JPS5847802B2 - コウユウデンリツジキソセイブツ - Google Patents
コウユウデンリツジキソセイブツInfo
- Publication number
- JPS5847802B2 JPS5847802B2 JP50096992A JP9699275A JPS5847802B2 JP S5847802 B2 JPS5847802 B2 JP S5847802B2 JP 50096992 A JP50096992 A JP 50096992A JP 9699275 A JP9699275 A JP 9699275A JP S5847802 B2 JPS5847802 B2 JP S5847802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- temperature
- respect
- change
- rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い誘電率と小さい誘電率温度変化率を有する
高誘電率磁器組成物に関するものである。
高誘電率磁器組成物に関するものである。
従来より高誘電率磁器組成物としては、ＢａＴｉ０３系
磁器組成物が用いられているが、その副成分として錫化
合物（ＣａＳｎ０３，ＢａＳｎ０３，ＳｒＳｎ０３，Ｍ
ｇＳｎ０３）、ジルコン化合物（ＣａＺｒ０３，Ｂ ａ
Ｚ ｒ０３ ， Ｓ ｒＺ ｒ０３ ，ＭｇＺ ｒ０３
）及びチタン化合物（ＣａＴｉ０３，ＳｒＴｉ０３，
ＭｇＴｉ０３）等を添加したもので、これらはいずれも
その誘電率を３５００〜４０００と高くすると、温度に
対する誘電率の変化率が＋２０〜−６０％と太き〈なる
欠点があり，焼結温度も１３８０〜１４００℃と高い。
磁器組成物が用いられているが、その副成分として錫化
合物（ＣａＳｎ０３，ＢａＳｎ０３，ＳｒＳｎ０３，Ｍ
ｇＳｎ０３）、ジルコン化合物（ＣａＺｒ０３，Ｂ ａ
Ｚ ｒ０３ ， Ｓ ｒＺ ｒ０３ ，ＭｇＺ ｒ０３
）及びチタン化合物（ＣａＴｉ０３，ＳｒＴｉ０３，
ＭｇＴｉ０３）等を添加したもので、これらはいずれも
その誘電率を３５００〜４０００と高くすると、温度に
対する誘電率の変化率が＋２０〜−６０％と太き〈なる
欠点があり，焼結温度も１３８０〜１４００℃と高い。
１た温度に対する誘電率変化率を±２０％以内にすると
、その誘電率は約２０００と低くなる欠点を有している
。
、その誘電率は約２０００と低くなる欠点を有している
。
本発明はかかる欠点に鑑みて改善されたもので、高い誘
電率３５００〜４０００を有すると共に温度に対して小
さい誘電率の変化率（±１０係以内）を有し、しかも比
較的低温の１２６０〜１３６０℃で焼結できることによ
り工業的にも量産性に富む利点を有する高誘電率磁器組
或物を提供しようとするものである。
電率３５００〜４０００を有すると共に温度に対して小
さい誘電率の変化率（±１０係以内）を有し、しかも比
較的低温の１２６０〜１３６０℃で焼結できることによ
り工業的にも量産性に富む利点を有する高誘電率磁器組
或物を提供しようとするものである。
本発明はかかる諸特性を同時に満足させる高誘電率磁器
組成物に関するものであり、その組或ぱＢ ａＴ ｉ
Ｏ ｓ・・・・・・・・・・・・・・・９７，２〜９８
．７モル係Ｂ ｉ２（ Ｓｎ０３ ） ３−＝−−−−
０． ４ 〜０．９ ％／１／％ＢａＳｎ０３・・・
・・・・・・・・・・・・０．５〜０．９モル俤Ｌ ａ
２ （ Ｚ ｒ０３ ） ３・・・・・・− ０． ４
〜Ｉ． ０モ／Ｉ／％の組戒からなることを特徴とす
るものである。
組成物に関するものであり、その組或ぱＢ ａＴ ｉ
Ｏ ｓ・・・・・・・・・・・・・・・９７，２〜９８
．７モル係Ｂ ｉ２（ Ｓｎ０３ ） ３−＝−−−−
０． ４ 〜０．９ ％／１／％ＢａＳｎ０３・・・
・・・・・・・・・・・・０．５〜０．９モル俤Ｌ ａ
２ （ Ｚ ｒ０３ ） ３・・・・・・− ０． ４
〜Ｉ． ０モ／Ｉ／％の組戒からなることを特徴とす
るものである。
上記組戒範囲決定に関してはＳ ｉ２（Ｓｎ０３ ）
ｓの含有量が０．４モル係未満であれば、磁器の焼結が
困難となるばかりでなく誘電正接（ ｔａｎδ）が大き
くなる。
ｓの含有量が０．４モル係未満であれば、磁器の焼結が
困難となるばかりでなく誘電正接（ ｔａｎδ）が大き
くなる。
オた０．９モル係を越えると、誘電率が極めて小さくな
り実用上支障がある。
り実用上支障がある。
ＢａＳｎＯ３ぱＢａＴｉ０３のキューり点を移動させる
のに用いるが、この場合０．５モル係未満であれば、誘
電正接（ｔａｎδ）が高〈温度に対する誘電率の変化率
が大きくなり、目標とする特性が得られないこと、１た
０．９モル％よりその含有量が増加すれば、温度に対す
る誘電率変化率が犬となる欠点がある。
のに用いるが、この場合０．５モル係未満であれば、誘
電正接（ｔａｎδ）が高〈温度に対する誘電率の変化率
が大きくなり、目標とする特性が得られないこと、１た
０．９モル％よりその含有量が増加すれば、温度に対す
る誘電率変化率が犬となる欠点がある。
そしてＬａ２（Ｚ ｒ０３ ） ｓの含有量が０．４モ
ル係以下であれば、温度に対する誘電率が大きくなる。
ル係以下であれば、温度に対する誘電率が大きくなる。
１．０モル幅を越えると、誘電正接（ ｔａｎδ）が高
くなり、磁器の結晶化が進んで温度に対する誘電率の変
化率が犬となる。
くなり、磁器の結晶化が進んで温度に対する誘電率の変
化率が犬となる。
ＢａＴｉ０３は９７．２モル係未満では、磁器が焼或に
より融着する現象が生じる。
より融着する現象が生じる。
筐た９８．７モル係を越えると、磁器化温度が高〈なり
過ぎ好１しくない。
過ぎ好１しくない。
以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
試料はつぎのようにして作或した。
即ち、等モル比のＢ ａｃ０ ３とＴｉ０２とを混合し
て、１１５０℃で２時間仮焼し、この反応物を粉砕して
ＢａＴｉ０３を作成する。
て、１１５０℃で２時間仮焼し、この反応物を粉砕して
ＢａＴｉ０３を作成する。
Ｂｉ２（ＳｎＯ３）３もＢｉ２Ｑ３ とＳｎＯ２を、Ｂ
ａＳｎ０３ もＢａＣＯ３とＳ ｎ０２を、Ｌ ａ
２’（ Ｚ ｒ Ｏ３） ３ もＬａ２０３ とＺｒ
０２をそれぞれ準備する。
ａＳｎ０３ もＢａＣＯ３とＳ ｎ０２を、Ｌ ａ
２’（ Ｚ ｒ Ｏ３） ３ もＬａ２０３ とＺｒ
０２をそれぞれ準備する。
そして、これらをつぎの表に示す組成比となるように秤
量する。
量する。
これを混合したのちバインダー＊＊を加えて、７ ０
０ ｋｑ／ｃｒ？ｒの圧力で直径１１閣φ、厚み０．６
閣の円板に成形する。
０ ｋｑ／ｃｒ？ｒの圧力で直径１１閣φ、厚み０．６
閣の円板に成形する。
これを１２６０〜１３６０℃で２時間焼成する。
こうして得られた焼結体に銀電極を付与して試料を作成
した。
した。
上記方法により作戒された試料の特性を測定した値をつ
ぎの表に示す。
ぎの表に示す。
なお試料の特性測定に際し誘電率は２０℃，Ｉ ＫＨｚ
ｐ ３Ｖｒ． ｍ． ｓにて測定し、誘電正接（
ｔａｎδ）は２５℃ｓ ＩＫＨｚｔ ３Ｖｒ．ｍ．
ｓで測定し、温度に対する誘電率の変化率は２０℃を基
準として−２５℃と＋８５℃における変化率を示したも
のである。
ｐ ３Ｖｒ． ｍ． ｓにて測定し、誘電正接（
ｔａｎδ）は２５℃ｓ ＩＫＨｚｔ ３Ｖｒ．ｍ．
ｓで測定し、温度に対する誘電率の変化率は２０℃を基
準として−２５℃と＋８５℃における変化率を示したも
のである。
試料番号１〜１０ぱ本発明にかかるものである。
試料番号１１〜１６は本発明以外のもので温度に対する
誘電率の変化率が犬きてなるか、あるいは誘電率が小さ
くなり本発明のコ的から逸脱する。
誘電率の変化率が犬きてなるか、あるいは誘電率が小さ
くなり本発明のコ的から逸脱する。
本組成物系にち・いて、通常一般に鉱化剤として用いら
れている粘度（カオリン）、あるいはＡｌ２０３．８ｉ
Ｏ２等のいずれかを０． １ 〜１ ｗｔ％添加しても
良く、これらの鉱化剤を加えることによって焼成温度を
若干低下させることができ、焼戒温度巾を広くすること
が可能となり、焼成した磁器体の電気的特性のバランキ
を少なくすることが可能である。
れている粘度（カオリン）、あるいはＡｌ２０３．８ｉ
Ｏ２等のいずれかを０． １ 〜１ ｗｔ％添加しても
良く、これらの鉱化剤を加えることによって焼成温度を
若干低下させることができ、焼戒温度巾を広くすること
が可能となり、焼成した磁器体の電気的特性のバランキ
を少なくすることが可能である。
前述のように本発明の高誘電率磁器材料は上表から明ら
かなように高い誘電率と温度に対して小さい誘電率の変
化率を有し、しかも誘電正接（ ｔａｎδ）が小さく、
従来のチタン酸バリウム系磁器で得られなかった優れた
特性が得られ工業的価値大なるものがある。
かなように高い誘電率と温度に対して小さい誘電率の変
化率を有し、しかも誘電正接（ ｔａｎδ）が小さく、
従来のチタン酸バリウム系磁器で得られなかった優れた
特性が得られ工業的価値大なるものがある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ ＢａＴｉ０ ９７．２ 〜９８．７モル’％ −
Ｂ １ ２（Ｓ ｎｏ３） ａ３ ０．４ 〜０．９モル％， ＢａＳｎ０３０、５〜０，
９モル係，Ｌａ２（ｚｒＯ３）３０．４〜１．Ｏモ／１
／％の或分範囲よりなることを特徴とする高誘電率磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50096992A JPS5847802B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50096992A JPS5847802B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5220300A JPS5220300A (en) | 1977-02-16 |
| JPS5847802B2 true JPS5847802B2 (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=14179686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50096992A Expired JPS5847802B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | コウユウデンリツジキソセイブツ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847802B2 (ja) |
-
1975
- 1975-08-08 JP JP50096992A patent/JPS5847802B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5220300A (en) | 1977-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0295133A1 (en) | Temperature stable dielectric composition at high low frequencies | |
| JPS6023902A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5847802B2 (ja) | コウユウデンリツジキソセイブツ | |
| JPS62115608A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5815078A (ja) | 高誘電率系磁器誘電体組成物 | |
| JPS593805B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6116133B2 (ja) | ||
| SU785273A1 (ru) | Керамический конденсаторный материал | |
| JPH06102573B2 (ja) | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 | |
| KR940004144B1 (ko) | 유전체 자기조성물 | |
| KR940008692B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 | |
| JPS61203506A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0510764B2 (ja) | ||
| JPS5935128B2 (ja) | 高誘電率磁器誘電体材料 | |
| KR0161536B1 (ko) | 고유전율계 자기 조성물 | |
| JPS5820780A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS62132755A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6230483B2 (ja) | ||
| JPS5835323B2 (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JPS6230482B2 (ja) | ||
| JPS6115529B2 (ja) | ||
| JPS6020845B2 (ja) | 温度補償用磁器誘電体組成物 | |
| JPS6053407B2 (ja) | 還元型半導体磁器組成物 | |
| JPS60145951A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6199207A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 |