JPS6122507A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6122507A JPS6122507A JP14362684A JP14362684A JPS6122507A JP S6122507 A JPS6122507 A JP S6122507A JP 14362684 A JP14362684 A JP 14362684A JP 14362684 A JP14362684 A JP 14362684A JP S6122507 A JPS6122507 A JP S6122507A
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- JP
- Japan
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- oxide
- less
- dielectric constant
- temperature
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は高誘電率系の誘電体磁器組成物に関するもの
である。
である。
(従来技術)
され′Cきた。しかしながら、このような組成からなる
棒料李ろセラミックコンデンサは、その静電容量値がバ
イアス電界に強く影響され゛〔大きく減少し、11jl
当fi2KVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量値
が−30〜−50%も変化するという欠点が見られ−I
F、oそし゛にの欠点につl、−5−Cの改良はほとん
ど行われていない。
棒料李ろセラミックコンデンサは、その静電容量値がバ
イアス電界に強く影響され゛〔大きく減少し、11jl
当fi2KVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量値
が−30〜−50%も変化するという欠点が見られ−I
F、oそし゛にの欠点につl、−5−Cの改良はほとん
ど行われていない。
また、5rTiO,−PbTiOs−BLIO,−Ti
e漠 などを主成分とする磁器組成物が近年実用化され
“Cいる。この系の磁器組成物は室温で500〜200
0の誘電率を有し、かつそのバイアス電界に対する静電
容量値の変化がBaTiOs系にくらべ′C小さいとい
う特徴を有し′Cいる。しかしながら、最適な誘電特性
を得るための焼成温度が1220〜1320Cと高いた
め、蒸発しやすいPt)O,Bi!08 を含んでい
ることから、かかる焼成温度での鉛やビスマスの焼成雰
囲気をコントロールしなければ均一な焼結体を得ること
ができず、工業生産上の量産性、品質の上で解決すべき
種々の問題を含んでいる。
e漠 などを主成分とする磁器組成物が近年実用化され
“Cいる。この系の磁器組成物は室温で500〜200
0の誘電率を有し、かつそのバイアス電界に対する静電
容量値の変化がBaTiOs系にくらべ′C小さいとい
う特徴を有し′Cいる。しかしながら、最適な誘電特性
を得るための焼成温度が1220〜1320Cと高いた
め、蒸発しやすいPt)O,Bi!08 を含んでい
ることから、かかる焼成温度での鉛やビスマスの焼成雰
囲気をコントロールしなければ均一な焼結体を得ること
ができず、工業生産上の量産性、品質の上で解決すべき
種々の問題を含んでいる。
さらに、セラミックコンデンサの小型化、薄板化の傾向
の中で、さらに誘電率が高く、バイアス電界に対する静
電容量値の変化の小さい誘電体磁器組成物の出現が要求
され°〔いる。
の中で、さらに誘電率が高く、バイアス電界に対する静
電容量値の変化の小さい誘電体磁器組成物の出現が要求
され°〔いる。
(発明の目的)
したがつ゛〔、この発明は誘電率が2000以上で、バ
イアス電界に対する静電容量値の変化の小さい誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
イアス電界に対する静電容量値の変化の小さい誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
(発明の概要)
この発明にかかる誘電体磁器組成物を要約すれば、チタ
ン駿ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸カルシウム
、酸化ビスマス、酸化錫、酸化チタンを主成分とし、こ
れに酸化亜鉛、酸化二オス酸化セリウム、酸化アルミニ
ウムからなる副成分が添加含有されたものである。
ン駿ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸カルシウム
、酸化ビスマス、酸化錫、酸化チタンを主成分とし、こ
れに酸化亜鉛、酸化二オス酸化セリウム、酸化アルミニ
ウムからなる副成分が添加含有されたものである。
0、 、 Bi、O,、ZnO,Nb!O,、C,30
