JPS6035406A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6035406A JPS6035406A JP14350883A JP14350883A JPS6035406A JP S6035406 A JPS6035406 A JP S6035406A JP 14350883 A JP14350883 A JP 14350883A JP 14350883 A JP14350883 A JP 14350883A JP S6035406 A JPS6035406 A JP S6035406A
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- Japan
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- temperature
- dielectric constant
- dielectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体磁器組成物に係シ、特に高周波用または
温度補償用として最適な誘電体磁器組成物に関する。
温度補償用として最適な誘電体磁器組成物に関する。
例えば温度補償用磁器コンデンサ等に用いられる誘電体
磁器組成物としては、温度係数が比較的小さく、かつ誘
電率およびＱが高く、シかもこれらの温度依存性が少な
いこと、つまり容量変化率をも７’（ないことが望まれ
る。そして従来の此種の誘電体磁器組成物としては、
８ｒＴｉ０３． ＣａＴｌ０３゜ＭｇＴｉＯ３，Ｌａ２
Ｏ３＠２Ｔ１０＋１１ ＣａＺｒＯ３等を主成分とする
ものが知られている。そしてこれらの組成物によれば誘
電率が１０〜３００．温度係数が ＋１００〜−３００
０ Ｘ １ｏ／’ｃの範囲のものが得られることがこれ
また知られている。
磁器組成物としては、温度係数が比較的小さく、かつ誘
電率およびＱが高く、シかもこれらの温度依存性が少な
いこと、つまり容量変化率をも７’（ないことが望まれ
る。そして従来の此種の誘電体磁器組成物としては、
８ｒＴｉ０３． ＣａＴｌ０３゜ＭｇＴｉＯ３，Ｌａ２
Ｏ３＠２Ｔ１０＋１１ ＣａＺｒＯ３等を主成分とする
ものが知られている。そしてこれらの組成物によれば誘
電率が１０〜３００．温度係数が ＋１００〜−３００
０ Ｘ １ｏ／’ｃの範囲のものが得られることがこれ
また知られている。
しかし、これらの従来の誘電体磁器組成物は。
常温での誘電率と温度係数の関係が誘電率が大きくなる
程温度係数の値も大きくなり、また温度係数の値を小さ
くすると誘電率も小さくなるという関係におった。この
ため従来の誘電体磁器組成物では、温度係数が小さくて
誘電率の大きいものを得ることができなかった。
程温度係数の値も大きくなり、また温度係数の値を小さ
くすると誘電率も小さくなるという関係におった。この
ため従来の誘電体磁器組成物では、温度係数が小さくて
誘電率の大きいものを得ることができなかった。
また一般の温度補償用磁器コンデンサや高周波回路用の
誘電体共振器等では、その誘電体磁器組成物として、温
度係数が小さくｖｊ′ｉＩＬ率およびＱが高く、誘電率
が温度依存性を持たないことが望まれる。従来はこのよ
うな誘電体磁器組成物としてＴｌＯ２系のもの２例えば
ＴｌＯ２−ＺｒＯ２−８ｎ０２系、ＣａＴｉＯ３−Ｍｇ
’ｒｔｏ３− Ｌａ２０Ｂ ＊ ２ ＴｌＯ２系等の磁
器組成物を使用していた。しかしながらこれらの組成物
で誘電体共振器やコンデンサを作った場合、温度係数が
零（ＰＰＭ／’Ｃ）の温度特性の良いところでは誘電率
が約４０と非常に小さくなるという欠点がらり。
誘電体共振器等では、その誘電体磁器組成物として、温
度係数が小さくｖｊ′ｉＩＬ率およびＱが高く、誘電率
が温度依存性を持たないことが望まれる。従来はこのよ
うな誘電体磁器組成物としてＴｌＯ２系のもの２例えば
ＴｌＯ２−ＺｒＯ２−８ｎ０２系、ＣａＴｉＯ３−Ｍｇ
’ｒｔｏ３− Ｌａ２０Ｂ ＊ ２ ＴｌＯ２系等の磁
器組成物を使用していた。しかしながらこれらの組成物
