JPS6152098B2 - - Google Patents
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- JPS6152098B2 JPS6152098B2 JP57162536A JP16253682A JPS6152098B2 JP S6152098 B2 JPS6152098 B2 JP S6152098B2 JP 57162536 A JP57162536 A JP 57162536A JP 16253682 A JP16253682 A JP 16253682A JP S6152098 B2 JPS6152098 B2 JP S6152098B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
差業上の利用分野
本発明はセラミツクコンデンサ用材料に適した
焼結温度の低い高誘電率磁器組成物に関するもの
である。 従来例の構成とその問題点 誘電材料の具備すべき特性は用途により異なる
が、セラミツクコンデンサでは誘電率が大きく、
かつ焼結温度の低いことが要求される。誘電率が
大きいことは素子の小形化にとつて重要な条件で
ある。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の
際に、焼成炉の炉材に安価なものを使用できるこ
とおよび焼成のエネルギーが少なくてすむことな
ど工業的価値が大きい。また、積層型セラミツク
コンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極
として銀を主成分とする比較的安価な電極材料を
用いることができるため、コンデンサの価格をい
ちじるしく下げることができる。 高誘電率のセラミツクコンデンサ用材料として
は、チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられ
てきた。しかし、この材料は焼結温度が1300〜
1400℃と高いため、積層セラミツクコンデンサを
製造する場合には、その焼結温度に適した高価な
白金またはパラジウムを主成分とする内部電極を
使用しなければならない欠点があつた。 発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が960
℃以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の組成物は、Pb（Mg1/3Nb2/3）x
（Zn1/3Nb2/3）y（Fe2/3W1/3）zO3で表わされる
組成物において配合比が0.01≦ｘ≦0.70、0.15≦
ｙ≦0.45および0.05≦ｚ≦0.60（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高誘
電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料として、PbO、MgO、ZnO、Fe2O3、
Nb2O5、WO3を用いて、これらを下表に示した組
成比に秤量し湿式で混合し、これを乾燥させた後
750℃で２時間仮焼した。得られた仮焼物をボー
ルミーで湿式粉砕した。その乾燥後、ポリビニル
アルコール水溶液をバインダとして直径13mm、長
さ約８mmの円柱状に加圧成形し、バインダを焼却
した後、これをマグネシア磁器容器に入れ、780
〜1040℃の温度で２時間焼成した。焼成した磁器
を厚さ１mmに切断し、この両面にCr−Auを蒸着
したのち誘電率εｒと誘電正接Ｄを1KHz、１V/
mmで室温に於いて測定した。εｒの温度変化率は
20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲で測定し
た。その結果を下表に示す。
焼結温度の低い高誘電率磁器組成物に関するもの
である。 従来例の構成とその問題点 誘電材料の具備すべき特性は用途により異なる
が、セラミツクコンデンサでは誘電率が大きく、
かつ焼結温度の低いことが要求される。誘電率が
大きいことは素子の小形化にとつて重要な条件で
ある。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の
際に、焼成炉の炉材に安価なものを使用できるこ
とおよび焼成のエネルギーが少なくてすむことな
ど工業的価値が大きい。また、積層型セラミツク
コンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極
として銀を主成分とする比較的安価な電極材料を
用いることができるため、コンデンサの価格をい
ちじるしく下げることができる。 高誘電率のセラミツクコンデンサ用材料として
は、チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられ
てきた。しかし、この材料は焼結温度が1300〜
1400℃と高いため、積層セラミツクコンデンサを
製造する場合には、その焼結温度に適した高価な
白金またはパラジウムを主成分とする内部電極を
使用しなければならない欠点があつた。 発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が960
℃以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の組成物は、Pb（Mg1/3Nb2/3）x
（Zn1/3Nb2/3）y（Fe2/3W1/3）zO3で表わされる
組成物において配合比が0.01≦ｘ≦0.70、0.15≦
ｙ≦0.45および0.05≦ｚ≦0.60（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高誘
電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料として、PbO、MgO、ZnO、Fe2O3、
Nb2O5、WO3を用いて、これらを下表に示した組
成比に秤量し湿式で混合し、これを乾燥させた後
750℃で２時間仮焼した。得られた仮焼物をボー
ルミーで湿式粉砕した。その乾燥後、ポリビニル
アルコール水溶液をバインダとして直径13mm、長
さ約８mmの円柱状に加圧成形し、バインダを焼却
した後、これをマグネシア磁器容器に入れ、780
〜1040℃の温度で２時間焼成した。焼成した磁器
を厚さ１mmに切断し、この両面にCr−Auを蒸着
したのち誘電率εｒと誘電正接Ｄを1KHz、１V/
mmで室温に於いて測定した。εｒの温度変化率は
20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲で測定し
た。その結果を下表に示す。
【表】
