JPH04188506A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04188506A JPH04188506A JP2317345A JP31734590A JPH04188506A JP H04188506 A JPH04188506 A JP H04188506A JP 2317345 A JP2317345 A JP 2317345A JP 31734590 A JP31734590 A JP 31734590A JP H04188506 A JPH04188506 A JP H04188506A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は絶縁抵抗が高く、寿命特性にすぐれた誘電体磁
器を得る。ことができる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
器を得る。ことができる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
従来の技術
従来からQにすぐれ、静電容量温度係数が小さい誘電体
磁器組成物として下記のような系が知られている。
磁器組成物として下記のような系が知られている。
−MgO−CaO−T iox系
発明が解決しようとする課題
しかし、この組成は、例えば0.50Mg0−0.14
CaO−0,36T i 02の組成比からなる誘電体
材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作製すると、誘
電率:43.静電容量温度係数二N759ppm/℃、
Q:10000以上、絶縁抵抗: 4.Ox 1012
Ωであり、満足のできる値ではない。
CaO−0,36T i 02の組成比からなる誘電体
材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作製すると、誘
電率:43.静電容量温度係数二N759ppm/℃、
Q:10000以上、絶縁抵抗: 4.Ox 1012
Ωであり、満足のできる値ではない。
また、この誘電体材料を使用して、誘電体厚み:25μ
m、内部電極の重なり寸法:2..4mX0.9+n+
++、誘電体層数:20の積層構造をもつ積層セラミッ
クコンデンサを作製し、温度:125℃。
m、内部電極の重なり寸法:2..4mX0.9+n+
++、誘電体層数:20の積層構造をもつ積層セラミッ
クコンデンサを作製し、温度:125℃。
印加電圧: 100V、D、C,の寿命試験を行うと、
絶縁抵抗が1000MΩ以下に劣化するものが発生する
という欠点を有していた。
絶縁抵抗が1000MΩ以下に劣化するものが発生する
という欠点を有していた。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式xMg
O−yCaO−zT i 02 と表した時(ただし、
x+y+z=1.00>x、y、zが以下に表す各点a
、b、c、dで囲まれるモル比の範囲からなる主成分1
00重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をNb2
05に換算して0.5〜20.0重量部含有したことを
特徴とする作用 第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A、B領域で
は絶縁抵抗が低く実用的でない。また、C領域では焼結
が困難である。
O−yCaO−zT i 02 と表した時(ただし、
x+y+z=1.00>x、y、zが以下に表す各点a
、b、c、dで囲まれるモル比の範囲からなる主成分1
00重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をNb2
05に換算して0.5〜20.0重量部含有したことを
特徴とする作用 第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A、B領域で
は絶縁抵抗が低く実用的でない。また、C領域では焼結
が困難である。
また、主成分に対し、副成分Nb20sを含有すること
により、絶縁抵抗と寿命特性が向上する効果を有してい
るが、Nb2O5の含有量が主成分100重量部に対し
、0.5重量部未満は含有効果がな(、この発明の範囲
から除外した。一方、Nb2O5の含有量が主成分に対
し、20.0重量部を超えるとQが低下するものがあり
、実用的でなくなる。
により、絶縁抵抗と寿命特性が向上する効果を有してい
るが、Nb2O5の含有量が主成分100重量部に対し
、0.5重量部未満は含有効果がな(、この発明の範囲
から除外した。一方、Nb2O5の含有量が主成分に対
し、20.0重量部を超えるとQが低下するものがあり
、実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的叉施例により説明する。
(実施例1)
出発原料には化学的に高純度のNb2O5゜T iO2
+ M g OおよびCaCO3粉末を下記の第1表に
示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備えた
ゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合
後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツ
ボに入れ、空気中で1000〜1100℃にて2時間仮
焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内
張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱
水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、
均質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力Iton/−で直径
15wwm、厚み0.4++wnに成形した。次いで、
得られた成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中に
て下記の第1表に示す温度で2時間焼成し、第1表に示
す組成比の誘電体磁器を得た。
+ M g OおよびCaCO3粉末を下記の第1表に
示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備えた
ゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合
後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツ
ボに入れ、空気中で1000〜1100℃にて2時間仮
焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内
張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱
水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、
均質とした後、32メツシユのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力Iton/−で直径
15wwm、厚み0.4++wnに成形した。次いで、
得られた成形円板をアルミナ質のサヤに入れ、空気中に
て下記の第1表に示す温度で2時間焼成し、第1表に示
す組成比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、Q、静電容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗測定用試料は、誘電体磁器円板の外周より白画をに
1mの幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付け
た。そして、誘電体、Q、静電容量温度係数は、横河・
ヒユーレット・パラカード■製デジタルLCRメータの
モデル4275Aを使用し、測定温度:20℃。
を測定し、誘電率、Q、静電容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗測定用試料は、誘電体磁器円板の外周より白画をに
1mの幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付け
た。そして、誘電体、Q、静電容量温度係数は、横河・
ヒユーレット・パラカード■製デジタルLCRメータの
モデル4275Aを使用し、測定温度:20℃。
測定電圧: 1.OVrms、測定周波数:1MHzで
の測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、20℃
と85℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
の測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、20℃
と85℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
TC−(C−Co)/CoX1/65X10’TC:静
電容量温度係数(ppm/℃)Co:20℃での静電容
量(pF) C:85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
電容量温度係数(ppm/℃)Co:20℃での静電容
量(pF) C:85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
K=143.8xCox t/D2
K :誘電率
Co:20℃での静電容量(pF)
D :誘電体磁器の直径(−)
t :誘電体磁器の厚み(閣) ′さらに、絶縁抵
抗は、横河・ヒユーレット・パラカード■製HRメータ
のモデル4329At−使用し、測定電圧:50V、D
、C,測定時間:1分間による測定より求めた。
抗は、横河・ヒユーレット・パラカード■製HRメータ
のモデル4329At−使用し、測定電圧:50V、D
、C,測定時間:1分間による測定より求めた。
試験条件を第1表に併せて示し、試験結果を下記の第2
表に示す。
表に示す。
〈第1表〉
(ニジ・下 島 甘)
(実施例2)
出発原料には化学的に高純度のNb20s 。
TiO2,MgOおよびCaCO3粉末を使用し、組成
比0.42Mg0−0.18CaO−0,40Ti02
の主成分100重量部に対し、副成分Nb2O5を3
vt t%金含有た仮焼粉砕粉末を実施例1と同様の方
法で作製する。
比0.42Mg0−0.18CaO−0,40Ti02
の主成分100重量部に対し、副成分Nb2O5を3
vt t%金含有た仮焼粉砕粉末を実施例1と同様の方
法で作製する。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー、可塑剤、分散剤
、有機溶剤を加え混合し、スラリーを作製した。このス
リラーをろ過後、ドクターブレードにより、焼結後の誘
導体厚みが25μmとなるようにシートを成形した。
、有機溶剤を加え混合し、スラリーを作製した。このス
リラーをろ過後、ドクターブレードにより、焼結後の誘
導体厚みが25μmとなるようにシートを成形した。
このシートに、焼結後の内部電極型なり寸法が2.4m
mX0.9mmとなるように、内部電極パラジウムペー
ストを印刷し、乾燥後、内部電極パラジウムペーストを
印刷していないシートを上下に6枚と中央部に内部電極
パラジウムペーストを印刷したシート21枚を積層し、
切断した。
mX0.9mmとなるように、内部電極パラジウムペー
ストを印刷し、乾燥後、内部電極パラジウムペーストを
印刷していないシートを上下に6枚と中央部に内部電極
パラジウムペーストを印刷したシート21枚を積層し、
切断した。
この切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ
質のサヤに入れ、空気中にて室温から350℃までを5
℃/hrで昇温し、350℃より100℃/hrで昇温
し、1350℃で2時間焼成した。
質のサヤに入れ、空気中にて室温から350℃までを5
℃/hrで昇温し、350℃より100℃/hrで昇温
し、1350℃で2時間焼成した。
この焼成した試料は、内部電極露出端面を研摩し、内部
電極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導
通させ、積層セラミックコンデンサを作製した。
電極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導
通させ、積層セラミックコンデンサを作製した。
これらの試料100個の静電容量、Q、絶縁抵抗を実施
例1と同様の条件で測定し、寿命試験用基板に半田付し
、125℃の試験槽で100V。
例1と同様の条件で測定し、寿命試験用基板に半田付し
、125℃の試験槽で100V。
D、C,印加の寿命試験を行った。
そして、寿命試験1000時間後の静電容量、Q、絶縁
抵抗を実施例1と同様の条件で測定し、静電容量変化率
は、次式により求め、試験結果を下記の第3表に示す。
抵抗を実施例1と同様の条件で測定し、静電容量変化率
は、次式により求め、試験結果を下記の第3表に示す。
ΔC−(C+ooohr C0hr )/Cohr
X100ΔC:静電容量変化率(%) COhr :寿命試験0時間の静電容量(pF)C1
000hr:寿命試験1000時間の静電容量(pF) なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Nb
2O5,Ti 02.MgOおよびCa C03を使用
したが、この方法に限定されるものではな(、所望の組
成比になるように、CaTiO3゜M g T i O
sなどの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中
での加熱により、Nb2 os 。
X100ΔC:静電容量変化率(%) COhr :寿命試験0時間の静電容量(pF)C1
000hr:寿命試験1000時間の静電容量(pF) なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Nb
2O5,Ti 02.MgOおよびCa C03を使用
したが、この方法に限定されるものではな(、所望の組
成比になるように、CaTiO3゜M g T i O
sなどの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中
での加熱により、Nb2 os 。
Ti(h、MgoおよびCaOとなる化合物を使用して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業(資)製二酸化チタ
ンKA−10、古河鉱業■製二酸化チタンFA−55W
には最大0.45重量%のNb2 osが含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器を作製しても主成分100重量部に対して、Nb20
5の含有料は最大で0.41重量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のNb2
O5量を考虜し、不足分のNb2O5を含有させること
により、実施例と同程度の特性を得ることができる。
の二酸化チタン、例えばチタン工業(資)製二酸化チタ
ンKA−10、古河鉱業■製二酸化チタンFA−55W
には最大0.45重量%のNb2 osが含まれている
が、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器を作製しても主成分100重量部に対して、Nb20
5の含有料は最大で0.41重量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のNb2
O5量を考虜し、不足分のNb2O5を含有させること
により、実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、5i02゜MnO2,
Fe2O3,Zn○、Al2Oコなと一般にフラックス
と考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわな
い範囲で加えるこおもできる。
Fe2O3,Zn○、Al2Oコなと一般にフラックス
と考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわな
い範囲で加えるこおもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、絶縁抵抗が高く、寿命特
性にすぐれた誘電体磁器を得ることが可能である。
性にすぐれた誘電体磁器を得ることが可能である。
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 xMgO−yCaO−zTiO_2と表した時(ただし
、x+y+z=1.00)、x,y,zが以下に表す各
点a,b,c,dで囲まれるモル比の範囲からなる主成
分100重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をN
b_2O_5に換算して0.5〜20.0重量部含有し
たことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2317345A JP2917505B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2317345A JP2917505B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04188506A true JPH04188506A (ja) | 1992-07-07 |
JP2917505B2 JP2917505B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=18087189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2317345A Expired - Fee Related JP2917505B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2917505B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0582274A1 (en) * | 1992-08-03 | 1994-02-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Microwave dielectric ceramic composition |
EP0671370A1 (en) * | 1994-03-08 | 1995-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
US5547908A (en) * | 1993-07-30 | 1996-08-20 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition and package made of the same composition for packaging semiconductor |
JP2006117448A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品 |
JP2010120847A (ja) * | 2009-12-11 | 2010-06-03 | Kyocera Corp | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2317345A patent/JP2917505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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