寿命:試料にDC4,7KV/jEllを印加
し85℃恒温槽中で試験。
し85℃恒温槽中で試験。
表1において明らかなように本発明の範囲内の試料は誘
電率が高く、損失及び誘電率温度特性が良好で、更に高
い信頼性を保持している。
電率が高く、損失及び誘電率温度特性が良好で、更に高
い信頼性を保持している。
なお本発明においてそれぞれの成分の組成範囲を上記?
ように限定した理由は次の通シである。
ように限定した理由は次の通シである。
主成分に;うて5rTJO,が20.0重量%以下およ
/ び75.0重量%以上では誘電率が低(1000以下と
なる。PbTiOsが、2.0重i%以下では誘電率が
低(,40,0重量%以上では損失が犬きくなる。
/ び75.0重量%以上では誘電率が低(1000以下と
なる。PbTiOsが、2.0重i%以下では誘電率が
低(,40,0重量%以上では損失が犬きくなる。
B15on nTio宜が2.0重量%゛以下では温度
特性が太き(,38,0重量%以上では誘電率が小さい
。まだnは1.0以下では、焼結性が悪く、5以上では
温−変時性が大きい。。
特性が太き(,38,0重量%以上では誘電率が小さい
。まだnは1.0以下では、焼結性が悪く、5以上では
温−変時性が大きい。。
またCaT10sが40,0重量%以上およびMgTi
O3が25.0重量%以上ではいずれも誘電率が100
0以下と小さい。
O3が25.0重量%以上ではいずれも誘電率が100
0以下と小さい。
添加物においてはCoO、CeOs = AlxOs
]1種または2種以上0.05〜3.0重量%添加する
ことにょシIR不均一性(10g R,7R2)が小さ
く、高温負荷寿命が著しく良好となる。同様の添加量
0.05重量%以下で1iIR不均−性が大きく、また
3、 Oi置部以上で祉誘電率が低下して好ましくない
。
]1種または2種以上0.05〜3.0重量%添加する
ことにょシIR不均一性(10g R,7R2)が小さ
く、高温負荷寿命が著しく良好となる。同様の添加量
0.05重量%以下で1iIR不均−性が大きく、また
3、 Oi置部以上で祉誘電率が低下して好ましくない
。
ここでIR不不一−性は、第3図に示す磁器の表面層■
および内部層■を切シ出り、それぞれのIR値温度特性
を測定し、85℃におけるIR値の差を示したものであ
る。
および内部層■を切シ出り、それぞれのIR値温度特性
を測定し、85℃におけるIR値の差を示したものであ
る。
この差の大きい試料は焼結において内部層が還元状態に
あることを示しているが1本発明の添加物を有する試料
はいずれもIR値が均一であシ。
あることを示しているが1本発明の添加物を有する試料
はいずれもIR値が均一であシ。
高い信頼性を有するものであることを示している。
なお上記実施例の中で出発原料をそれぞれ8rTiO*
、 PbTiOs 、 MgTiOs 、 CaTi
0. 、 Bi、0snTiOzのように、各成分をあ
らかじめ作成してこれらを配合してもよく、iたpbo
はPb5Oa 、 CoQはCo、04゜又は他の化合
物でも焼結後に前記の組成になるもので萎れは同様の特
性が得られるものである。
、 PbTiOs 、 MgTiOs 、 CaTi
0. 、 Bi、0snTiOzのように、各成分をあ
らかじめ作成してこれらを配合してもよく、iたpbo
はPb5Oa 、 CoQはCo、04゜又は他の化合
物でも焼結後に前記の組成になるもので萎れは同様の特
性が得られるものである。
なお第1図は表1に示す試料t4a5(本発明の範囲外
)の表面層(R1)と内部層(R雪)のIR一温度特性
を示すものであり、第2図は同じ<1lI1111(本
発明の範囲内)のR1とR2のIR一温度特性を示すも
のである。これによシ本発明では表面層。
)の表面層(R1)と内部層(R雪)のIR一温度特性
を示すものであり、第2図は同じ<1lI1111(本
発明の範囲内)のR1とR2のIR一温度特性を示すも
のである。これによシ本発明では表面層。
内部層ともにそのIR値が均一であって高い信頼性を有
するものであることがわかる。
するものであることがわかる。
本発明によれば9以上明らかなように、前記の如き配合
O8rT10g 、 PbTiOs 、 Bb(% n
TiO2,Ca’l”+On 。
O8rT10g 、 PbTiOs 、 Bb(% n
TiO2,Ca’l”+On 。
鳩T10sの主組成に対して添加物Coo 、 ceo
21 Altosを前記の如き割合で添加すゐことによ
り、高い誘電率、低損失および高信頼性を有得する高圧
コンデンサ用磁器組成物を提供するととができる。
21 Altosを前記の如き割合で添加すゐことによ
り、高い誘電率、低損失および高信頼性を有得する高圧
コンデンサ用磁器組成物を提供するととができる。
第1図は表1に示す試料に5の表面層(R,)と内部層
(R7)のIR一温度特性図、第2図は同じく試料N1
111のIR一温度特性図、第3図は試料における表面
層と内部層のサンプル取出状態説明図であるO ■・・・・・・表面層 ■・・・・・・内部層特許出願
人 ティ〜ディーケイ株式会社代理人弁理士 山 谷
皓 榮 第1頁の続き 0発 明 者 藤 原 忍 O発明者佐藤 正美 東京都中央区日本橋1丁目13I1号 ティーディーケ
イ株式会社内 東京都中央区日本橋1丁目1旙1号 ティーディーケイ
株式会社内
(R7)のIR一温度特性図、第2図は同じく試料N1
111のIR一温度特性図、第3図は試料における表面
層と内部層のサンプル取出状態説明図であるO ■・・・・・・表面層 ■・・・・・・内部層特許出願
人 ティ〜ディーケイ株式会社代理人弁理士 山 谷
皓 榮 第1頁の続き 0発 明 者 藤 原 忍 O発明者佐藤 正美 東京都中央区日本橋1丁目13I1号 ティーディーケ
イ株式会社内 東京都中央区日本橋1丁目1旙1号 ティーディーケイ
株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 8rTiOs 20.0〜75.0重量%PbTi0.
2.0〜40゜0重量嘔Bi、0snTiOz 2.
0〜38.0重量%ただしn = 1〜5 Ca’l’ its O〜40.0 重量%鳩’rto
、 o〜25.0重量嘔 上記配合組成100部に対して添加物CoO、CeO,
。 M、03の中1種または2種以上を0.05〜3.0重
量%添加することを特徴とする磁器誘電体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4352384A JPS60189107A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 磁器誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4352384A JPS60189107A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 磁器誘電体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60189107A true JPS60189107A (ja) | 1985-09-26 |
JPH05846B2 JPH05846B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=12666103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4352384A Granted JPS60189107A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 磁器誘電体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60189107A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04264307A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
US6266230B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5336698A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Sony Corp | Ceramic composition having high permittivity |
JPS5520609A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Deodorizing apparatus |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP4352384A patent/JPS60189107A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5336698A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Sony Corp | Ceramic composition having high permittivity |
JPS5520609A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Deodorizing apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04264307A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
US6266230B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05846B2 (ja) | 1993-01-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |