JPS5917206A - セラミツク抵抗材料 - Google Patents
セラミツク抵抗材料Info
- Publication number
- JPS5917206A JPS5917206A JP57125083A JP12508382A JPS5917206A JP S5917206 A JPS5917206 A JP S5917206A JP 57125083 A JP57125083 A JP 57125083A JP 12508382 A JP12508382 A JP 12508382A JP S5917206 A JPS5917206 A JP S5917206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- resistance material
- small
- present
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電気抵抗材料に関し、更に詳しくは固有抵抗
（ρ）が大きくかつその温度係数（α〕が小さいので高
温域にあっても安定なセラミック抵抗材料に関する。
（ρ）が大きくかつその温度係数（α〕が小さいので高
温域にあっても安定なセラミック抵抗材料に関する。
近年、電気回路の小型化、精密化に伴ってそこに使用さ
れる抵抗材料には、固有抵抗が大きくその温度変化が小
さい（αが小さい）という特性を有する材料が必要とさ
れている。
れる抵抗材料には、固有抵抗が大きくその温度変化が小
さい（αが小さい）という特性を有する材料が必要とさ
れている。
従来から、このような抵抗材料としては、Ｎ１−Ｃｒ合
金、マン声ン合金、炭素、酸化ルテニウムなどが広く用
゛いられているが、いずれも一長一短があシ充分に満足
のいくものではなかった。
金、マン声ン合金、炭素、酸化ルテニウムなどが広く用
゛いられているが、いずれも一長一短があシ充分に満足
のいくものではなかった。
すなわち、Ｎｉ−Ｃｒ合金は、αが２Ｏ−１００ｐｐｒ
ｒＶ／℃と約１０００℃の温度に到るまで小さく、優れ
た抵抗材料であるが、ρが１００〜１２０μΩ・鋸と小
さいので、抵抗値の大きい素子として使用する際には断
面積を小さく長さを大きくしなければならず、回路の小
型化の要請に応えきれないという問題がある。また、マ
ンガニン合金は、室温における標準抵抗材料として広く
用いられているが、上記したＮｉ−Ｃｒ合金と同様の欠
点を有し、しかも高温（数訂℃以上）では酸化するとい
う問題を孕んでいる。更に炭素は、低価格ではあるが、
αが約−１５００ｐｐｍと大きく高精度を要求される回
路に使用することはできない。酸化ルテニウムは安定し
だ厚膜抵抗素子として有用であるが、高価であるという
同順を有する。
ｒＶ／℃と約１０００℃の温度に到るまで小さく、優れ
た抵抗材料であるが、ρが１００〜１２０μΩ・鋸と小
さいので、抵抗値の大きい素子として使用する際には断
面積を小さく長さを大きくしなければならず、回路の小
型化の要請に応えきれないという問題がある。また、マ
ンガニン合金は、室温における標準抵抗材料として広く
用いられているが、上記したＮｉ−Ｃｒ合金と同様の欠
点を有し、しかも高温（数訂℃以上）では酸化するとい
う問題を孕んでいる。更に炭素は、低価格ではあるが、
αが約−１５００ｐｐｍと大きく高精度を要求される回
路に使用することはできない。酸化ルテニウムは安定し
だ厚膜抵抗素子として有用であるが、高価であるという
同順を有する。
一方、低価格の導電性セラミックとしてＢａＰｌ＋Ｏｓ
が知られている。これは、そのρが約５００μΩ・ｍと
Ｎｔ−Ｃｒ合金に近似した値を有するものでちるが、Ω
〜ＭΩの広範囲な抵抗域をカバーする抵抗素子を用いる
ためにはρが小さすぎるという欠点がある。
が知られている。これは、そのρが約５００μΩ・ｍと
Ｎｔ−Ｃｒ合金に近似した値を有するものでちるが、Ω
〜ＭΩの広範囲な抵抗域をカバーする抵抗素子を用いる
ためにはρが小さすぎるという欠点がある。
本発明は上記した抵抗材料の欠点を解消した抵抗材料の
提供を目的とする。すなわち、ρが大きく、αが小さく
、シかも高温域に到るまで安定した抵抗を有するセラミ
ック抵抗材料の提供を目的とするものである。
提供を目的とする。すなわち、ρが大きく、αが小さく
、シかも高温域に到るまで安定した抵抗を有するセラミ
ック抵抗材料の提供を目的とするものである。
本発明者らは、上記したＢａＰｂＯ３を主体とする酸化
物セラミックに種々の元素を添加してその抵抗材料とし
ての特性に関し鋭意研究を重ねた結果、Ｂ％はρの増大
とαの低減・安定化に寄与する、とシわけ、所足量のＢ
ｌは抵抗の温度変化に対し有効であるという事実を見出
し本発明を完成するに到った。
物セラミックに種々の元素を添加してその抵抗材料とし
ての特性に関し鋭意研究を重ねた結果、Ｂ％はρの増大
とαの低減・安定化に寄与する、とシわけ、所足量のＢ
ｌは抵抗の温度変化に対し有効であるという事実を見出
し本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明の抵抗材料は、次の組成式：Ｂ ａＰ
ｂ １−ｘ Ｂ％、０３（式中、８ｃは０．１５≦Ｘ
≦０．２５の関係を満足する数を表わす。）で示きれる
セラミックであることを特徴とする。
ｂ １−ｘ Ｂ％、０３（式中、８ｃは０．１５≦Ｘ
≦０．２５の関係を満足する数を表わす。）で示きれる
セラミックであることを特徴とする。
本発明の抵抗拐料においては、Ｘが０．１５よシ小さい
とρは充分に増大せずかつαの低減効果が小さい。また
、Ｘが０．２５よ゛シ大きくなると、ρが増大する反面
αも著しく増大して本発明の目的から逸脱する。
とρは充分に増大せずかつαの低減効果が小さい。また
、Ｘが０．２５よ゛シ大きくなると、ρが増大する反面
αも著しく増大して本発明の目的から逸脱する。
不、発明の抵抗材料は、一般に、粉末焼結法で製造され
る。すなわち、Ｂａ源として例えばＢａＣＯ３、ｐｂ源
として例えばＰｂ５Ｏ４＋ Ｂｌ源として例えばＢｌ！
０３の粉末を、所望する組成比となるように秤量して、
これらを均一に混合した後、常法にょシ成形して焼結す
る。
る。すなわち、Ｂａ源として例えばＢａＣＯ３、ｐｂ源
として例えばＰｂ５Ｏ４＋ Ｂｌ源として例えばＢｌ！
０３の粉末を、所望する組成比となるように秤量して、
これらを均一に混合した後、常法にょシ成形して焼結す
る。
組成式Ｂ ａＰ ｂ １−ｚ Ｂ ｉ ＺＯｓにおいて
、ｚ＝＝ｏ＋０．１＋０．１５ 、０．２ 、０．２５
、０．３となるようニＢａＣＯ３ｒＰ ｂ ３０４
ｍ Ｂ １２０３ の粉末をそ、れぞれ秤量し、ボ
ールミルで均一に混合した後乾燥してアルミナ製ルツボ
に入れ約９００℃、酸素雰囲気中で仮焼した。得られた
仮焼体を再びボールミルで粉砕・混合した後、直径２０
鴇厚み５−の円板状にプレス成形した。成形体を白金板
にのせて１０００〜１１００℃、酸素雰囲気中で焼結し
て６４′！！類の焼結体を製造した。得られた焼結体を
Ｘ線回折分析したところ、いずれもペロプスカイト構造
であった。
、ｚ＝＝ｏ＋０．１＋０．１５ 、０．２ 、０．２５
、０．３となるようニＢａＣＯ３ｒＰ ｂ ３０４
ｍ Ｂ １２０３ の粉末をそ、れぞれ秤量し、ボ
ールミルで均一に混合した後乾燥してアルミナ製ルツボ
に入れ約９００℃、酸素雰囲気中で仮焼した。得られた
仮焼体を再びボールミルで粉砕・混合した後、直径２０
鴇厚み５−の円板状にプレス成形した。成形体を白金板
にのせて１０００〜１１００℃、酸素雰囲気中で焼結し
て６４′！！類の焼結体を製造した。得られた焼結体を
Ｘ線回折分析したところ、いずれもペロプスカイト構造
であった。
ついで、これら焼結体から約１０ ｗｍ Ｘ ５ ｍｘ
Ｘ １間の小片を切り出し、これにＡｇペーストで電
［−焼付けた後、４端子法で室温〜８００℃の温度域に
おけるρを測定した。その結果を、旧Ｘ（Ｘ＞とρとの
関係として第１図に示した。
Ｘ １間の小片を切り出し、これにＡｇペーストで電
［−焼付けた後、４端子法で室温〜８００℃の温度域に
おけるρを測定した。その結果を、旧Ｘ（Ｘ＞とρとの
関係として第１図に示した。
また、室温での固有抵抗（ρ０ ）と各温度での固有抵
抗との比ρ／ρ０の温度どの関係を第２図に示した。
抗との比ρ／ρ０の温度どの関係を第２図に示した。
第１図から明らかなように、ρｔ」、太きくしかもその
値はＢ１の量＜Ｚ）の増加とともに指数関数的に著しく
増大する。また、第２図から明らかなように、Ｘが０．
１５〜０．２５に相当するものは、高温になっても室温
時の固有抵抗ρ０に対してその変化策が小さく安定して
いることがわかる。これに反し、” ＝０１ ｒ Ｚ
”” ０．３のものは高温でのρ／ρ０が極めて大きく
安定性に欠くものである。
値はＢ１の量＜Ｚ）の増加とともに指数関数的に著しく
増大する。また、第２図から明らかなように、Ｘが０．
１５〜０．２５に相当するものは、高温になっても室温
時の固有抵抗ρ０に対してその変化策が小さく安定して
いることがわかる。これに反し、” ＝０１ ｒ Ｚ
”” ０．３のものは高温でのρ／ρ０が極めて大きく
安定性に欠くものである。
なお、実施例では焼結体に関して述べたが、本発明の抵
抗材料は、焼結体に限らず、これを粉砕−１して粉末に
し適宜なバインダーでペースト状にした後、印刷し焼付
けた厚膜形状の抵抗材としても用いることができること
はいうまでもない。
抗材料は、焼結体に限らず、これを粉砕−１して粉末に
し適宜なバインダーでペースト状にした後、印刷し焼付
けた厚膜形状の抵抗材としても用いることができること
はいうまでもない。
本発明の抵抗材料は、固有抵抗が大きく、温度係数が小
さいので高温域に到るまで抵抗が安定していて有用であ
る。また、酸化物なので大気中で使用しても極めて安定
しておシ、信頼性の高い抵抗材料である。
さいので高温域に到るまで抵抗が安定していて有用であ
る。また、酸化物なので大気中で使用しても極めて安定
しておシ、信頼性の高い抵抗材料である。
第１図は、Ｂｌ量（Ｚ）と固有抵抗（ρ）との関係図、
第２図はρ／ρ０と温度との関係図である。 第１図 Ｂ１含肩更（Ｘ）− 第２図 １友□（０Ｃ）
第２図はρ／ρ０と温度との関係図である。 第１図 Ｂ１含肩更（Ｘ）− 第２図 １友□（０Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の組成式： ＢａＰｂ１−、Ｂ Ｉ２Ｏ３（式中、Ｘは０．１５≦Ｘ
≦０．２５の関係を満足する数を表わす。）で示される
セラミック抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125083A JPS5917206A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツク抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125083A JPS5917206A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツク抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917206A true JPS5917206A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0148642B2 JPH0148642B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14901406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125083A Granted JPS5917206A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツク抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917206A (ja) |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57125083A patent/JPS5917206A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148642B2 (ja) | 1989-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0028510B1 (en) | Oxide thermistor compositions and thermistors containing them | |
| US4642136A (en) | PTC ceramic composition | |
| JPS6022302A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| CN107001145A (zh) | 导电性氧化物烧结体、导电用构件、气体传感器、压电元件以及压电元件的制造方法 | |
| JPS5917206A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JP3202273B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3757794B2 (ja) | サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ | |
| JPS5945964A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JP3559405B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3202276B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3384410B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 | |
| JPS62152104A (ja) | Ｐｔｃセラミツク抵抗体 | |
| JPS6059705A (ja) | サ−ミスタ材料 | |
| JPS5945963A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JPS62108503A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS581523B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPH0582307A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH0543161B2 (ja) | ||
| JPH0582313A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS5978501A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JPS6013285B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS6126202A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS6059706A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JPS59208804A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS6214924B2 (ja) |