,およびAltosを準備した。各′A原料を第1表に
示す組成比率の磁器が得られるように秤量した。各秤を
原料をボットミルに入れ、アルミナポールを用いえ16
時時間式混合粉砕したのち脱水乾燥した。乾燥した混合
原料をジルコニア質の匣に入れ、1000tの温度で2
時間仮焼し、その後粉砕した。粉砕した粉末にバインダ
ーを加え”C造粒し、造粒粉末を1000璧/cdの圧
力で加圧成形し、直径171゜厚みt2.oの成形物を
得た。この成形物を1060〜129(lの温度で2時
間焼成し′C磁器素体を得た。得られた磁器素体の両面
に銀ペーストを塗布し、空気中800でで焼付けし°(
[4,を形成し、これを試料とした。
,およびAltosを準備した。各′A原料を第1表に
示す組成比率の磁器が得られるように秤量した。各秤を
原料をボットミルに入れ、アルミナポールを用いえ16
時時間式混合粉砕したのち脱水乾燥した。乾燥した混合
原料をジルコニア質の匣に入れ、1000tの温度で2
時間仮焼し、その後粉砕した。粉砕した粉末にバインダ
ーを加え”C造粒し、造粒粉末を1000璧/cdの圧
力で加圧成形し、直径171゜厚みt2.oの成形物を
得た。この成形物を1060〜129(lの温度で2時
間焼成し′C磁器素体を得た。得られた磁器素体の両面
に銀ペーストを塗布し、空気中800でで焼付けし°(
[4,を形成し、これを試料とした。
得られた試料についC1周波数I KH2で誘電率(ε
)、111Wt損失正接(tanδ)を測定した。また
、試料に2KV/!Elの直流電圧を重畳したときの誘
電率の変化(バイアス特性)を測定した。さらに、−2
5r:における誘電率と+85t’における誘電率を測
定し、常温(+25′c)に対する変化率(温度特性)
を示した。
)、111Wt損失正接(tanδ)を測定した。また
、試料に2KV/!Elの直流電圧を重畳したときの誘
電率の変化(バイアス特性)を測定した。さらに、−2
5r:における誘電率と+85t’における誘電率を測
定し、常温(+25′c)に対する変化率(温度特性)
を示した。
第2表は各測定結果を示したものである。
なお、第1表、第2表中会印はこの発明範囲外で、h、
!7、それ以外はこの発明範囲内のものである。
!7、それ以外はこの発明範囲内のものである。
また、第2表には各試料の最適焼成温度を示した。
第1表
第2表
第1表、第2表から明らかなように、この発明範囲内の
ものによれば、誘電率は2000〜6500の値を示し
、tanδは11以下とすぐれた値を示し′Cいる。ま
たバイアス特性は−25チ以内であシ、バイアス電界に
対する誘電率の変化が小さいという特徴を有しCいる。
ものによれば、誘電率は2000〜6500の値を示し
、tanδは11以下とすぐれた値を示し′Cいる。ま
たバイアス特性は−25チ以内であシ、バイアス電界に
対する誘電率の変化が小さいという特徴を有しCいる。
さらに最適焼成温度が1060〜1180t’と従来の
それにくらべ100〜200℃と低温での焼成が可能と
なつ°Cいる。
それにくらべ100〜200℃と低温での焼成が可能と
なつ°Cいる。
ここで、組成範囲を限定した理由は以下の通シである。
8rTiO,が30重量−未満になると、tanδが1
%以上になるとともにバイアス特性が−50チ以上とな
シ、一方46重量%を超えると、誘電率が2000未満
になる。
%以上になるとともにバイアス特性が−50チ以上とな
シ、一方46重量%を超えると、誘電率が2000未満
になる。
PbTi0.が5t5重量−未満になると、誘電率が2
000未満となシ、一方44重量★を超えると、tan
δが1チ以上になるとともにバイアス特性が一30%以
上となる。
000未満となシ、一方44重量★を超えると、tan
δが1チ以上になるとともにバイアス特性が一30%以
上となる。
CaTi0.が2重量%未満になると、tanδが1チ
以上になるとともにバイアス特性が−30チ以上となシ
、一方17重量%を超えると、誘電率が2000未満と
なる。
以上になるとともにバイアス特性が−30チ以上となシ
、一方17重量%を超えると、誘電率が2000未満と
なる。
Bi!O,が5重量%未満になると、誘電率が2000
に達せず、一方15重量%を超えると、tanδが1チ
以上になるとともにバイアス特性が悪くなる。
に達せず、一方15重量%を超えると、tanδが1チ
以上になるとともにバイアス特性が悪くなる。
EInO,がα5重量−未満になると、tanδが1チ
以上となシ、温度特性が悪くなる。一方10重量%を超
えると、誘電率が2000 K達しない。
以上となシ、温度特性が悪くなる。一方10重量%を超
えると、誘電率が2000 K達しない。
TlO2が1重量%未満になると、誘電率が2000未
満となシ、一方10重量%を超えると、tanδが1t
s以上となシ、バイアス特性が悪くなる。
満となシ、一方10重量%を超えると、tanδが1t
s以上となシ、バイアス特性が悪くなる。
ZnOが0.1重量%未満になると、焼成温度−が高く
なシ、一方4重量−を超えると、誘電率が2000未満
となる。
なシ、一方4重量−を超えると、誘電率が2000未満
となる。
Nt)、O,がっ、1重量−未満になると、焼成温度が
高くなシ、一方4重量%を超えると、誘電率が2000
未満となる。
高くなシ、一方4重量%を超えると、誘電率が2000
未満となる。
CeQ、がθ、1重量−未満になると、焼成温度が高く
なシ、一方4重量%を超えると、誘電率が2000未満
となる。
なシ、一方4重量%を超えると、誘電率が2000未満
となる。
AIIMOsが11.1重量%未満になると、焼成温度
が高くなシ、一方2重量%を超えると、誘電率が200
0未満となる。
が高くなシ、一方2重量%を超えると、誘電率が200
0未満となる。
(発明の効果)
以上の実施例から明らかなようにこの発明によれば、a
t率が2000〜6500と高い値を示し、tanδが
1−以下とすぐれた値を示す。またノ(イアス特性も一
25qb以内に迎えることができ、さらに焼成温度も1
060〜1180t:と比較的低い温度での焼成が可能
な誘電体磁器組成物を提供することができる。
t率が2000〜6500と高い値を示し、tanδが
1−以下とすぐれた値を示す。またノ(イアス特性も一
25qb以内に迎えることができ、さらに焼成温度も1
060〜1180t:と比較的低い温度での焼成が可能
な誘電体磁器組成物を提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸カルシ
ウム、酸化ビスマス酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸
化ニオブ、酸化セリウムおよび酸化アルミニウムからな
り、 これら各成分をSrTiO_3、PbTiO_3、Ca
TiO_3、Bi_2O_3、SnO_3、TiO_2
、ZnO、Nb_2O_5、CeO_2およびAl_2
O_3と表わしたとき、 SrTiO_3 30〜46重量% PbTiO_3 31.5〜44重量% CaTiO_3 2〜17重量% Bi_2O_3 5〜15重量% SnO_2 0.5〜10重量% TiO_2 1〜10重量% からなる主成分に対し、 ZnO 0.1〜4重量% Nb_2O_5 0.1〜4重量% CeO_2 0.1〜4重量% Al_2O_3 0.1〜2重量% からなる副成分が添加含有されてなることを特徴とする
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14362684A JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14362684A JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122507A true JPS6122507A (ja) | 1986-01-31 |
JPH0510764B2 JPH0510764B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=15343124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14362684A Granted JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6122507A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6351773A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 水平偏向回路 |
US5842792A (en) * | 1996-01-08 | 1998-12-01 | Fujitsu Limited | Dot-matrix line printer |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14362684A patent/JPS6122507A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6351773A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 水平偏向回路 |
US5842792A (en) * | 1996-01-08 | 1998-12-01 | Fujitsu Limited | Dot-matrix line printer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0510764B2 (ja) | 1993-02-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |