JPS598922B2 - 温度補償用磁器誘電体組成物 - Google Patents
温度補償用磁器誘電体組成物Info
- Publication number
- JPS598922B2 JPS598922B2 JP51144453A JP14445376A JPS598922B2 JP S598922 B2 JPS598922 B2 JP S598922B2 JP 51144453 A JP51144453 A JP 51144453A JP 14445376 A JP14445376 A JP 14445376A JP S598922 B2 JPS598922 B2 JP S598922B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- temperature compensation
- parts
- dielectric composition
- porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度係数が−７００〜１５００ＰＰＭの値を
有し、且つ誘電率が高く高周波における損失角が小さい
温度補償用磁器誘電体組成物に関する。
有し、且つ誘電率が高く高周波における損失角が小さい
温度補償用磁器誘電体組成物に関する。
従来、温度補償用磁器誘電体組成物として、ＭｇＴｉＯ
３、ＣａＴｉ０３、ＴｉＯ２等が使用されているが、こ
れらは温度係数が小さくなると高い誘電率が得られず、
損失角も悪化する欠点を有していた。
３、ＣａＴｉ０３、ＴｉＯ２等が使用されているが、こ
れらは温度係数が小さくなると高い誘電率が得られず、
損失角も悪化する欠点を有していた。
なお、ＣａＴｉ０３は誘電率１６０、温度係数−１６０
ＯＰＰＭであシ、ＳｒＴｉＯ３は誘電率３６０、温度係
数−４５００ＰＰＭの特性を有し、これらの改良として
、Ｂｉ２Ｏ３あるいはＢｉ２Ｏ３とＴｉＯ２を同時に添
加して温度係数を小さくする方法等もあるが、これらは
高周波の損失角が大きく、特性的にも不安定であつた。
本発明はかかる欠点を除去するもので、ＳｒＴｉＯ３が
１０重量％以上６０重量％未満、ＣａＴｉ０３が４０重
量％を超え９０重量％以下の基本組成１００重量部に対
し、原子番号５７〜７１の希土類元素酸化物を０−１５
重量部（但し０を含まず）添加し、更に、Ｂｉ２Ｏ３、
Ａを２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｎＯ２
、ＣＯＯ、Ｖ２Ｏ５のうち２種以上を複合して０〜５重
量部（但し０を含まず）添加する温度補償用誘電体組成
物に係わるものである。
ＯＰＰＭであシ、ＳｒＴｉＯ３は誘電率３６０、温度係
数−４５００ＰＰＭの特性を有し、これらの改良として
、Ｂｉ２Ｏ３あるいはＢｉ２Ｏ３とＴｉＯ２を同時に添
加して温度係数を小さくする方法等もあるが、これらは
高周波の損失角が大きく、特性的にも不安定であつた。
本発明はかかる欠点を除去するもので、ＳｒＴｉＯ３が
１０重量％以上６０重量％未満、ＣａＴｉ０３が４０重
量％を超え９０重量％以下の基本組成１００重量部に対
し、原子番号５７〜７１の希土類元素酸化物を０−１５
重量部（但し０を含まず）添加し、更に、Ｂｉ２Ｏ３、
Ａを２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｎＯ２
、ＣＯＯ、Ｖ２Ｏ５のうち２種以上を複合して０〜５重
量部（但し０を含まず）添加する温度補償用誘電体組成
物に係わるものである。
以下、本発明につき実施例をあげ具体的に詳述する。
市販のｓｒｃｏ３とＴｉＯ２を等モルに配合し、工１０
０〜１２００℃×２Ｈの仮焼成及び微粉砕を行ない、Ｓ
ｒＴｉＯ３、ＣａＴｉ０３を作成する。
０〜１２００℃×２Ｈの仮焼成及び微粉砕を行ない、Ｓ
ｒＴｉＯ３、ＣａＴｉ０３を作成する。
次にこれらの原料を、第１表に示す成分割合となる様調
合し、ウレタン内張、ポットミルを用いて湿式混合を行
ない水分を蒸発させた後、バインダーとしてＰＶＡ（ポ
リビニールアルコール）の水溶液を添加し、乾燥後、直
径工０慕麗、厚さ２ｍｍの円板を約１〜２を／ｄの圧力
で加圧成形し、１２００〜１４００℃×３Ｈで本焼成を
行なつた。得られた磁器素体に銀電極を焼付けて児成体
とし、電気特性を測定し、第２表の結果を得た。表中、
試料屋１〜４の結果より、基本成分のＳｒＴｉＯ３が６
０重量％以上になると、温度係数が−１５００ＰＰＭ／
Ｃを越え、また試料黒２３〜２６の結果よシＣａＴｉＯ
，が９０重量％を越えると誘電率が１８０沫満となシ、
目的とする高誘電率が得られないため、ＳｒＴｉＯ３は
１０重量％以上６０重量％未満、ＣａＴｉＯ３は４０重
量％を超え９０重量％以下に成分を限定し、更に試料Ｘ
Ａｌ２，ｌ７卦よび２１の結果よシ、希土類酸化物の量
が基本組成に対して１５重量部を越えると誘電率が低下
し、誘電体損が増加するとともに、容量の経時変化量が
増加するため、添加量はＯ〜１５重量部（但しＯを含ま
ず）に限定する。
合し、ウレタン内張、ポットミルを用いて湿式混合を行
ない水分を蒸発させた後、バインダーとしてＰＶＡ（ポ
リビニールアルコール）の水溶液を添加し、乾燥後、直
径工０慕麗、厚さ２ｍｍの円板を約１〜２を／ｄの圧力
で加圧成形し、１２００〜１４００℃×３Ｈで本焼成を
行なつた。得られた磁器素体に銀電極を焼付けて児成体
とし、電気特性を測定し、第２表の結果を得た。表中、
試料屋１〜４の結果より、基本成分のＳｒＴｉＯ３が６
０重量％以上になると、温度係数が−１５００ＰＰＭ／
Ｃを越え、また試料黒２３〜２６の結果よシＣａＴｉＯ
，が９０重量％を越えると誘電率が１８０沫満となシ、
目的とする高誘電率が得られないため、ＳｒＴｉＯ３は
１０重量％以上６０重量％未満、ＣａＴｉＯ３は４０重
量％を超え９０重量％以下に成分を限定し、更に試料Ｘ
Ａｌ２，ｌ７卦よび２１の結果よシ、希土類酸化物の量
が基本組成に対して１５重量部を越えると誘電率が低下
し、誘電体損が増加するとともに、容量の経時変化量が
増加するため、添加量はＯ〜１５重量部（但しＯを含ま
ず）に限定する。
な卦、表中に示した希土類酸化物以外にＰｒ６Ｏ！！●
ＦＵ２Ｏ３−Ｔｂ４Ｏ７ＰＤｙ２Ｏ３ＰＨＯ２Ｏ３ｔ
Ｅｒ２Ｏ３？Ｔｍ２Ｏ３９Ｌｕ２Ｏ３等についても実験
を行ない、同様の結果を得ている。更に試料屋８卦よび
１４の結果より、他の酸化物が基本組成に対して５重量
部を越えると誘電率が大幅に低下し、誘電体損が増加す
るとともに焼結性が悪くなり、強度が低下するため、添
加量は０〜５重量部（但しＯを含まず）に限定する。な
卦試料屋４，１０および１９の結果よう他の酸化物を単
独で添加するだけでは特性の向上が充分に行なわれず、
誘電率が低く誘電体損が大きい等の欠点を有するため、
これらは２種以上を複合して添加する。また希土類酸化
物と他の酸化物を複合して添加する本発明の磁器誘電体
組成物は薄型磁器の製造時に於ても基板のそシが極めて
小さく、非常に加工性の優れた磁器が得られる。以上詳
述した如く、本発明によれば誘電率が高く、温度係数が
小さく、且つ誘電体損失が小さく加工性の良好な誘電体
磁器組成物を提供するものである。
ＦＵ２Ｏ３−Ｔｂ４Ｏ７ＰＤｙ２Ｏ３ＰＨＯ２Ｏ３ｔ
Ｅｒ２Ｏ３？Ｔｍ２Ｏ３９Ｌｕ２Ｏ３等についても実験
を行ない、同様の結果を得ている。更に試料屋８卦よび
１４の結果より、他の酸化物が基本組成に対して５重量
部を越えると誘電率が大幅に低下し、誘電体損が増加す
るとともに焼結性が悪くなり、強度が低下するため、添
加量は０〜５重量部（但しＯを含まず）に限定する。な
卦試料屋４，１０および１９の結果よう他の酸化物を単
独で添加するだけでは特性の向上が充分に行なわれず、
誘電率が低く誘電体損が大きい等の欠点を有するため、
これらは２種以上を複合して添加する。また希土類酸化
物と他の酸化物を複合して添加する本発明の磁器誘電体
組成物は薄型磁器の製造時に於ても基板のそシが極めて
小さく、非常に加工性の優れた磁器が得られる。以上詳
述した如く、本発明によれば誘電率が高く、温度係数が
小さく、且つ誘電体損失が小さく加工性の良好な誘電体
磁器組成物を提供するものである。
Claims (1)
- １ ＳｒＴｉＯ＿２が１０重量％以上６０重量％未満、
ＣａＴｉＯ＿３が４０重量％を超え９０重量％以下の基
本組成１００重量部に対し、原子番号５７〜７１の希土
類元素酸化物を０〜１５重量部（但し０を含まず）添加
し、更にＢｉ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｆｅ＿２Ｏ
＿３、ＴｉＯ＿２、ＳｉＯ＿２、ＭｎＯ＿２、ＣｏＯ、
Ｖ＿２Ｏ＿５のうち２種以上を複合して０〜５重量部（
但し０を含まず）添加してなる温度補償用磁器誘電体組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51144453A JPS598922B2 (ja) | 1976-11-30 | 1976-11-30 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51144453A JPS598922B2 (ja) | 1976-11-30 | 1976-11-30 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5368899A JPS5368899A (en) | 1978-06-19 |
| JPS598922B2 true JPS598922B2 (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15362586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51144453A Expired JPS598922B2 (ja) | 1976-11-30 | 1976-11-30 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598922B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3563610D1 (de) * | 1984-03-30 | 1988-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| JPS62295304A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4889837A (en) * | 1986-09-02 | 1989-12-26 | Tdk Corporation | Semiconductive ceramic composition |
| US4780435A (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Tam, Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic compositions with linear temperature coefficient characteristics and low dissipation factors |
| JP4654478B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2011-03-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体組成物およびこれを用いたセラミックコンデンサ |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| JP4899342B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2012-03-21 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1976
- 1976-11-30 JP JP51144453A patent/JPS598922B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5368899A (en) | 1978-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04218207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS598922B2 (ja) | 温度補償用磁器誘電体組成物 | |
| JPS6117321B2 (ja) | ||
| JPS5848965B2 (ja) | 温度補償用磁器誘電体組成物 | |
| JPS596001B2 (ja) | ジキユウデンタイザイリヨウ | |
| JP3179830B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS59214105A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS59152265A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH03109256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3225828B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JPH02279561A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3303453B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5826074A (ja) | 誘電体磁気組成物の製造方法 | |
| JPH07247164A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPS58209807A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3292490B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5954674A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS585482B2 (ja) | コウユウデンリツジキソセイブツ | |
| JPS6018082B2 (ja) | 磁器誘電体材料 | |
| JPS5935125B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5918161A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6272562A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0459265B2 (ja) | ||
| JPS6116133B2 (ja) | ||
| JPS622695B2 (ja) |