JPS6155805A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6155805A JPS6155805A JP59177786A JP17778684A JPS6155805A JP S6155805 A JPS6155805 A JP S6155805A JP 59177786 A JP59177786 A JP 59177786A JP 17778684 A JP17778684 A JP 17778684A JP S6155805 A JPS6155805 A JP S6155805A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- solid solution
- dielectric
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電体磁器組成物、特にコンデンサ用誘電体磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
従来例の構成とその問題点
セラミックコンデンサ用の高評電率を有する誘電体磁器
組成物を作るための材料として、チタン酸バリウム系の
材料が広く使用されている。
組成物を作るための材料として、チタン酸バリウム系の
材料が広く使用されている。
この系の材料を用いた従来の銹電体磁器組成物の比誘電
率は、その温度特性と密接な関係にあり−Ｊ工Ｓ規格に
定められたＹ級Ｆ特性（−２５°Ｃ〜８５°Ｃの温度範
囲で誘電率の温度変化が２０°Ｃの値を基準にして＋３
０％〜−８０％以内）を満たす磁器組成物では１０００
０程度、Ｙ級り特性（上記条件で＋２０％〜−３０％以
内）では４０００程度％Ｙ ＲＢ特性（上記条件で±１
０％以内）では１０００程度である０かかるチタン酸バ
リウム系の材料を用いた誘電体＃ｉ磁器組成物、その誘
電損失ｔａｎδも低く、寿命特性等その他の緒特性も優
れているが、その焼成には１２００〜１４００℃という
相当高い温度を必要とする。このためチタン酸バリウム
系の材料からなる組成物からセラミックコンデンサを作
るときには、内部電極として高価な白金またはパラジウ
ム系のＩＥ極が必要となる。
率は、その温度特性と密接な関係にあり−Ｊ工Ｓ規格に
定められたＹ級Ｆ特性（−２５°Ｃ〜８５°Ｃの温度範
囲で誘電率の温度変化が２０°Ｃの値を基準にして＋３
０％〜−８０％以内）を満たす磁器組成物では１０００
０程度、Ｙ級り特性（上記条件で＋２０％〜−３０％以
内）では４０００程度％Ｙ ＲＢ特性（上記条件で±１
０％以内）では１０００程度である０かかるチタン酸バ
リウム系の材料を用いた誘電体＃ｉ磁器組成物、その誘
電損失ｔａｎδも低く、寿命特性等その他の緒特性も優
れているが、その焼成には１２００〜１４００℃という
相当高い温度を必要とする。このためチタン酸バリウム
系の材料からなる組成物からセラミックコンデンサを作
るときには、内部電極として高価な白金またはパラジウ
ム系のＩＥ極が必要となる。
一方安価な銀糸の電極が使用できる焼成温度の低い誘電
体組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ３／！Ｎｂｙ、 ）０３
。
体組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ３／！Ｎｂｙ、 ）０３
。
Ｐｂ（ｌｌ’ｅｐ、Ｗｙｓ）Ｏｓ、Ｐｂ （Ｍｇｙ、Ｍ
ｙ、 ）Ｏｓ、Ｐｂ （Ｚｎｙ、Ｎｂｙ、）Ｏｓ等の複
合酸化物を組合せた誘電体組成物が知られている。この
糸の材料からなる誘電体組成物は、誘電率の温度変化が
大きく、小さい温度変化率が要求される前述したＹ級Ｂ
特性のものは知られていない。またこの種の誘電体組成
物で大きい比誘電率を示すものは、焼成後の粒径が大き
いため機械的強度が小さく、実用上さまざまな問題が発
生することがある。
