JPH08301657A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH08301657A JPH08301657A JP7110436A JP11043695A JPH08301657A JP H08301657 A JPH08301657 A JP H08301657A JP 7110436 A JP7110436 A JP 7110436A JP 11043695 A JP11043695 A JP 11043695A JP H08301657 A JPH08301657 A JP H08301657A
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- Japan
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- dielectric ceramic
- dielectric
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁抵抗が高く、絶縁破壊電圧が大きい誘電
体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 一般式としてｘＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2
Ｏ3で表され、ｘ、ｙ、ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ、ｙ、ｚの値が（表１）に表す各点ａ、ｂ、ｃ
を直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分とし、
主成分１００重量部に対し、副成分としてＮｂ2Ｏ5を
０．５〜５．０重量部添加したものである。 【表１】
体磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 一般式としてｘＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2
Ｏ3で表され、ｘ、ｙ、ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ、ｙ、ｚの値が（表１）に表す各点ａ、ｂ、ｃ
を直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分とし、
主成分１００重量部に対し、副成分としてＮｂ2Ｏ5を
０．５〜５．０重量部添加したものである。 【表１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、電子機器用セ
ラミックコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関する
ものである。
ラミックコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサの温度
補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さく、高
周波回路などにも使用可能な材料として以下の材料系が
知られている。
補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さく、高
周波回路などにも使用可能な材料として以下の材料系が
知られている。
【０００３】・ＣａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3 例えば、０．４０ＣａＯ−０．４５ＴｉＯ2−０．１５
Ｎｄ2Ｏ3の組成比からなる誘電体磁器組成物を使用し
て、誘電体磁器円板を作製し、誘電率、静電容量温度係
数、良好度Ｑ、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の電気特性を測
定すると、誘電率：１３、静電容量温度係数：Ｎ１９０
ｐｐｍ／℃、良好度Ｑ：９９０、絶縁抵抗：１．４×１
０9、絶縁破壊電圧：１４ｋｖ／mmの値が得られた。
Ｎｄ2Ｏ3の組成比からなる誘電体磁器組成物を使用し
て、誘電体磁器円板を作製し、誘電率、静電容量温度係
数、良好度Ｑ、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の電気特性を測
定すると、誘電率：１３、静電容量温度係数：Ｎ１９０
ｐｐｍ／℃、良好度Ｑ：９９０、絶縁抵抗：１．４×１
０9、絶縁破壊電圧：１４ｋｖ／mmの値が得られた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、高周波Ｑが小さく、また積層セラミック
コンデンサの大容量化を目的とした内部電極間の誘電体
厚みの薄層化を進めた場合、絶縁抵抗や絶縁破壊強度が
小さいという問題点を有していた。
来の構成では、高周波Ｑが小さく、また積層セラミック
コンデンサの大容量化を目的とした内部電極間の誘電体
厚みの薄層化を進めた場合、絶縁抵抗や絶縁破壊強度が
小さいという問題点を有していた。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、良好度Ｑに優れ、絶縁抵抗が高く、絶縁破壊強度
の大きい誘電体磁器組成物を得ることを目的とするもの
である。
ので、良好度Ｑに優れ、絶縁抵抗が高く、絶縁破壊強度
の大きい誘電体磁器組成物を得ることを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＣａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2Ｏ3で表され、ｘ、ｙ、ｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、ｚの値が（表２）
に示す各点ａ、ｂ、ｃを直線で囲むモル比の範囲である
組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対し、
副成分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加した
ものである。
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＣａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＮｄ2Ｏ3で表され、ｘ、ｙ、ｚはモル
比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、ｚの値が（表２）
に示す各点ａ、ｂ、ｃを直線で囲むモル比の範囲である
組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対し、
副成分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加した
ものである。
【０００７】
【表２】
【０００８】
【作用】この構成により、誘電体磁器の焼結性が向上
し、絶縁抵抗の高いかつ絶縁破壊強度の大きい誘電体磁
器組成物を得ることができる。その上、これは良好度Ｑ
にも優れたものである。
し、絶縁抵抗の高いかつ絶縁破壊強度の大きい誘電体磁
器組成物を得ることができる。その上、これは良好度Ｑ
にも優れたものである。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。
【００１０】（実施例１）まず、出発原料として化学的
高純度のＮｂ2Ｏ5、ＣａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3粉末を
（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニア
ボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共
に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後、高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。
高純度のＮｂ2Ｏ5、ＣａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3粉末を
（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニア
ボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共
に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後、高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。
【００１１】
【表３】
【００１２】次に、この仮焼粉末をジルコニアボールを
備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、
湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉に有機バインダ
ーを加え均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／
cm2で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、
成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて（表
３）に示す温度で２時間焼成し、（表３）の試料番号１
〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、
湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉に有機バインダ
ーを加え均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／
cm2で直径１５mm、厚み０．４mmに成形した。次いで、
成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて（表
３）に示す温度で２時間焼成し、（表３）の試料番号１
〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００１３】このようにして得られた誘電体磁器円板の
厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数の
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、両面に銀電極を焼き付けた。そして、誘電
率、Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数：１ＭHzでの
測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃と
８５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数の
測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼
き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度の測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、両面に銀電極を焼き付けた。そして、誘電
率、Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数：１ＭHzでの
測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃と
８５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
【００１４】ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏ×１／（８５−
２０）×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式により求めた。
２０）×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式により求めた。
【００１５】Ｋ＝１４３．８×Ｃｏ×ｔ／Ｄ2 Ｋ ：誘電率 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器の直径（mm） ｔ ：誘電体磁器の厚み（mm） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒューレット・パッカード
（株）製のＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
（株）製のＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
【００１６】そして絶縁破壊強度は、菊水電子工業
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃに
より求めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当たり
の絶縁破壊強度とした。
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃに
より求めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当たり
の絶縁破壊強度とした。
【００１７】上記の測定結果を試料番号１〜２０別に
（表４）に示す。
（表４）に示す。
【００１８】
【表４】
【００１９】図１は、本発明にかかわる組成物の主成分
の組成範囲を示すものであり、図１のように組成範囲を
限定した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難に
なるためである。また、主成分１００重量部に対し副成
分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加すること
により、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上させることが
できる。しかし主成分１００重量部に対し、Ｎｂ2Ｏ5の
添加量が０．５重量部未満であると効果がなく、５．０
重量部を越えると良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲
から除外した。
の組成範囲を示すものであり、図１のように組成範囲を
限定した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難に
なるためである。また、主成分１００重量部に対し副成
分としてＮｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加すること
により、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上させることが
できる。しかし主成分１００重量部に対し、Ｎｂ2Ｏ5の
添加量が０．５重量部未満であると効果がなく、５．０
重量部を越えると良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破
壊強度が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲
から除外した。
【００２０】（実施例２）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号２１〜４０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号２１〜４０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
【００２１】
【表５】
【００２２】そして実施例１と同様の処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号２１〜４０別に（表６）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号２１〜４０別に（表６）に
示す。
【００２３】
【表６】
【００２４】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＴａ2Ｏ5を０．４〜８．０重量
部添加することにより、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗
を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果を有すると共
に、特に温度係数を小さくする効果を有する。しかし、
主成分１００重量部に対しＴａ2Ｏ5の添加量が０．４重
量部未満であると効果がなく、８．０重量部を越える
と、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さ
くなり実用的でなくなるため本発明の範囲から除外し
た。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＴａ2Ｏ5を０．４〜８．０重量
部添加することにより、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗
を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果を有すると共
に、特に温度係数を小さくする効果を有する。しかし、
主成分１００重量部に対しＴａ2Ｏ5の添加量が０．４重
量部未満であると効果がなく、８．０重量部を越える
と、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さ
くなり実用的でなくなるため本発明の範囲から除外し
た。
【００２５】（実施例３）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比に
なるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処理
して（表７）の試料番号４１〜６０の組成比の誘電体磁
器円板を得た。
に代えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組成比に
なるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処理
して（表７）の試料番号４１〜６０の組成比の誘電体磁
器円板を得た。
【００２６】
【表７】
【００２７】そして実施例１と同様の処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号４１〜６０別に（表８）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号４１〜６０別に（表８）に
示す。
【００２８】
【表８】
【００２９】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＶ2Ｏ5を０．２〜３．０重量部
添加することにより、良好度Ｑを向上させ、特に絶縁抵
抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果を有する。
しかし、主成分１００重量部に対し、Ｖ2Ｏ5の添加量が
０．２重量部未満であると効果がなく、３．０重量部を
越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲から除
外した。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＶ2Ｏ5を０．２〜３．０重量部
添加することにより、良好度Ｑを向上させ、特に絶縁抵
抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする効果を有する。
しかし、主成分１００重量部に対し、Ｖ2Ｏ5の添加量が
０．２重量部未満であると効果がなく、３．０重量部を
越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
が小さくなり実用的でなくなるため本発明の範囲から除
外した。
【００３０】（実施例４）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5粉末を
（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程
を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号６１〜
８０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5粉末を
（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の工程
を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号６１〜
８０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００３１】
【表９】
【００３２】そして実施例１と同様の処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号６１〜８０別に（表１０）
に示す。
測定し、測定結果を試料番号６１〜８０別に（表１０）
に示す。
【００３３】
【表１０】
【００３４】主成分の組成範囲を限定した理由は、実施
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の
うち少なくとも二種以上の合計が０．００２〜０．０２
０モル部となるように添加することにより、良好度Ｑを
向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくす
る効果を有する。しかし、主成分１００重量部に対し副
成分として添加するＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5のうち
少なくとも二種以上の合計が０．００２モル部未満であ
ると効果がなく、０．０２０モル部を越えると、良好度
Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用
的でなくなるため本発明の範囲から除外した。
例１と同様であるので説明は省略する。主成分１００重
量部に対し副成分としてＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の
うち少なくとも二種以上の合計が０．００２〜０．０２
０モル部となるように添加することにより、良好度Ｑを
向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくす
る効果を有する。しかし、主成分１００重量部に対し副
成分として添加するＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5のうち
少なくとも二種以上の合計が０．００２モル部未満であ
ると効果がなく、０．０２０モル部を越えると、良好度
Ｑが劣化し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が小さくなり実用
的でなくなるため本発明の範囲から除外した。
【００３５】また、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5から選
べる二種以上の成分を添加することにより、各成分の一
種を添加するものに比べてさらに、誘電率、良好度Ｑが
高く、絶縁抵抗及び絶縁破壊強度が大きく、かつ静電容
量温度係数が小さい誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
べる二種以上の成分を添加することにより、各成分の一
種を添加するものに比べてさらに、誘電率、良好度Ｑが
高く、絶縁抵抗及び絶縁破壊強度が大きく、かつ静電容
量温度係数が小さい誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
【００３６】なお、実施例における誘電体磁器の作製方
法は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2、Ｎｄ2Ｏ3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるようにＣａＴｉＯ3な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＣａＯ、ＴｉＯ
2、Ｎｄ2Ｏ3となる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
法は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2、Ｎｄ2Ｏ3を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるようにＣａＴｉＯ3な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＣａＯ、ＴｉＯ
2、Ｎｄ2Ｏ3となる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
【００３７】また、主成分をあらかじめ仮焼しある程度
反応させた後、副成分を添加しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
反応させた後、副成分を添加しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
【００３８】また、誘電体磁器用として一般に使用され
る工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業製のＫ
Ａ−１０Ｃ、古河鉱業（株）製の二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器組成物を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
る工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業製のＫ
Ａ−１０Ｃ、古河鉱業（株）製の二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器組成物を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
【００３９】また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ
Ｏ2、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、酸化物などを、特性
を損なわない範囲で加えることもできる。
Ｏ2、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ 2Ｏ3など一般に
フラックスと考えられている塩類、酸化物などを、特性
を損なわない範囲で加えることもできる。
【００４０】
【発明の効果】以上、本発明の誘電体磁器組成物は、現
時点では明らかではないが、焼結過程において、主成分
の中の未反応物質及び、結晶構造が不安定な中間生成物
質が、副成分として添加したＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2
Ｏ5と反応し、粒界内に偏析し、焼結性が向上すると考
えられ、絶縁抵抗が高く、かつ絶縁破壊強度も大きいの
で、例えば、積層セラミックコンデンサの内部電極間の
誘電体を薄層化でき、小型化、大容量化をさらに推し進
めることができる。また、この誘電体磁器組成物は、良
好度Ｑにも優れているので、高周波回路などで使用する
温度補償用コンデンサにおいても優れた特性を示すもの
である。
時点では明らかではないが、焼結過程において、主成分
の中の未反応物質及び、結晶構造が不安定な中間生成物
質が、副成分として添加したＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2
Ｏ5と反応し、粒界内に偏析し、焼結性が向上すると考
えられ、絶縁抵抗が高く、かつ絶縁破壊強度も大きいの
で、例えば、積層セラミックコンデンサの内部電極間の
誘電体を薄層化でき、小型化、大容量化をさらに推し進
めることができる。また、この誘電体磁器組成物は、良
好度Ｑにも優れているので、高周波回路などで使用する
温度補償用コンデンサにおいても優れた特性を示すもの
である。
【図１】本発明の誘電体磁器の主成分の組成範囲を示す
三元成分図
三元成分図
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式としてｘＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ
Ｎｄ2Ｏ3で表され、ｘ、ｙ、ｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１でｘ、ｙ、ｚの値が（表１）に示す各点ａ、
ｂ、ｃを直線で囲むモル比の範囲である組成物を主成分
とし、この主成分１００重量部に対し、副成分としてＮ
ｂ2Ｏ5を０．５〜５．０重量部添加したことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。 【表１】 - 【請求項２】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｔａ2Ｏ5を０．４〜
８．０重量部添加した請求項１記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項３】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｖ2Ｏ5を０．２〜
３．０重量部添加した請求項１記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項４】 Ｎｂ2Ｏ5に代えて、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5のうち少なくとも二種以上をその合計が
０．００２〜０．０２０モル部となるように添加する請
求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110436A JPH08301657A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110436A JPH08301657A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08301657A true JPH08301657A (ja) | 1996-11-19 |
Family
ID=14535687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110436A Pending JPH08301657A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08301657A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7110436A patent/JPH08301657A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
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