JPS5828102A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS5828102A JPS5828102A JP56127626A JP12762681A JPS5828102A JP S5828102 A JPS5828102 A JP S5828102A JP 56127626 A JP56127626 A JP 56127626A JP 12762681 A JP12762681 A JP 12762681A JP S5828102 A JPS5828102 A JP S5828102A
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- dielectric constant
- high dielectric
- capacitors
- dielectric
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器組成物に係り、合成酸化物の固相
反応によって合成された (Ba1−xCax)(Ti1−yZry) Os+ム
wt%CeO2+Bwt%MnO2系の酸化物で、特に
高誘電率でかつ誘電損失の電圧依存性が小さく、シかも
破壊強度が優れた高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
反応によって合成された (Ba1−xCax)(Ti1−yZry) Os+ム
wt%CeO2+Bwt%MnO2系の酸化物で、特に
高誘電率でかつ誘電損失の電圧依存性が小さく、シかも
破壊強度が優れた高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
従来のディスク用コンデンサの高誘電率磁器は、−Ba
TiO3−BaZrOs −CaZrOs −4120
s−BaTiO3−MgTiOs −CaTiOs 、
CaZrOs −CeO2−BaTiOs −BaZr
Os −Cain’s−BaTi0s−BiO2−Nb
20s等の合成原料によって高誘電率磁器組成物を製造
していた。しかしながら、これらの上記磁器組成物で積
層セラミックコンデンサを製造すると、■ 磁器組成物
の誘電損失の電圧依存性が悪く、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体厚みが30〜50μと極めて薄
いため誘電損失が劣化する。
TiO3−BaZrOs −CaZrOs −4120
s−BaTiO3−MgTiOs −CaTiOs 、
CaZrOs −CeO2−BaTiOs −BaZr
Os −Cain’s−BaTi0s−BiO2−Nb
20s等の合成原料によって高誘電率磁器組成物を製造
していた。しかしながら、これらの上記磁器組成物で積
層セラミックコンデンサを製造すると、■ 磁器組成物
の誘電損失の電圧依存性が悪く、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体厚みが30〜50μと極めて薄
いため誘電損失が劣化する。
■ さらに、積層セラミックコンデンサはプリント基板
に素体のまま直接・・ンダ付けされるため高度な強度が
要求されるが、これらの磁器組成物の抗折強度が500
〜7ookg/−Lかなく破壊試験の信頼性が良くない
。
に素体のまま直接・・ンダ付けされるため高度な強度が
要求されるが、これらの磁器組成物の抗折強度が500
〜7ookg/−Lかなく破壊試験の信頼性が良くない
。
等の欠点があり、積層セラミックコンデンサの磁器組成
物としては使用できない。
物としては使用できない。
本発明はBaTiOs −BaZrOs −CaTiO
3−CaZrO3に0602を添加させ誘電損失の電圧
依存性を向−ヒさせ、さらにMnO+を添加させること
により抗折強度を向上させ、しかも他の特性は従来の特
性を維持できる高性能な高誘電率磁器組成物を発明した
ものである。
3−CaZrO3に0602を添加させ誘電損失の電圧
依存性を向−ヒさせ、さらにMnO+を添加させること
により抗折強度を向上させ、しかも他の特性は従来の特
性を維持できる高性能な高誘電率磁器組成物を発明した
ものである。
すなわち、本発明の磁器組成物は、 BaTi051
00wt%に対して、BaZrOs 4〜10 wt%
。
00wt%に対して、BaZrOs 4〜10 wt%
。
CaZrO38〜13 wt%、 CaTiOs 3〜
12 wt%の範囲内にある組成物に添加物としてC8
020,1〜0.5wt%、、 MnO20,1〜0.
5 wt% を添加することにより、常温の誘電率がε
−5000以上を有し°、誘電率の温度変化率が小さく
、誘電損失の電圧依存性が従来の同程度の誘電率の材料
に比べ小さく、さらに抗折強度を向上させたことを特徴
とする高誘電率磁器組成物である。
12 wt%の範囲内にある組成物に添加物としてC8
020,1〜0.5wt%、、 MnO20,1〜0.
5 wt% を添加することにより、常温の誘電率がε
−5000以上を有し°、誘電率の温度変化率が小さく
、誘電損失の電圧依存性が従来の同程度の誘電率の材料
に比べ小さく、さらに抗折強度を向上させたことを特徴
とする高誘電率磁器組成物である。
本発明の磁器組成物は積層コンデンサ以外にも厚膜コン
デンサ、アキシャルコンデンサ、ディスクコンデンサ等
にも使用することが可能である。
デンサ、アキシャルコンデンサ、ディスクコンデンサ等
にも使用することが可能である。
以下、本発明を実施例とともに詳細に説明する。
原料としテBaTiOs 、 BaZrO3,cazr
os 。
os 。
CaTiOx 、 C802、MnO2を用意し、各原
料を下記の表に示した組成になるように秤量した。この
秤量した原料を水、玉石とともにポットミルに入れ湿式
混合させ、スラリー化した後固化乾燥させる。次に、粉
砕して加圧成型した。次いで成型物を1360’Cで2
時間空気中で焼成して磁器素体を得た。そして、電気的
特性測定用試料は上記磁器素体に銀ペーストを塗布し8
00℃で焼付け、これを試料として誘電率、誘電損失及
び温度特性。
料を下記の表に示した組成になるように秤量した。この
秤量した原料を水、玉石とともにポットミルに入れ湿式
混合させ、スラリー化した後固化乾燥させる。次に、粉
砕して加圧成型した。次いで成型物を1360’Cで2
時間空気中で焼成して磁器素体を得た。そして、電気的
特性測定用試料は上記磁器素体に銀ペーストを塗布し8
00℃で焼付け、これを試料として誘電率、誘電損失及
び温度特性。
誘電損失の電圧依存性を測定した。これらの測定結果を
同じく下記の表に示す。なお、抗折強度用の試料は磁器
素体のまま測定した。
同じく下記の表に示す。なお、抗折強度用の試料は磁器
素体のまま測定した。
(以下余白う
上記表からも明らかのように、本発明の範囲のものは誘
電率が高く(ε=500o以上)、誘電損失が極めて小
さく(tllI]δ−o、40%以下)、また誘電損失
の電圧依存性も非常に小さく(AC5() V/mm
印加で伽δ1,0%以下)、さらに抗折強度も大きい
(90okg/c4以上)高誘電率磁器組成物が得られ
た。しかし、本発明の範囲からずれるものは表に示すよ
うに、 (1)誘電損失が大きい。
電率が高く(ε=500o以上)、誘電損失が極めて小
さく(tllI]δ−o、40%以下)、また誘電損失
の電圧依存性も非常に小さく(AC5() V/mm
印加で伽δ1,0%以下)、さらに抗折強度も大きい
(90okg/c4以上)高誘電率磁器組成物が得られ
た。しかし、本発明の範囲からずれるものは表に示すよ
うに、 (1)誘電損失が大きい。
(2)誘電率が低い。
(3)抗折強度が低い。
(4)誘電損失の電圧依存性が悪い。
(5)誘電率の温度特性が悪い。
等の特性を示しておシ、積層コンデンサ用高誘電率磁器
組成物には使用できない。
組成物には使用できない。
ここで、以下組成の限定理由を述べる。まずBaZrC
)5を4〜1owt%に限定したのは、4wt%未滴に
なると誘電損失が大きくなる。また1 0 wt%を超
えると誘電率の温度特性が悪くなる。そして、CaTi
O3を3〜12 wt%に限定したのは3 wt%未満
では誘電率の温度特性が悪ズなり、また1 2 Wt、
%を超えると誘電率が減少する。さらに、0hZrO3
を8〜13wj%に限定したのは、 s wt%未満に
なると誘電損失が大きくなり、また13wt%を超える
と誘電率の温度特性が悪くなる。
)5を4〜1owt%に限定したのは、4wt%未滴に
なると誘電損失が大きくなる。また1 0 wt%を超
えると誘電率の温度特性が悪くなる。そして、CaTi
O3を3〜12 wt%に限定したのは3 wt%未満
では誘電率の温度特性が悪ズなり、また1 2 Wt、
%を超えると誘電率が減少する。さらに、0hZrO3
を8〜13wj%に限定したのは、 s wt%未満に
なると誘電損失が大きくなり、また13wt%を超える
と誘電率の温度特性が悪くなる。
そして、CeO2の添加量を0.1〜0,5 wt%に
限定したのは0.1Wt、%未満では誘電損失に効果な
く、o、swt%を超えると誘電率が減少するからであ
る。また、MnO2の添加量を0.1〜0.5wt%に
限定したのは0,1 wt、%未満では抗折強度に効果
なく、0.5wt%を超えると逆に抗折強度が低下する
からである。
限定したのは0.1Wt、%未満では誘電損失に効果な
く、o、swt%を超えると誘電率が減少するからであ
る。また、MnO2の添加量を0.1〜0.5wt%に
限定したのは0,1 wt、%未満では抗折強度に効果
なく、0.5wt%を超えると逆に抗折強度が低下する
からである。
以上に述べたように、本発明の高誘電率磁器組成物は、
従、来の特性を維持し、さらに誘電損失の電圧依存性に
優れ、かつ抗折強度の高い高性能の磁器組成物であり、
積層セラミックコンデンサのミナラス、厚膜コンデンサ
、アキシャルコンテンサ、ディスクコンデンサにも使用
できる高誘電率磁器組成物であり、その産業性は犬なる
ものであるO
従、来の特性を維持し、さらに誘電損失の電圧依存性に
優れ、かつ抗折強度の高い高性能の磁器組成物であり、
積層セラミックコンデンサのミナラス、厚膜コンデンサ
、アキシャルコンテンサ、ディスクコンデンサにも使用
できる高誘電率磁器組成物であり、その産業性は犬なる
ものであるO
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸バリウム(BaTiO3) 1o○wt%に対
して、ジルコン酸パリ+7 ム(BaZr03) 4〜
1 owt。 ジルコン酸カルシr7 ム(CaZrO3) 8〜13
wt%。 チタン酸カルシウム(CaTiOs) 3〜12 wt
%の範囲内にある組成物に添加物としてCe02o、1
〜○、s wt%、 MnO20,1〜0.5 wt%
を添加含有してなることを特徴とする高誘電率磁器組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127626A JPS5828102A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127626A JPS5828102A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5828102A true JPS5828102A (ja) | 1983-02-19 |
JPS6116132B2 JPS6116132B2 (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=14964732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56127626A Granted JPS5828102A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5828102A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2632301A1 (fr) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Europ Composants Electron | Composition ceramique a haute permittivite et condensateur utilisant cette composition |
JP2016213297A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396841U (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-22 | ||
JPS63193053U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-13 | ||
JPH0677753U (ja) * | 1993-04-17 | 1994-11-01 | 有限会社東洋医療器 | 電気温灸器 |
-
1981
- 1981-08-13 JP JP56127626A patent/JPS5828102A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2632301A1 (fr) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Europ Composants Electron | Composition ceramique a haute permittivite et condensateur utilisant cette composition |
JP2016213297A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6116132B2 (ja) | 1986-04-28 |
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