JPH02242516A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH02242516A JPH02242516A JP1062406A JP6240689A JPH02242516A JP H02242516 A JPH02242516 A JP H02242516A JP 1062406 A JP1062406 A JP 1062406A JP 6240689 A JP6240689 A JP 6240689A JP H02242516 A JPH02242516 A JP H02242516A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高3へ
く、良好度Qにすぐれ、容量温度係数が小さく、かつ積
層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電極
の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Qの低下を防
ぎ、静電容量と良好度Qのバラツキを小さくできる誘電
体磁器組成物に関するものである。
層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電極
の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Qの低下を防
ぎ、静電容量と良好度Qのバラツキを小さくできる誘電
体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Qにすぐれ、
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記のよ
うな系が知られている。
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記のよ
うな系が知られている。
−Ba0−Tie2−Nd205系
−BaO−Tie2−8m203系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成、例えば0.11 BaO0,6
8Ti○2−0.21 Nd2O3の組成比からなる誘
電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み4μm。
8Ti○2−0.21 Nd2O3の組成比からなる誘
電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み4μm。
誘電体厚み12μm、内部電極の重なり寸法1.2箇×
0.7WrIn、誘電体層数19の積層構造をもつ積層
セラミックコンデンザを作製すると、静電容量の平均値
ニア42pF、良好度Qの平均値:8700容量温度係
数の平均値: N 35ppm/℃、絶縁抵抗の平均値
: 6.OX 1012Ω、絶縁破壊強度の平均値:1
17KV/、であり、絶縁抵抗と絶縁破壊強度において
満足できる値でない。
0.7WrIn、誘電体層数19の積層構造をもつ積層
セラミックコンデンザを作製すると、静電容量の平均値
ニア42pF、良好度Qの平均値:8700容量温度係
数の平均値: N 35ppm/℃、絶縁抵抗の平均値
: 6.OX 1012Ω、絶縁破壊強度の平均値:1
17KV/、であり、絶縁抵抗と絶縁破壊強度において
満足できる値でない。
また、積層セラミックコンデンザのコストダウンを行う
ため、及び素体内部の構造欠陥であるデラミネーション
の発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚み’zt:
4ttmから2μmに薄くすると、上記の組成比の誘電
体材料を使用し、上記の誘電体厚み内部電極型なり寸法
、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデン
サの静電容量の平均値が、610pFと小さくなるとと
もに静電容量のバラツキが266〜ア13pF と大き
くなる。
ため、及び素体内部の構造欠陥であるデラミネーション
の発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚み’zt:
4ttmから2μmに薄くすると、上記の組成比の誘電
体材料を使用し、上記の誘電体厚み内部電極型なり寸法
、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデン
サの静電容量の平均値が、610pFと小さくなるとと
もに静電容量のバラツキが266〜ア13pF と大き
くなる。
さらに、良好度Qの平均値も4000と低くなるととも
に良好度Qのバラツキが60Q〜8800と犬さくなる
という課題があった。
に良好度Qのバラツキが60Q〜8800と犬さくなる
という課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式
%式%
と表わした時(ただし、X+7+Z=1.O○。
Re2O3は、L2L203.Pr2011/、lNd
2O!115m203の中から選ばれる少なくとも1種
以上の希土類元素の酸化物。)、x、y、zが以下に表
わす各点a、b、c、d、e、fで四重れるモル比の範
囲からなる主成分100重量部に対して、副成分として
タンタル酸化物1Ta20sに換算して0.1〜12.
0重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物を
提供するものである。
2O!115m203の中から選ばれる少なくとも1種
以上の希土類元素の酸化物。)、x、y、zが以下に表
わす各点a、b、c、d、e、fで四重れるモル比の範
囲からなる主成分100重量部に対して、副成分として
タンタル酸化物1Ta20sに換算して0.1〜12.
0重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物を
提供するものである。
6へ−1・
作用
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。才た、B領域では良好度Qが低
下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では温度係
数がマイナス側に犬きくな9過ぎて実用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。才た、B領域では良好度Qが低
下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では温度係
数がマイナス側に犬きくな9過ぎて実用的でなくなる。
そして、E領域では容量温度係数がプラス方向に移行す
るが誘電率が小さく実用的でなくなる。また、Re20
3をL & 20 x、 、P r 20.17s 、
Nd 203.S m 20 sから選ぶことにより、
La2O3,Pr2011/31Nd20.lSm2O
3の順で誘電率を大きく下げることなく温度係数をプラ
ス方向に移行することが可能であり、 La2O3゜P
r20.、.6.Nd206. Sm205の1種ある
いは組合せによシ容量温度係数の調節が可能である。
るが誘電率が小さく実用的でなくなる。また、Re20
3をL & 20 x、 、P r 20.17s 、
Nd 203.S m 20 sから選ぶことにより、
La2O3,Pr2011/31Nd20.lSm2O
3の順で誘電率を大きく下げることなく温度係数をプラ
ス方向に移行することが可能であり、 La2O3゜P
r20.、.6.Nd206. Sm205の1種ある
いは組合せによシ容量温度係数の調節が可能である。
第2図は本発明にかかる組成物の主成分に対し。
副成分子a205の含有効果を積層セラミックコンデン
ザの特性で示すグラフであり、T a 20 sの含有
範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明す71
\ る。第2図に示すようにT2L205ヲ含有することに
より、絶縁抵抗、絶縁破壊強度、良好塵Qが向上し、ま
た静電容量を高め、静電容量のバラツキを小さくする効
果を有する。そして、T2L205の含有により、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ta 20 sの含
有量が主成分100重量部に対し、0.1重量部未満で
は静電容量と良好塵Qが低く、1だ静電容量と良好塵Q
のバラツキが太きいため、この発明の範囲から除外した
。一方、T2L205の含有量が主成分に対し、12.
0重量部を超えると良好度Q、絶縁抵抗が低下し、容量
温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなくなる
。
ザの特性で示すグラフであり、T a 20 sの含有
範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明す71
\ る。第2図に示すようにT2L205ヲ含有することに
より、絶縁抵抗、絶縁破壊強度、良好塵Qが向上し、ま
た静電容量を高め、静電容量のバラツキを小さくする効
果を有する。そして、T2L205の含有により、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ta 20 sの含
有量が主成分100重量部に対し、0.1重量部未満で
は静電容量と良好塵Qが低く、1だ静電容量と良好塵Q
のバラツキが太きいため、この発明の範囲から除外した
。一方、T2L205の含有量が主成分に対し、12.
0重量部を超えると良好度Q、絶縁抵抗が低下し、容量
温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなくなる
。
本発明はさらに、上記組成物に、マンガン、亜鉛、鉄及
びケイ素の酸化物から選ばれる少なくとも1種以上を、
それぞれMnO2,ZnO、Fe2O3及びSiO2に
換算して主成分と副成分を合わせた100重量部に対し
、0.06〜1.00重量部添加せしめた構成とするこ
とができる。これらの添加物は磁器の焼結性を向上させ
る効果を有し、その添加量が0.06重量部未満では添
加効果はなく、1.00重量部を超えると誘電率が低下
し実用的でなくなる。
びケイ素の酸化物から選ばれる少なくとも1種以上を、
それぞれMnO2,ZnO、Fe2O3及びSiO2に
換算して主成分と副成分を合わせた100重量部に対し
、0.06〜1.00重量部添加せしめた構成とするこ
とができる。これらの添加物は磁器の焼結性を向上させ
る効果を有し、その添加量が0.06重量部未満では添
加効果はなく、1.00重量部を超えると誘電率が低下
し実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
(実施例1)
出発原料には化学的に高純度のB2Lbo3. Tie
2 。
2 。
La203. Pr60.1. Nd2O3,Sm2O
3及びT a 20 s粉末を下記の第1表に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で1000℃にて2時間仮焼した。この仮焼粉
末を、めのうボールを備えたゴム内張ジのボールミルに
純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉
砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、32
メソシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを
用いて成型圧力1ton/cJで直径15づ、厚み0.
4■に成型した。
3及びT a 20 s粉末を下記の第1表に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で1000℃にて2時間仮焼した。この仮焼粉
末を、めのうボールを備えたゴム内張ジのボールミルに
純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉
砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、32
メソシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを
用いて成型圧力1ton/cJで直径15づ、厚み0.
4■に成型した。
次いで、成型円板を、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ
質のサヤに入れ、空気中において第1表に9ハ・−−・ 示す温度で2時間焼成し、第1表に示す組成比の誘電体
磁器を得た。
質のサヤに入れ、空気中において第1表に9ハ・−−・ 示す温度で2時間焼成し、第1表に示す組成比の誘電体
磁器を得た。
こうして得られた誘電体磁器円板に、素子厚みと直径を
測定し、誘電率、良好塵Q、容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外
周より内側に1Mnの巾で銀電極の無い部分を設け、銀
電極を焼き付けた。また、誘電率、良好度Q、温度係数
はYHP社製デジタルLCRメータのモデル4276A
i使用し、測定温度20℃、測定電圧1.OVrmS測
定周波数1MHzでの測定により求めた。なお、静電容
量の温度変化は、−56℃、−25℃、20℃、85℃
、126℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとと
もに、容量温度係数は、20℃と86℃の静電容量を用
い1次式によジ求めた。
測定し、誘電率、良好塵Q、容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外
周より内側に1Mnの巾で銀電極の無い部分を設け、銀
電極を焼き付けた。また、誘電率、良好度Q、温度係数
はYHP社製デジタルLCRメータのモデル4276A
i使用し、測定温度20℃、測定電圧1.OVrmS測
定周波数1MHzでの測定により求めた。なお、静電容
量の温度変化は、−56℃、−25℃、20℃、85℃
、126℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとと
もに、容量温度係数は、20℃と86℃の静電容量を用
い1次式によジ求めた。
10へ−7
1だ、誘電率は次式により求めた。
01”−143,8XCoゞ。・
CO: 20℃での静電容量(pF )D : 誘電体
磁器の直径(能) t : 誘電体磁器の厚み(m+++)さらに、絶縁抵
抗は、YHP社製HRメータのモデル427Ai使用し
、測定電圧50 V、DJ15. 。
磁器の直径(能) t : 誘電体磁器の厚み(m+++)さらに、絶縁抵
抗は、YHP社製HRメータのモデル427Ai使用し
、測定電圧50 V、DJ15. 。
測定時間1分間による測定より求めた。そして、絶縁破
壊強度は、菊水電子工業(株)製高電圧電源PH336
に一3形を使用し、試料をシリコンオイル中に入れ、昇
圧速度60V/seaにより求めた絶縁破壊電圧を誘電
体厚みで除算し、IMn当たりの絶縁破壊強度とした。
壊強度は、菊水電子工業(株)製高電圧電源PH336
に一3形を使用し、試料をシリコンオイル中に入れ、昇
圧速度60V/seaにより求めた絶縁破壊電圧を誘電
体厚みで除算し、IMn当たりの絶縁破壊強度とした。
試験条件及び結果を第1表に併せて示す。
(以 下 余 白 )
C065
Co:20℃での静電容量(pF)
G、:85℃での静電容量(pF’ )(実施例2)
出発原料には化学的に高純度のB a CO3,T 1
02La203.Pr6O11,Nd203ISm20
6IT2L2059Nd2O3IS 、 Fe2O3及
び5102粉末を下記の第2表に示す組成比になるよう
に秤量し、それ以後は、実施例1の場合と同様に処理し
て下記の第2表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
02La203.Pr6O11,Nd203ISm20
6IT2L2059Nd2O3IS 、 Fe2O3及
び5102粉末を下記の第2表に示す組成比になるよう
に秤量し、それ以後は、実施例1の場合と同様に処理し
て下記の第2表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
これらの試別の試験方法は実施例1と同様であり、試験
条件及び結果を第2表に併せて示す。
条件及び結果を第2表に併せて示す。
(以下余 白)
4へ
16 \
(実施例3)
出発原料には化学的に高純度のBaCO3,TIO2゜
Nd205. Sm2O3及びT2L205 粉末を
使用し、主成分0.11 Ba0−o、68 Tie□
−0,21Nd2O5に対し、Ta205’io 、
0.1 、0.5 、1.0,6.010.0 、1
2.0 、16.Owt%含有シタ仮焼粉砕粉を実施例
1と同様の方法で作製する。但し、Ta205含有量0
,15.0wt%ばこの発明の範囲外であジ、0.1
、0.5 、1.0 、6.0 、10.0 。
Nd205. Sm2O3及びT2L205 粉末を
使用し、主成分0.11 Ba0−o、68 Tie□
−0,21Nd2O5に対し、Ta205’io 、
0.1 、0.5 、1.0,6.010.0 、1
2.0 、16.Owt%含有シタ仮焼粉砕粉を実施例
1と同様の方法で作製する。但し、Ta205含有量0
,15.0wt%ばこの発明の範囲外であジ、0.1
、0.5 、1.0 、6.0 、10.0 。
12.0wt%は、この発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー、可塑剤。
分散剤、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポリ
エチレン製ポットで混合し、スラリーヲ作製した。混合
後、300メツシユのナイロン布を使用し、沖過した。
エチレン製ポットで混合し、スラリーヲ作製した。混合
後、300メツシユのナイロン布を使用し、沖過した。
沖過後のスラリーはドクターブレードにより、焼結後の
誘電体厚が約12μmとなるように、離型処理をしたポ
リエステルフィルム上にシートラ成形した。次に、ポリ
エステルフィルムから剥したシート10枚全支持台の上
に積層した。
誘電体厚が約12μmとなるように、離型処理をしたポ
リエステルフィルム上にシートラ成形した。次に、ポリ
エステルフィルムから剥したシート10枚全支持台の上
に積層した。
この上に、昭栄化学(株)裏向部電極パラジウムベース
)ML−3724’((、焼結後の内部電極厚みが2/
1m となるように、スクリーン印刷し乾燥した。この
上にポリエステルフィルムから剥したソート1枚全積層
した。この上に、焼結後の内部電極重なり寸法が約1.
2闘×約○、7■となるように印刷位置をずらして内部
電極パラジウムペーストi印刷し、乾燥後ポリエステル
フィルムから剥したシート1枚を積層した。これらの操
作を、誘電体層数が19となるまで繰返した。この上に
、ポリエステルフィルムから剥したシー1−10枚を積
層した。この積層体を焼結後、内部電極重なジオ法が約
1.2wX約0.7mm、誘電体厚が約12μm。
)ML−3724’((、焼結後の内部電極厚みが2/
1m となるように、スクリーン印刷し乾燥した。この
上にポリエステルフィルムから剥したソート1枚全積層
した。この上に、焼結後の内部電極重なり寸法が約1.
2闘×約○、7■となるように印刷位置をずらして内部
電極パラジウムペーストi印刷し、乾燥後ポリエステル
フィルムから剥したシート1枚を積層した。これらの操
作を、誘電体層数が19となるまで繰返した。この上に
、ポリエステルフィルムから剥したシー1−10枚を積
層した。この積層体を焼結後、内部電極重なジオ法が約
1.2wX約0.7mm、誘電体厚が約12μm。
誘電体層数が19の積層構造をもつ積層セラミックコン
デンサとなるように、切断した。切断した試料は、ジル
コニア粉末を敷いたアルミナ質のザヤに入れ、空気中に
おいて、室温から350℃捷で全5℃/Hrで昇温し、
360℃よジ100℃/hrで昇温し、1270℃で2
時間焼成後、100℃/hrで室温まで降温した。焼結
後の試旧ば、耐水サンドペーパーを内側に貼ったポリエ
17/、 チレンボットに純水とともに入れ、ポリエチレンポット
ヲ回転させ焼結後の試料面を研磨し、外部電極と接合す
る内部電極部分を充分露出させた。
デンサとなるように、切断した。切断した試料は、ジル
コニア粉末を敷いたアルミナ質のザヤに入れ、空気中に
おいて、室温から350℃捷で全5℃/Hrで昇温し、
360℃よジ100℃/hrで昇温し、1270℃で2
時間焼成後、100℃/hrで室温まで降温した。焼結
後の試旧ば、耐水サンドペーパーを内側に貼ったポリエ
17/、 チレンボットに純水とともに入れ、ポリエチレンポット
ヲ回転させ焼結後の試料面を研磨し、外部電極と接合す
る内部電極部分を充分露出させた。
試料はポリエチレンポットより取り出し乾燥後、内部電
極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通
させ、積層セラミソクコンデンザを作製した。
極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通
させ、積層セラミソクコンデンザを作製した。
これらの試料の静電容量、良好度Q、容量温度係数、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度は実施例1と同様の条件での測定
により求めた。また、積層構造の確認は、積層セラミッ
クコンデンザの長さ方向及び幅方向の約1/2の研磨断
面を、内部電極重なり寸法は倍率100.誘電体厚みと
内部電極厚みは倍率400での観察より求めた。
縁抵抗、絶縁破壊強度は実施例1と同様の条件での測定
により求めた。また、積層構造の確認は、積層セラミッ
クコンデンザの長さ方向及び幅方向の約1/2の研磨断
面を、内部電極重なり寸法は倍率100.誘電体厚みと
内部電極厚みは倍率400での観察より求めた。
その測定結果を第2図に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
C03,TIO2+ La 203.Pr6014.N
d20Nd2O3IS、 MnO2,ZnO、Fe2O
3及び5iO2f、(使用したが、この方法に限定され
るものではなく、所望の組成比になるように、BaTi
03などの化合物、18へ−7 あるいは炭酸塩、水酸化物々ど空気中での加熱により、
BaO、TIO2,La203. Pr60.、 、
Nd2O3Sm2O3,Ta205. MnO2,Zn
O、Fe2O,及びSiO、。
C03,TIO2+ La 203.Pr6014.N
d20Nd2O3IS、 MnO2,ZnO、Fe2O
3及び5iO2f、(使用したが、この方法に限定され
るものではなく、所望の組成比になるように、BaTi
03などの化合物、18へ−7 あるいは炭酸塩、水酸化物々ど空気中での加熱により、
BaO、TIO2,La203. Pr60.、 、
Nd2O3Sm2O3,Ta205. MnO2,Zn
O、Fe2O,及びSiO、。
となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得る
ことができる。さらには、主成分をあらかじめ仮焼し、
副成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
ことができる。さらには、主成分をあらかじめ仮焼し、
副成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、容量温度係数が小
さく、かつ積層セラミックコンデンザへの利用において
は、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度
Qの低下を防ぎ、静電容量と良好度Qのバラツキを小さ
くできるため、内部電極の厚みを薄くして、積層セラミ
ックコンデンサのコストダウンが行えるとともに内部構
造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐことができ
る。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体層の厚みを
薄くし、素体の小形化、大容量化が可能である。
破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、容量温度係数が小
さく、かつ積層セラミックコンデンザへの利用において
は、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度
Qの低下を防ぎ、静電容量と良好度Qのバラツキを小さ
くできるため、内部電極の厚みを薄くして、積層セラミ
ックコンデンサのコストダウンが行えるとともに内部構
造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐことができ
る。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体層の厚みを
薄くし、素体の小形化、大容量化が可能である。
19・\−
さらに、マンガン、亜鉛、鉄及びケイ素の酸化物の添加
により、焼成温度を低下させることができる。
により、焼成温度を低下させることができる。
第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を説明する三
元図、第2図は本発明にかかる主成分0.11 Ba0
−o、68 TiO2−0,21Nd2O5に対する副
成分子a205の含有効果を、誘電体厚:12μm。 内部電極型なり寸法: 1.2 rrrm、 Xo、7
羽、誘電体層数:19の積層構造をもつ積層セラミック
コンデンサの電気特性で示すグラフである。
元図、第2図は本発明にかかる主成分0.11 Ba0
−o、68 TiO2−0,21Nd2O5に対する副
成分子a205の含有効果を、誘電体厚:12μm。 内部電極型なり寸法: 1.2 rrrm、 Xo、7
羽、誘電体層数:19の積層構造をもつ積層セラミック
コンデンサの電気特性で示すグラフである。
Claims (2)
- (1)一般式 xBaO−yTiO_2−zRe_2O_3と表わした
時(ただし、x+y+z=1.00。 Re_2O_3は、La_2O_3,Pr_2O_1_
1_/_3,Nd_2O_3,Sm_2O_3から選ば
れる少なくとも1種以上の希土類元素の酸化物。)、x
,y,zが以下に表わす各点a,b,c,d,e,fで
囲まれるモル比の範囲からなる主成分100重量部に対
し、副成分としてタンタル酸化物をTa_2O_5に換
算して0.1〜12.0重量部含有したことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ - (2)主成分と副成分を合わせた100重量部に対して
、マンガン,亜鉛,鉄及びケイ素の酸化物から選ばれる
少なくとも1種以上を、それぞれMnO_2,ZnO,
Fe_2O_3及びSiO_2に換算して0.05〜1
.00重量部添加したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062406A JP2899302B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062406A JP2899302B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02242516A true JPH02242516A (ja) | 1990-09-26 |
JP2899302B2 JP2899302B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=13199227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1062406A Expired - Fee Related JP2899302B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2899302B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650368A (en) * | 1993-12-02 | 1997-07-22 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition |
EP1095918A3 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51143896A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143895A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143897A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143898A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS6217069A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | 三菱電機株式会社 | 誘電体磁器材料 |
JPS6256361A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 富士チタン工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1062406A patent/JP2899302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51143896A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143895A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143897A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS51143898A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
JPS6217069A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | 三菱電機株式会社 | 誘電体磁器材料 |
JPS6256361A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 富士チタン工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650368A (en) * | 1993-12-02 | 1997-07-22 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition |
EP1095918A3 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2899302B2 (ja) | 1999-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |