JPS63315551A - サ−ミスタ磁器組成物 - Google Patents
サ−ミスタ磁器組成物Info
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- JPS63315551A JPS63315551A JP62151883A JP15188387A JPS63315551A JP S63315551 A JPS63315551 A JP S63315551A JP 62151883 A JP62151883 A JP 62151883A JP 15188387 A JP15188387 A JP 15188387A JP S63315551 A JPS63315551 A JP S63315551A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Mn、Ni、Zr を主成分とする酸化物系
、いわゆるスピネル系サーミスタは一40〜150℃の
温度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温
計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に用い
られるようになってきているサーミスタ磁器組成物に関
するものである。
、いわゆるスピネル系サーミスタは一40〜150℃の
温度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温
計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に用い
られるようになってきているサーミスタ磁器組成物に関
するものである。
従来の技術
従来、この種のMn−Ni−Zr系サーミスタは、各々
の元素比率を変えることにより比抵抗及びサーミスタ定
数(B定数)を広範囲にコントロールすることができ、
回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いられて
いる組成である。
の元素比率を変えることにより比抵抗及びサーミスタ定
数(B定数)を広範囲にコントロールすることができ、
回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いられて
いる組成である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300℃で3〜7日程
度のエージング処理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高精
度のサーミスタを製造することが困難であった。
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300℃で3〜7日程
度のエージング処理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、高精
度のサーミスタを製造することが困難であった。
この原因は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Mn、N
i及びZrの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁
器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係数)を小さく
し、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器
組成物を提供することを目的とするものである。
i及びZrの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁
器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係数)を小さく
し、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器
組成物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしたものである。
組成物を以下のようにしたものである。
(1)Mn、Ni及びZrの酸化物固溶体を主成分とし
、副成分としてBi酸化物を加える。
、副成分としてBi酸化物を加える。
(2)上記構成中、主成分にさらに元素成分としてLi
、B、Mg、ム5.Si、Ti、V、Or、Znの内の
1種もしくは2種以上を添加する。
、B、Mg、ム5.Si、Ti、V、Or、Znの内の
1種もしくは2種以上を添加する。
作用
上記(1)により、抵抗値及びB定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン2酸化ニツケル、酸化ジルコ
ニウム、酸化ビスマス等を用い、下記の第1表に示す組
成となるように所定量配合し、ボールミルによって20
時時間式混合した。これを150〜250℃で乾燥させ
た後、700〜800℃で2時間仮焼し、この仮焼物を
ボールミルによって20時時間式粉砕した後、乾燥させ
た。この仮焼粉末に10%濃度のp、v、ム(ポリビニ
ルアルコール)溶液を10%加えて混合し、造粒を行っ
た。そして、この造粒粉を直径10my、厚さ1.6H
のディスク状に加圧成形し、1000〜1200℃の温
度で2時間焼成した後、銀電極を設けた。
ニウム、酸化ビスマス等を用い、下記の第1表に示す組
成となるように所定量配合し、ボールミルによって20
時時間式混合した。これを150〜250℃で乾燥させ
た後、700〜800℃で2時間仮焼し、この仮焼物を
ボールミルによって20時時間式粉砕した後、乾燥させ
た。この仮焼粉末に10%濃度のp、v、ム(ポリビニ
ルアルコール)溶液を10%加えて混合し、造粒を行っ
た。そして、この造粒粉を直径10my、厚さ1.6H
のディスク状に加圧成形し、1000〜1200℃の温
度で2時間焼成した後、銀電極を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に1日放置した後、25℃及び60℃のオイル
バス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算出
した。その結果を下記の第2表に示した。まだ、これら
の変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ素
子を150℃・空気中に1000時間放置し、抵抗値変
化率Rt−R。
子を室温に1日放置した後、25℃及び60℃のオイル
バス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算出
した。その結果を下記の第2表に示した。まだ、これら
の変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ素
子を150℃・空気中に1000時間放置し、抵抗値変
化率Rt−R。
(I ROI X 100 % : R’ : 初期
抵抗値。
抵抗値。
Rt:t 時間後の抵抗値)を求めた結果を図に示す
。
。
本発明によるサーミスタとの比較のために、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
(以下余 白)
〈第 1 表〉
(*:従来例)
〈第 2 表〉
ここで、主成分に添加するLi、Mg、B、人で等につ
いては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せについ
てのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、B
、Mg、ム5.Si、Ti、V、Or。
いては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せについ
てのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、B
、Mg、ム5.Si、Ti、V、Or。
Zn元素の内の1種もしくは2種以上を所定量添加する
ことにより、上記の第2表に示す特性と同様な効果が得
られることを確認した。
ことにより、上記の第2表に示す特性と同様な効果が得
られることを確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお、本発明において、Bi酸化物が0.1 molチ
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また10m0dチを超えた場合には、逆に変動
係数が大きくなるために本発明の請求範囲外としだ。さ
らに、特許請求の範囲の第2項に示したLi、Mg等の
添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化物
と同様に効果が見られず、一方10原子チを超えた場合
には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明の
請求範囲外とした。
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また10m0dチを超えた場合には、逆に変動
係数が大きくなるために本発明の請求範囲外としだ。さ
らに、特許請求の範囲の第2項に示したLi、Mg等の
添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化物
と同様に効果が見られず、一方10原子チを超えた場合
には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明の
請求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の160℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
15一本4明 16−20− 従来例
サーミスタ素子の160℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
15一本4明 16−20− 従来例
Claims (2)
- (1)金属元素としてMn、Ni、Zrを主成分とし、
副成分としてBi元素を0.1〜10mol%加えたこ
とを特徴とするサーミスタ磁器組成物。 - (2)金属元素としてMn、Ni、Zrを主体とし、こ
れにLi、B、Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Z
n元素の内の1種もしくは2種以上を0.1〜10原子
%含有し、かつこれら主成分に対して副成分としてBi
元素を0.1〜10mol%加えたことを特徴とするサ
ーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62151883A JPS63315551A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62151883A JPS63315551A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63315551A true JPS63315551A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62151883A Pending JPS63315551A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63315551A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008041481A1 (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-04 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器とそれを用いたntcサーミスタ |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151883A patent/JPS63315551A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008041481A1 (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-04 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器とそれを用いたntcサーミスタ |
US8258915B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic and NTC thermistor using the same |
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