JPH06260026A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH06260026A JPH06260026A JP5040843A JP4084393A JPH06260026A JP H06260026 A JPH06260026 A JP H06260026A JP 5040843 A JP5040843 A JP 5040843A JP 4084393 A JP4084393 A JP 4084393A JP H06260026 A JPH06260026 A JP H06260026A
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- JP
- Japan
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- dielectric
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- bao
- sro
- dielectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い誘電率を有しかつ誘電損失が小さく、さ
らに絶縁破壊電圧、絶縁抵抗が大きく、また結晶粒径が
小さい誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。 【構成】 一般式としてｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2・ｚＧｄ
Ｏ3/2で表され、式中のバリウム酸化物（ＢａＯ）をス
トロンチウム酸化物（ＳｒＯ）で置換し、その置換率ｍ
がストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）で０．００５≦ｍ≦
０．１００の範囲にある組成を有し、かつｘ，ｙおよび
ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物分。
らに絶縁破壊電圧、絶縁抵抗が大きく、また結晶粒径が
小さい誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。 【構成】 一般式としてｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2・ｚＧｄ
Ｏ3/2で表され、式中のバリウム酸化物（ＢａＯ）をス
トロンチウム酸化物（ＳｒＯ）で置換し、その置換率ｍ
がストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）で０．００５≦ｍ≦
０．１００の範囲にある組成を有し、かつｘ，ｙおよび
ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物分。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高い誘電率を有しかつ誘
電損失が小さく、さらに絶縁破壊電圧、絶縁抵抗が大き
く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に関するも
のである。
電損失が小さく、さらに絶縁破壊電圧、絶縁抵抗が大き
く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、高い誘電率を有する誘電体磁
器組成物として、ＢａＴｉＯ3にＢａＯ，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2などを適当量添加したものが知られてい
る。
器組成物として、ＢａＴｉＯ3にＢａＯ，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2などを適当量添加したものが知られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの誘電
体磁器組成物は結晶粒径が１０〜２０μｍと大きく、気
孔率も高いため、積層セラミックコンデンサのように誘
電体厚みが薄い製品への応用には、誘電損失が大きくな
る、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメッキ処
理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が低下するなどの課
題があった。
体磁器組成物は結晶粒径が１０〜２０μｍと大きく、気
孔率も高いため、積層セラミックコンデンサのように誘
電体厚みが薄い製品への応用には、誘電損失が大きくな
る、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメッキ処
理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が低下するなどの課
題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＢ
ａＯ・ｙＴｉＯ2・ｚＧｄＯ3/2で表され、式中のバリウ
ム酸化物（ＢａＯ）をストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）
で置換し、その置換率ｍがストロンチウム酸化物（Ｓｒ
Ｏ）で０．００５≦ｍ≦０．１００の範囲にある組成を
有し、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が、（表１）に示すａ，ｂ，ｃ，
ｄで囲まれるモル比の範囲にある組成を有するものであ
る。また、副成分としてニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算し
て０．３〜３．０重量部添加してなる誘電体磁器組成物
を提供するものである。
ために本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＢ
ａＯ・ｙＴｉＯ2・ｚＧｄＯ3/2で表され、式中のバリウ
ム酸化物（ＢａＯ）をストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）
で置換し、その置換率ｍがストロンチウム酸化物（Ｓｒ
Ｏ）で０．００５≦ｍ≦０．１００の範囲にある組成を
有し、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が、（表１）に示すａ，ｂ，ｃ，
ｄで囲まれるモル比の範囲にある組成を有するものであ
る。また、副成分としてニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算し
て０．３〜３．０重量部添加してなる誘電体磁器組成物
を提供するものである。
【０００５】
【作用】この構成により、ＢａＯをＳｒＯで置換するこ
とにより、誘電損失を小さくし、静電容量と絶縁抵抗の
積（ＣＲ積）を大きくすることとなる。
とにより、誘電損失を小さくし、静電容量と絶縁抵抗の
積（ＣＲ積）を大きくすることとなる。
【０００６】さらに、副成分としてニオブを添加するこ
とにより、ＣＲ積と絶縁破壊強度を大きくすることとな
る。
とにより、ＣＲ積と絶縁破壊強度を大きくすることとな
る。
【０００７】さらにまた、これらの構成により、結晶粒
径を小さくすることとなる。
径を小さくすることとなる。
【０００８】
（実施例１）出発原料には化学的に高純度のＢａＣ
Ｏ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｇｄ2Ｏ3およびＭｎＯ2粉末
を下記の（表２）に示す組成比になるように秤量し、め
のうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とと
もに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を
高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて
２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉
砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダー
を加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔ／cm2
で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、この
成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに
入れ、空気中にて（表２）に示す焼成温度で２時間焼成
し、（表２）に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
Ｏ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｇｄ2Ｏ3およびＭｎＯ2粉末
を下記の（表２）に示す組成比になるように秤量し、め
のうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とと
もに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を
高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて
２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉
砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダー
を加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔ／cm2
で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、この
成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに
入れ、空気中にて（表２）に示す焼成温度で２時間焼成
し、（表２）に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
【０００９】このようにして得られた誘電体磁器円板
は、厚みと直径を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量
温度特性測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀
電極を焼き付け、絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試
料は、誘電体磁器円板の外周より１mm内側まで銀電極を
焼き付けた。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度
特性は、横河ヒューレット・パッカード（株）製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７４Ａを使用し、測定温度
２０℃、測定電圧１Ｖｒｍｓ、測定周波数１ｋHzでの測
定より求めた。
は、厚みと直径を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量
温度特性測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀
電極を焼き付け、絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試
料は、誘電体磁器円板の外周より１mm内側まで銀電極を
焼き付けた。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度
特性は、横河ヒューレット・パッカード（株）製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７４Ａを使用し、測定温度
２０℃、測定電圧１Ｖｒｍｓ、測定周波数１ｋHzでの測
定より求めた。
【００１０】なお、静電容量温度変化率は、２０℃を基
準温度とし−２５℃〜＋８５℃の温度範囲内の任意の測
定温度における静電容量との変化率を表している。変化
率は次式より求めた。
準温度とし−２５℃〜＋８５℃の温度範囲内の任意の測
定温度における静電容量との変化率を表している。変化
率は次式より求めた。
【００１１】ｄＣ＝（ＣT−ＣO）／ＣO×１００ ｄＣ：静電容量温度変化率（％） ＣT：Ｔ℃での静電容量（ｐＦ） ＣO：２０℃での静電容量（ｐＦ） そして、誘電率は次式より求めた。
【００１２】Ｋ＝１４３．８×ＣO×ｔ／Ｄ2 Ｋ：誘電率 ＣO：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ：誘電体磁器円板の直径（mm） ｔ：誘電体磁器円板の厚み（mm） また、絶縁破壊電圧は菊水電子工業（株）製の高圧直流
電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓにより測定し、次式よ
り誘電体１mm当りの絶縁破壊強度として求めた。
電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓにより測定し、次式よ
り誘電体１mm当りの絶縁破壊強度として求めた。
【００１３】Ｂ1＝ＢO／ｔ Ｂ1：絶縁破壊強度（ｋＶ／mm） ＢO：絶縁破壊電圧（ｋＶ） さらに、絶縁抵抗は、タケダ理研（株）製の高抵抗計を
使用し、測定電圧５０Ｖ．ＤＣ、測定時間１分間による
測定より求め、ＣＲ積として次式より求めた。
使用し、測定電圧５０Ｖ．ＤＣ、測定時間１分間による
測定より求め、ＣＲ積として次式より求めた。
【００１４】ＣＲ＝ＣO×ＲO／１０12 ＣＲ：ＣＲ積（ＭΩ・μＦ） ＣO：２０℃での静電容量（Ｆ） ＲO：絶縁抵抗（Ω） さらにまた、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微鏡観
察より求めた。
察より求めた。
【００１５】上記測定結果を試料番号１〜１０別に（表
３）に示す。
３）に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】（図１）は本発明にかかる主成分の組成範
囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理
由を（図１）を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、Ｂ領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、Ｄ領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理
由を（図１）を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、Ｂ領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、Ｄ領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
【００１９】また、ＢａＯをＳｒＯで置換することによ
り、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなしに誘
電損失を小さくし、静電容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）
を大きくする効果を有しているが、その置換率ｍが０．
００５未満では効果はなく、一方０．１００を越えると
誘電率が低下し実用的でなくなる。
り、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなしに誘
電損失を小さくし、静電容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）
を大きくする効果を有しているが、その置換率ｍが０．
００５未満では効果はなく、一方０．１００を越えると
誘電率が低下し実用的でなくなる。
【００２０】さらに、結晶粒径を５〜１０μｍと小さく
することができる。 （実施例２）実施例１に高純度のＮｂ2Ｏ5粉末を（表
４）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程を実
施例１と同様に処理して（表４）の試料番号１１〜２０
に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１と同様に
処理して電気特性および結晶粒径を測定した結果を試料
番号１１〜２０別に（表５）に示す。
することができる。 （実施例２）実施例１に高純度のＮｂ2Ｏ5粉末を（表
４）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程を実
施例１と同様に処理して（表４）の試料番号１１〜２０
に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１と同様に
処理して電気特性および結晶粒径を測定した結果を試料
番号１１〜２０別に（表５）に示す。
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】主成分の組成範囲を限定した理由は実施例
１と同様であるので説明は省略する。
１と同様であるので説明は省略する。
【００２４】主成分に対し、副成分Ｎｂ2Ｏ5を含有する
ことにより静電容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）と絶縁破
壊電圧を向上させる効果を有しているが、その含有量が
主成分１００重量部に対し、０．３重量部未満では含有
効果はなく、一方３．０重量部を越えるとキュリー点が
マイナス側にずれ誘電率を低下させ実用的でなくなる。
ことにより静電容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）と絶縁破
壊電圧を向上させる効果を有しているが、その含有量が
主成分１００重量部に対し、０．３重量部未満では含有
効果はなく、一方３．０重量部を越えるとキュリー点が
マイナス側にずれ誘電率を低下させ実用的でなくなる。
【００２５】また、結晶粒径を３〜８μｍと小さくする
ことができる。なお、実施例における誘電体磁器組成物
の作製方法では、ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｇ
ｄ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＭｎＯ2を使用したが、この方
法に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
にＢａＴｉＯ3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＴｉＯ
2，Ｇｄ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＭｎＯ2となる化合物を使
用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
ことができる。なお、実施例における誘電体磁器組成物
の作製方法では、ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｇ
ｄ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＭｎＯ2を使用したが、この方
法に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
にＢａＴｉＯ3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＴｉＯ
2，Ｇｄ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＭｎＯ2となる化合物を使
用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
【００２６】また、一般に使用されている工業用ＢａＴ
ｉＯ3のＢａ／Ｔｉ比は０．９８以上であり、ＢａＴｉ
Ｏ3を出発原料として使用した場合、不足分のＢａＯま
たはＴｉＯ2を添加しても実施例と同程度の特性を得る
ことができる。
ｉＯ3のＢａ／Ｔｉ比は０．９８以上であり、ＢａＴｉ
Ｏ3を出発原料として使用した場合、不足分のＢａＯま
たはＴｉＯ2を添加しても実施例と同程度の特性を得る
ことができる。
【００２７】さらに、主成分をあらかじめ仮焼し、副成
分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
分を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
【００２８】さらにまた、誘電体磁器用として一般に使
用される工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業
（株）製二酸化チタンＫＡ−１０、古河鉱業（株）製二
酸化チタンＦＡ−５５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ
2Ｏ5が含まれるが、これらの二酸化チタンを使用して主
成分の誘電体磁器を作成しても主成分１００重量％に対
して、Ｎｂ2Ｏ5の含有量は最大で０．１７重量％であ
り、本発明の範囲外であるが、工業用原料の酸化チタン
中のＮｂ2Ｏ5量を考慮し、不足分のＮｂ2Ｏ5を含有させ
ることにより、実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
用される工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業
（株）製二酸化チタンＫＡ−１０、古河鉱業（株）製二
酸化チタンＦＡ−５５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ
2Ｏ5が含まれるが、これらの二酸化チタンを使用して主
成分の誘電体磁器を作成しても主成分１００重量％に対
して、Ｎｂ2Ｏ5の含有量は最大で０．１７重量％であ
り、本発明の範囲外であるが、工業用原料の酸化チタン
中のＮｂ2Ｏ5量を考慮し、不足分のＮｂ2Ｏ5を含有させ
ることにより、実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
【００２９】そして、上述の基本組成のほかに、Ｚｎ
Ｏ，ＳｉＯ2，Ｆｅ2Ｏ3など、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
Ｏ，ＳｉＯ2，Ｆｅ2Ｏ3など、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高い誘電
率（３７７０〜９４００）を有し、ＢａＯをＳｒＯで置
換することにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変え
ることなしに誘電損失を小さくし、かつ静電容量と絶縁
抵抗の積（ＣＲ積）を大きくすることができる。また、
副成分としてニオブを添加することにより、ＣＲ積と絶
縁破壊強度を大きくすることができる。さらに、これら
の構成により結晶粒径が小さい誘電体磁器が得られるも
のである。このため誘電体厚みを薄くすることができ、
製品の小型化、大容量化が可能となるものである。
率（３７７０〜９４００）を有し、ＢａＯをＳｒＯで置
換することにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変え
ることなしに誘電損失を小さくし、かつ静電容量と絶縁
抵抗の積（ＣＲ積）を大きくすることができる。また、
副成分としてニオブを添加することにより、ＣＲ積と絶
縁破壊強度を大きくすることができる。さらに、これら
の構成により結晶粒径が小さい誘電体磁器が得られるも
のである。このため誘電体厚みを薄くすることができ、
製品の小型化、大容量化が可能となるものである。
【図１】本発明の請求項１の誘電体磁器組成物にかかる
組成範囲を示す三元図
組成範囲を示す三元図
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式としてｘ［（ＢａＯ）(1-m)（Ｓ
ｒＯ）m］・ｙＴｉＯ2・ｚＧｄＯ3/2で表され、ｍの値
が０．００５≦ｍ≦０．１００の範囲にある組成を有
し、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１でｘ，ｙ，ｚの値が、 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲からなる
組成を有する誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 副成分としてニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換
算して０．３〜３．０重量部添加してなる請求項１記載
の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040843A JPH06260026A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040843A JPH06260026A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260026A true JPH06260026A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12591881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5040843A Pending JPH06260026A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3930807A1 (de) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | Drucksteuerungsverfahren und -system |
| JP2017199859A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP5040843A patent/JPH06260026A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3930807A1 (de) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | Drucksteuerungsverfahren und -system |
| JP2017199859A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
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