JPS585482B2 - コウユウデンリツジキソセイブツ - Google Patents
コウユウデンリツジキソセイブツInfo
- Publication number
- JPS585482B2 JPS585482B2 JP49021225A JP2122574A JPS585482B2 JP S585482 B2 JPS585482 B2 JP S585482B2 JP 49021225 A JP49021225 A JP 49021225A JP 2122574 A JP2122574 A JP 2122574A JP S585482 B2 JPS585482 B2 JP S585482B2
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- JP
- Japan
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- composition
- mol
- stability
- temperature
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はBaTiO3を主成分とし、副成分としてNb
2O5,およびIn2O3,Ga2O3゜Tl2O3の
うち二種類以上の酸化物を含有する高誘電率磁器組成物
にかかり、その特徴は誘電率が大きく誘電率の温度安定
度、および経時安定度が著しく良好なことにある。
2O5,およびIn2O3,Ga2O3゜Tl2O3の
うち二種類以上の酸化物を含有する高誘電率磁器組成物
にかかり、その特徴は誘電率が大きく誘電率の温度安定
度、および経時安定度が著しく良好なことにある。
高誘電率磁器組成物をコンデンサ材料として実用に供す
るに当って誘電率(ε)が大きいことが望まれることは
勿論のこと誘電率の安定度が広い温度範囲、例えば−5
5℃〜+125℃にわたって良好であり、かつ誘電率の
経時安定度も良好であることが望まれ、さらには誘電損
失(tanδ)が小さいことも要求される。
るに当って誘電率(ε)が大きいことが望まれることは
勿論のこと誘電率の安定度が広い温度範囲、例えば−5
5℃〜+125℃にわたって良好であり、かつ誘電率の
経時安定度も良好であることが望まれ、さらには誘電損
失(tanδ)が小さいことも要求される。
これらの要求を満足するため従来から色々な組成物が合
成されている。
成されている。
しかし大部分はεの温度安定度、εの経時安定度の内の
いずれか一方のみを改善するに過ぎなかったりあるいは
良好なεの温度範囲が極めて狭かったりして実用化し得
る用途に著しい制限を受けていた。
いずれか一方のみを改善するに過ぎなかったりあるいは
良好なεの温度範囲が極めて狭かったりして実用化し得
る用途に著しい制限を受けていた。
最近チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分として
、Ca、LaおよびBiの酸化物を添加することによっ
て、−55℃〜+125℃におけるεの温度安定度もE
の経時安定度も良好な組成物になることが認められた。
、Ca、LaおよびBiの酸化物を添加することによっ
て、−55℃〜+125℃におけるεの温度安定度もE
の経時安定度も良好な組成物になることが認められた。
この事実は例えばテヒニツシエミツタイルンゲンテレフ
ンケン、ゲゼルシャフト誌が詳細に述べている。
ンケン、ゲゼルシャフト誌が詳細に述べている。
(Johannes Just“Eigenshaft
en von hochtemperatu rbes
tandigen Sonderkeramikenm
it hoher Dielektrzitatsko
nstante”Techn−mi tt、AE(3−
Te 1efunken 、 60 (1970)2、
125−126 ] しかしこの組成物で良好な温度安定度および経時安定度
を得ようとすると、εの値は1000以下に劣化してし
まう。
en von hochtemperatu rbes
tandigen Sonderkeramikenm
it hoher Dielektrzitatsko
nstante”Techn−mi tt、AE(3−
Te 1efunken 、 60 (1970)2、
125−126 ] しかしこの組成物で良好な温度安定度および経時安定度
を得ようとすると、εの値は1000以下に劣化してし
まう。
またこの組成物は蒸気圧が高く、反応性に富んだBi化
合物を含むため磁気の製造を著しく困難にしたり、積層
磁気コンデンサとして使用する場合に白金やパラジウム
からなる内部電極が著しく腐蝕されるという欠点をまぬ
がれない。
合物を含むため磁気の製造を著しく困難にしたり、積層
磁気コンデンサとして使用する場合に白金やパラジウム
からなる内部電極が著しく腐蝕されるという欠点をまぬ
がれない。
本発明の目的は上記の欠点をすべて除去することにある
。
。
すなわち本発明組成物は高いεの値を保ちながら、広い
温度範囲にわたって良好なεの温度安定度を示し、かつ
経時安定度も著しく改善された優れたコンデンサ材料を
提供するものである。
温度範囲にわたって良好なεの温度安定度を示し、かつ
経時安定度も著しく改善された優れたコンデンサ材料を
提供するものである。
さらに、本発明組成物はBiの化合物を何ら含まず、磁
気の製造を容易にしているとともに積層磁器コンデンサ
用材料としても最適な材料に改善されている。
気の製造を容易にしているとともに積層磁器コンデンサ
用材料としても最適な材料に改善されている。
このように優れた材料が得られる組成範囲はBaTiO
3を主成分とし副成分としてNb2O5を0.1〜10
モル%含有すると同時におよびIn203Ga2O3、
Tl2O3のうち二種類以上の酸化物の合計が0.01
〜15モル%含有する範囲内にある組成物に限定される
。
3を主成分とし副成分としてNb2O5を0.1〜10
モル%含有すると同時におよびIn203Ga2O3、
Tl2O3のうち二種類以上の酸化物の合計が0.01
〜15モル%含有する範囲内にある組成物に限定される
。
さらに上記組成範囲の組成物に副成分としてAl2O3
を10モル%以下含有させるならばεの温度安定共も経
時安定度も一層改善された組成物になる。
を10モル%以下含有させるならばεの温度安定共も経
時安定度も一層改善された組成物になる。
ここでNb2O5の含有量が0,1モル%未満ではta
nδが大きくなり、Nb2O6の含有量が10モル%よ
り多くなるか、In2O3,Ga2O3゜Tl2O3の
うち二種類以上の酸化物の合計含有量が0.01モル%
未満になると、εの温度安定度が劣化する。
nδが大きくなり、Nb2O6の含有量が10モル%よ
り多くなるか、In2O3,Ga2O3゜Tl2O3の
うち二種類以上の酸化物の合計含有量が0.01モル%
未満になると、εの温度安定度が劣化する。
さらにIn2O3,Ga2O3,Tl2O3のうち二種
類以上の酸化物の合計含有量が15モル%より多くなる
かあるいはAl2O3の含有量が10モル%より多くな
るとεの値が1500以下に低下して本発明の口約に合
致しなくなる。
類以上の酸化物の合計含有量が15モル%より多くなる
かあるいはAl2O3の含有量が10モル%より多くな
るとεの値が1500以下に低下して本発明の口約に合
致しなくなる。
以上の結果本発明の組成物において有効な組成範囲は上
記のように決定される。
記のように決定される。
以下実施例により詳細に説明する。
本発明の磁気を得る主成分として、純度99%以上のB
aCO3およびTiO2粉末を使用し、副成分の出発原
料として純度99%以上のNb2O5゜In203yG
a2CO3とTlO2の各粉末を使用した。
aCO3およびTiO2粉末を使用し、副成分の出発原
料として純度99%以上のNb2O5゜In203yG
a2CO3とTlO2の各粉末を使用した。
BaCO3とTiO2を等モルづつ秤量し、ボールミル
で混合した後1000〜1200℃で予焼した。
で混合した後1000〜1200℃で予焼した。
ここで得た予焼粉が完全にBaTiO3になっているこ
とを粉末X線回折法で調べた。
とを粉末X線回折法で調べた。
BaTiO3予焼粉末および副成分原料を必要秤量しボ
ールミルで混合した。
ールミルで混合した。
ろ過乾燥後直経16mmの円板に加圧成型加圧力して1
300〜1450℃で1時間焼成した。
300〜1450℃で1時間焼成した。
得られた磁気の両面に銀電極を600℃で焼付けた後、
次のような条件を採用して誘電率(ε)および誘電損失
(tanδ)を測定した。
次のような条件を採用して誘電率(ε)および誘電損失
(tanδ)を測定した。
ε並びにtanδは室温において1KHzの周波数で、
キャパシタンスブリッジを用いて測定した。
キャパシタンスブリッジを用いて測定した。
−55℃〜+125℃の温度でεを測定し、+20℃に
おけるεの値を基準とした時のεの温度変化率を求め、
εの温度安定度を評価した。
おけるεの値を基準とした時のεの温度変化率を求め、
εの温度安定度を評価した。
またεの経時安定度を評価するために銀電極を焼付けた
後、12時間目から1000時度目の間におけるεの値
を順次決定した。
後、12時間目から1000時度目の間におけるεの値
を順次決定した。
εの経時変化率(Aε)を次式に従って求めた。
ただし、t:経過時間
εto:電極焼付は後12時間のεの値
εt:を時間経過後のεの値
得られた結果の内代表的な例を第1表に示す。
試料番号1〜3の試料は本発明範囲外における結果を比
較のために示したものであり、温度変化率が著しく悪い
。
較のために示したものであり、温度変化率が著しく悪い
。
第1表から明らかなように、本発明の範囲内にある試料
番号4〜23の例はいずれもεの温度変化率が非常に良
好でありかつεの経時変化率も極めて小さくなっている
。
番号4〜23の例はいずれもεの温度変化率が非常に良
好でありかつεの経時変化率も極めて小さくなっている
。
そして本発明組成物は充分大きなεの値、優れたtan
δの値も保持し、極めて優れた高誘電率磁器組成物に改
善されている。
δの値も保持し、極めて優れた高誘電率磁器組成物に改
善されている。
なお以上の例は5aとTi の比が等モルであるBaT
iO3を主成分組成物として使用した場合について示し
たものであるが実施例の試料番号8゜14からも明らか
なように、Ba、Ti の比(Ba/Ti)が0.9
〜1.11にあるBaTiO3も主成分として使用して
も、本発明と同様の効果が得られている。
iO3を主成分組成物として使用した場合について示し
たものであるが実施例の試料番号8゜14からも明らか
なように、Ba、Ti の比(Ba/Ti)が0.9
〜1.11にあるBaTiO3も主成分として使用して
も、本発明と同様の効果が得られている。
また一般に市販されている酸化ニオブ(Nb2O5)は
数%まで酸化タンタル(Ta205)を含むのが普通で
ある。
数%まで酸化タンタル(Ta205)を含むのが普通で
ある。
従って本発明の組成物において市販品に混入している数
条程度の酸化タンタル(Ta205)が含まれているこ
とは許される。
条程度の酸化タンタル(Ta205)が含まれているこ
とは許される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 I BaTiO3を主成分とし、副成分としてNb2O
。 を0.1〜10モル%含有すると同時にIn2O3、G
a2O3、Tl2O3のうち二種類以上の酸化物を合計
して0.01〜15モル%含有することを特徴とする高
誘電磁器組成物。 2、特許請求の範囲1の組成物にさらに副成分としてA
l2O3を10モル%以下(ただし0モル%を含まず)
含有することを特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49021225A JPS585482B2 (ja) | 1974-02-22 | 1974-02-22 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
US453998A US3912527A (en) | 1973-03-24 | 1974-03-22 | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
US05/729,290 USRE29484E (en) | 1973-03-24 | 1976-10-04 | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49021225A JPS585482B2 (ja) | 1974-02-22 | 1974-02-22 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS50113799A JPS50113799A (ja) | 1975-09-06 |
JPS585482B2 true JPS585482B2 (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=12049062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49021225A Expired JPS585482B2 (ja) | 1973-03-24 | 1974-02-22 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS585482B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020130088A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 三菱ケミカルエンジニアリング株式会社 | 連続生産システム及び連続生産方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113948235B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高分散性、低收缩率的镍内电极浆料及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4833896A (ja) * | 1971-09-01 | 1973-05-14 |
-
1974
- 1974-02-22 JP JP49021225A patent/JPS585482B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4833896A (ja) * | 1971-09-01 | 1973-05-14 |
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WO2020130088A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 三菱ケミカルエンジニアリング株式会社 | 連続生産システム及び連続生産方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS50113799A (ja) | 1975-09-06 |
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