JPS62297260A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62297260A JPS62297260A JP61140135A JP14013586A JPS62297260A JP S62297260 A JPS62297260 A JP S62297260A JP 61140135 A JP61140135 A JP 61140135A JP 14013586 A JP14013586 A JP 14013586A JP S62297260 A JPS62297260 A JP S62297260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- present
- composition
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサ等に使用されるBaTi02N
bJs 5sz03系高誘電率磁器組成物に関するも
のである。
bJs 5sz03系高誘電率磁器組成物に関するも
のである。
〔従来6技術〕
従来の誘電体磁器組成物としては例えばBaTi0t−
BaZr0.−BarnOs CaTi0z系の組成
物が実用化されていたが、これらのものは高誘電率で温
度特性の良好なものが得られたが、結晶粒径が10〜2
08mと大きく積層コンデンサを作成した場合デラミネ
ーション等を生起し、歩留りが悪く、また破壊電圧も低
い欠点があった。
BaZr0.−BarnOs CaTi0z系の組成
物が実用化されていたが、これらのものは高誘電率で温
度特性の良好なものが得られたが、結晶粒径が10〜2
08mと大きく積層コンデンサを作成した場合デラミネ
ーション等を生起し、歩留りが悪く、また破壊電圧も低
い欠点があった。
本発明は、誘電率の温度特性をJISE特性規格−25
℃〜+85℃の範囲で、+25℃の基準温度で誘電率の
温度変化率が+20%〜−8056以内で、誘電率が8
,000−13,000、結晶粒径が平均5μ−以下と
したものであって、もって前記の欠点を除去することを
目的としたものである。
℃〜+85℃の範囲で、+25℃の基準温度で誘電率の
温度変化率が+20%〜−8056以内で、誘電率が8
,000−13,000、結晶粒径が平均5μ−以下と
したものであって、もって前記の欠点を除去することを
目的としたものである。
本発明者は前記目的を達成するため鋭意研究を行った結
果、BaTiO3 Nb2O25tazOxの混合組
成物に酸化セシュウム(CeOz)を添加することによ
り、さらにまたこれに酸化マンガン(MnO)を添加す
ることによって、高誘電率で温度特性が良好な、そして
結晶粒径の微細化したものが得られることを見出し本発
明に到達したものである。
果、BaTiO3 Nb2O25tazOxの混合組
成物に酸化セシュウム(CeOz)を添加することによ
り、さらにまたこれに酸化マンガン(MnO)を添加す
ることによって、高誘電率で温度特性が良好な、そして
結晶粒径の微細化したものが得られることを見出し本発
明に到達したものである。
出発原料として、炭酸バリウム(BaCOs)、酸化チ
タン(TiO□)、炭酸マンガン(MnCOs) 、酸
化サマニウム(Ssx(h)、flI化ニオブ(Nb*
Os)を用い、先づ、等モル比のBaCO5とTiO□
にMnCO3を添加して混合し、これを1160℃〜1
200℃で2時間仮焼して、BaTiO3を作成した。
タン(TiO□)、炭酸マンガン(MnCOs) 、酸
化サマニウム(Ssx(h)、flI化ニオブ(Nb*
Os)を用い、先づ、等モル比のBaCO5とTiO□
にMnCO3を添加して混合し、これを1160℃〜1
200℃で2時間仮焼して、BaTiO3を作成した。
これを粉砕して第1表に示す組成比で秤量し、これにC
e0gまたはさらにMnOを添加し、これをボットミル
で混合、脱水、乾燥したのちポリビニルアルコール(P
VA)をバインダとして加えて顆粒にし、これを約3
ton/cI11の成形圧力で直径16.5mm、厚さ
0.61の円板状成形物を作成した。この成形体を空気
中で1340℃〜1360℃で2時間焼成した。このよ
うにして得られた素体に銀電極を焼付けて試料を作成し
た。
e0gまたはさらにMnOを添加し、これをボットミル
で混合、脱水、乾燥したのちポリビニルアルコール(P
VA)をバインダとして加えて顆粒にし、これを約3
ton/cI11の成形圧力で直径16.5mm、厚さ
0.61の円板状成形物を作成した。この成形体を空気
中で1340℃〜1360℃で2時間焼成した。このよ
うにして得られた素体に銀電極を焼付けて試料を作成し
た。
このようにして得られた試料について、それぞれ電気特
性を測定した結果を第1表に示す。
性を測定した結果を第1表に示す。
ここで、誘電率t、および誘電体損失Lan δは室温
20℃1周波数I KHzで測定した。誘電率の温度変
化率T、C,は+25℃を基準として一25℃〜+85
℃の誘電率温度変化率%を求めた。
20℃1周波数I KHzで測定した。誘電率の温度変
化率T、C,は+25℃を基準として一25℃〜+85
℃の誘電率温度変化率%を求めた。
以下余白
第1表より、本発明の高誘電率磁器組成物の組成範囲を
決定した理由を述べると、BaTiO3が97.0mo
l%未満では誘電率ε、が小さくなり、また20℃にお
ける誘電率温度変化率T、C,が+側で20%以上とな
り、98.0mol%を超えると、焼結性が悪くなり、
また誘電率温度変化率T、C,も誘電体損失tan δ
も大きくなる。同様にS10.が0.5 so1%未
満では誘電体損失tan δが大きくなり焼結性も悪く
なり、2.25mol%を超えると誘電率ε1が小さく
、誘電率温度変化率T、C,が2θ℃において+側へ大
きくなる。 NbzOsが0.75mol%未満では、
焼結性が悪く、1.5mol%を超えると、誘電率ε、
が小さくなる。CeO□はキューリーポイントを一例へ
移動させる働き即ちシフターの役割をしており、0.2
wt%以下ではキューリーポイントが常温以上となり、
誘電体損失tan δが悪く誘電率温度変化率T、C,
も温度特性から外れる。
決定した理由を述べると、BaTiO3が97.0mo
l%未満では誘電率ε、が小さくなり、また20℃にお
ける誘電率温度変化率T、C,が+側で20%以上とな
り、98.0mol%を超えると、焼結性が悪くなり、
また誘電率温度変化率T、C,も誘電体損失tan δ
も大きくなる。同様にS10.が0.5 so1%未
満では誘電体損失tan δが大きくなり焼結性も悪く
なり、2.25mol%を超えると誘電率ε1が小さく
、誘電率温度変化率T、C,が2θ℃において+側へ大
きくなる。 NbzOsが0.75mol%未満では、
焼結性が悪く、1.5mol%を超えると、誘電率ε、
が小さくなる。CeO□はキューリーポイントを一例へ
移動させる働き即ちシフターの役割をしており、0.2
wt%以下ではキューリーポイントが常温以上となり、
誘電体損失tan δが悪く誘電率温度変化率T、C,
も温度特性から外れる。
0.6wt%以上ではキューリーポイントが常温より一
側へ移動し、誘電率ε5が低くなり、誘電率温度変化率
T、C,が外れ実用的でない、 MnOが0.01wt
%未満では焼結性が悪く、絶縁抵抗1.Rも低(,0,
3wt%以上では誘電率ε、が低くなり実用的でない。
側へ移動し、誘電率ε5が低くなり、誘電率温度変化率
T、C,が外れ実用的でない、 MnOが0.01wt
%未満では焼結性が悪く、絶縁抵抗1.Rも低(,0,
3wt%以上では誘電率ε、が低くなり実用的でない。
また、本発明のBaTiO35az03 NbzO@
Ce01系の自由表面の顕微鏡写真を第1図に、比
較のため従来のBaTi0+−BaZr03−CaTi
O系の自由表面の顕微鏡写真を第2図に夫々示す、第3
図はBaTiO3−5eAzOx NbzOs系三角
図を示し、本発明の主成分の範囲を示すものである。
Ce01系の自由表面の顕微鏡写真を第1図に、比
較のため従来のBaTi0+−BaZr03−CaTi
O系の自由表面の顕微鏡写真を第2図に夫々示す、第3
図はBaTiO3−5eAzOx NbzOs系三角
図を示し、本発明の主成分の範囲を示すものである。
第1表中試料番号3.4.7,8,12.17〜21.
23,24.27は本発明の組成範囲外のものであり、
第1表中試料番号1. 2. 5. 6゜9〜11.1
3〜16,22,25.26は本発明の組成範囲内のも
のである。
23,24.27は本発明の組成範囲外のものであり、
第1表中試料番号1. 2. 5. 6゜9〜11.1
3〜16,22,25.26は本発明の組成範囲内のも
のである。
以上のように、本発明の高誘電率磁器組成物は第1表よ
り明らかなように誘電率ε1が8.000〜13.00
0、誘電率温度変化率T、C,も一25℃〜+85℃の
温度範囲内で+20%〜−80%以内と優れた特性を有
するものである。
り明らかなように誘電率ε1が8.000〜13.00
0、誘電率温度変化率T、C,も一25℃〜+85℃の
温度範囲内で+20%〜−80%以内と優れた特性を有
するものである。
本発明は、BaTiO3 Nb105 511g01
系高誘電率磁器組成物にCeO□、さらにまたMnOを
添加することにより、誘電率ε8が高く、誘電率温度変
化率T、C,もJIS E特性を満足しており、積層磁
器コンデンサに応用した場合デラミネーション防止によ
る歩留りが向上し、結晶粒径の微細化(5μ−以下)に
より破壊電圧1.Hの向上など、従来のBaTiOx−
BaZr0.− CaTi0系では得られなかった特徴
をもつものであり、実用的価値が大きいものである。
系高誘電率磁器組成物にCeO□、さらにまたMnOを
添加することにより、誘電率ε8が高く、誘電率温度変
化率T、C,もJIS E特性を満足しており、積層磁
器コンデンサに応用した場合デラミネーション防止によ
る歩留りが向上し、結晶粒径の微細化(5μ−以下)に
より破壊電圧1.Hの向上など、従来のBaTiOx−
BaZr0.− CaTi0系では得られなかった特徴
をもつものであり、実用的価値が大きいものである。
第1図は本発明品の自由表面の結晶構造を、第2図は従
来品の自由表面の結晶構造を示し、第3図は本発明主成
分の三角図である。
来品の自由表面の結晶構造を示し、第3図は本発明主成
分の三角図である。
Claims (2)
- (1)BaTiO_397.0〜98.0mol%Nb
_2O_50.75〜1.50mol%Sm_2O_3
0.50〜2.25mol%を主成分とする組成物10
0mol%に対して、CeO_20.3〜0.6wt%
を添加含有したことを特徴とするBaTiO_3−Nb
_2O_5−Sm_2O_3系高誘電率磁器組成物。 - (2)BaTiO_397.0〜98.0mol%Nb
_2O_50.75〜1.50mol%Sm_2O_3
0.50〜2.25mol%を主成分とする組成物10
0mol%に対して、CeO_20.3〜0.6wt%
とMnO0.01〜0.3未満wt%とを添加含有した
ことを特徴とするBaTiO_3−Nb_2O_5−S
m_2O_3系高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61140135A JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61140135A JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62297260A true JPS62297260A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15261698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61140135A Pending JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62297260A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140135A patent/JPS62297260A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
US6025291A (en) * | 1997-04-02 | 2000-02-15 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition and dielectric resonator using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61250905A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造法 | |
US4716134A (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPH0283256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS63103861A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPS62297260A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
US4897373A (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPS6128621B2 (ja) | ||
JP2654113B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6116132B2 (ja) | ||
JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JP2694209B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6128620B2 (ja) | ||
JPH0316773B2 (ja) | ||
JP2620102B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
JPS62278163A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH0637322B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS63284708A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS63178409A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
JPS6216481B2 (ja) | ||
JPS6217805B2 (ja) | ||
JPS6122507A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS6216482B2 (ja) | ||
JPH01239704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6134206B2 (ja) |