JPH07211140A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH07211140A JPH07211140A JP6004463A JP446394A JPH07211140A JP H07211140 A JPH07211140 A JP H07211140A JP 6004463 A JP6004463 A JP 6004463A JP 446394 A JP446394 A JP 446394A JP H07211140 A JPH07211140 A JP H07211140A
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- Japan
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- composition
- parts
- dielectric
- main component
- niobium oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器組成物を提
供することを目的とするものである。 【構成】 一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（Ｍ
ｇＯ）z］a［（ＴｉＯ 2）1-c（ＺｒＯ2）c］bで表さ
れ、式中のａ／ｂの値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６、
ｃの値が０．０１≦ｃ≦０．２０なる範囲にあり、かつ
ｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，
ｙ，ｚの値が 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物を主成分とし、主成分１０
０重量部に対し、ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して
０．００１〜０．００６モル部添加含有させるものであ
る。
供することを目的とするものである。 【構成】 一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（Ｍ
ｇＯ）z］a［（ＴｉＯ 2）1-c（ＺｒＯ2）c］bで表さ
れ、式中のａ／ｂの値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６、
ｃの値が０．０１≦ｃ≦０．２０なる範囲にあり、かつ
ｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，
ｙ，ｚの値が 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物を主成分とし、主成分１０
０重量部に対し、ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して
０．００１〜０．００６モル部添加含有させるものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器用固定磁器コン
デンサに使用される誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
デンサに使用される誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来誘電体磁器組成物としてＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ2系のものが知られている。
ａＯ−ＴｉＯ2系のものが知られている。
【０００３】上記の組成において、例えば０．３２ Ｓ
ｒＯ・０．１８ ＣａＯ・０．５０ＴｉＯ2の組成比から
なる誘電体磁器組成物を使用し、１３８０℃で焼成し、
円板形磁器コンデンサを作製した場合には、誘電率：２
５０、静電容量温度係数：Ｎ８７０ｐｐｍ／℃、Ｑ：３
０００、絶縁抵抗８．０×１０11Ω、絶縁破壊強度：２
０kV／mmおよび結晶粒径：５〜２０μｍの値を示し、ま
た１３７０℃で焼成すると静電容量温度係数：Ｎ９５０
ｐｐｍ／℃を示すものが得られるというものであった。
ｒＯ・０．１８ ＣａＯ・０．５０ＴｉＯ2の組成比から
なる誘電体磁器組成物を使用し、１３８０℃で焼成し、
円板形磁器コンデンサを作製した場合には、誘電率：２
５０、静電容量温度係数：Ｎ８７０ｐｐｍ／℃、Ｑ：３
０００、絶縁抵抗８．０×１０11Ω、絶縁破壊強度：２
０kV／mmおよび結晶粒径：５〜２０μｍの値を示し、ま
た１３７０℃で焼成すると静電容量温度係数：Ｎ９５０
ｐｐｍ／℃を示すものが得られるというものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、絶縁抵抗が小さく、また結晶粒径が大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁破
壊強度が小さいという問題点を有していた。
来の構成では、絶縁抵抗が小さく、また結晶粒径が大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁破
壊強度が小さいという問題点を有していた。
【０００５】本発明は絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器
組成物を提供することを目的とするものである。
組成物を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明による誘電体磁器組成物は、一般式として
［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a［（Ｔｉ
Ｏ2）1-c（ＺｒＯ2）c］bで表され、式中のａ／ｂの値
が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６、ｃの値が０．０１≦ｃ
≦０．２０なる範囲にあり、かつｘ，ｙおよびｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表２）
に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分として、
ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．００１〜０．０
０６モル部添加含有させるものである。
ために本発明による誘電体磁器組成物は、一般式として
［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a［（Ｔｉ
Ｏ2）1-c（ＺｒＯ2）c］bで表され、式中のａ／ｂの値
が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６、ｃの値が０．０１≦ｃ
≦０．２０なる範囲にあり、かつｘ，ｙおよびｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表２）
に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分として、
ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．００１〜０．０
０６モル部添加含有させるものである。
【０００７】
【表２】
【０００８】
【作用】上記構成は、ＳｒＯ・ＣａＯの一部をＭｇＯで
置換することにより焼結性を改善し、またＴｉＯ2に対
するＳｒＯ・ＣａＯ・ＭｇＯのモル比率を大きくするこ
とにより結晶粒径を小さくし、さらにＴｉＯ2の一部を
ＺｒＯ2で置換することにより焼成温度に対する静電容
量温度特性変動を小さくする。ニオブ酸化物を副成分と
して添加含有させることにより絶縁破壊強度を向上させ
るだけでなく、焼結性と焼成温度に対する静電容量温度
特性変動を改善し、絶縁抵抗を向上させることが可能と
なる。
置換することにより焼結性を改善し、またＴｉＯ2に対
するＳｒＯ・ＣａＯ・ＭｇＯのモル比率を大きくするこ
とにより結晶粒径を小さくし、さらにＴｉＯ2の一部を
ＺｒＯ2で置換することにより焼成温度に対する静電容
量温度特性変動を小さくする。ニオブ酸化物を副成分と
して添加含有させることにより絶縁破壊強度を向上させ
るだけでなく、焼結性と焼成温度に対する静電容量温度
特性変動を改善し、絶縁抵抗を向上させることが可能と
なる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１０】（実施例１）まず、出発原料として、化学
的に高純度のＳｒＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2およびＮｂ2Ｏ5粉末を（表３）に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入
れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
的に高純度のＳｒＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2およびＮｂ2Ｏ5粉末を（表３）に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入
れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
【００１１】
【表３】
【００１２】次に、この仮焼粉末を、めのうボールを備
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダ
ーを加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通し
て整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ton／c
m2で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて（表３）に示す焼成温度で２時間焼成
し、（表３）の試料番号１〜６に示す組成比の誘電体磁
器円板を得た。
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダ
ーを加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通し
て整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ton／c
m2で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて（表３）に示す焼成温度で２時間焼成
し、（表３）の試料番号１〜６に示す組成比の誘電体磁
器円板を得た。
【００１３】このようにして得られた誘電体磁器円板の
厚みと直径を測定した。また、誘電率、Ｑ、静電容量温
度係数を誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
て測定した。
厚みと直径を測定した。また、誘電率、Ｑ、静電容量温
度係数を誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
て測定した。
【００１４】さらに絶縁抵抗、絶縁破壊強度を誘電体磁
器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部分を
設け、銀電極を焼き付けて測定した。
器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部分を
設け、銀電極を焼き付けて測定した。
【００１５】なお、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数は、
横河ヒューレット・パッカード（株）製デジタルＬＣＲ
メータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測定よ
り求めた。
横河ヒューレット・パッカード（株）製デジタルＬＣＲ
メータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測定よ
り求めた。
【００１６】また、静電容量温度係数は、２０℃と８５
℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
【００１７】 ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏ×１／６５×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率（Ｋ）は次式より求めた。
【００１８】Ｋ＝１４３．８×Ｃｏ×ｔ／Ｄ2 Ｋ：誘電率 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ：誘電体磁器の直径（mm） ｔ：誘電体磁器の厚み（mm） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒューレット・パッカード
（株）製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定
電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より
求めた。
（株）製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定
電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より
求めた。
【００１９】そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／secによ
り求めた絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当り
の絶縁破壊強度とした。
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／secによ
り求めた絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当り
の絶縁破壊強度とした。
【００２０】また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕
微鏡観察より求めた。上記測定結果を試料番号１〜６別
に（表４）に示す。
微鏡観察より求めた。上記測定結果を試料番号１〜６別
に（表４）に示す。
【００２１】
【表４】
【００２２】図１は本発明にかかる組成物の主成分のＳ
ｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯのモル比範囲を示す三元図であ
り、主成分のＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯのモル比範囲を限
定した理由を図１を参照しながら説明する。すなわち、
Ａ，Ｂ領域では静電容量温度係数がマイナス側に大きく
なりすぎて実用的でなくなる。また、Ｃ領域では誘電率
が小さく実用的でなくなる。
ｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯのモル比範囲を示す三元図であ
り、主成分のＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯのモル比範囲を限
定した理由を図１を参照しながら説明する。すなわち、
Ａ，Ｂ領域では静電容量温度係数がマイナス側に大きく
なりすぎて実用的でなくなる。また、Ｃ領域では誘電率
が小さく実用的でなくなる。
【００２３】さらに、ＴｉＯ2に対するＳｒＯ・ＣａＯ
・ＭｇＯのモル比率ａ／ｂを大きくすることにより、結
晶粒径を小さくする効果を有する。しかし、ａ／ｂが１
未満では結晶粒径が大きくなり、１．０６を越えると焼
結性が著しく低下し、実用的でなくなる。
・ＭｇＯのモル比率ａ／ｂを大きくすることにより、結
晶粒径を小さくする効果を有する。しかし、ａ／ｂが１
未満では結晶粒径が大きくなり、１．０６を越えると焼
結性が著しく低下し、実用的でなくなる。
【００２４】そして、ＴｉＯ2の一部をＺｒＯ2で置換す
ることにより焼成温度に対する静電容量温度特性変動を
小さくする効果を有する。しかしその置換率ｃが０．０
１未満では置換効果がなく、０．２０を越えると焼結困
難となり、誘電率、Ｑ、絶縁抵抗が低下し、実用的では
なくなる。
ることにより焼成温度に対する静電容量温度特性変動を
小さくする効果を有する。しかしその置換率ｃが０．０
１未満では置換効果がなく、０．２０を越えると焼結困
難となり、誘電率、Ｑ、絶縁抵抗が低下し、実用的では
なくなる。
【００２５】また、主成分に対し、副成分Ｎｂ2Ｏ5を添
加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくする効果を有する。しかし、Ｎｂ2
Ｏ5の含有量が主成分１００重量部に対し、０．００１
モル部未満の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．
０６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側に
大きくなり実用的でなくなる。
加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくする効果を有する。しかし、Ｎｂ2
Ｏ5の含有量が主成分１００重量部に対し、０．００１
モル部未満の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．
０６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側に
大きくなり実用的でなくなる。
【００２６】（実施例２）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成
比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に
処理して（表５）の試料番号７〜１２に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号７〜１２別に（表６）に示す。
に代えて、高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成
比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に
処理して（表５）の試料番号７〜１２に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号７〜１２別に（表６）に示す。
【００２７】
【表５】
【００２８】
【表６】
【００２９】主成分の組成範囲と構成を限定した理由
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００３０】主成分に対し、副成分Ｔａ2Ｏ5を添加含有
させることにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度を大きくする効果を有する。しかし、Ｔａ2Ｏ5の
含有量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部
未満の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６
モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側に大き
くなり実用的でなくなる。
させることにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度を大きくする効果を有する。しかし、Ｔａ2Ｏ5の
含有量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部
未満の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６
モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側に大き
くなり実用的でなくなる。
【００３１】（実施例３）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表７）の試料番号１３〜１８に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号１３〜１８別に（表８）に示す。
に代えて、高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表７）の試料番号１３〜１８に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号１３〜１８別に（表８）に示す。
【００３２】
【表７】
【００３３】
【表８】
【００３４】主成分の組成範囲と構成を限定した理由
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００３５】主成分に対し、副成分Ｖ2Ｏ5を添加含有す
ることにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度を大きくする効果を有する。しかし、Ｖ2Ｏ5の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満の
場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６モル部
を越えると絶縁抵抗が小さくなり、実用的でなくなる。
ることにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度を大きくする効果を有する。しかし、Ｖ2Ｏ5の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満の
場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６モル部
を越えると絶縁抵抗が小さくなり、実用的でなくなる。
【００３６】（実施例４）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ 2Ｏ5粉
末を（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号１
９〜２４に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１
と同様に処理して特性を測定した結果を試料番号１９〜
２４別に（表１０）に示す。
に代えて、高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ 2Ｏ5粉
末を（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号１
９〜２４に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１
と同様に処理して特性を測定した結果を試料番号１９〜
２４別に（表１０）に示す。
【００３７】
【表９】
【００３８】
【表１０】
【００３９】主成分の組成範囲と構成を限定した理由
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００４０】主成分に対し、副成分Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加含有することにより、焼結性を改善
し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きくする効果を有す
る。しかし、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の含有量の合
計が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６モル
部を越えると絶縁抵抗が小さくなり、静電容量温度係数
がマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。また、Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5のうち二種以上を含有させる
ことにより、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5のうちの一種
を含有させるものに比べ、さらに誘電率、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくし、静電容量温度係数を小さくする
ことができる。
2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加含有することにより、焼結性を改善
し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きくする効果を有す
る。しかし、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の含有量の合
計が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
の場合はそれほど添加含有効果がなく、０．００６モル
部を越えると絶縁抵抗が小さくなり、静電容量温度係数
がマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。また、Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5のうち二種以上を含有させる
ことにより、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5のうちの一種
を含有させるものに比べ、さらに誘電率、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくし、静電容量温度係数を小さくする
ことができる。
【００４１】なお、実施例１〜４における誘電体磁器の
作製では、出発原料としてＳｒＣＯ 3，ＣａＣＯ3，Ｍｇ
Ｏ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ2
Ｏ5を使用したが、これらに限定されるものではなく、
所望の組成比になるように、ＳｒＴｉＯ3などの化合
物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱によ
り、ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ
2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5となる化合物を使用しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
作製では、出発原料としてＳｒＣＯ 3，ＣａＣＯ3，Ｍｇ
Ｏ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ2
Ｏ5を使用したが、これらに限定されるものではなく、
所望の組成比になるように、ＳｒＴｉＯ3などの化合
物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱によ
り、ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ
2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5となる化合物を使用しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
【００４２】また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分
を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
【００４３】また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ
Ｏ2，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、水酸化物、酸化物な
どを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
Ｏ2，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、水酸化物、酸化物な
どを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
【００４４】
【発明の効果】以上、本発明は、一般式として［（Ｓｒ
Ｏ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a［（ＴｉＯ2）1-c（Ｚ
ｒＯ2）c］bで表され、式中のａ／ｂの値が１．００≦
ａ／ｂ≦１．０６、ｃの値が０．０１≦ｃ≦０．２０な
る範囲にあり、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が
Ｏ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a［（ＴｉＯ2）1-c（Ｚ
ｒＯ2）c］bで表され、式中のａ／ｂの値が１．００≦
ａ／ｂ≦１．０６、ｃの値が０．０１≦ｃ≦０．２０な
る範囲にあり、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が
【００４５】
【表１１】
【００４６】に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の
範囲にある組成を有する主成分に、ニオブ酸化物、タン
タル酸化物、バナジウム酸化物もしくはそれから選ばれ
る二種以上を副成分として添加含有させた誘電体磁器組
成物である。この構成により絶縁破壊強度が大きいだけ
でなく、結晶粒径が小さく、焼結性が良く、焼成温度に
対する静電容量温度特性変動が小さく、絶縁抵抗が大き
い誘電体磁器を得ることができるものである。さらにニ
オブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物をそれ
ぞれ単独で添加含有させるより二種以上を添加含有させ
る方がより大きな効果が得られる。
範囲にある組成を有する主成分に、ニオブ酸化物、タン
タル酸化物、バナジウム酸化物もしくはそれから選ばれ
る二種以上を副成分として添加含有させた誘電体磁器組
成物である。この構成により絶縁破壊強度が大きいだけ
でなく、結晶粒径が小さく、焼結性が良く、焼成温度に
対する静電容量温度特性変動が小さく、絶縁抵抗が大き
い誘電体磁器を得ることができるものである。さらにニ
オブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物をそれ
ぞれ単独で添加含有させるより二種以上を添加含有させ
る方がより大きな効果が得られる。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の組成範囲
を説明する三元図
を説明する三元図
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y
（ＭｇＯ）z］a［（ＴｉＯ2）1-c（ＺｒＯ2）c］bで表
され、前記一般式中のａ／ｂの値が１．００≦ａ／ｂ≦
１．０６、ｃの値が０．０１≦ｃ≦０．２０なる範囲に
あり、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分として、
ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．００１〜０．０
０６モル部添加含有させた誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のニオブ酸化物に代えて、
タンタル酸化物をＴａ 2Ｏ5に換算して０．００１〜０．
００６モル部添加含有させた請求項１記載の誘電体磁器
組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載のニオブ酸化物に代えて、
バナジウム酸化物をＶ 2Ｏ5に換算して０．００１〜０．
００６モル部添加含有させた請求項１記載の誘電体磁器
組成物。 - 【請求項４】 請求項１記載のニオブ酸化物に代えて、
ニオブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物の中
から少なくとも二種以上をそれぞれＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ3，Ｖ2Ｏ5に換算して０．００１〜０．００６モル部
添加含有させる請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004463A JPH07211140A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004463A JPH07211140A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211140A true JPH07211140A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11584837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6004463A Pending JPH07211140A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211140A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002000568A1 (fr) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Tdk Corporation | Compositions a base de porcelaine dielectrique et pieces electroniques en rapport |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| KR100419868B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2004-02-25 | 한국과학기술연구원 | 저온소성 다층기판용 유전체 세라믹의 제조방법 |
| US20150139471A1 (en) * | 2004-07-06 | 2015-05-21 | Kaddan Entertainment, Inc. | System and method for securing headphone transducers |
-
1994
- 1994-01-20 JP JP6004463A patent/JPH07211140A/ja active Pending
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| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
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| US9510080B2 (en) | 2004-07-06 | 2016-11-29 | Kaddan Entertainment, Inc. | System and method for securing headphone transducers |
| US9820031B2 (en) | 2004-07-06 | 2017-11-14 | Kaddan Entertainment, Inc. | System and method for securing headphone transducers |
| US10200777B2 (en) | 2004-07-06 | 2019-02-05 | Kaddan Entertainment, Inc. | System and method for securing headphone transducers |
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