JPS63315556A - サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
サーミスタ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63315556A JPS63315556A JP62151900A JP15190087A JPS63315556A JP S63315556 A JPS63315556 A JP S63315556A JP 62151900 A JP62151900 A JP 62151900A JP 15190087 A JP15190087 A JP 15190087A JP S63315556 A JPS63315556 A JP S63315556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- porcelain composition
- resistance value
- oxide
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- -1 In addition Inorganic materials 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｎｉを主成分とする酸
化物系、いわゆるスピネル系サーミスタは一４０〜１５
０°Ｃの温度検出用、あるいは突入電流防止用素子とし
て、液温計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機
器に用いられるようになってきているサーミスタ磁器組
成物に関するものである。
化物系、いわゆるスピネル系サーミスタは一４０〜１５
０°Ｃの温度検出用、あるいは突入電流防止用素子とし
て、液温計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機
器に用いられるようになってきているサーミスタ磁器組
成物に関するものである。
従来の技術
従来、この種のＭｎ −Ｆｅ −Ｎｉ系サーミスタは、
各々の元素比率を変えることによシ比抵抗及びサーミス
タ定数（Ｂ定数）を広範囲にコントロールすることがで
き、回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いら
れている組成である。
各々の元素比率を変えることによシ比抵抗及びサーミス
タ定数（Ｂ定数）を広範囲にコントロールすることがで
き、回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いら
れている組成である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動（抵抗値、Ｂ定数）が大きいだめ、実際
の製造工程では焼結後に２００〜３００°Ｃで３〜丁目
程度のエージング処理を必要としていたが、これでも充
分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高
精度のサーミスタを製造することが困難であった。
程時の特性変動（抵抗値、Ｂ定数）が大きいだめ、実際
の製造工程では焼結後に２００〜３００°Ｃで３〜丁目
程度のエージング処理を必要としていたが、これでも充
分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高
精度のサーミスタを製造することが困難であった。
この原因は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Ｍｎ 、
Ｆｅ及びＮ１の酸化物固溶体を主成分とするサーミス
タ磁器の抵抗値及びＢ定数のバラツキ（変動係数）を小
さくし、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ
磁器組成物を提供することを目的とするものである。
Ｆｅ及びＮ１の酸化物固溶体を主成分とするサーミス
タ磁器の抵抗値及びＢ定数のバラツキ（変動係数）を小
さくし、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ
磁器組成物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するだめに本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしだものである。
組成物を以下のようにしだものである。
（１） Ｍｎ 、 Ｆｅ及びＮ土の酸化物固溶体を主
成分とし、副成分としてＢ１酸化物を加える。
成分とし、副成分としてＢ１酸化物を加える。
（２）上記構成中、主成分にさらに元素成分としてＬｉ
、 Ｂ 、 ＭＫ 、 ｋ７！、 Ｓｉ 、 Ｔｉ
、 Ｖ 、 Ｃｒ 、 Ｚｎの内の１種もしくは２種以
上を添加する。
、 Ｂ 、 ＭＫ 、 ｋ７！、 Ｓｉ 、 Ｔｉ
、 Ｖ 、 Ｃｒ 、 Ｚｎの内の１種もしくは２種以
上を添加する。
作用
上記（１）によシ、抵抗値及びＢ定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
上記（２）によシさらに経時変化を小さく抑えることが
でき、高精度なサーミスタ磁器を提供することができる
。以下、バラツキは変動係数実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
上記（２）によシさらに経時変化を小さく抑えることが
でき、高精度なサーミスタ磁器を提供することができる
。以下、バラツキは変動係数実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン、酸化鉄、酸化ニッケル、酸
化ビスマス等を用い、下記の第１表に示す組成となるよ
うに所定量配合し、ボールミルによって２０時時間式混
合した。これを１．５０〜２５０°Ｃで乾燥させた後、
７００〜８０ｏ″Ｃで２時間仮焼し、この仮焼物をボー
ルミルによって２０時時間式粉砕した後、乾燥させた。
化ビスマス等を用い、下記の第１表に示す組成となるよ
うに所定量配合し、ボールミルによって２０時時間式混
合した。これを１．５０〜２５０°Ｃで乾燥させた後、
７００〜８０ｏ″Ｃで２時間仮焼し、この仮焼物をボー
ルミルによって２０時時間式粉砕した後、乾燥させた。
この仮焼粉末に１０％濃度のＰ、Ｖ、Ａ （ポリビニル
アルコール）溶液を１０％加えて混合し、造粒を行った
。
アルコール）溶液を１０％加えて混合し、造粒を行った
。
そして、この造粒粉を直径１０ｍｍ、厚さ１−５ｍｍの
ディスク状に加圧成形し、１０ＱＯ〜１２００′Ｃの温
度で２時間焼成した後、銀電極を設けた。
ディスク状に加圧成形し、１０ＱＯ〜１２００′Ｃの温
度で２時間焼成した後、銀電極を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に１日放置した後、２５°Ｃ及び６０°Ｃのオ
イルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のＢ定数を
算出した。その結果を下記の第２表に示した。また、こ
れらの変動係数も同時に記載した。さらに、各ブーミス
タ素子を１５０°Ｃ空気中に１０００時間放置し、抵抗
値変化率Ｒｔ−Ｒ。
子を室温に１日放置した後、２５°Ｃ及び６０°Ｃのオ
イルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のＢ定数を
算出した。その結果を下記の第２表に示した。また、こ
れらの変動係数も同時に記載した。さらに、各ブーミス
タ素子を１５０°Ｃ空気中に１０００時間放置し、抵抗
値変化率Ｒｔ−Ｒ。
（ｌ −酊−ｌ Ｘ １００％；ＲＯ：初期抵抗値、Ｒ
ｔ：を時間後の抵抗値）を求めた結果を図に示す。
ｔ：を時間後の抵抗値）を求めた結果を図に示す。
本発明によるサーミスタとの比較のだめに、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、Ｂ定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、Ｂ定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
（以下余白）
〈第 １ 表〉
（＊：従来例）
〈第 ２ 表〉
（＊：従来例）
ここで、主成分に添加するＩ、ｉ 、 ＭＨ、Ｂ 、
ｋ７１等については、特定の元素の１種もしくは２種の
組合せについてのみしか記載されていないが、本発明者
