JPH0687366B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0687366B2 JPH0687366B2 JP60150750A JP15075085A JPH0687366B2 JP H0687366 B2 JPH0687366 B2 JP H0687366B2 JP 60150750 A JP60150750 A JP 60150750A JP 15075085 A JP15075085 A JP 15075085A JP H0687366 B2 JPH0687366 B2 JP H0687366B2
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- Japan
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- temperature
- composition
- dielectric
- porcelain composition
- firing temperature
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は温度補償用セラミックコンデンサに用いる誘電
体磁器組成物に関するものである。
体磁器組成物に関するものである。
従来の技術 従来、温度補償用セラミックコンデンサ材料としては、
CaTiO3、MgTiO3,La2O3-TiO3系，BaO-TiO2系等の材料を主
成分とする磁器組成物が用いられてきた。これらの材料
は適当な組成を選ぶことにより、誘電率とその温度係数
を広い範囲で実現し得るが、焼成温度が1200℃以上と高
温であるために、積層コンデンサを作成するには、内部
電極として高価なPtやPt-Pd系の合金を使用する必要が
あった。
CaTiO3、MgTiO3,La2O3-TiO3系，BaO-TiO2系等の材料を主
成分とする磁器組成物が用いられてきた。これらの材料
は適当な組成を選ぶことにより、誘電率とその温度係数
を広い範囲で実現し得るが、焼成温度が1200℃以上と高
温であるために、積層コンデンサを作成するには、内部
電極として高価なPtやPt-Pd系の合金を使用する必要が
あった。
焼成温度の低い温度補償用コンデンサ材料としては、(P
bO)x(Nb2O5)y(Bi2O3)zと表わされる材料が知られてい
る。（特開昭51-65398号公報） 発明が解決しようとする問題点 前述した(PbO)x(Nb2O5)y(Bi2O3)z系の組成物において
は、誘電率が40〜150、温度係数が＋75〜1200ppm/℃で
直線的な温度変化を有する組成が得られているが、温度
係数の絶対値が100ppm/℃以下の組成物では、焼成温度
が900℃以下となる。一方、積層コンデンサを作成する
場合には、内部電極を同時に焼成するため、電極の焼成
温度と誘電体の焼成温度は一致させる必要がある。電極
の焼成温度に比べ、誘電体の焼成温度が低い場合、電極
を形成する材料の粒子は相互のコンタクトが小さくな
り、コンデンサにおける等価直列抵抗が高くなる。また
内部電極として銀を用いる場合、銀イオンのマイグレー
ションによる絶縁破壊のおそれがあるため、Ag/Pd比が7
0/30の電極材料を使用することが望ましい。しかしなが
ら、Ag/Pdが70/30である合金の融点は1150℃以上となる
ため、900℃以下の焼成温度を有する組成物では前述の
等価直列抵抗が高くなるので望ましくない。
bO)x(Nb2O5)y(Bi2O3)zと表わされる材料が知られてい
る。（特開昭51-65398号公報） 発明が解決しようとする問題点 前述した(PbO)x(Nb2O5)y(Bi2O3)z系の組成物において
は、誘電率が40〜150、温度係数が＋75〜1200ppm/℃で
直線的な温度変化を有する組成が得られているが、温度
係数の絶対値が100ppm/℃以下の組成物では、焼成温度
が900℃以下となる。一方、積層コンデンサを作成する
場合には、内部電極を同時に焼成するため、電極の焼成
温度と誘電体の焼成温度は一致させる必要がある。電極
の焼成温度に比べ、誘電体の焼成温度が低い場合、電極
を形成する材料の粒子は相互のコンタクトが小さくな
り、コンデンサにおける等価直列抵抗が高くなる。また
内部電極として銀を用いる場合、銀イオンのマイグレー
ションによる絶縁破壊のおそれがあるため、Ag/Pd比が7
0/30の電極材料を使用することが望ましい。しかしなが
ら、Ag/Pdが70/30である合金の融点は1150℃以上となる
ため、900℃以下の焼成温度を有する組成物では前述の
等価直列抵抗が高くなるので望ましくない。
本発明は焼成温度が1000〜1150℃であり、かつ誘電率の
温度係数の絶対値が200ppm/℃以下である温度補償用コ
ンデンサに用いる磁器組成物を提供することを目的とす
る。
温度係数の絶対値が200ppm/℃以下である温度補償用コ
ンデンサに用いる磁器組成物を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、(Bi2O3)x(Nb
2O5)1-x（ただし0.3≦ｘ≦0.6）で表わされる磁器組成
物により、温度補償用セラミックコンデンサに用いる誘
電体材料を得るものである。
2O5)1-x（ただし0.3≦ｘ≦0.6）で表わされる磁器組成
物により、温度補償用セラミックコンデンサに用いる誘
電体材料を得るものである。
作用 (Bi2O3)x(Nb2O5)1-x（ただし0.45≦ｘ≦0.55）の組成を
有する磁器組成物は焼成温度が1000〜1150℃であるの
で、積層コンデンサを作成する時の内部電極として、Ag
-Pd系の電極が使用でき、かつ高いＱ値と小さい温度係
数を有しているので、温度補償用積層コンデンサに使用
する誘電体として適したものである。
有する磁器組成物は焼成温度が1000〜1150℃であるの
で、積層コンデンサを作成する時の内部電極として、Ag
-Pd系の電極が使用でき、かつ高いＱ値と小さい温度係
数を有しているので、温度補償用積層コンデンサに使用
する誘電体として適したものである。
実施例 原料として化学的に高純度なBi2O3,Nb2O5,SiO2,MnO2,Pb
Oを第１表および第２表に示す分量に秤量し、ポリエチ
レン製のポットでメノウの玉石と純水を加えて15時間混
合する。その後、乾燥させて750〜900℃で仮焼し、再び
前述のポットで15時間粉砕し乾燥させる。得られた粉体
にポリビニルアルコール水溶液をバインダとして加えて
造粒し、金型で直径13mm,高さ約10mmの円柱形に成形す
る。この成形物を700℃に加熱してバインダを焼却後、9
50〜1250℃で焼成した。最も高密度が得られた焼成温度
の焼結体を厚さ1mmに切断し、両面にCr-Auを蒸着して電
極を形成した。この作成された試量に対しキャパシタン
スブリッジにより、1MHz.1V/mmの誘電率とＱ値、および
誘電率の温度係数を測定した。その結果もまた第１表お
よび第２表に示す。
Oを第１表および第２表に示す分量に秤量し、ポリエチ
レン製のポットでメノウの玉石と純水を加えて15時間混
合する。その後、乾燥させて750〜900℃で仮焼し、再び
前述のポットで15時間粉砕し乾燥させる。得られた粉体
にポリビニルアルコール水溶液をバインダとして加えて
造粒し、金型で直径13mm,高さ約10mmの円柱形に成形す
る。この成形物を700℃に加熱してバインダを焼却後、9
50〜1250℃で焼成した。最も高密度が得られた焼成温度
の焼結体を厚さ1mmに切断し、両面にCr-Auを蒸着して電
極を形成した。この作成された試量に対しキャパシタン
スブリッジにより、1MHz.1V/mmの誘電率とＱ値、および
誘電率の温度係数を測定した。その結果もまた第１表お
よび第２表に示す。
第１表より明らかなように(Bi2O3)x(Nb2O5)1-xで表され
る磁器組成物においては、0.45＜ｘ≦0.55において、焼
成温度が1000〜1150℃、誘電率が45程度、Ｑ値が630〜1
150の組成物が得られる。ｘが0.45以下であれば誘電率
の温度変化が大きくなり、ｘが0.55以上になると誘電率
の温度変化に直線性がなくなると同時に高温側のＱ値が
低下する。また、SiO2,MnO2,PbOを副成分として添加す
ると磁器の焼結性が向上し、添加量が適当な範囲にあれ
ばＱ値が大きくなる。添加量が１重量％を越えるとＱ値
が急速に低下することが分った。
る磁器組成物においては、0.45＜ｘ≦0.55において、焼
成温度が1000〜1150℃、誘電率が45程度、Ｑ値が630〜1
150の組成物が得られる。ｘが0.45以下であれば誘電率
の温度変化が大きくなり、ｘが0.55以上になると誘電率
の温度変化に直線性がなくなると同時に高温側のＱ値が
低下する。また、SiO2,MnO2,PbOを副成分として添加す
ると磁器の焼結性が向上し、添加量が適当な範囲にあれ
ばＱ値が大きくなる。添加量が１重量％を越えるとＱ値
が急速に低下することが分った。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明の誘電体磁器組成物によ
れば、温度補償用積層セラミックコンデンサの作成にお
いて、信頼性が高くかつ低廉なAg/Pd比が70/30である合
金を内部電極として使用できるので、工業的価値は非常
に大きい。
れば、温度補償用積層セラミックコンデンサの作成にお
いて、信頼性が高くかつ低廉なAg/Pd比が70/30である合
金を内部電極として使用できるので、工業的価値は非常
に大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河島 俊一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大内 宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−65398（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】(Bi2O3)x(Nb2O5)1-xと表される磁器組成物
において、ｘが0.45＜ｘ≦0.55の範囲にあることを特徴
とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】添加物として、SiO2、MnO2、PbOのいずれか
１つまたは２つ以上を１重量％以下含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150750A JPH0687366B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150750A JPH0687366B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212002A JPS6212002A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0687366B2 true JPH0687366B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=15503599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150750A Expired - Lifetime JPH0687366B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687366B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165398A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-05 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| JPS598623A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-17 | Res Dev Corp Of Japan | ビスマス―ニオブ系化合物材料及びその製造法 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60150750A patent/JPH0687366B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212002A (ja) | 1987-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |