JPS63315560A - サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
サーミスタ磁器組成物Info
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- JPS63315560A JPS63315560A JP62151906A JP15190687A JPS63315560A JP S63315560 A JPS63315560 A JP S63315560A JP 62151906 A JP62151906 A JP 62151906A JP 15190687 A JP15190687 A JP 15190687A JP S63315560 A JPS63315560 A JP S63315560A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Mn 、 Cuを主成分とする酸化物系、い
わゆるスピネル系サーミスタは一40〜150°Cの温
度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温計
、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に用いら
れるようになってきているサーミスタ磁器組成物に関す
るものである。
わゆるスピネル系サーミスタは一40〜150°Cの温
度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温計
、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に用いら
れるようになってきているサーミスタ磁器組成物に関す
るものである。
従来の技術
従来この種のMn−1u系サーミスタは、各々の元素比
率を変えることによシ比抵抗及びサーミスタ定数(B定
数)を広範囲にコントロールすることができ、回路との
マツチングをとりやすいだめ、広く用いられている組成
である。
率を変えることによシ比抵抗及びサーミスタ定数(B定
数)を広範囲にコントロールすることができ、回路との
マツチングをとりやすいだめ、広く用いられている組成
である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300’Cで3〜7日
程度のエージング処理を必要としていたが、これでも充
分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高
精度のサーミスタを製造することが困雉であった。
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300’Cで3〜7日
程度のエージング処理を必要としていたが、これでも充
分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高
精度のサーミスタを製造することが困雉であった。
この原因は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Mn 、
Cuの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁器の
抵抗値及びB定数のバラツギ(変動係数)を小さくし、
また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
Cuの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁器の
抵抗値及びB定数のバラツギ(変動係数)を小さくし、
また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしたものである。
組成物を以下のようにしたものである。
(1) Mn 、 Cuの酸化物固溶体を主成分とし
、副成分としてBi酸化物を加える。
、副成分としてBi酸化物を加える。
(2)上記構成中、主成分にさらに元素成分としてLi
、B、Mg、ム/、Si、Ti 、V、Or、 Znの
内の1種もしくは2種以上を添加する。
、B、Mg、ム/、Si、Ti 、V、Or、 Znの
内の1種もしくは2種以上を添加する。
作用
上記(1)により、抵抗値及びB定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン、酸化銅、酸化ビスマス等を
用い、下記の第1表に示す組成となるように所定量配合
し、ボールミルによって2o時間湿式混合した。これを
160〜260°Cで乾燥させた後、700〜SOO°
Cで2時間仮焼し、この仮焼物をボールミルによって2
0時時間式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉末に1
0係濃度のp、v、ム (ポリビニルアルコール)溶液
を10チ加えて混合し、造粒を行った。そして、この造
粒粉を直径10 WM +厚さ1.5 fiのディスク
状に加圧成形し、1000〜1200℃の温度で2時間
焼成した後、銀電甑を設けた。
用い、下記の第1表に示す組成となるように所定量配合
し、ボールミルによって2o時間湿式混合した。これを
160〜260°Cで乾燥させた後、700〜SOO°
Cで2時間仮焼し、この仮焼物をボールミルによって2
0時時間式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉末に1
0係濃度のp、v、ム (ポリビニルアルコール)溶液
を10チ加えて混合し、造粒を行った。そして、この造
粒粉を直径10 WM +厚さ1.5 fiのディスク
状に加圧成形し、1000〜1200℃の温度で2時間
焼成した後、銀電甑を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に1日放置した後、25°C及び50℃のオイ
ルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算
出した。その結果を下記の第2表に示した。また、これ
らの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ
素子を150’C空気中に1000時間放置し、抵抗値
変化率Rt : を時間後の抵抗値)を求めた結果を図
に示す。
子を室温に1日放置した後、25°C及び50℃のオイ
ルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算
出した。その結果を下記の第2表に示した。また、これ
らの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ
素子を150’C空気中に1000時間放置し、抵抗値
変化率Rt : を時間後の抵抗値)を求めた結果を図
に示す。
本発明によるサーミスタとの比較のために、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数。
及び抵抗値変化率を同様に測定し併記した。
(以下余白)
く 第 1 表 〉
(*:従来例)
く 第 2 表 〉
(*:従来例)
ここで、主成分に添加するLi、Mg、B、A4等につ
いては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せについ
てのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、B
、 Mg、 A/ 、 Si、 Ti、 V 。
いては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せについ
てのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、B
、 Mg、 A/ 、 Si、 Ti、 V 。
Or、Zn元素の内の1種もしくは2種以上を所定量添
加することにより、上記の第2表に示す特性と同様な効
果が得られることを確認した。
加することにより、上記の第2表に示す特性と同様な効
果が得られることを確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお、本発明において、Bi酸化物が0.1 mo7!
チ未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が
見られず、また1omOJ%を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。
チ未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が
見られず、また1omOJ%を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。
さらに、特許請求の範囲の第2項に示したLi、Mg等
の添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化
物と同様に効果が見られず、一方10原子チを超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
の添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化
物と同様に効果が見られず、一方10原子チを超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の150℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1〜
j5一本発明 16〜20−″従来例
サーミスタ素子の150℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1〜
j5一本発明 16〜20−″従来例
Claims (2)
- (1)金属元素としてMn、Cuを主成分とし、副成分
としてBi元素を0.1〜10mol%加えたことを特
徴とするサーミスタ磁器組成物。 - (2)金属元素としてMn、Cuを主体とし、これにL
i、B、Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Zn元素
の内の1種もしくは2種以上を0.1〜10原子%含有
し、かつこれら主成分に対して副成分としてBi元素を
0.1〜10mol%加えたことを特徴とするサーミス
タ磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62151906A JPS63315560A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62151906A JPS63315560A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63315560A true JPS63315560A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62151906A Pending JPS63315560A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63315560A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020087951A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | 積層構造体、積層構造体を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087952A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜の製造方法 |
JP2020087948A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087950A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087947A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087949A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151906A patent/JPS63315560A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020087951A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | 積層構造体、積層構造体を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087952A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜の製造方法 |
JP2020087948A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087950A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087947A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
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