ｙ、 ）Ｏｓ、Ｐｂ （Ｚｎｙ、Ｎｂｙ、）Ｏｓ等の複
合酸化物を組合せた誘電体組成物が知られている。この
糸の材料からなる誘電体組成物は、誘電率の温度変化が
大きく、小さい温度変化率が要求される前述したＹ級Ｂ
特性のものは知られていない。またこの種の誘電体組成
物で大きい比誘電率を示すものは、焼成後の粒径が大き
いため機械的強度が小さく、実用上さまざまな問題が発
生することがある。
従って焼成温度が低くて、電極として白金系またはパラ
ジウム系電極材料を使用しないですみ、すぐれた温度特
性を有し、かつ機械的強度がすぐれた誘電体磁器組成物
が得られるならばその工業的価値が大であることは明ら
かである。
ジウム系電極材料を使用しないですみ、すぐれた温度特
性を有し、かつ機械的強度がすぐれた誘電体磁器組成物
が得られるならばその工業的価値が大であることは明ら
かである。
発明の目的
本発明は、焼成温度が９００〜１１００°Ｃと低く、か
つＪ工Ｓ規格で定められたＹ級り特性またはＹ級Ｂ特性
の温度変化率を有する誘電体磁器組成物であって、しか
も前記チタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物と同等の
比誘電率を有するコンデンサ用誘電体磁器組成物を提供
することにある。
つＪ工Ｓ規格で定められたＹ級り特性またはＹ級Ｂ特性
の温度変化率を有する誘電体磁器組成物であって、しか
も前記チタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物と同等の
比誘電率を有するコンデンサ用誘電体磁器組成物を提供
することにある。
発明のＩＩη成
本発明のコンデンサ用誘電体磁器組成物は１Ｐｂ （Ｆ
ｅｙ、Ｗｙｓ）Ｏｓ、ｐｂ（Ｍｇｐ、”Ｒ”’、Ｐｂ（
Ｚｎｙ、Ｗｙ、 ）ＯｘおよびＰｂ （Ｍｉｙ、−）Ｏ
ｎよりなる群より選択した少なくとも１種のタングステ
ン含有化合物と、Ｐｂ（ＦｅＨＭｂｙ、 ）Ｏｘ ｓ
Ｐｂ（Ｚｎｙ、Ｈｂｙ、 ）Ｏｓ、Ｐｂ （ＭｇＨＮｂ
３４ ）Ｏ！およびＰｂ（Ｎｉｐ、Ｎｂ５ｚ、 ）ｏｓ
よりなる群より選択した少なくとも１種以上のニオブ含
有化合物とを含有する固溶体である第１成分５０〜９０
モル％１およびＢａＴｉＯｓを主成分とする固溶体であ
る第２成分５０〜１０モル％からなる。
ｅｙ、Ｗｙｓ）Ｏｓ、ｐｂ（Ｍｇｐ、”Ｒ”’、Ｐｂ（
Ｚｎｙ、Ｗｙ、 ）ＯｘおよびＰｂ （Ｍｉｙ、−）Ｏ
ｎよりなる群より選択した少なくとも１種のタングステ
ン含有化合物と、Ｐｂ（ＦｅＨＭｂｙ、 ）Ｏｘ ｓ
Ｐｂ（Ｚｎｙ、Ｈｂｙ、 ）Ｏｓ、Ｐｂ （ＭｇＨＮｂ
３４ ）Ｏ！およびＰｂ（Ｎｉｐ、Ｎｂ５ｚ、 ）ｏｓ
よりなる群より選択した少なくとも１種以上のニオブ含
有化合物とを含有する固溶体である第１成分５０〜９０
モル％１およびＢａＴｉＯｓを主成分とする固溶体であ
る第２成分５０〜１０モル％からなる。
なお上記本発明による誘電体磁器組成物において、誘電
損失ｔａｎδはＭｎＯ，を添加することにより改良され
るのでこれを添加するのが好ましい。ただし、ＭｎＯ！
の添加は０．２重量％程度でｔａｎδは１％以下となる
が１重量％を越えると再びｔＬｎδは大きくなるので、
Ｍｎ０１の添加量は１重量％以下にするのが好ましい。
損失ｔａｎδはＭｎＯ，を添加することにより改良され
るのでこれを添加するのが好ましい。ただし、ＭｎＯ！
の添加は０．２重量％程度でｔａｎδは１％以下となる
が１重量％を越えると再びｔＬｎδは大きくなるので、
Ｍｎ０１の添加量は１重量％以下にするのが好ましい。
上記第２成分であるＢａＴｉＯｓを主成分とする固溶体
としては、他にＳｒ ｓ Ｚｒ ｓ Ｓｎを含有する固
溶体を使用できる。例えはＢａ １−Ｘ ５ｒｘＴｉＯ
ｓ （ｘは０＜ｘ≦０．２である） Ｎ ＢａＴｉ１
−ｙｚｒｙ０３ （７は０＜ｙ≦０，１５である）お
よびＢａ’Ｉ’１１−Ｚ ｓｎ、ｏ ３（２はＯ（ｚ≦
０．１である）を使用できる。
としては、他にＳｒ ｓ Ｚｒ ｓ Ｓｎを含有する固
溶体を使用できる。例えはＢａ １−Ｘ ５ｒｘＴｉＯ
ｓ （ｘは０＜ｘ≦０．２である） Ｎ ＢａＴｉ１
−ｙｚｒｙ０３ （７は０＜ｙ≦０，１５である）お
よびＢａ’Ｉ’１１−Ｚ ｓｎ、ｏ ３（２はＯ（ｚ≦
０．１である）を使用できる。
上記第１成分中にタングステン含有成分を含有しない場
合には形成される誘電体磁器組成物の焼成温度が１１０
０°Ｃを越えてしまい好ましくない。またニオブ含有成
分を含有しない場合には誘電率が小さくなりチタンがバ
リウム系の誘電体磁器と同等の比誘電率が得られないの
で好ましくない。
合には形成される誘電体磁器組成物の焼成温度が１１０
０°Ｃを越えてしまい好ましくない。またニオブ含有成
分を含有しない場合には誘電率が小さくなりチタンがバ
リウム系の誘電体磁器と同等の比誘電率が得られないの
で好ましくない。
上記第１成分が５０モル％未満、従って第２成分が５０
モル％を越えると焼成温度が１１００°Ｃを越え好まし
くない。また上記第１成分が９０モル％を越えると、従
って第２成分が１０モル％未満となると８５℃の誘電率
の変化が大きくなるため好ましくない。
モル％を越えると焼成温度が１１００°Ｃを越え好まし
くない。また上記第１成分が９０モル％を越えると、従
って第２成分が１０モル％未満となると８５℃の誘電率
の変化が大きくなるため好ましくない。
また第２成分においてＢａＴｉ０３の含有率か少なくな
ると例えばＳｒ、Ｚｒ４Ｓｉ成分が大となると誘電率の
温度変化率が大きくなるので好ましくない０ 本発明の誘電体ｓ器組成物を作るに当っては従来より知
られている任意の方法を使用できるＯ実施例の説明 以下に実施例を拳けて本発明を説明する０実施例 表１に示す各試料の第１成分を１それぞれ化学的に純粋
なＰｂＯｓ ＩＩ′ｅ １０３−、 Ｍ、ｇＯｌＺｎＯ
ｌＮｉＯｌＷＯ。
ると例えばＳｒ、Ｚｒ４Ｓｉ成分が大となると誘電率の
温度変化率が大きくなるので好ましくない０ 本発明の誘電体ｓ器組成物を作るに当っては従来より知
られている任意の方法を使用できるＯ実施例の説明 以下に実施例を拳けて本発明を説明する０実施例 表１に示す各試料の第１成分を１それぞれ化学的に純粋
なＰｂＯｓ ＩＩ′ｅ １０３−、 Ｍ、ｇＯｌＺｎＯ
ｌＮｉＯｌＷＯ。
およびＮｂ！Ｏｓを用いて表１の各第１成分の組成にな
るように秤量した。
るように秤量した。
また別に表１に示す各試料の第２成分を、それぞれ化学
的に純粋なりａ００３．５ｒＯ０３、ＴｌＯ２、ＺｒＯ
１およびＳｍｏｇを用いて表１の各第２成分の組成にな
るように秤量した。更に本実施例の誘電体磁器組成物で
はＭｎＯ２を表１に示す割合で含有させた。
的に純粋なりａ００３．５ｒＯ０３、ＴｌＯ２、ＺｒＯ
１およびＳｍｏｇを用いて表１の各第２成分の組成にな
るように秤量した。更に本実施例の誘電体磁器組成物で
はＭｎＯ２を表１に示す割合で含有させた。
各試料の組成割合になるように上記各成分をポリエチレ
ンのポットに入れ、更に純水とめのう玉石を入れ、１５
時間攪拌混合し、めのう玉石を除き乾燥した後、６５０
〜８５０°Ｃで予備４Ｉｌ）焼した。この烟焼物を再び
ポリエチレンポットに入れて再び純水とめのう玉石を入
れて１５時間粉砕し、めのう玉石を除いた後乾燥した０
その後各乾燥試料にポリビニルアルコール水溶液をバイ
ンダーとして加え、直径１３闘九高さ１０ｍの円柱状に
加圧成形し、バインダーを焼却した後・マグネシア容器
に入れ、表１に示す如き焼成温度で各試料を焼成した。
ンのポットに入れ、更に純水とめのう玉石を入れ、１５
時間攪拌混合し、めのう玉石を除き乾燥した後、６５０
〜８５０°Ｃで予備４Ｉｌ）焼した。この烟焼物を再び
ポリエチレンポットに入れて再び純水とめのう玉石を入
れて１５時間粉砕し、めのう玉石を除いた後乾燥した０
その後各乾燥試料にポリビニルアルコール水溶液をバイ
ンダーとして加え、直径１３闘九高さ１０ｍの円柱状に
加圧成形し、バインダーを焼却した後・マグネシア容器
に入れ、表１に示す如き焼成温度で各試料を焼成した。
得られた各焼成試料を１票の厚さに切断し、両面に焼成
試料の誘電的特性を測定するため０ｒ−Ａｕを蒸着して
電極を形成し、それぞれの試料について、ＩＫＨｚ ｓ
ｌ Ｖ ／ Ｈの電界で２０℃での比誘電率、ｔａｎ
δおよび一２５℃〜８５°Ｃでの比誘電率の温度変化率
を測定した。これらの結果を表１に示す。
試料の誘電的特性を測定するため０ｒ−Ａｕを蒸着して
電極を形成し、それぞれの試料について、ＩＫＨｚ ｓ
ｌ Ｖ ／ Ｈの電界で２０℃での比誘電率、ｔａｎ
δおよび一２５℃〜８５°Ｃでの比誘電率の温度変化率
を測定した。これらの結果を表１に示す。
上記表１中米印を付したものは本発明の範囲外の試料で
ある。上記表１のデータから明らかな如く、本発明によ
るＦ［体磁器組成物は１１００℃以下で焼成でき、この
ため、銀等の安価な内部電極材料を使用できることが判
る。また比誘電率は従来の材料から作られたものと同等
であり、しかも−２５℃〜８５℃の温度範囲で、２０℃
の時の値を基準とする誘電率範囲が一３０％以内であり
、ＪＩＳ規格に定められたｙａＤ特性を全てが満足し、
さらに±１０％以内であるＹ級Ｂ特性を満すものも得ら
れることが判る。
ある。上記表１のデータから明らかな如く、本発明によ
るＦ［体磁器組成物は１１００℃以下で焼成でき、この
ため、銀等の安価な内部電極材料を使用できることが判
る。また比誘電率は従来の材料から作られたものと同等
であり、しかも−２５℃〜８５℃の温度範囲で、２０℃
の時の値を基準とする誘電率範囲が一３０％以内であり
、ＪＩＳ規格に定められたｙａＤ特性を全てが満足し、
さらに±１０％以内であるＹ級Ｂ特性を満すものも得ら
れることが判る。
上記表１の本発明の範囲外の試料のデータからＰｂ（Ｆ
ａｙ、 ＷＶ、） ｏ、、Ｐ ｂ （Ｍ ８＋ｈＷ＋７
． ） Ｏｓ、Ｐｂ（Ｚｎ嗅Ｗ、７．）Ｏ。
ａｙ、 ＷＶ、） ｏ、、Ｐ ｂ （Ｍ ８＋ｈＷ＋７
． ） Ｏｓ、Ｐｂ（Ｚｎ嗅Ｗ、７．）Ｏ。
およびＰｂ（Ｎｉ、、、Ｗ、ρＯ１、即ち第１成分中の
タングステン含有成分を含まぬ計料は焼成温度が１１０
０℃以上となる（試料番号１２参照）。また第２成分Ｂ
ａ’Ｉ’１０３を主成分とする成分が５０モル％を越え
ると、この場合にも焼成温度が１１００℃、 を越え
てしまう（試料番号１５，２１．２６参照）。また第２
成分中、Ｓｒ 、 Ｚｒ“、Ｓｎが各々０．２ 、０．
１５ 、０．１を越えると誘電率の温度変 。
タングステン含有成分を含まぬ計料は焼成温度が１１０
０℃以上となる（試料番号１２参照）。また第２成分Ｂ
ａ’Ｉ’１０３を主成分とする成分が５０モル％を越え
ると、この場合にも焼成温度が１１００℃、 を越え
てしまう（試料番号１５，２１．２６参照）。また第２
成分中、Ｓｒ 、 Ｚｒ“、Ｓｎが各々０．２ 、０．
１５ 、０．１を越えると誘電率の温度変 。
化率が一３０％以上となる（試料番号３０．３３゜３６
参照）０ 発明の効果 以上述べた如くＮ本発明による誘電体磁器組成物はすぐ
れた温度特性を有し、また焼成温度を低くできるため、
安価な銀の如き内部電極材料を使用した積層型セラミッ
クコンデンサを作成することができる。
参照）０ 発明の効果 以上述べた如くＮ本発明による誘電体磁器組成物はすぐ
れた温度特性を有し、また焼成温度を低くできるため、
安価な銀の如き内部電極材料を使用した積層型セラミッ
クコンデンサを作成することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３）Ｏ＿３、
Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ
（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３およびＰｂ