第１表でNo.1、３、７、18、19の試料は本発
明の範囲外のものであり、No.2、４〜６、８〜
17の試料は本発明の範囲内の実施例である。 これらから明らかなように本発明の範囲内の組
成物よりなる磁器は大きな誘電率（6380〜
11820）を示すとともに、焼成温度が780℃〜960
℃であり、低い温度で焼結が可能なものである。
また、誘電正接Ｄが小さい（236×10-4以下）こ
と、誘電率εｒの温度変化率が小さいことなどの
特長を示している。 なお、ｘ＜0.01、ｙ＜0.15、ｙ＞0.45およびｚ
＞0.60の範囲の組成は誘電率が比較的小さいた
め、また、ｘ＞0.70およびｚ＜0.05の範囲の組成
は焼成温度が1000℃以上になるため本発明の範囲
から除き、本発明の範囲を焼成温度が1000℃未満
で、室温の誘電率が6000以上の組成に限定した。 発明の効果 本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温
度変化率と誘電正接が比較的小さいためセラミツ
クコンデンサ用材料に適しているとともに、960
℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉
材に安価なものを使用できることおよび焼成のエ
ネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。積層型セラミツクコンデンサに用いた場合
には、焼結温度が低いため、比較的安価な銀系な
どの内部電極を用いることができるためコンデン
サの価格を下げることができるので工業上の利益
は大きい。
明の範囲外のものであり、No.2、４〜６、８〜
17の試料は本発明の範囲内の実施例である。 これらから明らかなように本発明の範囲内の組
成物よりなる磁器は大きな誘電率（6380〜
11820）を示すとともに、焼成温度が780℃〜960
℃であり、低い温度で焼結が可能なものである。
また、誘電正接Ｄが小さい（236×10-4以下）こ
と、誘電率εｒの温度変化率が小さいことなどの
特長を示している。 なお、ｘ＜0.01、ｙ＜0.15、ｙ＞0.45およびｚ
＞0.60の範囲の組成は誘電率が比較的小さいた
め、また、ｘ＞0.70およびｚ＜0.05の範囲の組成
は焼成温度が1000℃以上になるため本発明の範囲
から除き、本発明の範囲を焼成温度が1000℃未満
で、室温の誘電率が6000以上の組成に限定した。 発明の効果 本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温
度変化率と誘電正接が比較的小さいためセラミツ
クコンデンサ用材料に適しているとともに、960
℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉
材に安価なものを使用できることおよび焼成のエ
ネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。積層型セラミツクコンデンサに用いた場合
には、焼結温度が低いため、比較的安価な銀系な
どの内部電極を用いることができるためコンデン
サの価格を下げることができるので工業上の利益
は大きい。
Claims (1)
- １ Pb（Mg1/3Nb2/3）x（Zn1/3Nb2/3）y
（Fe2/3W1/3）zO3で表わされる組成物において
配合比が0.01≦ｘ≦0.70、0.15≦ｙ≦0.45および
0.05≦ｚ≦0.60（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範
囲内にあることを特徴とする高誘電率磁器組成
物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162536A JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
| US06/532,911 US4555494A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162536A JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954666A JPS5954666A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS6152098B2 true JPS6152098B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=15756472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162536A Granted JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197200U (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-09 | ||
| JPH0446079Y2 (ja) * | 1985-12-23 | 1992-10-29 | ||
| JPH0628199U (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | 新日軽株式会社 | 門扉とヒンジ金具との取付装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878101A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 電気フィルタアダプタ |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162536A patent/JPS5954666A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197200U (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-09 | ||
| JPH0446079Y2 (ja) * | 1985-12-23 | 1992-10-29 | ||
| JPH0628199U (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | 新日軽株式会社 | 門扉とヒンジ金具との取付装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954666A (ja) | 1984-03-29 |
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