JPS593805B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS593805B2 JPS593805B2 JP51025703A JP2570376A JPS593805B2 JP S593805 B2 JPS593805 B2 JP S593805B2 JP 51025703 A JP51025703 A JP 51025703A JP 2570376 A JP2570376 A JP 2570376A JP S593805 B2 JPS593805 B2 JP S593805B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- mol
- high dielectric
- temperature
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い誘電率と温度に対して小さい誘電 ２率温
度変化率を有する高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
度変化率を有する高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
従来より高誘電率磁器組成物としてＢａＴｉ０３系磁器
組成物が用いられているが、ＢａＴｉ０３単体では誘電
率１０００〜１５００位しか得ること ３（ができず、
これに有効な副成分を添加してＢａＴｉ０３のキューリ
点をシフトまたはデプレスして目的とするところの所定
の誘電率を得るのが公知である。
組成物が用いられているが、ＢａＴｉ０３単体では誘電
率１０００〜１５００位しか得ること ３（ができず、
これに有効な副成分を添加してＢａＴｉ０３のキューリ
点をシフトまたはデプレスして目的とするところの所定
の誘電率を得るのが公知である。
その副成分として錫化合物（ＣａＳｎ０３、ＢａＳｎ０
３、ＳｒＳｎ０３、３、’ＭｇＳｎＯ３）、ジルコン化
合物（ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒ０３、Ｍ
ｇＺｒＯ３）、チタン化合物（ＣａＴｉ０３、ＳｒＴｉ
Ｏ３、ＭｇＴｉＯ３）などを添加したものである。
３、ＳｒＳｎ０３、３、’ＭｇＳｎＯ３）、ジルコン化
合物（ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒ０３、Ｍ
ｇＺｒＯ３）、チタン化合物（ＣａＴｉ０３、ＳｒＴｉ
Ｏ３、ＭｇＴｉＯ３）などを添加したものである。
これらはいずれもその誘電率を３０００〜７０００と高
くすると、温度（一２５℃〜＋８５℃）に対する誘電率
変化率が＋５３０１＄〜−８０％と大きくなる欠点があ
わ、焼結温度も１３８０〜１４００℃と高く、また温度
（−２５℃〜＋８５℃）に対する誘電率変化率を＋２０
％〜−３０％以内にすると、その誘電率は２０００〜３
０００と低くなる欠点があつた。ｏ 本発明はかかる欠
点に鑑みて改善されたもので、高い誘電率４０００〜５
３００岳有すると共に、温度（−２５℃〜＋８５℃）に
対して小さい誘電率変化率（＋２０％〜−３０％）を有
し、しかも比較的低温の１２６０〜１３４０℃で焼結で
きる５ ことにより工業的にも量産性に富む利点を有す
る高誘電率磁器組成物を提供しようとするものである。
本発明はかかる諸特性を同時に満足させる高誘電率磁器
組成物に関するものであわ、その組成は０ＢａＴｉ０３
・・・ ９７．４〜９８．５モル％Ｂｉ２（Ｓｎ０３）
３・・・ ０．２〜０．４モル％ＢａＳｎ０３・・・・
・・・・・ ０．２〜０．８モル％Ｌａ２（Ｚｒ０３）
３・・・１．１〜１．４モル％からなることを特徴とす
るものである。
くすると、温度（一２５℃〜＋８５℃）に対する誘電率
変化率が＋５３０１＄〜−８０％と大きくなる欠点があ
わ、焼結温度も１３８０〜１４００℃と高く、また温度
（−２５℃〜＋８５℃）に対する誘電率変化率を＋２０
％〜−３０％以内にすると、その誘電率は２０００〜３
０００と低くなる欠点があつた。ｏ 本発明はかかる欠
点に鑑みて改善されたもので、高い誘電率４０００〜５
３００岳有すると共に、温度（−２５℃〜＋８５℃）に
対して小さい誘電率変化率（＋２０％〜−３０％）を有
し、しかも比較的低温の１２６０〜１３４０℃で焼結で
きる５ ことにより工業的にも量産性に富む利点を有す
る高誘電率磁器組成物を提供しようとするものである。
本発明はかかる諸特性を同時に満足させる高誘電率磁器
組成物に関するものであわ、その組成は０ＢａＴｉ０３
・・・ ９７．４〜９８．５モル％Ｂｉ２（Ｓｎ０３）
３・・・ ０．２〜０．４モル％ＢａＳｎ０３・・・・
・・・・・ ０．２〜０．８モル％Ｌａ２（Ｚｒ０３）
３・・・１．１〜１．４モル％からなることを特徴とす
るものである。
上記組成範囲決定に関しては、Ｂｉ２（Ｓｎ０３）３の
含有量が０．２モル％未満であれば磁器の焼結が困難に
なるばかわか誘電率も小さく、誘電正接（ｔａｎδ）も
高くなる。
含有量が０．２モル％未満であれば磁器の焼結が困難に
なるばかわか誘電率も小さく、誘電正接（ｔａｎδ）も
高くなる。
また０．４モル％を越えると、誘電率が極めて小さく実
用上支障がある。また誘フ 電率温度変化率が大きくな
ク好ましくない。ＢａＳｎ０３の場合、その含有量が０
．２モル俤未満であれば誘電率が小さく、目標とする特
性が得られないこと、また０．８モル％よシその含有量
が増加すれば温度（−２５℃〜＋８５℃）に対する誘、
電率の変化率が大となる欠点がある。そしてＬａ２（Ｚ
に０３）３の含有量が１．１モル％未満であれば誘電率
が低下し、１．４モル％を越えると誘電率は高くなるが
磁器の焼結が進むことにより、誘電率温度変化率が大と
なわ好ましくない。またＢａＴｉＯ３は９７．４モル％
未満では磁器ｌ）羨成により融着する現象が生じ、９８
．５モル％を越えると磁器化温度が高くなり過ぎるので
良くない。以下、本発明を実施例にもとずいて詳細に説
明する。試料は次のようにして作成した。
用上支障がある。また誘フ 電率温度変化率が大きくな
ク好ましくない。ＢａＳｎ０３の場合、その含有量が０
．２モル俤未満であれば誘電率が小さく、目標とする特
性が得られないこと、また０．８モル％よシその含有量
が増加すれば温度（−２５℃〜＋８５℃）に対する誘、
電率の変化率が大となる欠点がある。そしてＬａ２（Ｚ
に０３）３の含有量が１．１モル％未満であれば誘電率
が低下し、１．４モル％を越えると誘電率は高くなるが
磁器の焼結が進むことにより、誘電率温度変化率が大と
なわ好ましくない。またＢａＴｉＯ３は９７．４モル％
未満では磁器ｌ）羨成により融着する現象が生じ、９８
．５モル％を越えると磁器化温度が高くなり過ぎるので
良くない。以下、本発明を実施例にもとずいて詳細に説
明する。試料は次のようにして作成した。
すなわち、等モル比のＢａＣＯ３とＴｉＯ２を混合して
１１５０℃で２時間仮焼し、この反応物を粉砕してＢａ
ＴｉＯ３を作成する。同様にしてＢｉ２（ＳｎＯ３）３
も ”Ｂｉ２Ｏ３とＳｎＯ２より、ＢａＳｎＯ３もＢ
ａＣＯ３とＳｎＯ２より、Ｌａ２（ＺｒＯ３）３ もＬ
ａ２Ｏ３とＺｒＯ２よシ作成し、それぞれ準備した。そ
してこれらを表に示す組成比となるように秤量した。こ
れを混合したのちバインダーを加えて７００ｋ９／粛の
圧力で１１Ｍｍｆ、厚み０．６ｍｍの円板に成形した。
これを１２６０℃〜１３４０℃で２時間焼成した。こう
して得られた焼結体に銀電極を付与して試料を作成した
。上記方法により作成された試料の特性を測定した値を
次に示す。なお、試料の測定に際しては２０℃、１ＫＨ
ｚ，３Ｖｒｍｓにて測定し、誘電正接は２５℃、１ＫＨ
ｚ，３Ｖｒｍｓで測定し、温度に対する誘電率変化率は
２０′Ｃを基準として−２５℃〜＋８５゜Ｃにおける変
化率を示したものである。
１１５０℃で２時間仮焼し、この反応物を粉砕してＢａ
ＴｉＯ３を作成する。同様にしてＢｉ２（ＳｎＯ３）３
も ”Ｂｉ２Ｏ３とＳｎＯ２より、ＢａＳｎＯ３もＢ
ａＣＯ３とＳｎＯ２より、Ｌａ２（ＺｒＯ３）３ もＬ
ａ２Ｏ３とＺｒＯ２よシ作成し、それぞれ準備した。そ
してこれらを表に示す組成比となるように秤量した。こ
れを混合したのちバインダーを加えて７００ｋ９／粛の
圧力で１１Ｍｍｆ、厚み０．６ｍｍの円板に成形した。
これを１２６０℃〜１３４０℃で２時間焼成した。こう
して得られた焼結体に銀電極を付与して試料を作成した
。上記方法により作成された試料の特性を測定した値を
次に示す。なお、試料の測定に際しては２０℃、１ＫＨ
ｚ，３Ｖｒｍｓにて測定し、誘電正接は２５℃、１ＫＨ
ｚ，３Ｖｒｍｓで測定し、温度に対する誘電率変化率は
２０′Ｃを基準として−２５℃〜＋８５゜Ｃにおける変
化率を示したものである。
試料番号１〜１０は本発明に係るものである。
Claims (1)
- １ ＢａＴｉＯ＿３・・・・・・９７．４〜９８．５モ
ル％Ｂｉ＿２（ＳｎＯ＿３）＿３・・・０．２〜０．４
モル％ＢａＳｎＯ＿３・・・０．２〜０．８モル％Ｌａ
＿２（ＺｒＯ＿３）＿３・・・１．１〜１．４モル％の
組成からなることを特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51025703A JPS593805B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51025703A JPS593805B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52109196A JPS52109196A (en) | 1977-09-13 |
| JPS593805B2 true JPS593805B2 (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=12173137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51025703A Expired JPS593805B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593805B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107285762A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-24 | 汕头市瑞升电子有限公司 | 一种高压低损耗陶瓷电容器介质及其制备方法 |
-
1976
- 1976-03-09 JP JP51025703A patent/JPS593805B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52109196A (en) | 1977-09-13 |
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