JP2917454B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP2917454B2 JP2917454B2 JP2197232A JP19723290A JP2917454B2 JP 2917454 B2 JP2917454 B2 JP 2917454B2 JP 2197232 A JP2197232 A JP 2197232A JP 19723290 A JP19723290 A JP 19723290A JP 2917454 B2 JP2917454 B2 JP 2917454B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器用固定磁器コンデンサの誘電体磁器
組成物に関する。
組成物に関する。
従来の技術 以下に従来の誘電体磁器組成物について説明する。従
来より、誘電体磁器組成物として下記のような系が知ら
れている。
来より、誘電体磁器組成物として下記のような系が知ら
れている。
BaO・TiO2・Nd2O3系 BaO・TiO2・Sm2O3系 例えば、0.009BaO・0.56TiO2・0.35NbO3/2の組成を有
する誘電体磁器組成物を使用し、誘電体磁器円板を作製
し、電気特性および結晶粒径を測定して、誘電体:67、
静電容量温度係数:40ppm/℃、良好度Q:3000、絶縁抵抗:
8.0×1012Ω絶縁破壊強度:30KV/mmおよび結晶粒径:1〜
５μｍの値が得られた。
する誘電体磁器組成物を使用し、誘電体磁器円板を作製
し、電気特性および結晶粒径を測定して、誘電体:67、
静電容量温度係数:40ppm/℃、良好度Q:3000、絶縁抵抗:
8.0×1012Ω絶縁破壊強度:30KV/mmおよび結晶粒径:1〜
５μｍの値が得られた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来の構成では、結晶粒径が大
きく、誘電体磁器中の気孔率が大きくなるとともに結晶
粒子１個当りにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁
破壊強度が満足のできる大きな値ではないという問題点
をを有していた。
きく、誘電体磁器中の気孔率が大きくなるとともに結晶
粒子１個当りにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁
破壊強度が満足のできる大きな値ではないという問題点
をを有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、結晶粒
径が小さく、絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得るこ
とができる誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
る。
径が小さく、絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得るこ
とができる誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の誘電体磁器組成物
は、一般式ｘ｛（BaO）1-u（MgO）ｕ｝−ｙ｛（TiO2）
(1-v)（ZrO2）ｖ｝−zReO3/2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.
00、0.01≦ｕ≦0.50、0.001≦ｖ≦0.200、Reは、La,Pr,
Nd,Smから選ばれる一種類以上の希土類元素。）と表し
た時、x,y,zが以下の表に示す各点a,b,c,d,e,fで囲まれ
るモル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、副成
分としてV2O5を0.005〜1.000重量部含有したものであ
る。
は、一般式ｘ｛（BaO）1-u（MgO）ｕ｝−ｙ｛（TiO2）
(1-v)（ZrO2）ｖ｝−zReO3/2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.