らはＬｉ 、 Ｂ 、 Ｍｇ 、 ｋ７１． Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｖ 。
ｋ７１等については、特定の元素の１種もしくは２種の
組合せについてのみしか記載されていないが、本発明者
らはＬｉ 、 Ｂ 、 Ｍｇ 、 ｋ７１． Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｖ 。
Ｏｒ 、 Ｚｎ元素の内の１種もしくは２種以上を所定
量添加することにより、上記の第２表に示す特性と同様
な効果が得られることを確認した。
量添加することにより、上記の第２表に示す特性と同様
な効果が得られることを確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、Ｂ定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、Ｂ定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお、本発明において、Ｂ１酸化物がＱ、１ｍ０７ｉ％
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また１０ｍｏ４％を超えた場合には、逆に変動
係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。ま
た、特許請求の範囲の第２項に示したＬｉ 、 Ｍｇ等
の添加元素量において、０．１原子％未満ではＢ１酸化
物と同様に効果が見られず、一方１０原子％を超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また１０ｍｏ４％を超えた場合には、逆に変動
係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。ま
た、特許請求の範囲の第２項に示したＬｉ 、 Ｍｇ等
の添加元素量において、０．１原子％未満ではＢ１酸化
物と同様に効果が見られず、一方１０原子％を超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の１５０’Ｃ・空気中放置における抵抗
値経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−１５−一一オＪ【明 １６〜２θ〜掟米伊１ ｏ ５ｅｏ
πθＯ−族屓轡関（（ｅ）
サーミスタ素子の１５０’Ｃ・空気中放置における抵抗
値経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−１５−一一オＪ【明 １６〜２θ〜掟米伊１ ｏ ５ｅｏ
πθＯ−族屓轡関（（ｅ）
Claims (2)
- （１）金属元素としてＭｎ、Ｆｅ及びＮｉを生成分とし
、副成分としてＢｉ元素を０．１〜１０ｍｏｌ％加えた
ことを特徴とするサーミスタ磁器組成物。 - （２）金属元素としてＭｎ、Ｆｅ及びＮｉを主体とし、
これにＬｉ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｚｎ元素の内の１種もしくは２種以上を０．１〜１０原
子％含有し、かつこれら主成分に対して副成分としてＢ
ｉ元素を０．１〜１０ｍｏｌ％加えたことを特徴とする
サーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151900A JPS63315556A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151900A JPS63315556A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315556A true JPS63315556A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151900A Pending JPS63315556A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63315556A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151900A patent/JPS63315556A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| JP2008177611A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装型負特性サーミスタ |
| KR100894967B1 (ko) * | 2005-02-08 | 2009-04-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면 실장형 부특성 서미스터 |
| US7548149B2 (en) | 2005-02-08 | 2009-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| US7948354B2 (en) | 2005-02-08 | 2011-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63315550A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315560A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH02143502A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JPS63315556A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315554A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315549A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JP3201477B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH03214703A (ja) | サーミスタ素子 | |
| JPS63315559A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315552A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315561A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315562A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH10233303A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ | |
| JPS63315551A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315553A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315548A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315557A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JP2572310B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS63315558A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH01290549A (ja) | サーミスタ用酸化物半導体組成物 | |
| JP4850330B2 (ja) | サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子 | |
| JP3213647B2 (ja) | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ | |
| JP3384410B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |