JPS6116133B2 - - Google Patents
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- JPS6116133B2 JPS6116133B2 JP57070048A JP7004882A JPS6116133B2 JP S6116133 B2 JPS6116133 B2 JP S6116133B2 JP 57070048 A JP57070048 A JP 57070048A JP 7004882 A JP7004882 A JP 7004882A JP S6116133 B2 JPS6116133 B2 JP S6116133B2
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- Japan
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- dielectric constant
- composition
- present
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- Expired
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明はセラミツクコンデンサおよび電歪素子
などの用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率
磁器組成物に関するものである。 従来、上記の用途には、BaTiO3、BaSnO3、
CaTiO3などを主成分とし、これを種々の添加物
などで変性した磁器が実用化されている。これら
の磁器は、常温付近の誘電率が大きくなると誘電
率の温度変化率が大きくなるものであり、一方、
誘電率の温度変化率が小さくなると誘電率が小さ
くなるものであつて、誘電率が大きく同時に誘電
率の温度変化率の小さい磁器を得ることは困難な
ものであつた。 本発明はこのような欠点を改善し、誘電率が大
きく、かつ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成
物を提供するものである。すなわち、本発明の組
成物はBa〔Ti1-x（Zn1/3Nb2/3）ｘ〕O3（ただ
し、0.01≦ｘ≦0.08）で示される組成（Ba原子の
30％以下をSr原子で置換した組成を含む）より
なることを特徴とする高誘電率磁器組成物であ
る。 誘電材料の具備すべき条件としては、その用途
により異なるが、セラミツクコンデンサおよび電
歪素子などでは誘電率が大きく、かつその温度変
化率の小さいことが要求される。なお、誘電率が
大きいことは素子の小形に重要である。また、広
い温度範囲で安定した特性を得るためには、誘電
率の温度変化率の小さいことが望ましい。本発明
はこのような用途に適する磁器組成物を提供する
ことを目的とする。 以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 実施例 １ 原料としてBaCO3、TiO2、ZnO、Nb2O5および
SiCO3を用いて、これらを下表に示した組成比に
秤量し混合したものを1100℃で２時間仮焼してか
ら、ボールミルで湿式紛砕した。紛砕したものを
乾燥したのち、ポリビニルアルコールの水溶液を
バインダとして直径13mm、長さ約10mmの円柱状に
加圧成形し、これを1250〜1600℃の範囲内の温度
で２時間焼成した。 焼成した磁器を厚さ１mmに切断し、この両面に
Cr−Auを蒸着したのち、誘電率と誘電正接を1K
Hzで、室温において測定した。誘電率の温度変化
率は20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲で測定
した。その結果を下表に示す。
などの用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率
磁器組成物に関するものである。 従来、上記の用途には、BaTiO3、BaSnO3、
CaTiO3などを主成分とし、これを種々の添加物
などで変性した磁器が実用化されている。これら
の磁器は、常温付近の誘電率が大きくなると誘電
率の温度変化率が大きくなるものであり、一方、
誘電率の温度変化率が小さくなると誘電率が小さ
くなるものであつて、誘電率が大きく同時に誘電
率の温度変化率の小さい磁器を得ることは困難な
ものであつた。 本発明はこのような欠点を改善し、誘電率が大
きく、かつ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成
物を提供するものである。すなわち、本発明の組
成物はBa〔Ti1-x（Zn1/3Nb2/3）ｘ〕O3（ただ
し、0.01≦ｘ≦0.08）で示される組成（Ba原子の
30％以下をSr原子で置換した組成を含む）より
なることを特徴とする高誘電率磁器組成物であ
る。 誘電材料の具備すべき条件としては、その用途
により異なるが、セラミツクコンデンサおよび電
歪素子などでは誘電率が大きく、かつその温度変
化率の小さいことが要求される。なお、誘電率が
大きいことは素子の小形に重要である。また、広
い温度範囲で安定した特性を得るためには、誘電
率の温度変化率の小さいことが望ましい。本発明
はこのような用途に適する磁器組成物を提供する
ことを目的とする。 以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 実施例 １ 原料としてBaCO3、TiO2、ZnO、Nb2O5および
SiCO3を用いて、これらを下表に示した組成比に
秤量し混合したものを1100℃で２時間仮焼してか
ら、ボールミルで湿式紛砕した。紛砕したものを
乾燥したのち、ポリビニルアルコールの水溶液を
バインダとして直径13mm、長さ約10mmの円柱状に
加圧成形し、これを1250〜1600℃の範囲内の温度
で２時間焼成した。 焼成した磁器を厚さ１mmに切断し、この両面に
Cr−Auを蒸着したのち、誘電率と誘電正接を1K
Hzで、室温において測定した。誘電率の温度変化
率は20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲で測定
した。その結果を下表に示す。
【表】
上表において、試料１，７は本発明の範囲外の
比較例であり、試料２〜６および試料８〜11は本
発明の実施例である。 上表から明らかなように、本発明の範囲内の組
成物よりなる磁器は、大きな誘電率（3056〜
6472）と比較的小さな誘電率の温度変化率（−25
〜85℃の温度範囲で−39〜37％）を示す。また、
本発明の範囲内の組成物は誘電正接も小さい特徴
がある。 以上のように、本発明の組成物を誘電率が大き
く、かつその温度変化率が小さいため、セラミツ
クコンデンサ材料として有用である。また、本発
明の組成物は誘電正接の小さいことも一つの特徴
である。 実施例 ２ 実施例１に記載した方法で作製した円板状試料
の両電極間に電圧（0.01Hz）を印加し、そのとき
の試料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて
測定した。測定は試料をシリコン油中につけて行
なつた。試料４，９では、印加電圧が20KV／cm
の場合に電歪はそれぞれ0.61×10-3と0.53×10-3
であつた。また、この歪には両者ともヒステリシ
スがほとんど認められなかつた。 以上のように、本発明の組成物では電歪が大き
く、かつ、歪のヒステリシスのほとんどない材料
が得られるため、VTRオートトラツキング用ヘ
ツド駆動素子、ミラー制御素子などの変位素子に
適した組成物である。 なお、本発明でｘが0.01未満とｘが0.08を越え
る組成およびSrの置換量が30％を越える組成は
誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除
き、本発明の範囲は誘電率が3000以上の組成に限
定した。
比較例であり、試料２〜６および試料８〜11は本
発明の実施例である。 上表から明らかなように、本発明の範囲内の組
成物よりなる磁器は、大きな誘電率（3056〜
6472）と比較的小さな誘電率の温度変化率（−25
〜85℃の温度範囲で−39〜37％）を示す。また、
本発明の範囲内の組成物は誘電正接も小さい特徴
がある。 以上のように、本発明の組成物を誘電率が大き
く、かつその温度変化率が小さいため、セラミツ
クコンデンサ材料として有用である。また、本発
明の組成物は誘電正接の小さいことも一つの特徴
である。 実施例 ２ 実施例１に記載した方法で作製した円板状試料
の両電極間に電圧（0.01Hz）を印加し、そのとき
の試料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて
測定した。測定は試料をシリコン油中につけて行
なつた。試料４，９では、印加電圧が20KV／cm
の場合に電歪はそれぞれ0.61×10-3と0.53×10-3
であつた。また、この歪には両者ともヒステリシ
スがほとんど認められなかつた。 以上のように、本発明の組成物では電歪が大き
く、かつ、歪のヒステリシスのほとんどない材料
が得られるため、VTRオートトラツキング用ヘ
ツド駆動素子、ミラー制御素子などの変位素子に
適した組成物である。 なお、本発明でｘが0.01未満とｘが0.08を越え
る組成およびSrの置換量が30％を越える組成は
誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除
き、本発明の範囲は誘電率が3000以上の組成に限
定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ba〔Ti1-x（Zn1/3Nb2/3）ｘ〕O3、（ただ
し、0.01≦ｘ≦0.08）で示される組成よりなるこ
とを特徴とする高誘電率磁器組成物。 ２ Ba原子の30％以下をSr原子で置換したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高誘電
率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070048A JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070048A JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188004A JPS58188004A (ja) | 1983-11-02 |
| JPS6116133B2 true JPS6116133B2 (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=13420287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070048A Granted JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188004A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4640905A (en) * | 1985-05-01 | 1987-02-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
| JPS63156062A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-06-29 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP57070048A patent/JPS58188004A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58188004A (ja) | 1983-11-02 |
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