00、0.01≦ｕ≦0.50、0.001≦ｖ≦0.200、Reは、La,Pr,
Nd,Smから選ばれる一種類以上の希土類元素。）と表し
た時、x,y,zが以下の表に示す各点a,b,c,d,e,fで囲まれ
るモル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、副成
分としてV2O5を0.005〜1.000重量部含有したものであ
る。
作用 この構成によると、Reを、La,Pr,Nd,Smから選ぶこと
により、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラス
方向に移行することとなる。
により、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラス
方向に移行することとなる。
またBaOをMgOで置換することにより、静電容量温度係
数をプラス方向に移行し、絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
数をプラス方向に移行し、絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
さらにTiO2をZrO2で置換することにより、結晶粒径を
小さくすることができる。
小さくすることができる。
さらにまた誘電体磁器組成物中の４価のTiおよびZrの
一部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空
孔で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償し、TiO2が還元
されるのを抑制できる。従って固定磁器コンデンサの一
種である積層セラミックコンデンサを作製する場合、誘
電体層中のTiとPd等の内部電極を形成する金属との化合
物の生成を防止でき、誘電体層と内部電極の界面の密着
性が向上するため、静電容量とＱ値が大きく、そのバラ
ツキが小さい積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。
一部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空
孔で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償し、TiO2が還元
されるのを抑制できる。従って固定磁器コンデンサの一
種である積層セラミックコンデンサを作製する場合、誘
電体層中のTiとPd等の内部電極を形成する金属との化合
物の生成を防止でき、誘電体層と内部電極の界面の密着
性が向上するため、静電容量とＱ値が大きく、そのバラ
ツキが小さい積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。
また従来の誘電体磁器組成物は、焼成時に還元された
TiO2が冷却過程である程度再酸化されるが、誘電体層の
内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化されにくく酸素欠
乏状態のまま残る。この酸素欠乏が電気伝導に寄与し、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗、絶縁破壊強度を劣化させ
る。本発明の誘電体磁器組成物は、４価のTi及びZrの一
部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空孔
で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償する。
TiO2が冷却過程である程度再酸化されるが、誘電体層の
内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化されにくく酸素欠
乏状態のまま残る。この酸素欠乏が電気伝導に寄与し、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗、絶縁破壊強度を劣化させ
る。本発明の誘電体磁器組成物は、４価のTi及びZrの一
部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空孔
で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償する。
従って本発明の誘電体磁器組成物を用いることにより
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が従来よりも向上した積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が従来よりも向上した積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。
実施例 以下本発明の一実施例について説明する。
（実施例１） 出発原料には化学的に高純度のV2O5,La2O3,Pr6O11,Nd
2O3,Sm2O3,ZrO2,TiO2,MgOおよびBaCO3粉末を下記の第２
表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質の
るつぼに入れ、空気中で1100℃にて２時間仮焼した。次
いで、この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型
と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/cm2で直径15mm、厚
み0.4mmに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉
末を敷いたアルミナ質のさやに入れ、空気中にて第２表
に示す焼成温度で２時間焼成し、第２表の試料番号１〜
10に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
2O3,Sm2O3,ZrO2,TiO2,MgOおよびBaCO3粉末を下記の第２
表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質の
るつぼに入れ、空気中で1100℃にて２時間仮焼した。次
いで、この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型
と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/cm2で直径15mm、厚
み0.4mmに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉
末を敷いたアルミナ質のさやに入れ、空気中にて第２表
に示す焼成温度で２時間焼成し、第２表の試料番号１〜
10に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直
径と重量を測定し、誘電率、良好度Q,静電容量温度係数
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体
磁器円板の外周より内側に1mmの幅で銀電極の無い部分
を設け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度
Ｑ、静電容量温度係数は、横河・ヒューレット・パッカ
ード（株）製デジタルLCRメータのモデル4275Aを使用
し、測定温度20℃、測定電圧1.0Vrms、測定周波数1MHz
での測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、20℃
と85℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
径と重量を測定し、誘電率、良好度Q,静電容量温度係数
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体
磁器円板の外周より内側に1mmの幅で銀電極の無い部分
を設け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度
Ｑ、静電容量温度係数は、横河・ヒューレット・パッカ
ード（株）製デジタルLCRメータのモデル4275Aを使用
し、測定温度20℃、測定電圧1.0Vrms、測定周波数1MHz
での測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、20℃
と85℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
TC＝（Ｃ−Co）/Co×1/65×106 TC:静電容量温度係数（ppm/℃） Co:20℃での静電容量（pF） C :85℃での静電容量（pF） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝143.8×Co×t/D2 K :誘電率 Co:20℃での静電容量（pF） D :誘電体磁器の直径（mm） t :誘電体磁器の厚み（mm） さらに、絶縁抵抗は、横河・ヒューレット・パッカー
ド（株）製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
0V.D.C.、測定時間１分間による測定より求めた。
ド（株）製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
0V.D.C.、測定時間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業（株）製高電
圧電源PHS35K−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/secにより求めた絶縁破壊電圧を
誘電体厚みで除算し、1mm当りの絶縁破壊強度とした。
圧電源PHS35K−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/secにより求めた絶縁破壊電圧を
誘電体厚みで除算し、1mm当りの絶縁破壊強度とした。
また、結晶粒径は、倍率400での光学顕微鏡観察より
求めた。この測定結果を試料番号１〜10別に下記の第３
表に示す。
求めた。この測定結果を試料番号１〜10別に下記の第３
表に示す。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を
示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を
第１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。ま
た、ReをLa,Pr,Nd,Smから選ぶことにより、La,Pr,Nd,Sm
の順で誘電率を大きく下げることなく静電容量温度係数
をプラス方向に移行することが可能であり、La,Pr,Nd,S
mの一種あるいは組合せにより静電容量温度係数の調節
が可能である。
示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を
第１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。ま
た、ReをLa,Pr,Nd,Smから選ぶことにより、La,Pr,Nd,Sm
の順で誘電率を大きく下げることなく静電容量温度係数
をプラス方向に移行することが可能であり、La,Pr,Nd,S
mの一種あるいは組合せにより静電容量温度係数の調節
が可能である。
また、BaOをMgOで置換することにより、誘電率、良好
度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく、静電
容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を高く
する効果を有し、その置換率ｕが0.01未満で置換効果は
なく、一方0.50を超えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく、静電
容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を高く
する効果を有し、その置換率ｕが0.01未満で置換効果は
なく、一方0.50を超えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
また、TiO2をZrO2で置換することにより、誘電率、良
好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変え
ることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度を大き
くする効果を有し、その置換率ｖが0.001未満では置換
効果はなく、一方0.200を超えると誘電率、良好度Ｑ、
絶縁抵抗が低下する。
好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変え
ることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度を大き
くする効果を有し、その置換率ｖが0.001未満では置換
効果はなく、一方0.200を超えると誘電率、良好度Ｑ、
絶縁抵抗が低下する。
また、主成分に対し、副成分V2O5を含有させることに
より、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、V2O5の含有量が主成分100重量部に対し、0.005重量
部未満は絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から
除外した。一方、V2O5の含有量が主成分に対し、1.000
重量部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、実用的
でなくなる。
より、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、V2O5の含有量が主成分100重量部に対し、0.005重量
部未満は絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から
除外した。一方、V2O5の含有量が主成分に対し、1.000
重量部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、実用的
でなくなる。
（実施例２） 実施例１の高純度のV2O5粉末に代えて、高純度のNb2O
5粉末を第４表に示す組成比になるように秤量し、以降
の工程を実施例１と同様に処理して第４表の試料番号11
〜20に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１と同
様に処理して電気特性および結晶粒径を測定した結果を
試料番号11〜20別に下記の第５表に示す。
5粉末を第４表に示す組成比になるように秤量し、以降
の工程を実施例１と同様に処理して第４表の試料番号11
〜20に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１と同
様に処理して電気特性および結晶粒径を測定した結果を
試料番号11〜20別に下記の第５表に示す。
ここで、主成分の組成範囲を限定した理由は、実施例
１と同様であるので説明は省略する。
１と同様であるので説明は省略する。
そして、主成分に対し、副成分Nb2O5を含有すること
により、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、Nb2O5の含有量が主成分100重量部に対し0.3重量部
未満は絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除
外した。一方、Nb2O5の含有量が主成分に対し5.0重量部
を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度
係数がマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。
により、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、Nb2O5の含有量が主成分100重量部に対し0.3重量部
未満は絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除
外した。一方、Nb2O5の含有量が主成分に対し5.0重量部
を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度
係数がマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。
（実施例３および４） 実施例１の高純度のV2O5粉末に代えて、高純度のTa2O
5または、V2O5,Nb2O5およびTa2O5粉末を第６表および第
８表に示す組成比になるように秤量し、以降の工程を実
施例１と同様に処理して下記の第６表の試料番号21〜30
および第８表の試料番号31〜40に示す組成比の誘電体磁
器円板を得、実施例１と同様に処理して、電気特性およ
び結晶粒径を測定した結果を試料番号21〜40別に下記の
第７表と第９表に示す。
5または、V2O5,Nb2O5およびTa2O5粉末を第６表および第
８表に示す組成比になるように秤量し、以降の工程を実
施例１と同様に処理して下記の第６表の試料番号21〜30
および第８表の試料番号31〜40に示す組成比の誘電体磁
器円板を得、実施例１と同様に処理して、電気特性およ
び結晶粒径を測定した結果を試料番号21〜40別に下記の
第７表と第９表に示す。
ここで、主成分の組成範囲を限定した理由は、実施例
１と同様であるので説明は省略する。
１と同様であるので説明は省略する。
そして、実施例３において、主成分に対し、副成分Ta
2o5を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が
向上する効果を有し、Ta2o5の含有量が主成分100重量部
に対し、0.1重量部未満は絶縁破壊強度が大きくなくこ
の発明の範囲から除外した。一方Ta2o5の含有量が主成
分に対し、10.0重量部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が
低下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実
用的でなくなる。
2o5を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が
向上する効果を有し、Ta2o5の含有量が主成分100重量部
に対し、0.1重量部未満は絶縁破壊強度が大きくなくこ
の発明の範囲から除外した。一方Ta2o5の含有量が主成
分に対し、10.0重量部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が
低下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実
用的でなくなる。
また、実施例４において、主成分に対し、副成分Nb2O
5,Ta2O5,V2O5を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度が向上する効果を有し、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有
量の合計が主成分100重量部に対し、0.001モル部未満は
絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除外し
た。一方、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の合計が主成分に
対し、0.010モル部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低
下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用
的でなくなる。また、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる二
種以上を含有することにより、Nb2O5,Ta2o5,V2O5から選
ばれる一種を含有するものに比べ、誘電率が高く、絶縁
抵抗と絶縁破壊電圧が大きく、良好度Ｑにすぐれ、静電
容量温度係数を小さくすることができる。
5,Ta2O5,V2O5を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度が向上する効果を有し、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有
量の合計が主成分100重量部に対し、0.001モル部未満は
絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除外し
た。一方、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の合計が主成分に
対し、0.010モル部を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低
下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用
的でなくなる。また、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる二
種以上を含有することにより、Nb2O5,Ta2o5,V2O5から選
ばれる一種を含有するものに比べ、誘電率が高く、絶縁
抵抗と絶縁破壊電圧が大きく、良好度Ｑにすぐれ、静電
容量温度係数を小さくすることができる。
なお、実施例における誘電体磁器の作成方法では、V2
O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr2O11,Nd2O3,Sm2O3,ZrO2,TiO2,
MgOおよびBaCO3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるように、BaTiO3などの
化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱
により、V2O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr2O11,Nd2O3,Sm2O3,
ZrO2,TiO2,MgOおよびBaOとなる化合物を使用しても実施
例と同程度の特性を得ることができる。
O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr2O11,Nd2O3,Sm2O3,ZrO2,TiO2,
MgOおよびBaCO3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるように、BaTiO3などの
化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱
により、V2O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr2O11,Nd2O3,Sm2O3,
ZrO2,TiO2,MgOおよびBaOとなる化合物を使用しても実施
例と同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原
料の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チ
タンKA−10、古河鉱業（株）製二酸化チタンFA−55Wに
は最大0.45重量％のNb2O5が含まれるが、これらの二酸
化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製しても主
成分100重量部に対して、Nb2O5の含有量は最大で0.23重
量部であり、この発明の範囲外であるが、工業用原料の
二酸化チタン中のNb2O5量を考慮し、不足分のNb2O5を含
有させることにより、実施例と同程度の特性を得ること
ができる。
料の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チ
タンKA−10、古河鉱業（株）製二酸化チタンFA−55Wに
は最大0.45重量％のNb2O5が含まれるが、これらの二酸
化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製しても主
成分100重量部に対して、Nb2O5の含有量は最大で0.23重
量部であり、この発明の範囲外であるが、工業用原料の
二酸化チタン中のNb2O5量を考慮し、不足分のNb2O5を含
有させることにより、実施例と同程度の特性を得ること
ができる。
また、上述の基本組成のほかに、SiO2,MnO2,Fe2O3,Zn
Oなど一般にフラックスと考えられている塩類、酸化物
などを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
Oなど一般にフラックスと考えられている塩類、酸化物
などを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
発明の効果 以上本発明によると、Reを、La,Pr,Nd,Smから選ぶこ
とにより、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラ
ス方向に移行することとなる。
とにより、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラ
ス方向に移行することとなる。
またBaOをMgOで置換することにより、静電容量温度係
数をプラス方向に移行し、絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
数をプラス方向に移行し、絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
さらにTiO2をZrO2で置換することにより、結晶粒径を
小さくすることができる。
小さくすることができる。
さらにまた誘電体磁器組成物中の４価のTiおよびZrの
一部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空
孔で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償し、TiO2が還元
されるのを抑制できる。従って固定磁器コンデンサの一
種である積層セラミックコンデンサを作製する場合、誘
電体層中のTiとPd等の内部電極を形成する金属との化合
物の生成を防止でき、誘電体層と内部電極の界面の密着
性が向上するため、静電容量とＱ値が大きく、そのバラ
ツキが小さい積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。
一部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空
孔で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償し、TiO2が還元
されるのを抑制できる。従って固定磁器コンデンサの一
種である積層セラミックコンデンサを作製する場合、誘
電体層中のTiとPd等の内部電極を形成する金属との化合
物の生成を防止でき、誘電体層と内部電極の界面の密着
性が向上するため、静電容量とＱ値が大きく、そのバラ
ツキが小さい積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。
また従来の誘電体磁器組成物は、焼成時に還元された
TiO2が冷却過程である程度再酸化されるが、誘電体層の
内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化されにくく酸素欠
乏状態のまま残る。この酸素欠乏が電気伝導に寄与し、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗、絶縁破壊強度を劣化させ
る。本発明の誘電体磁器組成物は、４価のTi及びZrの一
部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空孔
で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償する。
TiO2が冷却過程である程度再酸化されるが、誘電体層の
内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化されにくく酸素欠
乏状態のまま残る。この酸素欠乏が電気伝導に寄与し、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗、絶縁破壊強度を劣化させ
る。本発明の誘電体磁器組成物は、４価のTi及びZrの一
部を５価のＶで置換することにより生じた陽イオン空孔
で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償する。
従って本発明の誘電体磁器組成物を用いることにより
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が従来よりも向上した積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が従来よりも向上した積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元図である。
の組成範囲を説明する三元図である。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式ｘ｛（BaO）1-u（MgO）ｕ｝・ｙ
｛（TiO2）(1-v)（ZrO2）ｖ・zReO3/2（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝1.00、0.01≦ｕ≦0.50、0.001≦ｖ≦0.200、Re
は、La,Pr,Nd,Smから選ばれる一種類以上の希土類元
素。）と表した時、x,y,zが以下の表に示す各点a,b,c,
d,e,fで囲まれるモル比の範囲からなる主成分100重量部
に対し、副成分としてV2O5を0.005〜1.000重量部含有し
たことを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】V2O5に代えてNb2O5を0.3〜5.0重量部含有
した請求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】V2O5に代えてTa2O5を0.1〜10.0重量部含有
した請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197232A JP2917454B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197232A JP2917454B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482104A JPH0482104A (ja) | 1992-03-16 |
| JP2917454B2 true JP2917454B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=16371044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197232A Expired - Fee Related JP2917454B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917454B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2197232A patent/JP2917454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0482104A (ja) | 1992-03-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |