JPH02242518A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH02242518A JPH02242518A JP1062411A JP6241189A JPH02242518A JP H02242518 A JPH02242518 A JP H02242518A JP 1062411 A JP1062411 A JP 1062411A JP 6241189 A JP6241189 A JP 6241189A JP H02242518 A JPH02242518 A JP H02242518A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セ
ラミックコンデンサへの利用においては、内部電極の厚
みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、
静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘電体磁
器組成物に関するものである。
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セ
ラミックコンデンサへの利用においては、内部電極の厚
みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、
静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘電体磁
器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
Ｂａｄ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ５系
ＢａＯ−ＴｉＯ７−３ｍ２Ｏ５系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば、０．１ ｊＢａ。
Ｏ，６８ＴｉＯ２−０，２１Ｎｄ２Ｏ３（７）組成比カ
ラナル誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み
４μｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１
．２ ｆｆＭＸ Ｏ，７１ｒｍ、誘電体層数１９の積層
構造をもつ積層セラミックコンデンサを作製すると、静
電容量の平均値：了４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値：８７
００、静電容量温度係数の平均値ＮＮ３６１）ｐ／℃、
絶縁抵抗の平均値： ６．ＯＸ １０１２Ω絶縁破壊強
度の平均値： １１７ｋＶ／１１１１であり、絶縁抵抗
と絶縁破壊強度において満足のできる値ではない。
ラナル誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み
４μｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１
．２ ｆｆＭＸ Ｏ，７１ｒｍ、誘電体層数１９の積層
構造をもつ積層セラミックコンデンサを作製すると、静
電容量の平均値：了４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値：８７
００、静電容量温度係数の平均値ＮＮ３６１）ｐ／℃、
絶縁抵抗の平均値： ６．ＯＸ １０１２Ω絶縁破壊強
度の平均値： １１７ｋＶ／１１１１であり、絶縁抵抗
と絶縁破壊強度において満足のできる値ではない。
寸だ、積層セラミノクコンデンザのコストダウンを行う
ため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーショ
ンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４μ
ｍから２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材料
を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり寸法、誘
電体層数の積層構造をもつ積層セラミノクコンデンザの
静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに静
電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと太きくなる。
ため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーショ
ンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４μ
ｍから２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材料
を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり寸法、誘
電体層数の積層構造をもつ積層セラミノクコンデンザの
静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに静
電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと太きくなる。
さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなるととも
に良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大きくなる
という課題があった。
に良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大きくなる
という課題があった。
６ ヘ一／
課題を解決するだめの手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘＢａ
Ｏ−ｙＴｉ０２−ＺＲ８２Ｏ５と表した時、（ただし、
Ｘ−１−ｙ＋ｚ＝＝１．ｏｏ Ｒｅ ２Ｏ５は、Ｌａ２
Ｏ３ 、 Ｐｒ２Ｏ１１７５ 、Ｎｄ２Ｏ３ 、 Ｓｍ
２Ｏ５から選ばれる一種以上の希土類元素の酸化物）Ｘ
、ｙ、ｚが以下に表す各点ｚ、ｂ、ｃ、ｄ。
Ｏ−ｙＴｉ０２−ＺＲ８２Ｏ５と表した時、（ただし、
Ｘ−１−ｙ＋ｚ＝＝１．ｏｏ Ｒｅ ２Ｏ５は、Ｌａ２
Ｏ３ 、 Ｐｒ２Ｏ１１７５ 、Ｎｄ２Ｏ３ 、 Ｓｍ
２Ｏ５から選ばれる一種以上の希土類元素の酸化物）Ｘ
、ｙ、ｚが以下に表す各点ｚ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部
に対し、副成分としてＮｂ ２Ｏ５ 、 Ｔａ２ ｏ５
゜ｖ２Ｏ５から選ばれる二種以上を合計で０．００１〜
０．０１０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器
組成物を提案するものである。
に対し、副成分としてＮｂ ２Ｏ５ 、 Ｔａ２ ｏ５
゜ｖ２Ｏ５から選ばれる二種以上を合計で０．００１〜
０．０１０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器
組成物を提案するものである。
（以下 余 白）
６ へ−７
７ノ＼−７
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる０′ｆ、た
、Ｒｅ２Ｏ３をＬ ’２Ｏ３− Ｐ ｒ２ ＯＮ／３１
Ｎｄ２Ｏ５．Ｓｍ２ｏ３から選ぶことにより、Ｌａ２Ｏ
３Ｐｒ２Ｏ．．１５．Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３の順で誘
電率を大きく下げることなく、静電容量温度係数をプラ
ス方向に移行することが可能であり、Ｌａ ２ｏ３Ｐｒ
，０１．／３．Ｎｄ，０３．Ｓｍ２Ｏ３の一種あるいは
組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である。
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる０′ｆ、た
、Ｒｅ２Ｏ３をＬ ’２Ｏ３− Ｐ ｒ２ ＯＮ／３１
Ｎｄ２Ｏ５．Ｓｍ２ｏ３から選ぶことにより、Ｌａ２Ｏ
３Ｐｒ２Ｏ．．１５．Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３の順で誘
電率を大きく下げることなく、静電容量温度係数をプラ
ス方向に移行することが可能であり、Ｌａ ２ｏ３Ｐｒ
，０１．／３．Ｎｄ，０３．Ｓｍ２Ｏ３の一種あるいは
組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である。
第２図は本発明にかかる組成物の主成分に対し、副成分
Ｎｄ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．Ｖ２Ｏ５の含有効果を積層セ
ラミックコンデンサの特性で示すグラフであり、Ｎｂ２
Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５ 、Ｖ２Ｏ５の含有範囲を限定した理
由をグラフを参照しながら説明する。第２図に示すよう
にＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ３ｖ２Ｏ５を含有することによ
り、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、まだ静電容量と
良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さ
くする効果を有する。そして、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５
、Ｖ２Ｏ５゜の含有により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
は向上するが、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５ 、Ｖ２Ｏ５（
７）含有量の合計が主成分１００重量部に対し、０．０
０１モル部未満はそれほど絶縁破壊強度が犬きくなく、
静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑの
バラツキが大きいため、この発明の範囲から除外した。
Ｎｄ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．Ｖ２Ｏ５の含有効果を積層セ
ラミックコンデンサの特性で示すグラフであり、Ｎｂ２
Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５ 、Ｖ２Ｏ５の含有範囲を限定した理
由をグラフを参照しながら説明する。第２図に示すよう
にＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ３ｖ２Ｏ５を含有することによ
り、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、まだ静電容量と
良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さ
くする効果を有する。そして、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５
、Ｖ２Ｏ５゜の含有により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
は向上するが、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５ 、Ｖ２Ｏ５（
７）含有量の合計が主成分１００重量部に対し、０．０
０１モル部未満はそれほど絶縁破壊強度が犬きくなく、
静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑの
バラツキが大きいため、この発明の範囲から除外した。
一方、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５ 、Ｖ２Ｏ５の含有量の
合計が主成分に対し、０．０１０モル部を越えると良好
度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイナス
順に犬きくなり、実用的ですくナル。また、Ｎｂ２Ｏ５
、 Ｔａ２Ｏ５． Ｖ２Ｏ５から選ばれる二種以上を
含有することにより、９ バー／゛ Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．Ｖ２Ｏ５かう選バレル一種を
含有するものに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧
が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく
することができる。
合計が主成分に対し、０．０１０モル部を越えると良好
度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイナス
順に犬きくなり、実用的ですくナル。また、Ｎｂ２Ｏ５
、 Ｔａ２Ｏ５． Ｖ２Ｏ５から選ばれる二種以上を
含有することにより、９ バー／゛ Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．Ｖ２Ｏ５かう選バレル一種を
含有するものに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧
が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく
することができる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
実施例１
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３，ＴｉＯ□。
Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ６０．，Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３゜Ｎ
ｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５およびＶ２Ｏ５粉末を下記の第１
表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質の
ルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した
。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥
した。
ｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５およびＶ２Ｏ５粉末を下記の第１
表に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式
混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質の
ルツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した
。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥
した。
この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後
、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｄ１０ ｌ＼−ノ で直径１・６馴、厚み０・４朋に成形した。次いで、成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器
を得た。
、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｄ１０ ｌ＼−ノ で直径１・６馴、厚み０・４朋に成形した。次いで、成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器
を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側にＩ ｍｍの幅で銀電極の無い部分を
設け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ
、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメー
タのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２Ｑ℃、測定
電圧１．ｏＶｒｍｓ、測定周波数１ＭＨｚでの測定より
求めた。なお、静電容量温度係数は、２Ｏ℃と８６℃の
静電容量を測定し、次式により求めた。
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側にＩ ｍｍの幅で銀電極の無い部分を
設け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ
、静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメー
タのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２Ｑ℃、測定
電圧１．ｏＶｒｍｓ、測定周波数１ＭＨｚでの測定より
求めた。なお、静電容量温度係数は、２Ｏ℃と８６℃の
静電容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣｉ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏｘ１／６６ｘ１ｏ’ＴＣ：
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ：２Ｏ℃での静電
容量（ｐＦ ） ０８５℃での静電容量（ｐＦ ） １１ へ−７ また、誘電率は次式より求めた。
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ：２Ｏ℃での静電
容量（ｐＦ ） ０８５℃での静電容量（ｐＦ ） １１ へ−７ また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ−１４３，８×ＣＯ×ｔ／Ｄ２
に゛誘電率
Ｃ０２Ｏ℃での静電容量（ｐＦ ）
Ｄ：誘電体磁器の直径（龍）
ｔ、誘電体磁器の厚み（關→
さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデ／ｌ
／４３２９Ａを使用し、測定電圧６ｏＶ、Ｄ、Ｃ，、測
定時間１分間による測定より求めた。
／４３２９Ａを使用し、測定電圧６ｏＶ、Ｄ、Ｃ，、測
定時間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業（株）扱高電圧
電源ＰＨ５３６に一３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１朋当たりの絶縁破壊
強度とした。
電源ＰＨ５３６に一３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１朋当たりの絶縁破壊
強度とした。
試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
（以下余 白）
１４・＼
１６ ＼
実施例２
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３ＴｌＯ２，Ｎ
ｄ２Ｏ３１Ｎｂ２ｏ５．Ｔａ２Ｏ５およびｖ２Ｏ５粉末
を使用し、主成分０．１１ ＢａＯ−０，６８Ｔ １０
２ ０．２１Ｎ ｄ ２Ｏｓの１００重量部に対し、（
Ｎｂ２Ｏ５）０．４（Ｔａ２Ｏ５ ）０．５ （ｖ２Ｏ
５ ）０．３を０．０．０００１ 、０．００１０．０
．０１００．０．０２Ｏ０モル部含有した仮焼粉砕粉を
実施例１と同様の方法で作製する。ただし、 （Ｎｂ２
Ｏ５）。４（Ｔａ２Ｏ５ ）０．３ （Ｖ２Ｏ５）０．
３ 含有量０．０．０００１．０．０２Ｏ０モル部は
、この発明の範囲外であり、０．００１０，０．０１０
０モル部は、この発明の範囲内である。
ｄ２Ｏ３１Ｎｂ２ｏ５．Ｔａ２Ｏ５およびｖ２Ｏ５粉末
を使用し、主成分０．１１ ＢａＯ−０，６８Ｔ １０
２ ０．２１Ｎ ｄ ２Ｏｓの１００重量部に対し、（
Ｎｂ２Ｏ５）０．４（Ｔａ２Ｏ５ ）０．５ （ｖ２Ｏ
５ ）０．３を０．０．０００１ 、０．００１０．０
．０１００．０．０２Ｏ０モル部含有した仮焼粉砕粉を
実施例１と同様の方法で作製する。ただし、 （Ｎｂ２
Ｏ５）。４（Ｔａ２Ｏ５ ）０．３ （Ｖ２Ｏ５）０．
３ 含有量０．０．０００１．０．０２Ｏ０モル部は
、この発明の範囲外であり、０．００１０，０．０１０
０モル部は、この発明の範囲内である。
との仮焼粉砕粉末に、有機バインダー、可塑剤、分散剤
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このようなグリーンシート１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（株）表内部電極パラ
ジウムベース１７ ／＼−。
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このようなグリーンシート１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（株）表内部電極パラ
ジウムベース１７ ／＼−。
トＭＬ−３７２４を焼結後の内部電極厚みが２μｍとな
るようにスクリーン印刷し、乾燥した。この」二にグリ
ーンシート１枚を積層（７、焼結後の内部電極型なり寸
法がＬ ２ ｍ７１ＩＸ ０．７ ｍｍとなるように印
刷位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印刷し
、乾燥後、グリーンシート１枚を積層した。
るようにスクリーン印刷し、乾燥した。この」二にグリ
ーンシート１枚を積層（７、焼結後の内部電極型なり寸
法がＬ ２ ｍ７１ＩＸ ０．７ ｍｍとなるように印
刷位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印刷し
、乾燥後、グリーンシート１枚を積層した。
これらの操作を、誘電体層数が１９となる寸で繰り返し
た。この上に、グリーンシー１−１０枚を積層した。こ
の積層体を焼結後、内部電極型なり寸法が１．２ ｍａ
ｎ Ｘ ０．７ ｍｌｌ、誘電体層数が１９の積層構造
をもつ積層セラミックコンデンサとなるように切断した
。この切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミ
ナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から３６０’Ｃまで
を６℃／ ｈ ｒで昇温し、３５０℃より１００℃／ｈ
ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、１００℃／
ｈ ｒで室温丑で降温しん。
た。この上に、グリーンシー１−１０枚を積層した。こ
の積層体を焼結後、内部電極型なり寸法が１．２ ｍａ
ｎ Ｘ ０．７ ｍｌｌ、誘電体層数が１９の積層構造
をもつ積層セラミックコンデンサとなるように切断した
。この切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミ
ナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から３６０’Ｃまで
を６℃／ ｈ ｒで昇温し、３５０℃より１００℃／ｈ
ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、１００℃／
ｈ ｒで室温丑で降温しん。
次いで、焼成後の試料は、試料面を研磨し、外部電極と
接合する内部電極部分を充分露出させ、内部電極露出部
分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通させ、積
層セラミックコンデンサを作１８ ′＼−２ 製した。
接合する内部電極部分を充分露出させ、内部電極露出部
分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通させ、積
層セラミックコンデンサを作１８ ′＼−２ 製した。
これらの試料の静電容量、良好塵ｑ、静電容量温度係数
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。寸だ、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１／２
の研磨断面を、内部電極型なり寸法は倍率１００、誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。寸だ、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１／２
の研磨断面を、内部電極型なり寸法は倍率１００、誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
この測定結果を第２図に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３、ＴｉＯ２，Ｌａ２Ｏ．、Ｐｒ６０．、。
ＣＯ３、ＴｉＯ２，Ｌａ２Ｏ．、Ｐｒ６０．、。
Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２ｏ３．Ｎｂ２Ｏ５ＩＴａ２ｏ５．お
よびｖ２Ｏ５を使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴｉ０．な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での
加熱により、Ｂａｄ、Ｔｉｅ２Ｌａ，０５．Ｐｒ６０，
１．Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ ２Ｏ６゜Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ
５およびｖ２ｏ５とナル化合物を使用しても実施例と同
程度の特性を得ることがで１９ へ−２ きる。
よびｖ２Ｏ５を使用したが、この方法に限定されるもの
ではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴｉ０．な
どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での
加熱により、Ｂａｄ、Ｔｉｅ２Ｌａ，０５．Ｐｒ６０，
１．Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ ２Ｏ６゜Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ
５およびｖ２ｏ５とナル化合物を使用しても実施例と同
程度の特性を得ることがで１９ へ−２ きる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
まだ、上述の主成分と副成分のほかに、５１０２Ｍｎ０
．，Ｆｅ２Ｏ３，ＺｎＯなど、一般に７ラツクスと考え
られている塩類、酸化物などを、特性を損々わない範囲
で加えることもできる。
．，Ｆｅ２Ｏ３，ＺｎＯなど、一般に７ラツクスと考え
られている塩類、酸化物などを、特性を損々わない範囲
で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好塵Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利用にお
いては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容量と良
好塵Ｑの低下を防ぎ、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを
小さくできるため、内部電極の厚みを薄くして、積層セ
ラミックコンデンサのコストダウンが行えるとともに内
部構造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐことが
できる。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体層の厚
みを薄くし、素体の小型化、大容量化が可能である。
破壊電圧が高く、良好塵Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利用にお
いては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容量と良
好塵Ｑの低下を防ぎ、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを
小さくできるため、内部電極の厚みを薄くして、積層セ
ラミックコンデンサのコストダウンが行えるとともに内
部構造欠陥であるデラミネーションの発生を防ぐことが
できる。また、絶縁破壊電圧が高いため、誘電体層の厚
みを薄くし、素体の小型化、大容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図、第２図は本発明にかかる主成分０．１１
ＢａＯ−０，６ｓＴｉＯ２−０，２１Ｎｄ２Ｏ３［対
すル副成分 （Ｎｂ２ｏ５）。、４（Ｔ’２Ｏｓ ）０
．３（Ｖ２Ｏ５）ｏ、ｓ ノ含有効果を、誘電体厚み、
１２μｍ、内部電極型なり寸法、１２ｍｍ ｘ ０．７
ｍｍ、誘電体層数：１９の積層構造をもつ積層セラミ
ックコンデンサの電気特性で示すグラフである。
明する三元図、第２図は本発明にかかる主成分０．１１
ＢａＯ−０，６ｓＴｉＯ２−０，２１Ｎｄ２Ｏ３［対
すル副成分 （Ｎｂ２ｏ５）。、４（Ｔ’２Ｏｓ ）０
．３（Ｖ２Ｏ５）ｏ、ｓ ノ含有効果を、誘電体厚み、
１２μｍ、内部電極型なり寸法、１２ｍｍ ｘ ０．７
ｍｍ、誘電体層数：１９の積層構造をもつ積層セラミ
ックコンデンサの電気特性で示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚＲｅ＿２Ｏ＿３と表
した時、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００Ｒｅ＿２Ｏ＿
３は、Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿２Ｏ＿１＿１＿／＿３，
Ｎｄ＿２Ｏ＿３，Ｓｍ＿２Ｏ＿３から選ばれる一種以上
の希土類元素の酸化物。） ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで
囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に対
し、副成分としてＮｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，Ｖ
＿２Ｏ＿５から選ばれる二種類以上を合計で０．００１
〜０．０１０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁
器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062411A JP2907437B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062411A JP2907437B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242518A true JPH02242518A (ja) | 1990-09-26 |
| JP2907437B2 JP2907437B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=13199380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062411A Expired - Fee Related JP2907437B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2907437B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5790808A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-05 | Fujitsu Ltd | Porcelain composition having high permittivity |
| JPS6217069A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | 三菱電機株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| JPS6256361A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 富士チタン工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS6283364A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | 宇部興産株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1062411A patent/JP2907437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5790808A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-05 | Fujitsu Ltd | Porcelain composition having high permittivity |
| JPS6217069A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | 三菱電機株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| JPS6256361A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 富士チタン工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS6283364A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | 宇部興産株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2907437B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |