JPS62152104A - Ｐｔｃセラミツク抵抗体 - Google Patents
Ｐｔｃセラミツク抵抗体Info
- Publication number
- JPS62152104A JPS62152104A JP60292024A JP29202485A JPS62152104A JP S62152104 A JPS62152104 A JP S62152104A JP 60292024 A JP60292024 A JP 60292024A JP 29202485 A JP29202485 A JP 29202485A JP S62152104 A JPS62152104 A JP S62152104A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ptc
- ceramic resistor
- room temperature
- resistance
- ptc ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＰＴＣ抵抗体用セラミック組成物に関する。
近年ＣｒあるいはＡＩ！を添加したＶ、Ｏ８における金
属−絶縁体転移だ伴なう比抵抗のＰＴＣ特性を応用した
ＰＴＣ抵抗体が研究されている。これは室温抵抗率が１
０−３Ω口と低く、室温から１００’Ｏ付近の温度域で
ＰＴＣ特性を示すため、大電流用途の過電流制限素子等
の材料として良好な特性を有している。
属−絶縁体転移だ伴なう比抵抗のＰＴＣ特性を応用した
ＰＴＣ抵抗体が研究されている。これは室温抵抗率が１
０−３Ω口と低く、室温から１００’Ｏ付近の温度域で
ＰＴＣ特性を示すため、大電流用途の過電流制限素子等
の材料として良好な特性を有している。
しかしながらＰＴＣ抵抗体を用いる用途によっては、そ
の室温抵抗率が過度に小さく、素子長の過大あるいは電
極接合部の界面抵抗が問題となる場合がある。またＰＴ
Ｃ抵抗特性を利用した自己温度補償型の発熱体として用
いる場合もその低い室温抵抗率が問題となる場合がある
。
の室温抵抗率が過度に小さく、素子長の過大あるいは電
極接合部の界面抵抗が問題となる場合がある。またＰＴ
Ｃ抵抗特性を利用した自己温度補償型の発熱体として用
いる場合もその低い室温抵抗率が問題となる場合がある
。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであってｖ
２０．を主体とするＰＴＣセラミック抵抗体において、
その室温抵抗率を用途に適した値に上昇させることを目
的とする。
２０．を主体とするＰＴＣセラミック抵抗体において、
その室温抵抗率を用途に適した値に上昇させることを目
的とする。
本発明は（Ｖｌ−ｘ Ａｘ ）ｔ Ｏｓ （ただしＡは
Ｃｒ及びＡｌから選ばれた少なくとも１種）にＹ２Ｏ，
を１〜６０％添加することにより、焼結体中に（Ｖ、−
ｘ Ａｘ ）ｇｏｓに比較して高抵抗率示すＹＶＯ，を
生成させて、焼結体の呈温抵抗率金上昇させ、適度な室
温抵抗率としたｐ’ｒｃセラミック抵抗体である。
Ｃｒ及びＡｌから選ばれた少なくとも１種）にＹ２Ｏ，
を１〜６０％添加することにより、焼結体中に（Ｖ、−
ｘ Ａｘ ）ｇｏｓに比較して高抵抗率示すＹＶＯ，を
生成させて、焼結体の呈温抵抗率金上昇させ、適度な室
温抵抗率としたｐ’ｒｃセラミック抵抗体である。
添加したＹ２Ｏ，はｖ、０．とは固溶せずに、高抵抗の
ＹＶＯ３を生成して（’／Ｉ−ｘ Ａｘ）ｔ’ｓの粒間
に存在して室温抵抗率の上昇をもたらすものである。
ＹＶＯ３を生成して（’／Ｉ−ｘ Ａｘ）ｔ’ｓの粒間
に存在して室温抵抗率の上昇をもたらすものである。
またさらにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎのうち少なく
とも１４を添加すると、焼結時の温度、雰囲気で液相を
形成して、焼結性を高め緻密な焼結体を得ることができ
る。
とも１４を添加すると、焼結時の温度、雰囲気で液相を
形成して、焼結性を高め緻密な焼結体を得ることができ
る。
さらにＷ、Ｍｏのうち少なくとも１種の添加は、焼結体
の結晶粒の制御に有効であシ、小径で粒径の均一な結晶
粒をもたらし、焼結体の強度、耐熱衝撃性の向上をもた
らすものである。
の結晶粒の制御に有効であシ、小径で粒径の均一な結晶
粒をもたらし、焼結体の強度、耐熱衝撃性の向上をもた
らすものである。
本発明におけるセラミックＰＴＣ組成物は以下のように
して製造することができる。
して製造することができる。
Ｙ２Ｏ５＋ Ｃｒ２Ｏ５＋ ＡＡ’２０ｓ ｌ Ｙ２Ｏ
，およびＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ。
，およびＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ。
Ｓｎ から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、さ
らにＷＯ，、ＭｏＯ５から選ばれた少なくとも１櫨を混
合したのち水素気流中で還元する。
らにＷＯ，、ＭｏＯ５から選ばれた少なくとも１櫨を混
合したのち水素気流中で還元する。
ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＷ、Ｍｏを
酸化物のかたちで添加することは、混合を容易にし均一
な組成を得るために有効である。
酸化物のかたちで添加することは、混合を容易にし均一
な組成を得るために有効である。
得られた還元粉を加圧成形後例えば１５００°Ｃで水素
中４時間保持し焼結する。
中４時間保持し焼結する。
また出発原粒としてＶ、０．を用い、これをｃｒ２ｏ、
ＩＡ／、０． 、Ｙ、０３．Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣＯ，
Ｓｎから選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、さら
にＷＯ，、ＭｏＯ３から選ばれた少なくとも１種を混合
、粉砕して得られた粉体を直接加圧成形して水素気流中
で焼結してもよい。
ＩＡ／、０． 、Ｙ、０３．Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣＯ，
Ｓｎから選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、さら
にＷＯ，、ＭｏＯ３から選ばれた少なくとも１種を混合
、粉砕して得られた粉体を直接加圧成形して水素気流中
で焼結してもよい。
なお本発明における組成成分の限定理由は以下の通りで
ある。
ある。
添加はＹ２Ｏ，に換算して１ｗｔ ％以下では室温抵抗
率上昇の効果がなく、５Ｑｗｔ％以上では焼結体に（Ｖ
＋−ｘ ＡＸ ）＊ Ｏｓが存在しなくなシＰＴＣ抵抗
特性を示さなくなる。
率上昇の効果がなく、５Ｑｗｔ％以上では焼結体に（Ｖ
＋−ｘ ＡＸ ）＊ Ｏｓが存在しなくなシＰＴＣ抵抗
特性を示さなくなる。
Ａ添加量ＸはＰＴＣ特性に直接影響をあたえるものであ
Ｆ） ０＜ｘ＜０．０２０の範囲でＰＴＣ特性を示すも
のである。特にＸ″−１？０．００１で効果的である。
Ｆ） ０＜ｘ＜０．０２０の範囲でＰＴＣ特性を示すも
のである。特にＸ″−１？０．００１で効果的である。
またＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎからえらばれる少な
くとも１種の添加が２５重量係を超える場合にはＰＴＣ
％性における比抵抗の最大値が低下し、比抵抗変化の倍
率が低下して望ましくない。少量の添加で効果が現われ
るが、０．１重量係以上で顕著である。
くとも１種の添加が２５重量係を超える場合にはＰＴＣ
％性における比抵抗の最大値が低下し、比抵抗変化の倍
率が低下して望ましくない。少量の添加で効果が現われ
るが、０．１重量係以上で顕著である。
またＷ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種が１０重ｆ％
を超える場合には、抵抗変化率の低下ならびに焼結性の
低下が生じ望ましくない。少量の添加でその効果が現わ
れるが、０．１重量％以上でＷ著である。
を超える場合には、抵抗変化率の低下ならびに焼結性の
低下が生じ望ましくない。少量の添加でその効果が現わ
れるが、０．１重量％以上でＷ著である。
なおＡはＣｒ、Ａｌｌの少なくとも１種であるが、ｃｒ
、Ａｌｌの総和が前記Ｘの範囲内であれば、その比率は
適宜決定できる。
、Ａｌｌの総和が前記Ｘの範囲内であれば、その比率は
適宜決定できる。
以上の如く本発明組成を選択することによりＹ２Ｏ，基
ＰＴＣセラミック抵抗体においてその室温抵抗率を上昇
せしめ、用途に適した室温抵抗率を有するＰＴＣセラミ
ック抵抗体を得ることができる。
ＰＴＣセラミック抵抗体においてその室温抵抗率を上昇
せしめ、用途に適した室温抵抗率を有するＰＴＣセラミ
ック抵抗体を得ることができる。
本発明の実施例を以下に説明する。
市販のＹ２Ｏ，＋ Ｃｒ２Ｑ、 ｌ ｓｎｏ、 、 Ｗ
Ｏ３、Ｙ２Ｏ３粉末を準備し第１表の組成となるよう各
々秤量した後、湿式ボールミルで４５時間混合・粉砕を
おこなって得られた粉体に有機バインダーを加えて加圧
成形後、水素気流中１５５０℃４時間の焼結をおこない
焼結体を得た。
Ｏ３、Ｙ２Ｏ３粉末を準備し第１表の組成となるよう各
々秤量した後、湿式ボールミルで４５時間混合・粉砕を
おこなって得られた粉体に有機バインダーを加えて加圧
成形後、水素気流中１５５０℃４時間の焼結をおこない
焼結体を得た。
これを切断して断面５朋×４朋、長さ１０趨の試料を得
、比抵抗の測定をおこなった。このときの室温抵抗率及
びＰＴＣ抵抗特性における抵抗率最大値を第１図にあわ
せて示す。
、比抵抗の測定をおこなった。このときの室温抵抗率及
びＰＴＣ抵抗特性における抵抗率最大値を第１図にあわ
せて示す。
また第１表に示す如＜ ＹｚＯｓを添加しない組成及び
Ｙ２Ｏ３過剰の組成を有する試料を同様の方法で作製し
、比較例として上記の測定をおこなった。
Ｙ２Ｏ３過剰の組成を有する試料を同様の方法で作製し
、比較例として上記の測定をおこなった。
以上の結果をまとめて第１表に示す。
第１表に示すごとく本発明によるＹ、０．の除却ば、■
２０３基ＰＴＣセラミック抵抗体において、ｐ’ｒｃ抵
抗変化率の低下をもたらすことなく、室温抵抗昂を変化
させ、用途に応じた適当な値を得ることを可能にするこ
とがわかる。′！た過剰なＹ２Ｏ，の添加ではＰＴＣｌ
￥ｊ性が消失することがわかる。
２０３基ＰＴＣセラミック抵抗体において、ｐ’ｒｃ抵
抗変化率の低下をもたらすことなく、室温抵抗昂を変化
させ、用途に応じた適当な値を得ることを可能にするこ
とがわかる。′！た過剰なＹ２Ｏ，の添加ではＰＴＣｌ
￥ｊ性が消失することがわかる。
以下余白
Claims (2)
- （１）（Ｖ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘ）＿２Ｏ＿３ ０≦ｘ≦
０、０２（ただしＡはＣｒ及びＡｌから選ばれた少なく
とも１種）の組成式であられされる基本組成に対し、イ
ットリウムをＹ＿２Ｏ＿３に換算して１〜６０重量％含
有することを特徴とするＰＴＣセラミック抵抗体。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の組成にさらにａ）Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれた少なくとも１種を２
５重量％以下、 ｂ）Ｗ、Ｍｏから選ばれた少なくとも１種を１０重量％
以下、 の少なくとも一種を含有することを特徴とするＰＴＣセ
ラミック抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60292024A JPS62152104A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Ｐｔｃセラミツク抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60292024A JPS62152104A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Ｐｔｃセラミツク抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152104A true JPS62152104A (ja) | 1987-07-07 |
Family
ID=17776544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60292024A Pending JPS62152104A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Ｐｔｃセラミツク抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866472A3 (en) * | 1997-03-19 | 1999-08-18 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60292024A patent/JPS62152104A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866472A3 (en) * | 1997-03-19 | 1999-08-18 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
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