（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３よりなる群
より選択した少なくとも１種のタングステン含有化合物
と、Ｐｂ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３
Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐ
ｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３および
Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３より
なる群より選択した少なくとも１種以上のニオブ含有化
合物とを含有する固溶体である第１成分５０〜９０モル
％、およびＢａＴｉＯ＿３を主成分とする固溶体である
第２成分５０〜１０モル％からなることを特徴とするコ
ンデンサ用誘電磁器組成物。 ２、第２成分のＢａＴｉＯ＿３を主成分とする固溶体が
ＢａＴｉＯ＿３１００％の固溶体である特許請求の範囲
第１項記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ３、第２成分のＢａＴｉＯ＿３を主成分とする固溶体が
Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＴｉＯ＿３（式中ｘは０＜ｘ
≦０．２である）で表わされる固溶体である特許請求の
範囲第１項記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ４、第２成分のＢａＴｉＯ＿３を主成分とする固溶体が
ＢａＴｉ＿１＿−＿ｙＺｒ＿ｙＯ＿３（式中ｙは０＜ｙ
≦０．１５である）で表わされる固溶体である特許請求
の範囲第１項記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ５、第２成分のＢａＴｉＯ＿３を主成分とする固溶体が
ＢａＴｉ＿１＿−＿ｚＳｎ＿ｚＯ＿３（式中ｚは０＜ｚ
≦０．１である）で表わされる固溶体である特許請求の
範囲第１項記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ６、更にＭｎＯ＿２を１重量算以下含有する特許請求の
範囲第１項〜第５項の何れか一つに記載のコンデンサ用
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177786A JPS6155805A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177786A JPS6155805A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155805A true JPS6155805A (ja) | 1986-03-20 |
| JPH0510763B2 JPH0510763B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=16037076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59177786A Granted JPS6155805A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155805A (ja) |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP59177786A patent/JPS6155805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510763B2 (ja) | 1993-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |