JPS59105206A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS59105206A JPS59105206A JP57214864A JP21486482A JPS59105206A JP S59105206 A JPS59105206 A JP S59105206A JP 57214864 A JP57214864 A JP 57214864A JP 21486482 A JP21486482 A JP 21486482A JP S59105206 A JPS59105206 A JP S59105206A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- temperature
- porcelain composition
- composition
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックコンデンサ用材料に適した焼結温度
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
従来例の構成と問題点
誘電材料の具備すべき特性は用途により異なるが、セラ
ミックコンデンサでは誘電率が大き□く、かつ焼結温度
の低いことが要求される。誘電率が大きいことは素子の
小形化にとって重要な条件である。焼結温度の低いこと
は、磁器材料の焼成の際に、焼成炉の炉材に安価なもの
を使用で・きることおよび焼成のエネルギーが少なくて
すむことなど工業的価値が大きい。また、積層型セラミ
ックコンデンサに於いて、焼結温度が低いと内部電極と
して銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用いるこ
とができるため、コンデンサの価格を著しく下げること
ができる。
ミックコンデンサでは誘電率が大き□く、かつ焼結温度
の低いことが要求される。誘電率が大きいことは素子の
小形化にとって重要な条件である。焼結温度の低いこと
は、磁器材料の焼成の際に、焼成炉の炉材に安価なもの
を使用で・きることおよび焼成のエネルギーが少なくて
すむことなど工業的価値が大きい。また、積層型セラミ
ックコンデンサに於いて、焼結温度が低いと内部電極と
して銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用いるこ
とができるため、コンデンサの価格を著しく下げること
ができる。
従来、高誘電率のセラミックコンデンサ用材料としては
、チタン酸バリウム系磁器が用いられてきた。しかし、
この材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と高いため
、積層セラミックコンデンサを製造する場合には、その
焼結温度に適した高価な白金またはパラジウムを主成分
とする内部電極を使用しなければならないという欠点が
あった。
、チタン酸バリウム系磁器が用いられてきた。しかし、
この材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と高いため
、積層セラミックコンデンサを製造する場合には、その
焼結温度に適した高価な白金またはパラジウムを主成分
とする内部電極を使用しなければならないという欠点が
あった。
発明の目的
本発明は上記の欠点を改害し、焼結温度が１０００℃以
下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供するも
のである。
下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供するも
のである。
発明の構成
本発明の組成物は、Ｐ ｂ （Ｎ ｌ １ ／３ Ｎ
ｂ ２７３）ｘ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／／−３）ｙ（Ｆｅ
１７２Ｎｂ１／２）２０３で表わされる組成物において
組成比が０．１５≦Ｘ≦０．５５ 、０．０５≦ｙ≦０
．６５，０．０５≦２≦０．７０（ただし、ｘ＋ｙ＋’
ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高誘電率磁器
組成物である。
ｂ ２７３）ｘ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／／−３）ｙ（Ｆｅ
１７２Ｎｂ１／２）２０３で表わされる組成物において
組成比が０．１５≦Ｘ≦０．５５ 、０．０５≦ｙ≦０
．６５，０．０５≦２≦０．７０（ただし、ｘ＋ｙ＋’
ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高誘電率磁器
組成物である。
実施例の説明
原料として＋ Ｐ ｂ Ｏｒ Ｎ’ １０ ｔ Ｚ ｎ
Ｏｒ Ｆ ｅ ２０３ ＋Ｎｂ２Ｏ３を用いて、これ
らを下表に示した組成比に秤量し湿式で混合し、これを
乾燥後７５０℃で２時間仮焼したのち、ボールミルで湿
式粉砕した。
Ｏｒ Ｆ ｅ ２０３ ＋Ｎｂ２Ｏ３を用いて、これ
らを下表に示した組成比に秤量し湿式で混合し、これを
乾燥後７５０℃で２時間仮焼したのち、ボールミルで湿
式粉砕した。
乾燥後、ポリビニルアルコールの水溶液をバインダとし
て直径１３語、長さ約８ｗ１ｂの円柱状に加圧成形し、
バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器に入
れて９４０〜１０４０℃の範囲内の温度で２時間焼成し
た。焼成した磁器を厚さ１語に切断し、この両面にＣｒ
−Ａ ｕを蒸着したのち誘電率εｒと誘電正接りをＩ
Ｋ）ｉｚ 、 Ｉ Ｖ／ｍＡで室温に於いて測定した
。εｒの温度変化率は２０℃を基準として一２５℃〜８
６℃の範囲で測定した。
て直径１３語、長さ約８ｗ１ｂの円柱状に加圧成形し、
バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器に入
れて９４０〜１０４０℃の範囲内の温度で２時間焼成し
た。焼成した磁器を厚さ１語に切断し、この両面にＣｒ
−Ａ ｕを蒸着したのち誘電率εｒと誘電正接りをＩ
Ｋ）ｉｚ 、 Ｉ Ｖ／ｍＡで室温に於いて測定した
。εｒの温度変化率は２０℃を基準として一２５℃〜８
６℃の範囲で測定した。
以下余白
○印は比較例。
上表でＩＫ、 １ ？ ３ ｐ ５ ） ９ Ｈ１６、
１８の試料は本発明の範囲外のものであり、１ｆｏ２Ｈ
４ｔ ｅ〜８゜１０〜１５，１７の試料は本発明の範囲
内の実施例である。
１８の試料は本発明の範囲外のものであり、１ｆｏ２Ｈ
４ｔ ｅ〜８゜１０〜１５，１７の試料は本発明の範囲
内の実施例である。
上表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物より
なる磁器は大きな誘電率（７５８０〜１４４８０）を示
すとともに焼成温度が９４０〜１０００℃であシ、低い
温度で焼結できるものである。また、誘電正接りが小さ
いこと、誘電率εｒの温度変化率が小さいことなどの特
長を示している。
なる磁器は大きな誘電率（７５８０〜１４４８０）を示
すとともに焼成温度が９４０〜１０００℃であシ、低い
温度で焼結できるものである。また、誘電正接りが小さ
いこと、誘電率εｒの温度変化率が小さいことなどの特
長を示している。
なお、３Ｃ＜０．１５．ｘ＞ｏ、ｒｓ５，７＜０．０５
゜ｙ〉０．６５およびｚ）０．７０の範囲の組成は誘電
率が比較的小さいため、またｚ＜０．０５の範囲の組成
は焼成温度が高いため本発明の範囲から除き、本発明の
範囲は誘電率が７６００以上で、誘電率の温度変化率が
±４０％以下で、かつ焼成温度が１０００℃以下の組成
に限定した。
゜ｙ〉０．６５およびｚ）０．７０の範囲の組成は誘電
率が比較的小さいため、またｚ＜０．０５の範囲の組成
は焼成温度が高いため本発明の範囲から除き、本発明の
範囲は誘電率が７６００以上で、誘電率の温度変化率が
±４０％以下で、かつ焼成温度が１０００℃以下の組成
に限定した。
発明の効果
本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温度変化率
と誘電正接が比較的小さいだめ、セラミックコンデンサ
用材料に適しているとともに、１０００℃以下の低い温
贋で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを使用
できることおよび焼成のエネルギーが少なくてすむこと
など工業的価値が大きい。積層型セラミックコンデンサ
に用い／ζ場合には、焼結温度が低いため、比較的安価
な銀系などの内部電極を用いることができ、それによっ
てコンデンサの価格を下げることができるので工業上の
利益は大きい。
と誘電正接が比較的小さいだめ、セラミックコンデンサ
用材料に適しているとともに、１０００℃以下の低い温
贋で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを使用
できることおよび焼成のエネルギーが少なくてすむこと
など工業的価値が大きい。積層型セラミックコンデンサ
に用い／ζ場合には、焼結温度が低いため、比較的安価
な銀系などの内部電極を用いることができ、それによっ
てコンデンサの価格を下げることができるので工業上の
利益は大きい。
Claims (1)
- Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）・（２・１／３Ｎｂ２／
３ ）７（Ｆｅ１ ／２Ｎｂ１／２ ）ｚ Ｏ３で表わ
される組成物において組成比が０．１５≦Ｘ≦０．６６
２，０．０５≦ｙ≦０．６６および０．０５≦２≦０．
７０ （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあること
を特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214864A JPS59105206A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214864A JPS59105206A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105206A true JPS59105206A (ja) | 1984-06-18 |
Family
ID=16662817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214864A Pending JPS59105206A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0236626A1 (en) * | 1986-02-08 | 1987-09-16 | Stc Plc | Ceramic capacitor and dielectric compositions |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57214864A patent/JPS59105206A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0236626A1 (en) * | 1986-02-08 | 1987-09-16 | Stc Plc | Ceramic capacitor and dielectric compositions |
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