JPS5945963A - セラミツク抵抗材料 - Google Patents
セラミツク抵抗材料Info
- Publication number
- JPS5945963A JPS5945963A JP57155937A JP15593782A JPS5945963A JP S5945963 A JPS5945963 A JP S5945963A JP 57155937 A JP57155937 A JP 57155937A JP 15593782 A JP15593782 A JP 15593782A JP S5945963 A JPS5945963 A JP S5945963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- resistivity
- temperature coefficient
- ceramic
- ceramic resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は高温まで抵抗の変化が小さく安定したセライッ
ク抵抗材料に関するものである。
ク抵抗材料に関するものである。
・一般に抵抗材料としては、Ｃｕ−Ｎｉ、 Ｃｕ−Ｎｊ
−鳩などの合金、戻累抵抗、′ｌ゛ムＮ、 ８ｉＣなど
のセラミック抵抗材等か知られている。
−鳩などの合金、戻累抵抗、′ｌ゛ムＮ、 ８ｉＣなど
のセラミック抵抗材等か知られている。
この内Ｃｕ −Ｎｉ 、 ＣＩｌ −Ｎｉ−Ｍｎ合金は
抵抗率の温度係数は非常に小さく ５ｏｐｐｒｎ／”Ｏ
程度であるが、固有抵抗率が４〜５Ｘ１０’Ω傷と小で
いため筒い抵抗値を得るためには抵抗体の断面積を小さ
くするか、長さを大きくしなければならない欠点があっ
た。
抵抗率の温度係数は非常に小さく ５ｏｐｐｒｎ／”Ｏ
程度であるが、固有抵抗率が４〜５Ｘ１０’Ω傷と小で
いため筒い抵抗値を得るためには抵抗体の断面積を小さ
くするか、長さを大きくしなければならない欠点があっ
た。
安価な炭素抵抗体は、その抵抗率が１０ ０Ｃｍｓ度で
あるが温度係数が−１５００ｐｐｍ／”Ｏと大きいため
、高精度を必要としない低価格用の抵抗材として用いら
れていた。またｌ’ｉＮ 、 ＳｉＣなとのセラミック
導電性微粉末とガラスフリットとを用いたものｈ製造工
程が松雑なためコスト高となる欠点かを、す、しかも温
度係数等の抵抗諸物性も必ずしも満足できるものでな：
１なかった。
あるが温度係数が−１５００ｐｐｍ／”Ｏと大きいため
、高精度を必要としない低価格用の抵抗材として用いら
れていた。またｌ’ｉＮ 、 ＳｉＣなとのセラミック
導電性微粉末とガラスフリットとを用いたものｈ製造工
程が松雑なためコスト高となる欠点かを、す、しかも温
度係数等の抵抗諸物性も必ずしも満足できるものでな：
１なかった。
本発明は上述の欠点に録与てなされたもので、高温まで
安定した抵抗値を４Ｊ’ シ、固有抵抗が比較的太さく
、シかも安価なセラミック抵抗拐利を提供することを目
的とする。
安定した抵抗値を４Ｊ’ シ、固有抵抗が比較的太さく
、シかも安価なセラミック抵抗拐利を提供することを目
的とする。
本発明は化学式でＢａＩ−ｘＬｉｚＰｂ０３（０，２＜
ｘ＜０．３ンと示されるセラミック抵抗祠科である。
ｘ＜０．３ンと示されるセラミック抵抗祠科である。
つまシ本発明はＢａ、）’ｂｏａを基本拐料として梱々
の元素によυ−ｆｆｉ′４Ｓ置４ｔｓを行った粕果、抵
抗の温度安定性にＬｉの添加が効果があり、製造も比較
的容易でおることに着眼したものである。
の元素によυ−ｆｆｉ′４Ｓ置４ｔｓを行った粕果、抵
抗の温度安定性にＬｉの添加が効果があり、製造も比較
的容易でおることに着眼したものである。
なお本発明における数値限定は以下の如き理由によるも
のである。
のである。
Ｘが０．２未満では抵抗の温度係数の低減化にあまり効
果がなく、固有抵抗のみが増加する。一方Ｘが０．３を
越えると抵抗の温度係数は負の大ぎな値となシ、固有抵
抗は減少し、１３ａＰｂＯｓの抵抗値に近づく。従って
Ｌｉの含有かＸは０．２ （Ｘ ＜０．３ とする。
果がなく、固有抵抗のみが増加する。一方Ｘが０．３を
越えると抵抗の温度係数は負の大ぎな値となシ、固有抵
抗は減少し、１３ａＰｂＯｓの抵抗値に近づく。従って
Ｌｉの含有かＸは０．２ （Ｘ ＜０．３ とする。
なお実用上は特に温度係数の点から０，２５≦Ｘ≦０．
３とする事が好ましい。
３とする事が好ましい。
本発明を実施例を用いて示す。
Ｈａｌ−ｘＬｉ、 ＰｂＯ，においてＸ ＝ ０．０．
１５．０．２．０．２５゜０．２７．０．３となるよう
に原料、ＨａＣＯｌ、 ＬＡ２ＣＯＢ、 Ｐｂ、０４粉
末を秤ｉ、ａ１４合し、ボールミルを用いて湿式混合し
た。この混合粉末を乾燥後アルミナルツボを用い酸素フ
ロー中８８０°０３時間仮焼した。仮焼粉末は再びボー
ルミルに″よる混合、乾燥を経て酸素フロー中８８０°
０３時間の仮焼を行い、粉砕、混合。
１５．０．２．０．２５゜０．２７．０．３となるよう
に原料、ＨａＣＯｌ、 ＬＡ２ＣＯＢ、 Ｐｂ、０４粉
末を秤ｉ、ａ１４合し、ボールミルを用いて湿式混合し
た。この混合粉末を乾燥後アルミナルツボを用い酸素フ
ロー中８８０°０３時間仮焼した。仮焼粉末は再びボー
ルミルに″よる混合、乾燥を経て酸素フロー中８８０°
０３時間の仮焼を行い、粉砕、混合。
乾燥を行った。ここで２回の仮焼プロセスは混合粉の均
一な反応を求めたものであるが、必ずしも必要ではなく
、１回の仮焼でも十分な効果が得られる。仮焼の終了し
た粉末は一般に用いられるバインダと混合後、円押しプ
レスを用いて２０φＸ５に成形した。成形体は白金板上
に置き、酸素フロー中で９５０〜１１００°０３時間焼
成した。こうして作製した試料はＸｉ回折により均一な
ペロブスカイト構造であることが確認された。
一な反応を求めたものであるが、必ずしも必要ではなく
、１回の仮焼でも十分な効果が得られる。仮焼の終了し
た粉末は一般に用いられるバインダと混合後、円押しプ
レスを用いて２０φＸ５に成形した。成形体は白金板上
に置き、酸素フロー中で９５０〜１１００°０３時間焼
成した。こうして作製した試料はＸｉ回折により均一な
ペロブスカイト構造であることが確認された。
次にペレット状試利から約１５ ｘ ３ ｘ １ （ｉ
ａ”）の矩形を切り出し抵抗率測足用サンプルとした。
ａ”）の矩形を切り出し抵抗率測足用サンプルとした。
抵抗率の測定は通常の直流四端子法を用い室温から９０
０ ’０まで測定した。この時電極としてはＡｌｌ−Ｐ
ｄもしくはＰｔペーストを焼き付けたものとした。
０ ’０まで測定した。この時電極としてはＡｌｌ−Ｐ
ｄもしくはＰｔペーストを焼き付けたものとした。
第１表に上記各組成試料の室温における抵抗率を示す。
第１弐
こＯ結果から萌らかな如くＸが０から０．２まではＬｌ
による置換で抵抗率は上昇するが以後Ｘが０．３まで抵
抗率は減少し、Ｘ＝Ｏ，ａでほぼＢａＰｂＯ３の抵抗率
と等しくなるｇまた上記各組成試料の抵抗率の温度係数
は第１図に示すようにＬｌによる置換で徐々に減少しｘ
〉ｏ、ｚ’ｙで負の値となる。ここで抵抗率ρの温度依
存性は室温抵抗率ρ。、温度係数αとして次式で示され
るとして温度係数を求めた。
による置換で抵抗率は上昇するが以後Ｘが０．３まで抵
抗率は減少し、Ｘ＝Ｏ，ａでほぼＢａＰｂＯ３の抵抗率
と等しくなるｇまた上記各組成試料の抵抗率の温度係数
は第１図に示すようにＬｌによる置換で徐々に減少しｘ
〉ｏ、ｚ’ｙで負の値となる。ここで抵抗率ρの温度依
存性は室温抵抗率ρ。、温度係数αとして次式で示され
るとして温度係数を求めた。
ρ；ρｏ（１＋α（’ｌ’−Ｔａ））
ただし’ｒａは室温。
納１図から明らかな如く真の値が０．２ ＜ｘ ＜０．
３の範囲で温度係数が±３００ｐｐｍ／”Ｏ以下の特性
が得られ、ｘ＝０．２７で最も低い値（−６ｏｐｐｍ／
”Ｏ）をもつすぐれた抵抗特性が示された。
３の範囲で温度係数が±３００ｐｐｍ／”Ｏ以下の特性
が得られ、ｘ＝０．２７で最も低い値（−６ｏｐｐｍ／
”Ｏ）をもつすぐれた抵抗特性が示された。
また特に０．２５ ＜ ｘ ＜０．３の範囲では電気抵
抗の温度係数が±２００ ｐｐｍ／”Ｏ以下というすぐ
れた温度安定性を得ることができる。
抗の温度係数が±２００ ｐｐｍ／”Ｏ以下というすぐ
れた温度安定性を得ることができる。
以上の如く本発明に係るセラミック抵抗材料は高温まで
安定した抵抗値を弔゛シ、かつ比較的大飯な固有抵抗が
得られるものである。
安定した抵抗値を弔゛シ、かつ比較的大飯な固有抵抗が
得られるものである。
さらに本発明においては原料としてＢａＣＯ５。
Ｌ ｉ ｔ ＣＯｓ 、 Ｐｂ ｓ ０４を用いる事が
できるためその抵抗特性と併せ、従来技術に比軟して安
価なセラミック抵抗材料を得ることができる。
できるためその抵抗特性と併せ、従来技術に比軟して安
価なセラミック抵抗材料を得ることができる。
第１図は本発明に保るＨａ ｌ−ｘ Ｌ Ｉ Ｘ Ｐｂ
（’）３の抵抗率の温度依存性を示す曲線図。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
（’）３の抵抗率の温度依存性を示す曲線図。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
Claims (1)
- 化学式Ｂａ１− ｘＬｉｘＰｂｏｌで表わされ０．２
＜、 ｘ ＜０．３なる組成をｉするφを％′像とした
セラミック抵抗拐料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155937A JPS5945963A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155937A JPS5945963A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945963A true JPS5945963A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15616771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155937A Pending JPS5945963A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945963A (ja) |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57155937A patent/JPS5945963A/ja active Pending
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