JPS6050007B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6050007B2 JPS6050007B2 JP57214867A JP21486782A JPS6050007B2 JP S6050007 B2 JPS6050007 B2 JP S6050007B2 JP 57214867 A JP57214867 A JP 57214867A JP 21486782 A JP21486782 A JP 21486782A JP S6050007 B2 JPS6050007 B2 JP S6050007B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- high dielectric
- porcelain composition
- sintering temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックコンデンサ用材料に適した焼結温
度の低い高誘電率磁器組成物に関するものてある。
度の低い高誘電率磁器組成物に関するものてある。
従来例の構成とその問題点
誘電材料の具備すべき特性は用途により異なるが、セ
ラミックコンデンサでは誘電率が大きく、かつ焼結温度
の低いことが要求される。
ラミックコンデンサでは誘電率が大きく、かつ焼結温度
の低いことが要求される。
誘電率が大きいことは素子の小形化にとつて重要な条件
である。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際に
、焼成炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼
成のエネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。また、積層型セラミックコンデンサにおいて、焼
結温度が低いと内部電極として銀を主成分とする比較的
安価な電極材料を用いることができるため、コンデンサ
の価格を著しく下げることができる。 従来、高誘電率
のセラミックコンデンサ用材料としては、チタン酸バリ
ウム系磁器が用いられてきた。
である。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際に
、焼成炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼
成のエネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。また、積層型セラミックコンデンサにおいて、焼
結温度が低いと内部電極として銀を主成分とする比較的
安価な電極材料を用いることができるため、コンデンサ
の価格を著しく下げることができる。 従来、高誘電率
のセラミックコンデンサ用材料としては、チタン酸バリ
ウム系磁器が用いられてきた。
しかし、この材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と
高いため、積層セラミックコンデンサを製造する場合に
は、その焼結温度に適した高価な白金またはパラジウム
を主成分とする内部電極を使用しなければならないとい
う欠点があつた。発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が１０００℃
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
ものである。
高いため、積層セラミックコンデンサを製造する場合に
は、その焼結温度に適した高価な白金またはパラジウム
を主成分とする内部電極を使用しなければならないとい
う欠点があつた。発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が１０００℃
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
ものである。
発明の構成
本発明の組成物は、Ｐｂ（Ｎｉ、Ｉ。
Ｎｂ。１３）ｘ（Ｚｎ、Ｉ。
Ｎｂ。Ｉ０）、（Ｍｇ、Ｉ。Ｎｂ。Ｉ。）２Ｏ３で表わ
される組成物において組成比が０．０１≦ｘ≦０．６０
、０．１０≦ｙ≦０．６５、０．０５≦ｚ≦０．８９（
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴と
する高誘電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料
として、ＰｂＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＮＹ）２０
、を用いて、これらを下表に示した組成比に秤量し湿式
で混合し、これを乾燥後７５０℃で２時間仮焼したのち
、ボールミルで湿式粉砕した。
される組成物において組成比が０．０１≦ｘ≦０．６０
、０．１０≦ｙ≦０．６５、０．０５≦ｚ≦０．８９（
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴と
する高誘電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料
として、ＰｂＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＮＹ）２０
、を用いて、これらを下表に示した組成比に秤量し湿式
で混合し、これを乾燥後７５０℃で２時間仮焼したのち
、ボールミルで湿式粉砕した。
乾燥後、ポリビニルアルコールの水溶液をバインダとし
て直径１３ＴＷＥ）長さ約８Ｔｎｍの円柱状に加圧変形
し、バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器
に入れて８８０〜１０８０℃の範囲内の温度で２時間焼
、成した。焼成した磁器を厚さｌｗｒｍに切断し、この