で誘電体共振器やコンデンサを作った場合、温度係数が
零（ＰＰＭ／’Ｃ）の温度特性の良いところでは誘電率
が約４０と非常に小さくなるという欠点がらり。
温度係数が小さく誘電率の温度依存性が直線性をもち、
誘電率の高いものを得ることが内錐であった。
誘電率の高いものを得ることが内錐であった。
またＢａ０−ｘＴｉＯ２系組成物としてＸが２〜９の組
成物は温度補償用としては公知でちるが、依然として前
述の問題点は解決されていない。
成物は温度補償用としては公知でちるが、依然として前
述の問題点は解決されていない。
〔発明が解決しようとする問題点、目的〕本発明は＠電
率およびＱが大きく、シかも温度係数が小さく、誘電率
の温度特性の直線性が良好でかつ容量変化率の小さい誘
電体磁器組成物を得ることができなかったという従来の
問題点を解決するものである。
率およびＱが大きく、シかも温度係数が小さく、誘電率
の温度特性の直線性が良好でかつ容量変化率の小さい誘
電体磁器組成物を得ることができなかったという従来の
問題点を解決するものである。
そして本発明の目的は、誘電率およびＱが太きく、温度
係数が小さく、誘電率の温度特性の直線性が良好でかつ
容量変化率の小さい新規な誘電体磁器組成物を提供する
ことでおる。
係数が小さく、誘電率の温度特性の直線性が良好でかつ
容量変化率の小さい新規な誘電体磁器組成物を提供する
ことでおる。
上記の如き問題点を解決するため１本発明ではＢａＯ＊
ｘ Ｔｉｅ、−Ｎｄ２０ｓａ ２ ＴｉＯ２系誘電体
磁器組成物（但しｘ＝３〜６）でおって、′Ｍ化物に換
算してＴｉｅ２６６．９ モル％〜７６．２ ％ ル％
、 ＢａＯＯ，３５モＡ％〜９．１モルチ、 Ｎｄ２
０３１６．７モル％〜３２．８モル係の組成範囲である
ことを特徴とする。
ｘ Ｔｉｅ、−Ｎｄ２０ｓａ ２ ＴｉＯ２系誘電体
磁器組成物（但しｘ＝３〜６）でおって、′Ｍ化物に換
算してＴｉｅ２６６．９ モル％〜７６．２ ％ ル％
、 ＢａＯＯ，３５モＡ％〜９．１モルチ、 Ｎｄ２
０３１６．７モル％〜３２．８モル係の組成範囲である
ことを特徴とする。
そしてこのような組成範囲にすることにより。
本発明の目的とする誘電率およびＱの大きな、温度係数
が小さく、誘電率の温度特性の直線性が良い誘電体磁器
組成物が得られることが判明した。
が小さく、誘電率の温度特性の直線性が良い誘電体磁器
組成物が得られることが判明した。
本発明を実施例にもとづき詳細に説明する。
まず、 ＴｉＯ２およびＢａＣＯ３を酸化物に換算して
Ｔｉｅ２は６６．９モＡ−％〜７６．２ ％ ル％ 、
ＢａＯは０．５５モｔｂ％〜９．１モル饅、 Ｎｄ２
Ｏ，は１６．７モル％〜３２．８モルチの範囲内の組成
比になるように配合し、これを１１００°Ｃ〜１２００
℃、２時間の条件で仮焼成した後、１００μｍ以下の粒
径となるように粗粉砕してその後のボールミルによって
湿式粉砕をおこない。
Ｔｉｅ２は６６．９モＡ−％〜７６．２ ％ ル％ 、
ＢａＯは０．５５モｔｂ％〜９．１モル饅、 Ｎｄ２
Ｏ，は１６．７モル％〜３２．８モルチの範囲内の組成
比になるように配合し、これを１１００°Ｃ〜１２００
℃、２時間の条件で仮焼成した後、１００μｍ以下の粒
径となるように粗粉砕してその後のボールミルによって
湿式粉砕をおこない。
これを濾過、乾燥し、それから粘結剤を加えてこれを１
６．５ｍφｘｏ、ｓｍｔの円板状に成形し１２８０℃〜
１４００℃の温度で２時間焼成した。なお上記円板状に
成形する際に、２〜３トン／ｄの圧力を加えた。このよ
うにして得られた誘電体磁器の両面に銀電極を８００℃
で焼付けてコンデンサとした後。
６．５ｍφｘｏ、ｓｍｔの円板状に成形し１２８０℃〜
１４００℃の温度で２時間焼成した。なお上記円板状に
成形する際に、２〜３トン／ｄの圧力を加えた。このよ
うにして得られた誘電体磁器の両面に銀電極を８００℃
で焼付けてコンデンサとした後。
その誘電率とＱ値および温度係数Ｔ 、 Ｃ（ＰＰＭ／
’Ｃ）を測定した。ここで誘電率とＱはＩＫＨｚの周波
数でキャパシタンス・ブリッジを用いて測定Ｌｌ。
’Ｃ）を測定した。ここで誘電率とＱはＩＫＨｚの周波
