JPS5835323B2 - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5835323B2 JPS5835323B2 JP52011904A JP1190477A JPS5835323B2 JP S5835323 B2 JPS5835323 B2 JP S5835323B2 JP 52011904 A JP52011904 A JP 52011904A JP 1190477 A JP1190477 A JP 1190477A JP S5835323 B2 JPS5835323 B2 JP S5835323B2
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- Japan
- Prior art keywords
- component
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- temperature
- dielectric constant
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に温度係数が小さく誘電率が高く損失角が小
さい温度補償用磁器組成物に関するものである。
さい温度補償用磁器組成物に関するものである。
従来より温度補償用磁器コンデンサとしては、Ｍｇ２Ｔ
ｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３，ＴｉＯ２など
の組成物が用いられているが、これらは誘電率が１５〜
２８０、温度係数＋１００〜−４５００Ｘ１０−６／℃
の範囲内にあることは公知である。
ｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３，ＴｉＯ２など
の組成物が用いられているが、これらは誘電率が１５〜
２８０、温度係数＋１００〜−４５００Ｘ１０−６／℃
の範囲内にあることは公知である。
しかしながら、上記従来の温度補償用磁器組成物は温度
係数が小さくなると高い誘電率が得られない欠点があっ
た。
係数が小さくなると高い誘電率が得られない欠点があっ
た。
なお、温度係数が＋１００〜−７００Ｘ１０−６／℃の
組成物では、誘電率１５〜６５であり、温度係数が限定
された大容量のコンデンサを得るには面積を大きくとり
厚みを薄くする以外に方法はないものであった。
組成物では、誘電率１５〜６５であり、温度係数が限定
された大容量のコンデンサを得るには面積を大きくとり
厚みを薄くする以外に方法はないものであった。
なおこれらの対策としては、温度係数を小さくし誘電率
を高くする以外には方法はないものであった。
を高くする以外には方法はないものであった。
最近になりカラーテレビ等のＩＦＴ回路（中間周波での
使用）での使用において温度補償用磁器コンデンサが利
用される傾向にあり、特に温度係数が小さく （＋１
０ ０〜−５ ０ ０ＸＩ Ｏ−６／℃）また損失角が
小さく、かつ高誘電率の材料が望まれる様になっている
。
使用）での使用において温度補償用磁器コンデンサが利
用される傾向にあり、特に温度係数が小さく （＋１
０ ０〜−５ ０ ０ＸＩ Ｏ−６／℃）また損失角が
小さく、かつ高誘電率の材料が望まれる様になっている
。
本発明は上記の様な欠点を除去し、要望に応じた、温度
補償用磁器材料を提供することを目的としたもので、特
に温度係数が小さく誘電率が高く損失角が小さく、また
耐電圧の高い温度補償用高誘電率磁器組成物を提供する
ものである。
補償用磁器材料を提供することを目的としたもので、特
に温度係数が小さく誘電率が高く損失角が小さく、また
耐電圧の高い温度補償用高誘電率磁器組成物を提供する
ものである。
本発明の温度補償用磁器誘電材料の特徴は、その組成を
ＣａＴｉＯｓ ６０〜９０モル係ＭｇＯ
−Ｌａ２Ｏ３・３ＴｉＯ２１Ｏ〜４０モル係の範囲内と
する点にあり、上記の組成物の割合を変化させることに
より温度係数が小さく、誘電率が高く、損失角が小さく
、かつ耐電圧の高い優秀な特性を示すものである。
−Ｌａ２Ｏ３・３ＴｉＯ２１Ｏ〜４０モル係の範囲内と
する点にあり、上記の組成物の割合を変化させることに
より温度係数が小さく、誘電率が高く、損失角が小さく
、かつ耐電圧の高い優秀な特性を示すものである。
尚従来よりＣａＴ １０ ｓは知られているが、誘電率
１６０と高く温度係数も一１６００Ｘ１０−６／℃であ
ることはすでに知られているが、これらの材料を温度係
数−５００ＸＩ Ｏ−’ ／’Ｃ以下にすることは全く
不可能に近いものであったが、これらの材料にＭｇＯ−
Ｌａ２Ｏ３・３ＴｉＯ２成分を添加して温度係数を小さ
く誘電率を大きくする事に成功した。
１６０と高く温度係数も一１６００Ｘ１０−６／℃であ
ることはすでに知られているが、これらの材料を温度係
数−５００ＸＩ Ｏ−’ ／’Ｃ以下にすることは全く
不可能に近いものであったが、これらの材料にＭｇＯ−
Ｌａ２Ｏ３・３ＴｉＯ２成分を添加して温度係数を小さ
く誘電率を大きくする事に成功した。
また上記の単体では良好な磁器を作る事も非常に困難で
あり、以上の様に上記物質の単体では本目的である、温
度補償用磁器材料としては無価値にひとしいものであっ
た。
あり、以上の様に上記物質の単体では本目的である、温
度補償用磁器材料としては無価値にひとしいものであっ
た。
しかし本発明は数多い実験結果よりＣａＴｉＯ３−Ｍｇ
０−Ｌａ ２０３・３Ｔ ｔ ＯＪの固溶体による組成
物は従来迄では得られなかった温度補償用磁器が得られ
るものである。
０−Ｌａ ２０３・３Ｔ ｔ ＯＪの固溶体による組成
物は従来迄では得られなかった温度補償用磁器が得られ
るものである。
本発明の組成物において、あらかじめ単一固溶体になっ
ているＣａＴｉＯ３成分粉末を用いる事は、誘電率を高
め温度係数を良好にし再現性のある磁器を作る働きをす
る。
ているＣａＴｉＯ３成分粉末を用いる事は、誘電率を高
め温度係数を良好にし再現性のある磁器を作る働きをす
る。
またＣ ａＴ ｉ Ｏ３成分は高周波での損失角を良好
にする作用があるが、余り多量に含まれると温度係数を
負に大きくする原因にもなる。
にする作用があるが、余り多量に含まれると温度係数を
負に大きくする原因にもなる。
ＭｇＯ−Ｌａ２Ｏ３・３ＴｉＯ遮分は多量に含まれると
誘電率を低下させ温度係数を正に大きくする原因になる
。
誘電率を低下させ温度係数を正に大きくする原因になる
。
以上の様に夫々の成分の働きを示したが、これらの単体
の場合あるいは何ずれかの成分が欠けた場合は本目的の
磁器を作るのに効果が全くなく、本範囲内の成分が集ま
って本目的の良好な磁器が得られるものである。
の場合あるいは何ずれかの成分が欠けた場合は本目的の
磁器を作るのに効果が全くなく、本範囲内の成分が集ま
って本目的の良好な磁器が得られるものである。
なおＣａＴ ｉｏ ３成分９０モルφ以上では温度係数
を負に大きくするために好ましくない。
を負に大きくするために好ましくない。
ＭｇＯ・Ｌａ ２０３・３ＴｉＯ２成分４０モル係以上
では温度係数はＮＰＯに近ずくが誘電率が著しく低下す
るので好ましくない。
では温度係数はＮＰＯに近ずくが誘電率が著しく低下す
るので好ましくない。
本発明において範囲内のＣａＴｉＯ３−ＭｇＯ−Ｌａ２
０３・３Ｔ ｉＯ２系で良好な特性を得ることが出来る
が、ＭｇＯｙ Ｌ ａ ２０３ ・３Ｔ ｉＯ２成分に
おいて、Ｌａ ２０滅分の一部を３５ｗｔφ迄のＮｄ２
０Ｊ分で置換する事によって特性が向上し良好な特性を
得る事が出来る。
０３・３Ｔ ｉＯ２系で良好な特性を得ることが出来る
が、ＭｇＯｙ Ｌ ａ ２０３ ・３Ｔ ｉＯ２成分に
おいて、Ｌａ ２０滅分の一部を３５ｗｔφ迄のＮｄ２
０Ｊ分で置換する事によって特性が向上し良好な特性を
得る事が出来る。
また本発明の組成物に添加物として、あらかじめ単一固
溶体になっているＭｇ ２Ｔ ｔ Ｏ４成分をＯ６１〜
５ｗｔ俤の範囲内で添加することによって高周波の損失
角を良好にし、温度係数をＮＰＯに近ずける効果がある
。
溶体になっているＭｇ ２Ｔ ｔ Ｏ４成分をＯ６１〜
５ｗｔ俤の範囲内で添加することによって高周波の損失
角を良好にし、温度係数をＮＰＯに近ずける効果がある
。
尚０．１ｗｔφ以下では効果が乏ｔ、＜５ｗｔ％以上で
は誘電率が急激に低下するため好ましくない。
は誘電率が急激に低下するため好ましくない。
本実症例においてＣａＴｌＯ３は計算上等モルの組成化
のものを用いたが０．５モル饅前後の比率がずれても良
好な特性を得る事が出来た。
のものを用いたが０．５モル饅前後の比率がずれても良
好な特性を得る事が出来た。
尚Ｔａ２０５・Ｂ １２０３の微量添加は誘電率、温度
係数の向上に効果がある。
係数の向上に効果がある。
さらに本実施例では、ランタン成分としてＬａ２Ｏ３ま
たマグネシウム成分としてはＭｇｌ用いたが、他の塩類
でも同じ効果がある。
たマグネシウム成分としてはＭｇｌ用いたが、他の塩類
でも同じ効果がある。
次に本発明の実施例を挙げ具体的に説明する。
尚、本発明は実施例に限定するものではない。
試料の調製工程としては、ＣａＯとＴ ｔ ０２を等モ
ルで混合し１１８０°Ｃ−２時間仮焼成を行った。
ルで混合し１１８０°Ｃ−２時間仮焼成を行った。
尚Ｘ線解析によりＣａＴ ｉＯ２の固溶体である事を確
認した。
認した。
さらに１：１：３の比率になる様ＭｇＯ−Ｌａ２Ｏ３・
ＴｉＯ２を混合し１１００°Ｃ−２時間保持で仮焼成を
行ったそれぞれの成分範囲で調合した。
ＴｉＯ２を混合し１１００°Ｃ−２時間保持で仮焼成を
行ったそれぞれの成分範囲で調合した。
尚焼成はエレマ発熱体を使用した。
尚混合には不純物の混入を防止するためゴム内張ポット
ミルを用い湿式混合を行い、その後水分を蒸発させ成形
は１７ｍ ７ｍ Ｘ １．０ ｍ／ｍの円板を圧力約１
０００に９／ｄで加圧成形し焼成は１３００〜１４００
℃２時間保持で行った。
ミルを用い湿式混合を行い、その後水分を蒸発させ成形
は１７ｍ ７ｍ Ｘ １．０ ｍ／ｍの円板を圧力約１
０００に９／ｄで加圧成形し焼成は１３００〜１４００
℃２時間保持で行った。
得られた磁器は銀電極を焼付しその後天々の電気特性を
測定し次表に示した。
測定し次表に示した。
上記第１表において本発明の範囲内は実施例の試料点１
〜＆ＩＯ迄で有り、その他は範囲外の比較例である。
〜＆ＩＯ迄で有り、その他は範囲外の比較例である。
実施例より明らかな様に範囲内の成分では良好な特性が
得られる。
得られる。
試料点１は温度係数が小さく、誘電率も高く、損失角も
小さく温度補償用材料としては優れた材料である。
小さく温度補償用材料としては優れた材料である。
第１表でもわかるようにＣａＴ ｉｏ３−Ｍｇ（）Ｌａ
２０３・３ＴｉＯ２成分の比率を変えることにより温
度係数を容易に変動させる事が出来、また誘電率も容易
に変える事が出来る。
２０３・３ＴｉＯ２成分の比率を変えることにより温
度係数を容易に変動させる事が出来、また誘電率も容易
に変える事が出来る。
第２表は第１表の成分にＭｇ ２ Ｔ ｉＯ４を添加す
ることで温度係数を変える事が出来るが、誘電率は添加
の限界をこえると急激に低下する。
ることで温度係数を変える事が出来るが、誘電率は添加
の限界をこえると急激に低下する。
第３表はＬａ ２０３成分の一部をＮｄ２Ｏ３に置換す
ることにより温度係数・誘電率の変動を見たが極端に特
性上に影響をおよぼすことはない。
ることにより温度係数・誘電率の変動を見たが極端に特
性上に影響をおよぼすことはない。
このときＮｄ２Ｏ３成分が３ｓ ｗ ｔ ％以上では誘
電率が極端に低下し好ましくないが、３５ｗｔ％迄の範
囲では損失角が良好になる。
電率が極端に低下し好ましくないが、３５ｗｔ％迄の範
囲では損失角が良好になる。
以上の様に本発明は、あらかじめ単一固溶体の仮焼物で
なるＣａＴｉＯ３−ＭｇＯ・Ｌａ２０３−３ＴｉＯ２系
成分によって温度係数が正および負に自由に制御出来、
かつ誘電率が高く、損失角が小さく安定した温度補償用
高誘電体組成物が得られるものであり、工業的に量産化
に適合したものである。
なるＣａＴｉＯ３−ＭｇＯ・Ｌａ２０３−３ＴｉＯ２系
成分によって温度係数が正および負に自由に制御出来、
かつ誘電率が高く、損失角が小さく安定した温度補償用
高誘電体組成物が得られるものであり、工業的に量産化
に適合したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ あらかじめ単一固溶体になっているＣａＴｉ Ｏｓ
成分６０〜９０モル俤とにρ”Ｌａ２Ｏ３”３ＴｉＯ，
成分１０〜４０モル条より成ることを特徴とする温度補
償用誘電体磁器組成物。 ２ あらかじめ単一固溶体になっているＣａＴｉＯ３成
分６０〜成分６山〜９０ Ｏ２成分１０〜４０モル係より成り、かつＮｄ２Ｏ３戒
分がＬａ２Ｏ３ 成分に対して３５ｗｔ％迄（０％は含
まず）の範囲で置換されていることを特徴とする温度補
償用誘電体磁器組成物。 ３ あらかじめ単一固溶体になっているＣａＴｉＯ３成
分６０〜９０モル条とＭｇ（）Ｌａ２０３・３Ｔ＋０２
成分１０〜４０モル係より成る温度補償用誘電体磁器組
成物において、添加物として、あらかじめ単一固溶体に
なっているＭｇ ２Ｔ ｉ０４成分を０．１〜５ｗ ｔ
％添加することを特徴とする温度補償用誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52011904A JPS5835323B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52011904A JPS5835323B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5398098A JPS5398098A (en) | 1978-08-26 |
| JPS5835323B2 true JPS5835323B2 (ja) | 1983-08-02 |
Family
ID=11790707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52011904A Expired JPS5835323B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835323B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224503A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | 宇部興産株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| WO2009070047A1 (en) * | 2007-11-26 | 2009-06-04 | Elizaveta Arkadievna Nenasheva | Low dielectric loss ceramic ferroelectric composite material |
-
1977
- 1977-02-04 JP JP52011904A patent/JPS5835323B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5398098A (en) | 1978-08-26 |
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