両面にＣｒ−Ａｕを蒸着したのち誘電率Ｅｒと誘電正接
ＤをｌＫＨ２、ＩＶ／−で室温において測定した。εｒ
の温度変化率は２０℃を基準として−２５#aＣ〜８５゜
Ｃの範囲て測定した。その結果を下表に示＊８す。上表
てＮＯ．ｌ，９，ｌＯ，ｌ５，ｌ８の試料は本発明の範
囲外のものであり、ＮＯ．２〜８，１１〜１４，１６，
１７の試料は本発明の実施例である。
て直径１３ＴＷＥ）長さ約８Ｔｎｍの円柱状に加圧変形
し、バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器
に入れて８８０〜１０８０℃の範囲内の温度で２時間焼
、成した。焼成した磁器を厚さｌｗｒｍに切断し、この
両面にＣｒ−Ａｕを蒸着したのち誘電率Ｅｒと誘電正接
ＤをｌＫＨ２、ＩＶ／−で室温において測定した。εｒ
の温度変化率は２０℃を基準として−２５#aＣ〜８５゜
Ｃの範囲て測定した。その結果を下表に示＊８す。上表
てＮＯ．ｌ，９，ｌＯ，ｌ５，ｌ８の試料は本発明の範
囲外のものであり、ＮＯ．２〜８，１１〜１４，１６，
１７の試料は本発明の実施例である。
上表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物より
なる磁器は大きな誘電率（６２５０〜１４１５０）を示
すとともに焼結温度が８８０〜１０００℃であり、低い
温度で焼結できるものである。
なる磁器は大きな誘電率（６２５０〜１４１５０）を示
すとともに焼結温度が８８０〜１０００℃であり、低い
温度で焼結できるものである。
また、誘電正接Ｄが小さいこと，誘電率εｒの温度変化
率が小さいことなどの特長を示している。なお、Ｘ〈０
．０１，ｘ〉０．６０，ｚ〈０．０５，ｚ〉０．８９の
範囲の組成物は焼結温度が１０００℃を超えるため、ま
た、ｙ＜０．１０，ｙ〉０．６５の範囲では誘電率の比
較的小さい組成があるため、本発明の範囲−から除き、
本発明の範囲は焼結温度が１０００℃以下で室温の誘電
率が６０００以上の組成に限定した。
率が小さいことなどの特長を示している。なお、Ｘ〈０
．０１，ｘ〉０．６０，ｚ〈０．０５，ｚ〉０．８９の
範囲の組成物は焼結温度が１０００℃を超えるため、ま
た、ｙ＜０．１０，ｙ〉０．６５の範囲では誘電率の比
較的小さい組成があるため、本発明の範囲−から除き、
本発明の範囲は焼結温度が１０００℃以下で室温の誘電
率が６０００以上の組成に限定した。
発明の効果本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の
温度変化率と誘電正接が比較的小さいため、セラミック
コンデンサ用材料に適しているとともに、１０００℃以
下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価な
ものを使用できることおよび焼成のエネルギーが少なく
てすむことなど工業的価値が大きいものである。
温度変化率と誘電正接が比較的小さいため、セラミック
コンデンサ用材料に適しているとともに、１０００℃以
下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価な
ものを使用できることおよび焼成のエネルギーが少なく
てすむことなど工業的価値が大きいものである。
Claims (1)
- １ Ｐｂ（Ｎｉ＿１／＿３Ｎｂ＿２／＿３）＿ｘ（Ｚｎ
＿１／＿３Ｎｂ＿２／＿３）＿ｙ（Ｍｇ＿１／＿３Ｎｂ
＿２／＿３）＿ｚＯ＿３で表わされる組成物において組
成比が０．０１≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．６
５、０．０５≦ｚ≦０．８９（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
）の範囲内にあることを特徴とする高誘電率磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214867A JPS6050007B2 (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214867A JPS6050007B2 (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105208A JPS59105208A (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6050007B2 true JPS6050007B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=16662868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214867A Expired JPS6050007B2 (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050007B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637989A (en) * | 1985-03-29 | 1987-01-20 | At&T Technologies, Inc. | Method of preparing a ceramic composition |
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS62290009A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57214867A patent/JPS6050007B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105208A (ja) | 1984-06-18 |
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