数でキャパシタンス・ブリッジを用いて測定Ｌｌ。
また温度係数Ｔ−Ｃは温度２０℃における誘電率ε２゜
の値を基準にし２次式により算出した。
の値を基準にし２次式により算出した。
Ｔ−Ｃ＝（εアーε２０）／ε２０（’Ｉ’−２０）
（ＰＰＭ／’Ｃ）但しε７はＴ℃における誘電率 ε２゜は２０℃における誘電率 Ｔは測定温度（室温）である。
（ＰＰＭ／’Ｃ）但しε７はＴ℃における誘電率 ε２゜は２０℃における誘電率 Ｔは測定温度（室温）である。
そしてこのようにして表−１に示す如き各試料を作成し
、それらの誘電率ＩＱＩ温度温度係数等電気的性特性定
した。
、それらの誘電率ＩＱＩ温度温度係数等電気的性特性定
した。
この表−１において試料番号に○印を付与したものが本
発明の実施例である。これから明らかなように、 Ｎｄ
２Ｏ，・２ＴｉＯｔ ９９．０モルチ以上の場合には試
料Ｎ［Ｌｌ 、 Ｎｕ ２に示す如く２本焼成温度が１
３８０℃とか々り昼くすることが必要となり、焼結性が
悪くなるとともに誘電率がそれぞれ４０以下と低く、不
充分である。
発明の実施例である。これから明らかなように、 Ｎｄ
２Ｏ，・２ＴｉＯｔ ９９．０モルチ以上の場合には試
料Ｎ［Ｌｌ 、 Ｎｕ ２に示す如く２本焼成温度が１
３８０℃とか々り昼くすることが必要となり、焼結性が
悪くなるとともに誘電率がそれぞれ４０以下と低く、不
充分である。
そしてＢａ０−ｘ ＴｉＯ２３２モルチ以上の場合には
。
。
試料＋４α１７ 、 ＮＯ，１Ｂ 、 ＩＪα１９に示
す如く、温度係数が急激に負側に大きくなり、その割に
は誘電率が大きくならず実用的でない。
す如く、温度係数が急激に負側に大きくなり、その割に
は誘電率が大きくならず実用的でない。
これに対してＢａＯ＊ ｘ ＴｉＯ２が１２．０モル％
〜６０モル裂、 Ｎｄ２Ｏ３・２Ｔ＋０２ が７０モル
襲〜９９モルチの組成範囲のｊ場合には、焼成温度も１
３００℃〜１６４０℃とる一止り高くなく、その誘電率
も５５以上でかつＱの値も５０００以上で充分に大きな
ものとなる。ここでｘ＝２以下ではＱの低下が著しく。
〜６０モル裂、 Ｎｄ２Ｏ３・２Ｔ＋０２ が７０モル
襲〜９９モルチの組成範囲のｊ場合には、焼成温度も１
３００℃〜１６４０℃とる一止り高くなく、その誘電率
も５５以上でかつＱの値も５０００以上で充分に大きな
ものとなる。ここでｘ＝２以下ではＱの低下が著しく。
ｘ ＝ ７以上では＠電率ε８が小となる。
しかも添付図面に示す如く、広い温度範囲に亘って直線
性の良好な、温度特性のものが得られる。
性の良好な、温度特性のものが得られる。
ここで添付図面は、温度（℃）−容量変化率△Ｃｆ％ｌ
を示すものであり、直線Ｎｕ４．ＮαＢ、ｋｊ７は表−
１に示される試料Ｎα４．Ｎ１６．Ｎα１７に示される
組成物の温度−容量変化率を示している。そしてこのう
ちＮα４及びＮα８が本発明の実施例である。
を示すものであり、直線Ｎｕ４．ＮαＢ、ｋｊ７は表−
１に示される試料Ｎα４．Ｎ１６．Ｎα１７に示される
組成物の温度−容量変化率を示している。そしてこのう
ちＮα４及びＮα８が本発明の実施例である。
この図面から明らかなように９本発明に係る訪電体磁器
組成物は一３０℃〜＋１００℃の広い温度範囲にわたり
客語：の温度変化率が非常に高い直線性を示すのみなら
ず、その温度−容量変化率が小さなことがわかる。図示
省略したが２本発明の実施例である他の試料でも同様な
結果が得られた。
組成物は一３０℃〜＋１００℃の広い温度範囲にわたり
客語：の温度変化率が非常に高い直線性を示すのみなら
ず、その温度−容量変化率が小さなことがわかる。図示
省略したが２本発明の実施例である他の試料でも同様な
結果が得られた。
本発明は、上記の如く、誘電率およびＱが大きく、シか
も温度係数が小さく、誘電率の温度特性の直線性が非常
に良好で、温度−容量変化率が極めて小さい、焼結性の
良好な訪電体磁器組成物を提供することができる。
も温度係数が小さく、誘電率の温度特性の直線性が非常
に良好で、温度−容量変化率が極めて小さい、焼結性の
良好な訪電体磁器組成物を提供することができる。
