JP2917455B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP2917455B2 JP2917455B2 JP2200544A JP20054490A JP2917455B2 JP 2917455 B2 JP2917455 B2 JP 2917455B2 JP 2200544 A JP2200544 A JP 2200544A JP 20054490 A JP20054490 A JP 20054490A JP 2917455 B2 JP2917455 B2 JP 2917455B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
組成物に関するものである。
電体磁器組成物として下記のような系が知られている。
なる誘電体磁器組成物を使用し、誘電体磁器円板を作製
し、電気特性を測定して誘電率:67,静電容量温度係数:N
40ppm/℃,良好度Q:3000,絶縁抵抗:8.0×1012Ω,絶縁
破壊強度:30kv/mmの値が得られた。
絶縁抵抗および絶縁破壊強度が小さく、誘電体磁器の特
性が不十分であるという問題点を有していた。
Qが高く、絶縁抵抗および絶縁破壊強度が大きい誘電体
磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供するこ
とを目的とする。
物は、一般式x{(BaO)1-u(AeO)u}−yTiO2−zReO
3/2(ただし、x+y+z=1.00、0.01≦u≦0.30、0.0
1≦v≦0.20、AeはCaまたはSr、Reは、La,Pr,Nd,Smから
選ばれる一種類以上の希土類元素。)と表した時、x,y,
zが以下の表に示す各点a,b,c,d,e,fで囲まれるモル比の
範囲からなる主成分100重量部に対し、副成分としてV2O
5を0.005〜1.000重量部含有したものである。
により、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラス
方向に移行することとなる。
上させ、絶縁抵抗を大きくすることとなり、SrOで置換
することにより、誘電率と良好度Qを高くし絶縁破壊強
度を大きくすることとなる。
を多く含む誘電体磁器組成物を用いて固定磁器コンデン
サの一種である積層セラミックコンデンサを製造する場
合、焼成工程において、誘電体層中に含まれる有機バイ
ンダーなどにより、TiO2が還元されやすくなる。還元さ
れたTiO2は焼結後の冷却過程である程度再酸化される
が、誘電体層の内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化さ
れにくく酸素欠乏状態のまま残る。そこで酸素原子が持
つ有効電荷+2eがチタン原子上の3d電子によって中和さ
れることにより、各酸素空孔について2個のTi3+が形成
される。その結果、Ti3+を介した電子ホッピングによっ
て、誘電体層の絶縁抵抗、絶縁破壊強度が劣化すること
となる。
部を5価のVで置換することにより生じた陽イオン空孔
で、焼成時の酸素欠陥によるe-を補償し、TiO2が還元さ
れることにより発生する上記問題を解決するものであ
る。その結果本発明の誘電体磁器組成物を用いて形成し
た積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗と絶縁破壊強
度が高いものとなる。
2O3,Sm2O3,TiO2,CaCO3およびBaCO3粉末を第1表に示す
組成比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム
内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、
脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のるつぼに
入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼した。この仮焼粉
末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに
純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉
砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、32メ
ッシュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用
いて成形圧力1ton/cm2で直径15mm,厚み0.4mmに成形し
た。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミ
ナ質のさやに入れ、空気中にて第1表に示す焼成温度で
2時間焼成し、第1表の試料番号1〜10に示す組成比の
誘電体磁器円板を得た。
径と重量を測定し、誘電率,良好度Q,静電容量温度係数
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗,絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体
磁器円板の外周より内側に1mmの幅で銀電極のない部分
を設け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率,良好度
Q,静電容量温度係数は、横河ヒューレット・パッカード
(株)製デジタルLCRメータのモデル4275Aを使用し、測
定温度20℃,測定電圧1.0Vrms,測定周波数1MHzでの測定
より求めた。なお静電容量温度係数は、20℃と85℃の静
電容量を測定し、次式により求めた。
(株)製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧50
V.D.C.,測定時間1分間による測定より求めた。
圧電源PHS35K−3形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/secにより求めた絶縁破壊電圧を
誘電体厚みで除算し、1mm当りの絶縁破壊強度とした。
示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を
第1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では
焼結が著しく困難である。また、B領域では良好度Qが
低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、E領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。ま
た、ReをLa,Pr,Nd,Smから選ぶことにより、La,Pr,Nd,Sm
の順で誘電率を大きく下げることなく静電容量温度係数
をプラス方向に移行することが可能であり、La,Pr,Nd,S
mの一種あるいは組合せにより静電容量温度係数の調節
が可能である。
量温度係数,絶縁破壊強度の値を大きく換えることな
く、良好度Qを向上させ、絶縁抵抗を大きくする効果を
有し、その置換率uが0.01未満では置換効果はなく、一
方0.30を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用的でなくな
る。
り、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が大きくなる効果を有し、
V2O5の含有量が主成分100重量部に対し、0.005重量部未
満は絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除外
した。一方、V2O5の含有量が主成分に対し、1.000重量
部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、実用的でなく
なる。
5粉末を第3表に示す組成比になるように秤量し、以降
の工程を実施例1と同様に処理して第3表の試料番号11
〜20に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例1と同
様に処理して電気特性を測定した結果を試料番号11〜20
別に第4表に示す。
であるので説明は省略する。
絶縁抵抗、絶縁破壊強度が大きくなる効果を有し、Nb2O
5の含有量が主成分100重量部に対し、0.3重量部未満は
絶縁破壊強度が大きくなくこの発明の範囲から除外し
た。一方、Nb2O5の含有量が主成分に対し、5.0重量部を
超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数
がマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。
5粉末またはV2O5,Nb2O5およびTa2O5粉末を第5表または
第7表に示す組成比になるように秤量し、以降の工程を
実施例1と同様に処理して第5表の試料番号21〜30また
は第7表の試料番号31〜40に示す組成比の誘電体磁器円
板を得、実施例1と同様に処理して、電気特性を測定し
た結果を試料番号21〜40別に第6表と第8表に示す。
あるので説明は省略する。
有することにより、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が大きくな
る効果を有し、Ta2O5の含有量が主成分100重量部に対
し、0.1重量部未満は絶縁破壊強度が大きくなく本発明
の範囲から除外した。一方、Ta2O5の含有量が主成分に
対し、10.0重量部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下
し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用的
でなくなる。
5,V2O5を含有することにより、絶縁抵抗,絶縁破壊強度
が大きくなる効果を有し、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の
合計が主成分100重量部に対し、0.001モル部未満は絶縁
破壊強度が大きくなく本発明の範囲から除外した。一
方、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の合計が主成分に対し、
0.010モル部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静
電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用的でなく
なる。また、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる二種以上を
含有することにより、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる一
種を含有するものに比べ、誘電率が高く、絶縁抵抗と絶
縁破壊電圧が大きく、良好度Qに優れ、静電容量温度係
数を小さくすることができる。
rCO3粉末を第9表に示す組成比になるように秤量し、以
降の工程を実施例1と同様に処理して第9表の試料番号
41〜50に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例1と
同様に処理して電気特性を測定した結果を試料番号41〜
50別に第10表に示す。
あるので説明は省略する。
係数,絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電率と
良好度Qを高く絶縁破壊強度を大きくする効果を有し、
その置換率uが0.01未満では置換効果はなく、一方0.30
を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなり実用的でなくなる。
り、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が大きくなる効果を有し、
V2O5の含有量が主成分100重量部に対し、0.005重量部未
満は絶縁破壊強度が大きくなく本発明の範囲から除外し
た。一方、V2O5の含有量が主成分に対し、1.000重量部
を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、実用的でなくな
る。
5粉末,高純度のTa2O5粉末またはV2O5,Nb2O5およびTa2O
5粉末を第11表,第13表または第15表に示す組成比にな
るように秤量し、以降の工程を実施例5と同様に処理し
て第11表の試料番号51〜60,第13表の試料番号61〜70ま
たは第15表の試料番号71〜80に示す組成比の誘電体磁器
円板を得、実施例5と同様に処理して、電気特性を測定
した結果を試料51〜80別に第12表,第14表および第16表
に示す。
あるので説明は省略する。
有することにより、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が大きくな
る効果を有し、Nb2O5の含有量が主成分100重量部に対
し、0.3重量部未満は絶縁破壊強度が大きくなく本発明
の範囲から除外した。一方、Nb2O5の含有量が主成分に
対し、5.0重量部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下
し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用的
でなくなる。
有することにより、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が大きくな
る効果を有し、Ta2O5の含有量が主成分100重量部に対
し、0.1重量部未満は絶縁破壊強度が大きくなく本発明
の範囲から除外した。一方、Ta2O5の含有量が主成分に
対し、10.0重量部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下
し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用的
でなくなる。
5,V2O5を含有することにより、絶縁抵抗,絶縁破壊強度
が大きくなる効果を有し、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の
合計が主成分100重量部に対し、0.001モル部未満は絶縁
破壊強度が大きくなく本発明の範囲から除外した。一
方、Nb2O5,Ta2O5,V2O5の含有量の合計が主成分に対し、
0.010モル部を超えると良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静
電容量温度係数がマイナス側に大きくなり実用的でなく
なる。また、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる二種以上を
含有することにより、Nb2O5,Ta2O5,V2O5から選ばれる一
種を含有するものに比べ、誘電率,絶縁抵抗と絶縁破壊
電圧が大きく、良好度Qに優れ、静電容量温度係数を小
さくすることができる。
は、V2O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr6O11,Nd2O3,Sm2O3,Ti
O2,CaCO3,SrCO3およびBaCO3を使用したが、この方法に
限定されるものではなく、所望の組成比になるように、
BaTiO3などの化合物、あるいは炭酸塩,水酸化物など空
気中での加熱により、V2O5,Ta2O5,Nb2O5,La2O3,Pr6O11,
Nd2O3,Sm2O3,TiO2,CaO,SrOおよびBaOとなる化合物を使
用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
料の二酸化チタン、例えばチタン工業(株)製二酸化チ
タンKA−10,古川鉱業(株)製二酸化チタンFA−55Wには
最大0.45重量%のNb2O5が含まれるが、これらの二酸化
チタンを使用して主成分の誘電体磁器組成物を作製して
も主成分100重量部に対して、Nb2O5の含有量は最大で0.
23重量部であり、この発明の範囲外であるが、工業用原
料の二酸化チタン中のNb2O5量を考慮し、不足分のNb2O5
を含有させることにより、実施例と同程度の特性を得る
ことができる。
Oなど一般にフラックスと考えられている塩類,酸化物
などを、特性を損わない範囲で加えることもできる。
とにより、La,Pr,Nd,Smの順で静電容量温度係数をプラ
ス方向に移行することとなる。
上させ、絶縁抵抗を大きくすることとなり、SrOで置換
することにより、誘電率と良好度Qを高くし絶縁破壊強
度を大きくすることとなる。
を多く含む誘電体磁器組成物を用いて固定磁器コンデン
サの一種である積層セラミックコンデンサを製造する場
合、焼成工程において、誘電体層中に含まれる有機バイ
ンダーなどにより、TiO2が還元されやすくなる。還元さ
れたTiO2は焼結後の冷却過程である程度再酸化される
が、誘電体層の内部、及び各結晶粒子の内側は再酸化さ
れにくく酸素欠乏状態のまま残る。そこで酸素原子が持
つ有効電荷+2eがチタン原子上の3d電子によって中和さ
れることにより、各酸素空孔について2個のTi3+が形成
される。その結果、Ti3+を介した電子ホッピングによっ
て、誘電体層の絶縁抵抗、絶縁破壊強度が劣化すること
となる。
の組成範囲を説明する三元図である。
Claims (3)
- 【請求項1】一般式x{(BaO)1-u(AeO)u}−yTiO2
−zReO3/2(ただし、x+y+z=1.00、0.01≦u≦0.3
0、0.01≦v≦0.20、AeはCaまたはSr、Reは、La,Pr,Nd,
Smから選ばれる一種類以上の希土類元素。)と表した
時、x,y,zが以下の表に示す各点a,b,c,d,e,fで囲まれる
モル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、副成分
としてV2O5を0.005〜1.000重量部含有した誘電体磁器組
成物。 - 【請求項2】V2O5に代えてNb2O5を0.3〜5.0重量部含有
させた請求項1記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】V2O5に代えてTa2O5を0.1〜10.0重量部含有
させた請求項1記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2200544A JP2917455B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2200544A JP2917455B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487108A JPH0487108A (ja) | 1992-03-19 |
JP2917455B2 true JP2917455B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=16426074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2200544A Expired - Lifetime JP2917455B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2917455B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000143341A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2200544A patent/JP2917455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0487108A (ja) | 1992-03-19 |
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