JPH02267166A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH02267166A JPH02267166A JP1088847A JP8884789A JPH02267166A JP H02267166 A JPH02267166 A JP H02267166A JP 1088847 A JP1088847 A JP 1088847A JP 8884789 A JP8884789 A JP 8884789A JP H02267166 A JPH02267166 A JP H02267166A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンザへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑのバラツ
キを小さ（できる誘電体磁器組成物に関するものである
。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンザへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑのバラツ
キを小さ（できる誘電体磁器組成物に関するものである
。
従来の技術
従来から、誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている。
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている。
・ＢａＯ−Ｔ１０２−Ｎｄ２ｏ３系
−ＢａＯ−Ｔｉ０２−８ｍ２０３系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯＯ，５
６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯ３／２の組成比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１ 、
２ ｍｍ Ｘ ０ 、７ ｍｍ 、誘電体層数１９の積
層構造を持つ積層セラミックコンデンサを作製すると、
静電容量の平均値： ７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値、
８７００．静電容量温度係数の平均値： Ｎ ３５ｐｐ
ｍ／ °Ｃ、絶縁抵抗の平均値：６．０Ｘ１０＋２Ω、
絶縁破壊強度の平均値、１１７ｋｖ／ｍｍであり、絶縁
抵抗と絶縁破壊強度において満足のてきる値ではない。
６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯ３／２の組成比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１ 、
２ ｍｍ Ｘ ０ 、７ ｍｍ 、誘電体層数１９の積
層構造を持つ積層セラミックコンデンサを作製すると、
静電容量の平均値： ７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値、
８７００．静電容量温度係数の平均値： Ｎ ３５ｐｐ
ｍ／ °Ｃ、絶縁抵抗の平均値：６．０Ｘ１０＋２Ω、
絶縁破壊強度の平均値、１１７ｋｖ／ｍｍであり、絶縁
抵抗と絶縁破壊強度において満足のてきる値ではない。
また積層セラミックコンデンサのコストダウンを行うた
め、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーション
の発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４μｍ
から２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材料を
使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり寸法、誘電
体層数の積層構造を持つ積層セラミックコンデンザの静
電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに、静
電容量のバラツギが２５６〜７１．３ ｐ Ｆと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
め、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーション
の発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４μｍ
から２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材料を
使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり寸法、誘電
体層数の積層構造を持つ積層セラミックコンデンザの静
電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに、静
電容量のバラツギが２５６〜７１．３ ｐ Ｆと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式％式％
］ と表した時、 （ただし、Ｘ→−ｙ＋ｚ−１，００ ０，０１≦Ｃ≦０．２ Ｒｅは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素。Ｍｅは、Ｌａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希
土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。） ｘ、ｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
］ と表した時、 （ただし、Ｘ→−ｙ＋ｚ−１，００ ０，０１≦Ｃ≦０．２ Ｒｅは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素。Ｍｅは、Ｌａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希
土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。） ｘ、ｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｅ、ｆて囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重
量部に対し、副成分としてＮｂ２０ｉ、。
量部に対し、副成分としてＮｂ２０ｉ、。
Ｔ ａ ２０ｓ 、 Ｖ２０５がら選ばれる二種以上を
０．００１〜０．０１モル部含有したことを特徴と作用 作用第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲
を示す三原図であり、主成分の組成範囲を限定した理由
を第１図を参照しながら説明する。
０．００１〜０．０１モル部含有したことを特徴と作用 作用第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲
を示す三原図であり、主成分の組成範囲を限定した理由
を第１図を参照しながら説明する。
まず、Ａ領域では焼結が著しく困難である。また、Ｂ領
域では良好度Ｑが低下し、実用的でなくなる。さらに、
Ｃ，Ｄ領域では静電容量温度関係がマイナス側に大きく
なりすぎて実用的でな（なる。そして、Ｅ領域では静電
容量温度関係がプラス方向に移行するが、誘電率が小さ
（実用的でなくなる。また、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順
で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度関係を
プラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはその組合せにより静電容量温
度関係の調節が可能である。
域では良好度Ｑが低下し、実用的でなくなる。さらに、
Ｃ，Ｄ領域では静電容量温度関係がマイナス側に大きく
なりすぎて実用的でな（なる。そして、Ｅ領域では静電
容量温度関係がプラス方向に移行するが、誘電率が小さ
（実用的でなくなる。また、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順
で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度関係を
プラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはその組合せにより静電容量温
度関係の調節が可能である。
また、後述する第１表と第２表から明らかなように、Ｌ
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元
素の一部をＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素か
ら選ばれる一種以上の希土類元素で置換することにより
、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その置換量Ｃ
が０．０１未満では置換効果はなく、一方０．２を超え
ると誘電率が低下し実用的でなくなる。
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元
素の一部をＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素か
ら選ばれる一種以上の希土類元素で置換することにより
、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その置換量Ｃ
が０．０１未満では置換効果はなく、一方０．２を超え
ると誘電率が低下し実用的でなくなる。
第２図は本発明にかかる組成物の主成分に対し、副成分
として（７）Ｎｂ２０５．Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有
効果を積層セラミックコンデンザの特性で示すゲラフチ
あり、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有範囲を
限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第２図
に示すようにＮｂ２Ｏ５゜Ｔａ２０５ 、Ｖ２Ｏ５を含
有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、
また静電容量と良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑの
バラツキを小さくする効果を有する。そして、Ｎ ｂ
２０ ｓ 。
として（７）Ｎｂ２０５．Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有
効果を積層セラミックコンデンザの特性で示すゲラフチ
あり、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有範囲を
限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第２図
に示すようにＮｂ２Ｏ５゜Ｔａ２０５ 、Ｖ２Ｏ５を含
有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、
また静電容量と良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑの
バラツキを小さくする効果を有する。そして、Ｎ ｂ
２０ ｓ 。
Ｔ ａ ２０５＋ Ｖ ２０５の含有により、絶縁抵抗
。
。
絶縁破壊強度は向上するが、Ｎ ｂ ２０ ｓ 、 Ｔ
ａ ２０５ 。
ａ ２０５ 。
Ｖ２Ｏ５の含有量が主成分１００重量部に対し、０．０
０１モル部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大きくなく
、静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑ
のバラツキが大きいため、この発明の範囲から除外した
。また、Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔａ２０５＋ Ｖ２０５の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．０１モル部を超える
と良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマ
イナス側に大きくなり、実用的でなくなる。また、Ｎｂ
２Ｏ５，Ｔａ２０５ 、Ｖ２０５から選ばれる二種以上
を含有することにより、Ｎｂ２０５Ｔａ２０５ 、Ｖ２
０５から選ばれる一種を含有するものに比べ、誘電率、
絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静
電容量温度係数が小さくすることができる。
０１モル部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大きくなく
、静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑ
のバラツキが大きいため、この発明の範囲から除外した
。また、Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔａ２０５＋ Ｖ２０５の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．０１モル部を超える
と良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマ
イナス側に大きくなり、実用的でなくなる。また、Ｎｂ
２Ｏ５，Ｔａ２０５ 、Ｖ２０５から選ばれる二種以上
を含有することにより、Ｎｂ２０５Ｔａ２０５ 、Ｖ２
０５から選ばれる一種を含有するものに比べ、誘電率、
絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静
電容量温度係数が小さくすることができる。
実施例
以下、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３ＴｉＯ２，Ｌ
ａ２０３＋ Ｐ ｒ６０１１．Ｎｄ２Ｏ３＋８ｍ２Ｏ３
、ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３，ＤＶ２０３ 。
ａ２０３＋ Ｐ ｒ６０１１．Ｎｄ２Ｏ３＋８ｍ２Ｏ３
、ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３，ＤＶ２０３ 。
Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５およびｖ２ ｏ５粉末を下記の
第１表に示す組成比になるように秤量し、めのうポール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アネミン
質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力１ ｔｏｎ／ ｃｎｒ
で直径１５ｍｍ、厚み０ 、４ ｍｍに成形した。この
成形円形をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のザヤに
入れ、空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁
器を得た。
第１表に示す組成比になるように秤量し、めのうポール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アネミン
質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力１ ｔｏｎ／ ｃｎｒ
で直径１５ｍｍ、厚み０ 、４ ｍｍに成形した。この
成形円形をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のザヤに
入れ、空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁
器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼付け、
絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定要試料は、誘電体磁器円板
の外周より内側に１ｍｍの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極の焼付けた。また、誘電率、良好度Ｑ、静電容
量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデ
ル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電圧１、
ＯＶｒｍ６．測定周波数Ｉ ＭＨｚでの測定より求めた
。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５°Ｃの静電
容量を測定し、次式により求めた。
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼付け、
絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定要試料は、誘電体磁器円板
の外周より内側に１ｍｍの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極の焼付けた。また、誘電率、良好度Ｑ、静電容
量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデ
ル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電圧１、
ＯＶｒｍ６．測定周波数Ｉ ＭＨｚでの測定より求めた
。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５°Ｃの静電
容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣ−（Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ１／６５Ｘ１０６ＴＣ：静
電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ：２０℃での静電
容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ：２０℃での静電
容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏｘｔ／Ｄ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ ２０℃での静電容量（ｐＦ）
Ｄ ＝誘電体磁器の直径（ｍｍ ＞
ｔ ・誘電体磁器の厚み（ｍｍ）
さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ、ＤＣ１測定時間１
分間によね測定より求めた。
３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ、ＤＣ１測定時間１
分間によね測定より求めた。
また、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源Ｐ
Ｈ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中に
入れ、昇圧速度５０Ｖ／Ｓｅｃにより求めた絶縁破壊電
圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当りの絶縁破壊強度と
した。
Ｈ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中に
入れ、昇圧速度５０Ｖ／Ｓｅｃにより求めた絶縁破壊電
圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当りの絶縁破壊強度と
した。
試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
（以 下 余 白）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣ○３ＴｉＯ２，Ｎ
ｄ２Ｏ３、ＣｅＯ２，Ｎｂ２０ｓＴａ２０５およびｖ２
０５粉末を使用し、主成分０．０９８ａＯ−０，５６Ｔ
ｉ ０２ ０．３５［（ＮｄＯ３／２）ｏ、ｑ５（Ｃ
ｅ○２）０．０５］に対し、［（Ｎｂ２０５）ｏ４（Ｔ
ａ２（］、）ｏ３（Ｖ２Ｏ３）ｏ、３］を０．０．００
０１，０．００１，０．０１，０．０２モル部それぞれ
含有した仮焼粉砕粉を実施例１と同様の方法で作製する
。ただし、［（Ｎ ｂ ２０５）０．４（Ｔａ２．０５
）０．３ （Ｖ２０５ ）ｏ、ｓ］の含有量が０．０．
０００１，０．０２モル部のものは、この発明の範囲外
であり、０．００１，０．０１モル部のものは、この発
明の範囲内である。
ｄ２Ｏ３、ＣｅＯ２，Ｎｂ２０ｓＴａ２０５およびｖ２
０５粉末を使用し、主成分０．０９８ａＯ−０，５６Ｔ
ｉ ０２ ０．３５［（ＮｄＯ３／２）ｏ、ｑ５（Ｃ
ｅ○２）０．０５］に対し、［（Ｎｂ２０５）ｏ４（Ｔ
ａ２（］、）ｏ３（Ｖ２Ｏ３）ｏ、３］を０．０．００
０１，０．００１，０．０１，０．０２モル部それぞれ
含有した仮焼粉砕粉を実施例１と同様の方法で作製する
。ただし、［（Ｎ ｂ ２０５）０．４（Ｔａ２．０５
）０．３ （Ｖ２０５ ）ｏ、ｓ］の含有量が０．０．
０００１，０．０２モル部のものは、この発明の範囲外
であり、０．００１，０．０１モル部のものは、この発
明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー、可塑剤２分散剤
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このグリーンシート１０枚を支持
台の−Ｌに積層し、昭栄化学■製内部電極パラジウムペ
ーストＭ Ｌ −３７２４を焼結後の内部電極厚みが２
μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥した。この上
にグリーンシート１枚を積層し、焼結後の内部電極重な
り寸法が１ 、２ ｍｍ Ｘ ０ 、７ ｍｍとなるよ
うに印刷位置をずらして内部電極パセシウムペーストを
印刷し、乾燥後、グリーンシート１枚を積層した。これ
らの操作を、誘電体層数が１９となるまで繰り返した。
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このグリーンシート１０枚を支持
台の−Ｌに積層し、昭栄化学■製内部電極パラジウムペ
ーストＭ Ｌ −３７２４を焼結後の内部電極厚みが２
μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥した。この上
にグリーンシート１枚を積層し、焼結後の内部電極重な
り寸法が１ 、２ ｍｍ Ｘ ０ 、７ ｍｍとなるよ
うに印刷位置をずらして内部電極パセシウムペーストを
印刷し、乾燥後、グリーンシート１枚を積層した。これ
らの操作を、誘電体層数が１９となるまで繰り返した。
この上に、グリーンシート１０枚を積層した。この積層
体を焼結後、内部電極重なり寸法が１ 、２ ｍｍ Ｘ
０ 、７ ｍｍ、誘電体数が１９の積層構造を持つ積
層セラミックコンデンサとなるように切断した。この切
断した試料は、ジルコニア粉末を敷したアルミナ質のサ
ヤに入れ、空気中にて室温から３５０℃までを５℃／
ｈ ｒで昇温し、３５０ ’Ｃより１００°Ｃ／ｈｒで
昇温し、１２７００Ｃで２時間焼成後、１００６Ｃ／ｈ
ｒで室温まで降温した。そして、焼成後の試料は、試料
面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部分を充分露
出させ、内部電極露出部分に銀の外部電極を焼付け、内
部電極と導通させ、積層セラミックコンデンザを作製し
た。
体を焼結後、内部電極重なり寸法が１ 、２ ｍｍ Ｘ
０ 、７ ｍｍ、誘電体数が１９の積層構造を持つ積
層セラミックコンデンサとなるように切断した。この切
断した試料は、ジルコニア粉末を敷したアルミナ質のサ
ヤに入れ、空気中にて室温から３５０℃までを５℃／
ｈ ｒで昇温し、３５０ ’Ｃより１００°Ｃ／ｈｒで
昇温し、１２７００Ｃで２時間焼成後、１００６Ｃ／ｈ
ｒで室温まで降温した。そして、焼成後の試料は、試料
面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部分を充分露
出させ、内部電極露出部分に銀の外部電極を焼付け、内
部電極と導通させ、積層セラミックコンデンザを作製し
た。
これらの試料の静電容量、良好度Ｑ、静電容量温度係数
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンザの長さ方向および幅方向の約１７２
の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンザの長さ方向および幅方向の約１７２
の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
試験条件および結果を第２図に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法ては、Ｂａ
ＣＯ３，ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ＯＮｄ２０３
、Ｓｍ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３。
ＣＯ３，ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ＯＮｄ２０３
、Ｓｍ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３。
ＤＹ２０３ 、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５およびＶ２Ｏ５
を使用したが、この方法に限定されるものではなく、所
望の組成比になるように、ＢａＴｉＯ３などの化合物、
あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱によりＢ
ａｄ、Ｔ ｉ ０２ 、Ｌａ２０：＋ 。
を使用したが、この方法に限定されるものではなく、所
望の組成比になるように、ＢａＴｉＯ３などの化合物、
あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱によりＢ
ａｄ、Ｔ ｉ ０２ 、Ｌａ２０：＋ 。
Ｐ ｒｓ Ｏ＋＋、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＣｅＯ２
゜Ｇｄ２０３ 、ＤＹ２ ０３ 、Ｎｂ２０ｓ
、Ｔａ２０５およびＶ２Ｏ５となる化合物を使用しても
、実施例と同程度の特性を得ることができる。
゜Ｇｄ２０３ 、ＤＹ２ ０３ 、Ｎｂ２０ｓ
、Ｔａ２０５およびＶ２Ｏ５となる化合物を使用しても
、実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、実施例てはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類
元素ＭｅとしてＣｅ、Ｄｙ、Ｇｄについて説明したが、
その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
元素ＭｅとしてＣｅ、Ｄｙ、Ｇｄについて説明したが、
その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、ＳｉＯ２ＭｎＯ２、Ｆ
ｅ２０３ 、ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
ｅ２０３ 、ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利
用においては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容
量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラ
ツキを小さくてきるため、内部電極の厚みを薄（して、
積層セラミックコンデンザのコストダウンが行えるとと
もに内部構造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐ
ことができる。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体
層の厚みを薄くし、製品の小型化、大容量化が可能であ
る。
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利
用においては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容
量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラ
ツキを小さくてきるため、内部電極の厚みを薄（して、
積層セラミックコンデンザのコストダウンが行えるとと
もに内部構造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐ
ことができる。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体
層の厚みを薄くし、製品の小型化、大容量化が可能であ
る。
第１図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
、第２図は本発明にかかる主成分０．０９ＢａＯ−０，
５６Ｔｉ！Ｏ−０，３５［（Ｎ ｄ ０３／２） ０．
５９ （Ｃｅ○２）０．０５１に対する副成分［（Ｎｂ
２０５）０．４ （Ｔａ２０５〉ｏ３（Ｖ２０５ ）
０．３１の含有効果を、誘電体厚み・１２μｍ、内部電
極重なり寸法：ｌ、２ｍｍＸ０．７ｍｍ、誘電体層数
１９の積層構造を持つ積層セラミックコンデンサの電気
特性て示すグラフである。
、第２図は本発明にかかる主成分０．０９ＢａＯ−０，
５６Ｔｉ！Ｏ−０，３５［（Ｎ ｄ ０３／２） ０．
５９ （Ｃｅ○２）０．０５１に対する副成分［（Ｎｂ
２０５）０．４ （Ｔａ２０５〉ｏ３（Ｖ２０５ ）
０．３１の含有効果を、誘電体厚み・１２μｍ、内部電
極重なり寸法：ｌ、２ｍｍＸ０．７ｍｍ、誘電体層数
１９の積層構造を持つ積層セラミックコンデンサの電気
特性て示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚ［Ｒｅ＿（＿１＿−＿Ｃ）
Ｍｅ＿Ｃ］Ｏ＿３＿／＿２と表した時、 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００ ０．０１≦Ｃ≦０．２ Ｒｅは、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素。Ｍｅは、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。） ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで
囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に対
し、副成分としてＮｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，Ｖ
＿２Ｏ＿５から選ばれる二種以上を０．００１〜０．０
１モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088847A JPH02267166A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088847A JPH02267166A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267166A true JPH02267166A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13954370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088847A Pending JPH02267166A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0905724A2 (en) * | 1997-09-25 | 1999-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the composition |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143895A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
| JPS6199210A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | 旭化成株式会社 | 磁器誘電体組成物 |
| JPS61173408A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS62297260A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1088847A patent/JPH02267166A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143895A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
| JPS6199210A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | 旭化成株式会社 | 磁器誘電体組成物 |
| JPS61173408A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS62297260A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0905724A2 (en) * | 1997-09-25 | 1999-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the composition |
| EP0905724A3 (en) * | 1997-09-25 | 2000-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the composition |
| KR100309159B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2002-01-17 | 무라타 야스타카 | 유전체세라믹조성물및이조성물을이용한적층세라믹커패시터 |
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