したがって本発明によれば、１１１度補償用もしくハ高
周波用の磁器コンデンサまたは討電体共振器等の材料と
して非常に好適な訪電体磁器組成物を提供することとな
る。
周波用の磁器コンデンサまたは討電体共振器等の材料と
して非常に好適な訪電体磁器組成物を提供することとな
る。
添付図面は本発明に係る訪電体磁器組成物の温度−容量
変化率特性図である。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮
変化率特性図である。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮
Claims (1)
- ＢａＯ＃ Ｘ Ｔｉ０２−Ｎｄ２Ｏ３＊ ２ Ｔｉｅ２
系肪電体磁器組成物（但しｘ＝３〜６）でおって、酸化
物に換算してＴｉ０２６６．９ ％ ル％〜７６．２
モル％ 、 Ｂａ００．３３ ％ル％〜９゜１モルチ、
Ｎｄ２Ｏ，１６，７モル俸〜３２．８モルチの組成範
囲でおることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14350883A JPS6035406A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14350883A JPS6035406A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035406A true JPS6035406A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15340357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14350883A Pending JPS6035406A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035406A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448598U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | ||
| JPH01227303A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| EP0701981A1 (en) | 1994-08-30 | 1996-03-20 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020280A (ja) * | 1973-06-27 | 1975-03-04 |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP14350883A patent/JPS6035406A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020280A (ja) * | 1973-06-27 | 1975-03-04 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448598U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | ||
| JPH01227303A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| EP0701981A1 (en) | 1994-08-30 | 1996-03-20 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5827792A (en) * | 1994-08-30 | 1998-10-27 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
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